本發(fā)明涉及電壓轉換電路、電子裝置和控制電壓轉換電路的方法。具體地，本發(fā)明涉及使用開關元件的電壓轉換電路、電子裝置和控制該電壓轉換電路的方法。
背景技術：
：在相關技術中，直流(dc)-dc轉換器被用在電子裝置中以將直流電源電壓轉換成電子裝置內(nèi)部電路或部件所需的直流電壓。作為dc-dc轉換器的類型，例如，可以舉線性類型轉換器和開關類型轉換器的例子，線性類型轉換器中的變化由半導體元件切斷，開關類型轉換器中的開關被導通或斷開。在這些類型中，通常使用開關類型，因為其轉換效率高。作為開關類型的控制，頻率被控制的脈沖頻率調(diào)制(pfm)控制和脈沖寬度被控制的脈寬調(diào)制(pwm)控制可以作為例證。在pwm控制中，不論負載大小，由于以一定頻率進行開關而發(fā)生一定的開關損耗。與此相反，在pfm控制中，由于負載較小，所以降低了開關頻率。因此，可以通過輕負載來降低開關損耗。因此，pfm控制往往用于輕負載(例如，參見非專利文獻1)。引用文獻列表非專利文獻非專利文獻1：biranchinathsahu等人在2007年2月的《ieee電路與系統(tǒng)匯刊》卷54第2期正式論文“具有自適應導通持續(xù)時間脈沖頻率調(diào)制(pfm)控制的精確、低壓cmos開關電源(anaccurate,low-voltage,cmosswitchingpowersupplywithadaptiveon-timepulse-frequencymodulation(pfm)control)”。技術實現(xiàn)要素：技術問題在上述pfm控制的dc-dc轉換器中，在dc-dc轉換器中的功耗變得較小時，轉換效率變得較高。因此，期望盡可能地降低損耗。在這里，關于dc-dc轉換器的損耗，除了由于控制電路執(zhí)行開關控制的功耗引起的損耗以外，還存在開關元件中的開關損耗和線圈中的電感器損耗。在這些損耗之中，開關損耗和電感器損耗可以在輕負載的情況下通過以低開關頻率執(zhí)行pfm控制來降低。然而，由于控制電路必須在開關控制期間正常工作，因此很難降低控制電路的功耗。本技術根據(jù)上述情況來設計，并且本技術的目的是降低dc-dc轉換器的功耗。問題的解決方案本技術已能夠解決上述問題，并且本技術的第一方面提供電壓轉換電路，包括：被配置為當電流被供給時基于該電流生成輸出電壓的電壓生成單元；被配置為輸出用于停止電流供給的信號的停止控制單元；被配置為將所述電流供給至電壓生成單元，直到所述信號輸出為止的電流供給單元；以及被配置為在電流的供給時間段期間操作停止控制單元并在所述信號輸出時停止該停止控制單元的間歇控制單元，并提供了控制電壓轉換電路的方法。因此，可以獲得在檢測到信號時停止控制單元的操作效果。根據(jù)第一方面，電壓轉換電路可進一步包括被配置為檢測供給時間段的開始定時的開始定時檢測單元，并且停止控制單元可檢測供給時間段的結束定時并輸出信號。因此，可以獲得從開始定時到結束定時期間輸出電壓和預定參考電壓之間的比較結果被固定為預定固定值的操作效果。根據(jù)第一方面，開始定時檢測單元可包括將輸出電壓與預定參考電壓進行比較并輸出比較結果作為開始定時檢測信號的電壓比較器，以及檢測信號控制單元，其在從檢測到所述開始定時到檢測到所述結束定時期間，將所述比較結果固定為預定的固定值。因此，可以獲得從開始定時到結束定時期間輸出電壓和預定參考電壓之間的比較結果被固定為預定固定值的操作效果。根據(jù)第一方面，停止控制單元可檢測出從開始定時起消逝的預定時間段的時間作為結束定時。因此，可以獲得在檢測出從開始定時起消逝的預定時間段作為結束定時的操作效果。根據(jù)第一方面，停止控制單元可檢測出電流達到預定峰值的時間作為結束定時。由此，可以獲得當電流達到預定峰值時檢測到結束定時的操作效果。根據(jù)第一方面，停止控制單元可包括將電流與預定峰值比較并輸出比較結果作為所述信號的電流比較器，以及在從所述開始定時起消逝一定掩蔽時間段期間掩蔽所述信號的檢測信號掩蔽單元。因此，可以獲得在從所述開始定時起消逝一定掩蔽時間段期間掩蔽所述信號的操作效果。根據(jù)第一方面，電壓轉換電路可還包括被配置為防止電流反向流動的反向流動防止單元。因此，可以獲得防止電流方向流動的操作效果。根據(jù)第一方面，電壓轉換電路可還包括電流減少定時檢測單元，其被配置為在信號輸出時開始檢測電流低于預定設定值的電流減少定時。反向流動防止單元可在所述信號輸出時將所述電壓生成單元和接地端之間的路徑控制為閉合狀態(tài)，并且反向流動防止單元在所述電流減少定時檢測到時，將所述路徑控制為斷開狀態(tài)，以及當所述電流減少定時檢測到時，所述間歇控制裝置可控制電流減少定時檢測單元，以停止所述電流減少定時的檢測。因此，可以獲得當信號輸出時停止由電流減少定時檢測單元進行的檢測電流減少定時的操作效果。根據(jù)第一方面，電壓轉換電路可還包括：激活控制單元，其被配置為在給出開始生成輸出電壓的指令之后，在預定的準備時間段內(nèi)控制并操作停止控制單元。因此，可以獲得結束定時檢測單元在預定的準備時間段內(nèi)操作的操作效果。根據(jù)第一方面，開始定時檢測單元可包括將輸出電壓與預定參考電壓進行比較并輸出比較結果作為開始定時檢測信號的電壓比較器，以及檢測信號控制單元，在從檢測到所述開始定時到檢測到所述結束定時期間，將所述比較結果固定為預定的固定值。因此，可以獲得從開始定時到結束定時期間輸出電壓和預定參考電壓之間的比較結果被固定為預定固定值的操作效果。根據(jù)本技術的第二方面，提供了電子裝置，包括：電壓轉換電路，被配置為包括：在電流被供給時基于該電流生成輸出電壓的電壓生成單元，輸出用于停止電流的供給的信號的停止控制單元，向電壓生成單元供給電流直到信號輸出為止的電流供給單元，以及在電流的供給時間段期間操作停止控制單元并在信號輸出時停止該停止控制單元的間歇控制單元；以及被配置為執(zhí)行控制輸出電壓的處理的處理電路。因此，可以獲得在檢測到信號時停止控制單元的操作效果。根據(jù)本技術的第三方面，供給了電子裝置，包括：多個電壓轉換電路，每個電壓轉換電路被配置為包括：在電流被供給時基于該電流生成輸出電壓的電壓生成單元，輸出用于停止電流供給的信號的停止控制單元，向電壓生成單元供給電流直到信號輸出為止的電流供給單元，以及在電流的供給時間段期間操作停止控制單元并在信號輸出時停止該停止控制單元的間歇控制單元；以及被配置為執(zhí)行控制多個電壓轉換電路中的每個電壓轉換電路的輸出電壓的處理的處理電路。因此，可以獲得在多個電壓轉換電路中的每個電壓轉換電路中檢測到結束定時時停止結束定時檢測單元的操作效果。本發(fā)明的有利效果根據(jù)本技術，可以獲得降低dc-dc轉換器的功耗的有利效果。此外，本文所述的有利效果不必受到限制，并且可獲得在本公開中描述的任何有利效果。附圖說明圖1為示出根據(jù)第一實施例的信息處理裝置的配置示例的框圖。圖2為示出根據(jù)第一實施例的dc-dc轉換器的配置示例的框圖。圖3為示出根據(jù)第一實施例的電壓減少檢測單元的配置示例的框圖。圖4為示出根據(jù)第一實施例的轉換器控制單元的配置示例的框圖。圖5為示出根據(jù)第一實施例的用于控制轉換器控制單元的p型mos晶體管的操作的示例的示意圖。圖6為示出根據(jù)第一實施例的用于控制轉換器控制單元的n型mos晶體管的操作的示例的示意圖。圖7為示出根據(jù)第一實施例的pmos關斷定時檢測單元的配置示例的框圖。圖8為示出根據(jù)第一實施例的nmos關斷定時檢測單元的配置示例的框圖。圖9為示出根據(jù)第一實施例的dc-dc轉換器的操作的示例的定時圖。圖10為示出根據(jù)第一實施例的dc-dc轉換器的功耗的示例的示意圖。圖11為示出根據(jù)第一實施例的dc-dc轉換器的操作的示例的流程圖。圖12為示出根據(jù)第二實施例的dc-dc轉換器的配置示例的框圖。圖13為示出根據(jù)第二實施例的激活控制單元的配置示例的框圖。圖14為示出根據(jù)第二實施例的激活使能生成單元的操作的示例的示意圖。圖15為示出根據(jù)第二實施例的用于控制轉換器控制單元的p型mos晶體管的操作的示例的示意圖。圖16為示出根據(jù)第二實施例的用于控制轉換器控制單元的n型mos晶體管的操作的示例的示意圖。圖17為示出根據(jù)第二實施例的dc-dc轉換器的操作的示例的定時圖。圖18為示出根據(jù)第三實施例的電壓減少檢測單元的配置示例的框圖。圖19為示出根據(jù)第三實施例的比較例的dc-dc轉換器的操作的示例的定時圖。圖20為示出根據(jù)第四實施例的dc-dc轉換器的配置示例的框圖。圖21為示出根據(jù)第五實施例的pmos關斷定時檢測單元的配置示例的框圖。圖22為示出根據(jù)第六實施例的信息處理裝置的配置示例的框圖。具體實施方式在下文中，將描述用于執(zhí)行本技術的模式(在下文中，稱為實施例)。本說明書將以下列次序進行。1.第一實施例(執(zhí)行定時檢測單元的間歇控制的示例)2.第二實施例(在激活控制之后執(zhí)行定時檢測單元的間歇控制的示例)3.第三實施例(防止電壓減少檢測單元的錯誤操作并執(zhí)行定時檢測單元的間歇控制的示例)4.第四實施例(通過二極管防止反向流動并執(zhí)行定時檢測單元的間歇控制的示例)5.第五實施例(執(zhí)行包括比較器的定時檢測單元的間歇控制的示例)6.第六實施例(在多個轉換器的每個轉換器中執(zhí)行定時檢測單元的間歇控制的示例)<1.第一實施例>[信息處理裝置的配置示例]圖1為示出根據(jù)第一實施例的信息處理裝置100的配置示例的框圖。信息處理裝置100包括總線110、處理器120、接口130和dc-dc轉換器200。處理器120控制整個信息處理裝置100。處理器120通過接口接收外部信號。例如，輸入作為外部信號的轉換器使能信號en或用于命令處理器120執(zhí)行計算的信號。處理器120根據(jù)外部信號執(zhí)行計算。然后，處理器120生成電壓控制信號voctrl并通過接口130向dc-dc轉換器200提供電壓控制信號voctrl。處理器120為權利要求中描述的處理電路的示例。在這里，電壓控制信號voctrl為用于控制dc-dc轉換器200的輸出電壓vo的值的信號。一般來說，當處理器120的電源電壓(即，輸出電壓vo)被設置為高時，功耗增加，但可以提高計算處理速度。相反，當電源電壓被設置為低時，功耗降低，但計算處理速度下降。因此，處理器120根據(jù)所獲得的計算處理速度通過電壓控制信號voctrl來控制電源電壓。另外，轉換器使能信號en為用于控制dc-dc轉換器200使得dc-dc轉換器200被使能或禁用(disabled)的信號。例如，當控制dc-dc轉換器200使得dc-dc轉換器200被使能時,轉換器使能信號en被設置成高電平，并且當控制dc-dc轉換器200使得dc-dc轉換器200被禁用時,該轉換器使能信號en被設置成低電平。例如，當處理器120被引起開始計算時，從外部輸入在高電平(使能)的轉換器使能信號en。接口130與外部裝置、處理器120和總線110交換外部信號、電壓控制信號voctrl、轉換器使能信號en等?？偩€110在接口130和dc-dc轉換器200之間交換電壓控制信號voctrl、轉換器使能信號en等。dc-dc轉換器200轉換直流電壓。dc-dc轉換器200通過信號線118和119從總線110接收轉換器使能信號en和電壓控制信號voctrl。當轉換器使能信號en被設置為高電平(使能)時，dc-dc轉換器200根據(jù)電壓控制信號voctrl將直流電壓轉換為直流輸出電壓vo。然后，dc-dc轉換器200通過電源線209將輸出電壓vo提供給處理器120。此外，dc-dc轉換器200為在權利要求中描述的電壓轉換裝置的示例。此外，dc-dc轉換器200被包含在信息處理裝置100中，但dc-dc轉換器200可被包含在除信息處理裝置以外的電子裝置中。此外，信息處理裝置100為在權利要求中描述的電子裝置的示例。[dc-dc轉換器的配置示例]圖2為示出根據(jù)第一實施例的dc-dc轉換器200的配置示例的框圖。dc-dc轉換器200包括電壓減少檢測單元210、轉換器控制單元220、pmos關斷定時檢測單元230、nmos關斷定時檢測單元240和驅(qū)動器250。此外，dc-dc轉換器200還包括p型mos晶體管261、n型mos晶體管262、線圈270和電容器280。在p型mos晶體管261中，柵極被連接至驅(qū)動器250，電源電壓vdd被施加至源極，并且漏極被連接至線圈270。另外，在n型mos晶體管262中，柵極被連接至驅(qū)動器250，漏極被連接至p型mos晶體管261、線圈270和nmos關斷定時檢測單元240，并且源極被連接至接地端。線圈270的一端被連接至p型mos晶體管261和n型mos晶體管262，并且線圈270的另一端被連接至電容器280、處理器120和電壓減少檢測單元210。在驅(qū)動器250的控制下，p型mos晶體管261斷開和閉合電源和線圈270之間的路徑。此外，在驅(qū)動器250的控制下，n型mos晶體管262斷開和閉合接地端和線圈270之間的路徑。這些晶體管不受控制使得這些晶體管同時進入導通狀態(tài)，并被專門控制使得這些晶體管均進入關斷狀態(tài)或這些晶體管中只有其中的一個進入導通狀態(tài)。這是因為當p型mos晶體管261和n型mos晶體管262進入導通狀態(tài)時，電源和接地端可被這些晶體管短路，并且相對大的電流可流過。當驅(qū)動器250執(zhí)行控制使得p型mos晶體管261進入導通狀態(tài)時，根據(jù)電源電壓vdd將電流il1提供給線圈270。當提供電流il1時，線圈270通過自感生成輸出電壓vo。電容器280平滑輸出電壓vo。此外，p型mos晶體管261為在權利要求中描述的電流供給單元的示例。而且，線圈270和電容器280為在權利要求中描述的電壓生成單元的示例。相反，當驅(qū)動器250控制p型mos晶體管261使得p型mos晶體管261進入關斷狀態(tài)時，控制n型mos晶體管262使得n型mos晶體管進入導通狀態(tài)。因此，電流il2根據(jù)輸出電壓vo流向線圈270，并因此電流il2的電流值逐漸減少。在電流il2減少到等于或小于0毫安(ma)的定時，n型mos晶體管262被控制使得n型mos晶體管262進入關斷狀態(tài)，并從而防止反向流動。此外，p型mos晶體管261和n型mos晶體管262被安裝為開關元件，但本技術不限于此配置。例如，代替mos晶體管，晶閘管等可作為開關元件來安裝。電壓減少檢測單元210檢測輸出電壓vo是否減少到低于參考電壓vref的電壓。當轉換器使能信號en處于高電平(en)時，電壓減少檢測單元210根據(jù)電壓控制信號voctrl生成參考電壓vref并將參考電壓vref與輸出電壓vo比較。電壓減少檢測單元210將作為電壓減少檢測信號vd的比較結果提供給轉換器控制單元220。相反，當轉換器使能信號en處于低電平(禁用)時，電壓減少檢測單元210停止操作并且不檢測電壓減少。在這里，輸出電壓vo減少到小于參考電壓vref的電壓的定時被視作開始向線圈270提供電流的開始定時。此外，電壓減少檢測單元210為權利要求中描述的開始定時檢測單元的示例。轉換器控制單元220控制整個dc-dc轉換器200。轉換器控制單元220基于電壓減少檢測信號vd、pmos關斷定時檢測信號pend和nmos關斷定時檢測信號nend生成pmos控制信號pon和nmos控制信號non。轉換器控制單元220將pmos控制信號pon提供給pmos關斷定時檢測單元230和驅(qū)動器250，并且將nmos控制信號non提供給nmos關斷定時檢測單元240和驅(qū)動器250。在這里，pmos關斷定時檢測信號pend為指示p型mos晶體管被關斷以結束至線圈270的電力供應的結束定時的信號。nmos關斷定時檢測信號nend為指示來自線圈270的電流減少到等于或小于“0”毫安(ma)的值的電流減少定時的信號。另外，pmos控制信號pon為用于控制p型mos晶體管261使得p型mos晶體管261進入導通狀態(tài)或關斷狀態(tài)的信號。例如，當p型mos晶體管261進入導通狀態(tài)時，將pmos控制信號pon設置為高電平。當p型mos晶體管261進入關斷狀態(tài)時，將pmos控制信號pon設置低電平。nmos控制信號non為用于控制n型mos晶體管262使得n型mos晶體管262進入導通狀態(tài)或關斷狀態(tài)的信號。例如，當n型mos晶體管262進入導通狀態(tài)時，將nmos控制信號non設置為高電平。當n型mos晶體管262進入關斷狀態(tài)時，將nmos控制信號non設置為低電平。轉換器控制單元220在由電壓減少檢測信號vd指示的開始定時將pmos控制信號設置為高電平。因此，p型mos晶體管261進入導通狀態(tài)，并且開始向線圈270提供電流。然后，在由pmos關斷定時檢測信號pend指示的結束定時，轉換器控制單元220將pmos控制信號設置為低電平并將nmos控制信號設置為高電平。因此，p型mos晶體管261進入關斷狀態(tài)并且結束至線圈270的電流供給。然后，在由nmos關斷定時檢測信號nend指示的定時，轉換器控制單元220將nmos控制信號設置為低電平。因此，n型mos晶體管262進入關斷狀態(tài)，并從而防止電流反向流動。此外，轉換器控制單元220為在權利要求中描述的間歇控制單元的示例。這樣，p型mos晶體管261和n型mos晶體管262反復導通和關斷。這些晶體管的開關頻率根據(jù)處理器120等的負載電流的大小來控制。也就是說，轉換器控制單元220執(zhí)行pfm控制。此外，轉換器控制單元220可執(zhí)行pwm控制而不是pfm控制。pmos關斷定時檢測單元230檢測p型mos晶體管261進入關斷狀態(tài)的pmos關斷定時(即，電流供給結束定時)。pmos關斷定時檢測單元230檢測在pmos關斷定時(結束定時)已過去一段時間之后pmos控制信號進入高電平的定時。當pmos關斷定時檢測單元230檢測到pmos關斷定時時，pmos關斷定時檢測單元230生成pmos關斷定時檢測信號pend并向轉換器控制單元220提供pmos關斷定時檢測信號pend。此外，pmos關斷定時檢測單元230為權利要求中描述的停止控制單元的示例。nmos關斷定時檢測單元240檢測在n型mos晶體管262進入關斷狀態(tài)的nmos中斷定時。參考在n型mos晶體管262處于導通狀態(tài)時的電流il2，nmos關斷定時檢測單元240檢測電流il2的值降低到等于或小于0毫安(ma)的值時的電流減少定時以作為nmos關斷定時。當nmos關斷定時檢測單元240檢測到nmos關斷定時(電流減少定時)時，nmos關斷定時檢測單元240生成nmos關斷定時檢測信號nend并向轉換器控制單元220提供nmos關斷定時檢測信號nend。此外，nmos關斷定時檢測單元240為在權利要求中描述的電流減少定時檢測單元的示例。驅(qū)動器250控制p型mos晶體管261和n型mos晶體管262。驅(qū)動器250將pmos控制信號pon反相并將反相的pmos控制信號pon作為驅(qū)動器輸出信號psw提供給p型mos晶體管261。此外，驅(qū)動器250向n型mos晶體管262提供nmos控制信號non作為驅(qū)動器輸出信號nsw。在這里，驅(qū)動器250生成驅(qū)動器輸出信號，使p型mos晶體管261和n型mos晶體管262兩者不進入導通狀態(tài)。也就是說，生成這些信號使驅(qū)動器輸出信號psw不進入低電平，并且驅(qū)動器輸出信號nsw不進入高電平。[電壓減少檢測單元的配置示例]圖3為示出根據(jù)第一實施例的電壓減少檢測單元210的配置示例的框圖。電壓減少檢測單元210包括參考電壓生成單元211和比較器212。參考電壓生成單元211根據(jù)電壓控制信號voctrl生成某參考電壓vref。參考電壓生成單元211向比較器212的非反向輸入端(+)提供參考電壓vref。比較器212將輸出電壓與參考電壓vref進行比較。輸出電壓vo為至比較器212的反向輸入端(-)的輸入，并且參考電壓vref為至非反向輸入端(+)的輸入。此外，轉換器使能信號en被輸入至比較器212的使能端。當轉換器使能信號en為高電平時，比較器212向轉換器控制單元220提供輸出電壓vo和參考電壓vref之間的比較結果作為電壓檢測信號vd。此外，比較器212為在權利要求中描述的電壓比較器的示例。[轉換器控制單元的配置示例]圖4為示出根據(jù)第一實施例的轉換器控制單元220的配置示例的框圖。轉換器控制單元220包括pmos控制信號生成單元221和nmos控制信號生成單元222。pmos控制信號生成單元221生成pmos控制信號pon。pmos控制信號pon的初始狀態(tài)被設置為例如低電平。當轉換器使能信號en處于高電平(使能)狀態(tài)并且電壓檢測信號vd進入高電平時，pmos控制信號生成單元221將pmos控制信號pon設置為高電平。另外，當轉換器使能信號en為高電平并且電壓檢測信號vd和pmos關斷定時檢測信號pend均處于低電平時，pmos控制信號生成單元221保持pmos控制信號pon的值。當轉換器使能信號en處于高電平狀態(tài)并且pmos關斷定時檢測信號pend進入高電平時，pmos控制信號生成單元221將pmos控制信號pon設置為低電平。nmos控制信號生成單元222生成nmos控制信號non。nmos控制信號non的初始狀態(tài)被設置為例如低電平。當轉換器使能信號en處于高電平(使能)狀態(tài)并且pmos關斷定時檢測信號pend進入高電平時，nmos控制信號生成單元222將nmos控制信號non設置為高電平。另外，當轉換器使能信號en為高電平并且pmos關斷定時檢測信號pend和nmos關斷定時檢測信號nend均處于低電平時，nmos控制信號生成單元222保持nmos控制信號non的值。當轉換器使能信號en處于高電平狀態(tài)并且nmos關斷定時檢測信號nend進入高電平時，nmos控制信號生成單元222將nmos控制信號non設置為低電平。圖5為示出根據(jù)第一實施例的用于控制轉換器控制單元220的p型mos晶體管261的操作的示例的示意圖。當轉換器使能信號en為低電平(禁用)時，pmos控制信號pon被控制使得pmos控制信號pon為低電平。另外，當轉換器使能信號en為高電平(使能)、電壓減少檢測信號vd為高電平并且pmos關斷定時檢測信號pend為低電平時，pmos控制信號pon被控制使得pmos控制信號pon為高電平。另外，當轉換器使能信號en為高電平并且電壓減少檢測信號vd和pmos關斷定時檢測信號pend均為低電平時，pmos控制信號pon的值被保持。當轉換器使能信號en為高電平、電壓減少檢測信號vd為低電平并且pmos關斷定時檢測信號pend為高電平時，pmos控制信號pon被控制使得pmos控制信號pon進入低電平。圖6為示出根據(jù)第一實施例的用于控制轉換器控制單元220的n型mos晶體管262的操作的示例的示意圖。當轉換器使能信號en為低電平(禁用)時，nmos控制信號non被控制，使得nmos控制信號non進入低電平。另外，當轉換器使能信號en為高電平(使能)、pmos關斷定時測信號pend為高電平并且nmos關斷定時檢測信號nend為低電平時，nmos控制信號non被控制，使得nmos控制信號non進入高電平。另外，當轉換器使能信號en為高電平并且pmos關斷定時檢測信號pend和nmos關斷定時檢測信號nend均處于低電平時，nmos控制信號non的值被保持。當轉換器使能信號en為高電平、pmos關斷定時測信號pend為低電平并且nmos關斷定時檢測信號nend為高電平時，nmos控制信號non被控制，使得nmos控制信號non為進入低電平。[pmos關斷定時檢測單元的配置示例]圖7為示出根據(jù)第一實施例的pmos關斷定時檢測單元230的配置示例的框圖。pmos關斷定時檢測單元230包括開關231和導通時間定時器232。開關231根據(jù)pmos控制信號pon向?qū)〞r間定時器232提供電源電壓vdd。例如，當pmos控制信號pon為高電平時，開關231提供電源電壓vdd。當提供電源電壓vdd時，導通時間定時器232工作。相反，當pmos的控制信號pon為低電平時，開關231不提供電源電壓vdd并且導通時間定時器232停止。這樣，pmos控制信號pon被用作使能信號，該使能信號不僅用于p型mos晶體管261的導通和關斷控制而且還用于控制是否操作pmos關斷定時檢測單元230。此外，開關231被安裝在導通時間定時器232的外面，但開關231可被安裝在導通時間定時器232內(nèi)。另外，pmos控制信號pon被用作pmos關斷定時檢測單元230的使能信號，但是轉換器控制單元220可根據(jù)pmos控制信號pon單獨生成使能信號。導通時間定時器232測量p型mos晶體管261被導通的時間。例如，在非專利文獻1的圖5中所述的模擬電路被用作導通時間定時器232的電路。例如，當pmos控制信號pon進入高電平時，導通時間定時器232開始測量時間。當在下面的等式中指示的時間tpon消逝時，pmos關斷定時檢測信號pend在一定的脈沖時間段內(nèi)輸出。tpon＝(l×ilpk)/(vdd-vo)…等式1在上述等式中，l為線圈270的電感，并且電感的單位為例如亨利(h)。另外，ilpk為預先設置的、作為提供給線圈270的電流的峰值的值，并且該值的單位為例如毫安(ma)。[nmos關斷定時檢測單元的配置示例]圖8為示出根據(jù)第一實施例的nmos關斷定時檢測單元240的配置示例的框圖。nmos關斷定時檢測單元240包括開關241、比較器242和檢測信號掩蔽單元243。檢測信號掩蔽單元243包括開關244、導通延遲定時器245和開關246。開關241根據(jù)nmos控制信號non將電源電壓vdd提供給比較器242。例如，當nmos控制信號non為高電平時，開關241提供電源電壓vdd。當提供電源電壓vdd時，比較器242工作。相反，當nmos控制信號non為低電平時，開關241不提供電源電壓vdd。然后，比較器242停止。開關244根據(jù)nmos控制信號non向?qū)ㄑ舆t定時器245提供電源電壓vdd。例如，當nmos控制信號non為高電平時，開關241提供電源電壓vdd。當提供電源電壓vdd時，導通延遲定時器245工作。相反，當nmos控制信號non為低電平時，開關244不提供電源電壓vdd。然后，導通延遲定時器245停止。這樣，nmos控制信號non被用作使能信號，該是能信號不僅用于n型mos晶體管262的導通和關斷控制，而且還用于控制是否操作nmos關斷定時檢測單元240的使能信號。此外，開關241被安裝在比較器242的外面，但開關241可被安裝在比較器242內(nèi)。類似地，開關244也可被安裝在導通延遲定時器245內(nèi)。另外，nmos控制信號non被用作nmos關斷定時檢測單元240的使能信號，但是轉換器控制單元220可根據(jù)nmos控制信號non單獨生成使能信號。比較器242將在線圈270中流動的電流isense與預定值(例如，“0”毫安)進行比較。電流isense被輸入至比較器242的反向輸入端(-)，以及“0”毫安(ma)被輸入至非反向輸入端(+)。比較器242向開關246提供通過比較該電流與該預定值而獲得的結果作為nmos關斷定時檢測信號nend。此外，比較器242為在權利要求中描述的電流比較器的示例。在這里，當比較器242檢測到零電流時，n型mos晶體管262被控制，使得n型mos晶體管262進入關斷狀態(tài)，并因此通過下面的等式獲得該晶體管的導通時間tnon。tnon＝(l×ilpk)/vo…等式2開關頻率fsw通過下面基于等式1和2的等式獲得。fsw＝2io×vo×(vdd-vo)/(l×ilpk2×vdd)＝1/tsw…等式3在上述等式中，io為負載(諸如處理器120)的負載電流，并且該負載電流的單位為毫安(ma)。tsw為開關周期，并且該開關周期的單位為例如秒(s)。另外，開關頻率fsw的單位為例如赫茲(h)。在等式3中，開關頻率fsw被控制，使得開關頻率fsw具有根據(jù)負載電流io的值。也就是說，電壓通過pfm控制來轉換。此外，通過比較器242檢測零電流，但可安裝替代比較器242的、用于測量在等式2中的導通時間tnon的定時器。在此配置的情況下，該定時器可測量當nmos控制信號non進入高電平時的時間，并且可輸出當tnon過去時nmos關斷定時檢測信號nend。導通延遲定時器245向開關246提供通過將nmos控制信號non延遲一定掩蔽時間段tz而獲得的信號(作為掩蔽時間段控制信號zbt)。在這里，掩蔽時間段控制信號zbt被用作用于控制掩蔽時間段tz(在此前期間，nmos關斷定時檢測信號nend被掩蔽)的信號。例如，當nmos關斷定時檢測信號nend被掩蔽時，將掩蔽時間段控制信號zbt設置為低電平。當nmos關斷定時檢測信號nend未被掩蔽時，將掩蔽時間段控制信號zbt設置為高電平。開關246根據(jù)掩蔽時間段控制信號zbt閉合和斷開在比較器242和轉換器控制單元220之間的路徑。當掩蔽時間段控制信號zbt為高電平時，開關246轉換至閉合狀態(tài)。當掩蔽時間段控制信號zbt為低電平時，開關246轉換至斷開狀態(tài)。在開關246處于閉合狀態(tài)的時間段中，當nmos關斷定時檢測信號nend由比較器242生成時，nmos關斷定時檢測信號nend被輸出至轉換器控制單元220。相反，在開關246處于斷開狀態(tài)的時間段中，nmos關斷定時檢測信號nend被掩蔽，并且不輸出至轉換器控制單元220。以此方式，nmos控制信號non進入高電平，并且nmos關斷定時檢測信號nend在掩蔽時間段tz內(nèi)被檢測信號掩蔽單元243掩蔽。由于該掩蔽控制，可以抑制由于nmos關斷定時檢測單元240的間歇操作引起的錯誤操作。具體地，在比較器242被使能之后，存在比較器242執(zhí)行錯誤操作的問題。而且，當n型mos晶體管262被切換時，在將線圈270連接至驅(qū)動器250的lx端子中產(chǎn)生尖峰電壓或尖峰電流，并因此存在由于寄生元件引起的尖峰電壓或尖峰電流而錯誤檢測到nmos關斷定時檢測信號nend的問題。然而，檢測信號掩蔽單元243可以通過掩蔽nmos關斷定時檢測信號nend來防止在錯誤操作時或錯誤檢測時被輸出到轉換器控制單元220的檢測信號。因此，dc-dc轉換器200的操作變得穩(wěn)定。此外，當不存在錯誤操作或錯誤檢測的問題時，可不安裝檢測信號掩蔽單元243。[dc-dc轉換器的操作示例]圖9為示出根據(jù)第一實施例的dc-dc轉換器200的操作的示例的定時圖。在定時t1，當輸出電壓vo低于參考電壓vref時，電壓減少檢測單元210輸出具有高電平的電壓減少檢測信號vd。當降壓檢測信號vd進入高電平時，轉換器控制單元220控制pmos控制信號pon，使得pmos控制信號pon為高電平。具有高電平的pmos控制信號pon使p型mos晶體管261轉換至導通狀態(tài)，并因此輸出電壓vo增加。因此，輸出電壓vo變?yōu)榈扔诨蚋哂趨⒖茧妷簐ref，并且電壓減少檢測信號vd進入低電平。然后，在定時t2(從定時t1消逝等式1中例示的導通時間tpon)，pmos關斷定時檢測單元230輸出pmos關斷定時檢測信號pend。當輸出pmos關斷定時檢測信號pend時，轉換器控制單元220控制pmos控制信號pon，使得pmos控制信號pon進入低電平并控制nmos控制信號non，使得nmos控制信號non進入高電平。具有低電平的pmos控制信號pon使p型mos晶體管261轉換為關斷狀態(tài)，并從而結束對線圈270的電流的供給。此外，在pmos控制信號pon處于高電平的期間，pmos關斷定時檢測單元230被控制，使得pmos關斷定時檢測單元230進入使能狀態(tài)。在pmos控制信號pon處于低電平的期間，pmos關斷定時檢測單元230被控制，使得pmos關斷定時檢測單元230進入禁用狀態(tài)。圖9中的對角線部分表示pmos關斷定時檢測單元230被使能的時間段。然后，在從定時t2起的掩蔽時間段tz期間，nmos關斷定時檢測信號nend被掩蔽。在消逝了掩蔽時間段tz的定時t3，檢測信號掩蔽單元243控制掩蔽時間段控制信號zbt，使掩蔽時間段控制信號zbt進入高電平。隨后，當電流il2下降到等于或小于“0”毫安(ma)的值時，nmos關斷定時檢測單元240輸出nmos關斷定時檢測信號nend。當輸出nmos關斷定時檢測信號nend時，轉換器控制單元220控制nmos控制信號non，使得nmos控制信號non進入低電平。具有低電平的nmos控制信號non使n型mos晶體管262轉換為關斷狀態(tài)，從而防止電流反向流動。此外，在nmos控制信號non處于高電平的期間，nmos關斷定時檢測單元240被控制，使得nmos關斷定時檢測單元240進入使能狀態(tài)。在nmos控制信號non處于低電平的期間，nmos關斷定時檢測單元240被控制，使得nmos關斷定時檢測單元240進入禁用狀態(tài)。圖9中的灰色部分表示nmos關斷定時檢測單元240被使能的時間段。此外，除了pmos關斷定時檢測單元230和nmos關斷定時檢測單元240之外，電路(轉換器控制單元220等)通常在轉換器使能信號en的使能期間工作。然后，在輸出電壓vo低于參考電壓vref的定時t5，電壓減少檢測單元210輸出具有高電平的電壓減少檢測信號vd，并進行mos晶體管(261和262)的開關控制。以此方式，在從電流源的開始定時(t1)到電流源的結束定時(t2)的時間段內(nèi)，轉換器控制單元220使能pmos關斷定時檢測單元230。在其他時間段期間，轉換器控制單元220禁用pmos關斷定時檢測單元230。此外，在從結束定時(t2)到檢測到零電流的定時(t4)的期間，轉換器控制單元220使能nmos關斷定時檢測單元240。在其他時間段期間，轉換器控制單元220禁用nmos關斷定時檢測單元240。以此方式，轉換器控制單元220間歇控制pmos關斷定時檢測單元230和nmos關斷定時檢測單元240。因此，如在非專利文獻1等中所述，在檢測單元(230和240)的開關控制期間，與使檢測單元通常地工作的電路相比，可以進一步減少dc-dc轉換器200的功耗。接下來，當執(zhí)行間歇控制和不執(zhí)行間歇控制時，嘗試計算電流消耗。例如，準備計算電流消耗的程序，并輸入所有以下條件：電源電壓vdd＝3.6(v)輸出電壓vo＝1.8(v)電感l(wèi)＝2.20e-06(h)峰值電流ilpk＝300(ma)此外，當輸入負載電流io時，程序可以使用等式1至3根據(jù)輸入值計算導通時間tpon和tnon、開關頻率fsw和開關周期tsw。此外，根據(jù)這些參數(shù)，通過以下等式計算p型mos晶體管261的占空比dpon、n型mos晶體管262的占空比dnon和空閑時間段tidle：dpon＝tpon/tswdnon＝tnon/tswtidle＝tsw-(tpon+tnon)此外，根據(jù)上述等式的空閑時間段tidle和開關時間段tsw計算在下式中表示的占空比：didle＝tidle/tsw準備五種負載電流io的模式。用于負載電流io的計算的上述參數(shù)在下表1中舉例說明。[表格1]io(a)fsw(hz)tsw(s)tpon(s)tnon(s)tide(s)dpon(％)dnon(％)didel(％)1.00e-059.091.e+011.100.e-023.367.e-073.367.e-071.100.e-020.00330.003399.99331.00e-049.091.e+021.100.e-033.367.e-073.367.e-071.100.e-030.03330.033399.93331.00e-039.091.e+031.100.e-043.367.e-073.367.e-071.100.e-040.33330.333399.33331.00e-029.091.e+041.100.e-053.367.e-073.367.e-071.100.e-053.33333.333393.33331.00e-019.091.e+051.100.e-063.367.e-073.367.e-071.100.e-0733.333333.333333.3333此外，為了獲得電流消耗的具體值，例如，假設當pmos關斷定時檢測單元230和nmos關斷定時檢測單元240未被間歇控制時，將以下值輸入到程序以作為電流消耗。電壓減少檢測單元210的電流消耗iq_vod：2.0(％)pmos關斷定時檢測單元230的電流消耗iq_aot：48.0(％)nmos關斷定時檢測單元240的電流消耗iq_zcd：48.0(％)其他電路的電流消耗iq_others：2.0(％)這里，當控制電路的電流消耗icc_cont假設為100時，上述單元的電流消耗由相對值表示。這里，控制電路為除了線圈270和晶體管(261和262)之外在dc-dc轉換器200內(nèi)的電路中的所有電路。也就是說，諸如電壓減少檢測單元210、轉換器控制單元220、pmos關斷定時檢測單元230、nmos關斷定時檢測單元240等的所有電路對應于控制電路。因此，dc-dc轉換器200內(nèi)部的控制電路的電流消耗icc_cont由下式表示。icc_cont＝iq_vod+iq_aot+iq_zcd+iq_others當pmos關斷定時檢測單元230執(zhí)行間歇控制時，通過下式獲得電流消耗icc_aot：icc_aot＝iq_aot×dpon此外，當nmos關斷定時檢測單元240執(zhí)行間歇控制時，通過下式獲得電流消耗icc_zcd：icc_zcd＝iq_zcd×dnon因此，當執(zhí)行間歇控制時，控制電路的電流消耗icc_int由下式表示：icc_int＝iq_vod+iq_aot+icc_zcd+iq_others通過使用等式計算在未執(zhí)行間歇控制時和執(zhí)行間歇控制時的電流消耗所獲得的結果在下表2中舉例說明。[表格2]圖10為示出在表2中舉例說明的dc-dc轉換器200的電流消耗的圖。在圖中，縱軸表示電流消耗，并且橫軸表示計算條件。如圖所示，每個電路的電流消耗為在電路運行期間的電流消耗的累計值。因此，通過間歇控制，可以根據(jù)負載電流io大大降低電流消耗。例如，當在負載電流為1毫安(ma)的條件下執(zhí)行間歇控制時，控制電路的電流消耗為4.32(％)。也就是說，通過間歇控制，與未執(zhí)行間歇控制的情況相比，電流消耗可以下降95.7％。此外，隨著負載變輕，間歇暫停時間(tsw-tpon-tnon)與開關時間段tsw的比增加。因此，可以提高減少控制電路的電流消耗的效果并提高功率轉換效率。例如，當負載電流io為100毫安(ma)時，控制電路的電流消耗為36.0(％)。另一方面，當負載電流io為1毫安(ma)時，控制電路的電流消耗降低至4.32(％)。[dc-dc轉換器的操作示例]圖11為示出根據(jù)第一實施例的dc-dc轉換器200的操作的示例的流程圖。例如，當將轉換器使能信號en設置為使能狀態(tài)時，開始工作。dc-dc轉換器200首先確定輸出電壓vo是否低于參考電壓vref(步驟s901)。當輸出電壓vo低于參考電壓vref時(在步驟s901中為“是”)，dc-dc轉換器200將pmos控制信號pon中設置為高電平并將p型mos晶體管261設置為導通狀態(tài)(步驟s902)。此外，dc-dc轉換器200控制pmos關斷定時檢測單元230，使得pmos關斷定時檢測單元230進入使能狀態(tài)(步驟s903)。然后，dc-dc轉換器200確定是否檢測到pmos關斷定時(步驟s904)。當未檢測到pmos關斷定時(在步驟s904中為“否”)時，dc-dc轉換器200將返回到步驟s904的處理。當檢測到pmos關斷定時(在步驟s904中為“是”)時，dc-dc轉換器200將pmos控制信號pon設置為低電平并將p型mos晶體管261設置為關斷狀態(tài)(步驟s905)。此外，dc-dc轉換器200控制pmos關斷定時檢測單元230，使得pmos關斷定時檢測單元230進入禁用狀態(tài)(步驟s906)。然后，dc-dc轉換器200將nmos控制信號non設置為高電平并將n型mos晶體管262設置為導通狀態(tài)(步驟s907)。此外，dc-dc轉換器200控制nmos關斷定時檢測單元240，使得nmos關斷定時檢測單元240進入使能狀態(tài)(步驟s908)。然后，dc-dc轉換器200確定是否檢測到nmos關斷定時(步驟s909)。當未檢測到nmos關斷定時(在步驟s909中為“否”)時，dc-dc轉換器200將返回到步驟s909的處理。當檢測到nmos關斷定時(在步驟s909中為“是”)時，dc-dc轉換器200將nmos控制信號non設置為低電平并將n型mos晶體管262設置為關斷狀態(tài)(步驟s910)。此外，dc-dc轉換器200控制nmos關斷定時檢測單元240，使得nmos關斷定時檢測單元240進入禁用狀態(tài)(步驟s911)。當輸出電壓vo等于或高于參考電壓vref(在步驟s901中為“否”)或在步驟s911之后，dc-dc轉換器200將返回到步驟s901的處理。以此方式，在本技術的第一實施例中，當開始定時檢測到時，pmos關斷定時控制單元230開始工作。當結束定時檢測到時，轉換器控制單元220停止pmos關斷定時檢測單元230。也就是說，在從開始定時到結束定時的期間，pmos關斷定時檢測單元230工作。在其它時間段期間，pmos關斷定時檢測部230停止。因此，可以抑制整個dc-dc轉換器200的功耗。<2.第二實施例>在上述第一實施例中，在dc-dc轉換器200激活之后立即執(zhí)行開關控制。然而，在激活之后，存在用于執(zhí)行間歇操作的模擬電路(例如，pmos關斷定時檢測單元230)可能錯誤地操作的問題。當在pmo關斷定時檢測單元230等發(fā)生錯誤操作時，存在諸如電感器電流的過流(overcurrent)或反向流動、或輸出電壓出現(xiàn)異常的問題的可能性。因此，在從激活起的一定的準備時間段tsu期間，期望使得dc-dc轉換器200內(nèi)的所有電路能夠流過偏置電流(biascurrent)。根據(jù)第二實施例的dc-dc轉換器200與第一實施例的dc-dc轉換器的不同之處在于，dc-dc轉換器200內(nèi)部的所有電路被控制，使得電路在從激活起的一定時間段內(nèi)處于使能狀態(tài)。圖12為示出根據(jù)第二實施例的dc-dc轉換器200的配置示例的框圖。根據(jù)第二實施例的dc-dc轉換器200不同于第一實施例的dc-dc轉換器之處在于還包括激活控制單元290。激活控制單元290控制dc-dc轉換器200內(nèi)的所有電路，使得電路在從激活起的一定準備時間段tsu內(nèi)進入使能狀態(tài)。激活控制單元290在從轉換器使能信號en的使能狀態(tài)起消逝的準備時間段tsu的時間段內(nèi)禁用驅(qū)動器250的輸出，并且在準備時間段tsu消逝之后生成用于使能電路的輸出使能信號oen。例如，當電路被控制使得電路進入使能狀態(tài)時，將輸出使能信號oen設置為高電平。當電路被控制使得電路進入禁用狀態(tài)時，將輸出使能信號oen設置為低電平。此外，激活控制單元290生成激活使能信號ben，其用于在從設置轉換器使能信號en為使能的時間起的準備時間段tsu內(nèi)使能電路，并在除了準備時間段tsu之外的時間段期間禁用電路。例如，當電路被控制使得電路進入使能狀態(tài)時，將激活使能信號ben設置為高電平。當電路被控制使得電路進入禁用狀態(tài)時，將激活使能信號ben設置為低電平。激活控制單元290將激活使能信號ben提供給轉換器控制單元220，并將輸出使能信號oen提供給驅(qū)動器250。根據(jù)第二實施例的轉換器控制單元220在激活使能信號ben為高電平的時間段(準備時間段)內(nèi)將pmos控制信號pon和nmos控制信號non設置為高電平(使能)。在準備時間段消逝之后，執(zhí)行與第一實施例相同的開關控制。此外，當輸出使能信號oen為低電平(禁用)時，根據(jù)第二實施例的驅(qū)動器250控制p型mos晶體管261和n型mos晶體管262，使得p型mos晶體管261和n型mos晶體管262進入關斷狀態(tài)。相反，當輸出使能信號oen為高電平(使能)時，如第一實施例中所述，驅(qū)動器250根據(jù)pmos控制信號pon和nmos控制信號non來接通和關斷晶體管。圖13為示出根據(jù)第二實施例的激活控制單元290的配置示例的框圖。激活控制單元290包括輸出使能生成單元291和激活使能生成單元293。輸出使能生成單元291包括導通延遲定時器292。導通延遲定時器292生成作為輸出使能信號oen的、用于在準備時間段tsu內(nèi)延遲轉換器使能信號en的開始(start)的信號。導通延遲定時器292將輸出使能信號oen提供給驅(qū)動器250和激活使能生成單元293。激活使能生成單元293生成激活使能信號ben。例如，當轉換器使能信號en為高電平并且輸出使能信號oen為低電平時，激活使能生成單元293將激活使能ben設置為高電平。否則，激活使能生成單元293將激活使能信號ben設置為低電平。圖14為示出根據(jù)第二實施例的激活使能生成單元293的操作的示例的示意圖。當轉換器使能信號en和輸出使能信號oen均為高電平或轉換器使能信號en和輸出使能信號oen均為低電平時，激活使能生成單元293將激活使能信號ben設置為低電平。此外，當轉換器使能信號en為高電平并且輸出使能信號oen為低電平時，激活使能生成單元293將激活使能信號ben設置為高電平。圖15為示出根據(jù)第二實施例的控制轉換器控制單元220的p型mos晶體管261的操作的示例的示意圖。當轉換器使能信號en為低電平(禁用)時，pmos控制信號被控制，使得pmos控制信號進入低電平。此外，當轉換器使能信號en和激活使能信號ben均為高電平(使能)時，將pmos控制信號pon設置為高電平。當轉換器使能信號en為高電平以及激活使能信號ben為低電平時，生成與第一實施例相同的pmos控制信號pon。圖16為示出根據(jù)第二實施例的控制轉換器控制單元220的n型mos晶體管262的操作的示例的示意圖。當轉換器使能信號en為低電平(禁用)時，nmos控制信號non被控制，使得nmos控制信號non進入低電平。此外，當轉換器使能信號en和激活使能信號ben均為高電平(使能)時，nmos控制信號non被設置為高電平。當轉換器使能信號en為高電平并且激活使能信號ben為低電平時，生成與第一實施例相同的nmos控制信號non。圖17為示出根據(jù)第二實施例的dc-dc轉換器200的操作的示例的定時圖。當轉換器使能信號en在定時t11被設置為高電平時，激活使能信號ben被設置為高電平，直到一定準備時間段tsu消逝為止。在消逝了準備時間段tsu的定時t12，控制激活使能信號ben，使得激活使能信號ben進入低電平，并且控制輸出使能信號oen，使得輸出使能信號oen進入高電平。在從定時t11到定時t12的準備時間段tsu內(nèi)，dc-dc轉換器200使偏置電流流向其中的每個電路以操作電路。另一方面，驅(qū)動器250控制p型mos晶體管261和n型mos晶體管262，使得p型mos晶體管261和n型mos晶體管262進入關斷狀態(tài)。然后，在定時t12之后，執(zhí)行與第一實施例相同的開關控制。在準備時間段tsu內(nèi)，從所有模擬電路(pmos關斷定時檢測單元230等)被停止的狀態(tài)到間歇暫停(空閑時間段)的電路狀態(tài)，被設置了足夠的時間。準備時間段之所以為必要的原因在于在模擬電路狀態(tài)中的停止狀態(tài)和間歇暫停狀態(tài)之間的準備時間段通常不同。例如，在停止狀態(tài)下，電路被可靠地停止并且需要將電流消耗抑制為零。在間歇暫停期間電流消耗被抑制，但待機狀態(tài)(在該狀態(tài)中，一個操作在相當短的時間內(nèi)轉換至正常操作)是必要的。以此方式，當準備時間段與電路操作被停止的停止狀態(tài)和暫停狀態(tài)相同時，電路內(nèi)部狀態(tài)不同。因此，提供了基于狀態(tài)差異所需的準備時間段tsu。以此方式，根據(jù)本技術的第二實施例，在緊隨激活之后的某個準備時間段內(nèi)，執(zhí)行操作而沒有停止pmos關斷定時檢測單元230等的每個電路。因此，dc-dc轉換器200可以被穩(wěn)定地激活。<3.第三實施例>在上述第一實施例中，比較器212的比較結果可以沒有改變地被輸出作為電壓減少檢測信號vd。然而，在比較器212的功耗降低的電路中，延遲時間(從輸出電壓vo增加到等于或大于vref的電壓的時間到電壓減少檢測信號vd反轉)在一些情況下可更長。當延遲時間較長時，比較器212之后的電路(轉換器控制單元200等)錯誤地操作，并因此存在出現(xiàn)諸如電壓轉換效率下降、紋波電壓增加或輸出過電壓異常等問題的擔憂。在控制p型mos晶體管261使得p型mos晶體管261導通之后，電壓減少檢測信號vd是不必要的。因此，在pmos控制信號為高電平的時間段，希望將電壓減少檢測信號vd固定為低電平。因此，可以防止由于比較器212的延遲而發(fā)生錯誤操作。與第一實施例不同，根據(jù)第三實施例的dc-dc轉換器200在pmos控制信號pon為高電平的時間段期間將電壓減少檢測信號vd固定為低電平。圖18為示出根據(jù)第三實施例的電壓減少檢測單元210的配置示例的框圖。與第一實施例不同，電壓減少檢測單元210還包括開關213和緩沖器214。開關213的一端連接至比較器212的輸出端子和緩沖器214的輸入端子，并且開關213的另一端接地。當pmos控制信號pon為高電平時，開關213轉換至閉合狀態(tài)。當pmos控制信號pon為低電平時，開關213轉換至斷開狀態(tài)。此外，緩沖器214的輸出端子被連接至轉換器控制單元220。在此配置中，在pmos控制信號pon為高電平的時間段期間，電壓減少檢測信號vd被固定為低電平。當pmos控制信號pon進入低電平時，低電平的固定被取消。此外，使用pmos控制信號pon來控制開關213。但是，轉換器控制單元220可生成與pmos控制信號pon分離的、用于控制開關213的信號，使得開關123在導通時間tpon內(nèi)進入閉合狀態(tài)。圖19為示出根據(jù)第三實施例的比較例的dc-dc轉換器200的操作的示例的定時圖。當在定時t1處將輸出電壓vo減少到小于參考電壓vref的電壓時，比較器212生成具有高電平的電壓減少檢測信號vd。然后，在定時t1之后，輸出電壓vo被增加到等于或大于參考電壓vref的電壓，但是假設定時t21(在該定時，電壓減少檢測信號vd被反轉為低電平)相對于輸出電壓vo等于或大于參考電壓vref的定時(緊接在t1之后)被大大延遲。例如，假設在定時t4(在該定時，n型mos晶體管262被控制使得n型mos晶體管262被關斷)之后的定時t21被延遲。這里，在未安裝開關213的配置中，控制pmos控制信號pon，使得pmos控制信號pon再次進入高電平，而不會在定時t4處轉換至空閑時間段。因此，可能執(zhí)行不必要的切換并且在電路中發(fā)生錯誤操作。相反，假設當pmos控制信號pon為高電平時電壓減少檢測信號vd被固定為低電平的配置，可以實現(xiàn)與第一實施例中的圖9相同的切換。因此，dc-dc轉換器200的功耗的降低和高速響應可以是兼容的。以此方式，根據(jù)本技術的第三實施例，在pmos控制信號pon為高電平的時間段期間，電壓減少檢測信號vd被固定為低電平。因此，可以抑制由于電壓減少檢測信號vd的反轉定時的延遲引起的錯誤操作。<4.第四實施例>在上述第一實施例中，控制n型mos晶體管262使得n型mos晶體管262進入關斷狀態(tài)以防止反向流動。然而，可安裝二極管以代替開關元件來防止反向流動。當反向流動被二極管阻止時，功耗大于當使用nmos晶體管262時的功耗。然而，晶體管的開關控制是不必要的。與第一實施例不同，根據(jù)第四實施例的dc-dc轉換器200包括防止反向流動的、代替n型mos晶體管262的二極管。圖20為示出根據(jù)第四實施例的dc-dc轉換器200的配置示例的框圖。與第一實施例不同，根據(jù)第四實施例的dc-dc轉換器200包括代替n型晶體管262的二極管263，并且不包括nmos關斷定時檢測單元240。此外，與第一實施例不同，根據(jù)第四實施例的轉換器控制單元220不包括nmos控制信號生成單元222。在二極管263中，陽極接地，陰極與p型mos晶體管261和線圈270連接。由于電流僅在從二極管263的陽極至陰極的方向上流動，所以由二極管263來防止來自線圈270的電流的反向流動。以此方式，根據(jù)本技術的第四實施例，安裝代替n型mos晶體管262的二極管263。因此，沒有必要進行n型mos晶體管262的開關控制。因此，可以以簡單的配置實現(xiàn)轉換器控制單元220。<5.第五實施例>在上述第一實施例中，通過導通時間定時器232來檢測pmos關斷定時。然而，可由比較器比較提供給線圈270的電流il1和峰值電流ilpk。當電流il1達到ilpk時，電流il1可被檢測為pmos關斷定時。與第一實施例不同，根據(jù)第五實施例的dc-dc轉換器200將電流il1與峰值電流ilpk進行比較，并且當電流il1達到ilpk時，電流il1被檢測為pmos關斷定時。圖21為示出根據(jù)第五實施例的pmos關斷定時檢測單元230的配置示例的框圖。第五nmos關斷定時檢測單元230包括開關233、比較器234和檢測信號掩蔽單元235。檢測信號掩蔽單元235包括開關236、導通延遲定時器237和開關238。開關233根據(jù)pmos控制信號pon將電源電壓vdd提供給比較器242。例如，當pmos控制信號pon為高電平時，開關233提供電源電壓vdd。當pmos控制信號pon為低電平時，開關233不提供電源電壓vdd。比較器234將提供給線圈270的電流il1與峰值電流ilpk進行比較。電流il1被輸入至比較器234的非反相輸入端(+)，峰值電流ilpk被輸入至比較器234的反相輸入端(-)。比較器234將通過電流il1與峰值電流ilpk進行比較而獲得的結果作為pmos關斷定時檢測信號pend提供給開關238。開關236根據(jù)pmos控制信號pon向?qū)ㄑ舆t定時器237提供電源電壓vdd。例如，當pmos控制信號pon為高電平時，開關236提供電源電壓vdd。當pmos控制信號pon為低電平時，開關236不提供電源電壓vdd。導通延遲定時器237向開關238提供通過將pmos控制信號pon的開始(start)延遲一定掩蔽時間段tz而獲得的信號作為掩蔽時間段控制信號zbt。開關238根據(jù)掩蔽時間段控制信號zbt斷開和閉合在比較器234和轉換器控制單元220之間的路徑。當掩蔽時間段控制信號zbt為高電平時，開關238轉換至閉合狀態(tài)。當掩蔽時間段控制信號zbt為低電平時，開關238轉換至斷開狀態(tài)。此外，開關233被安裝在比較器234的外面，但開關233可被安裝在比較器234內(nèi)。類似地，開關236也可被安裝在導通延遲定時器237內(nèi)。此外，當不存在在比較器234使能之后立即發(fā)生錯誤操作或錯誤檢測時，可不安裝檢測信號掩蔽單元235。以此方式，根據(jù)本技術的第五實施例，當電流il1達到峰值電流ilpk時，電流il1被檢測為pmos關斷定時。因此，dc-dc轉換器200可以使用比較器而不是定時器來控制pmos關斷定時。<6.第六實施例>在上述第一實施例中，信息處理裝置100包括一個dc-dc轉換器，并且向處理器120供電。處理器120可以根據(jù)所獲得的計算量或處理內(nèi)容停止向內(nèi)部電路中的不必要的電路供電，并因此可以降低功耗。然而，當停止向處理器120的所有電路供電時，處理器120停止。因此，安裝多個電源系統(tǒng)(dc-dc轉換器等)，并且僅停止向系統(tǒng)的部分供電是可取的。與第一實施例不同，根據(jù)第六實施例的信息處理裝置100包括多個dc-dc轉換器。圖22為示出根據(jù)第六實施例的信息處理裝置100的配置示例的框圖。與第一實施例不同，根據(jù)第六實施例的信息處理裝置100另外包括dc-dc轉換器201和202。dc-dc轉換器201和202的配置與dc-dc轉換器200的配置相同。這里，不同的轉換器使能信號和電壓控制信號被輸入至dc-dc轉換器200、201和202。例如，轉換器使能信號en0和電壓控制信號voctrl0被輸入至dc-dc轉換器200，并且轉換器使能信號en1和電壓控制信號voctrl1被輸入至dc-dc轉換器201。此外，轉換器使能信號en2和電壓控制信號voctrl2被輸入至dc-dc轉換器202。dc-dc轉換器200至202可以通過上述間歇控制以高轉換效率轉換電壓。因此，這些轉換器可以被用作處理器120的電源，以降低整個信息處理裝置100的功耗。當dc-dc轉換器200至202執(zhí)行pfm控制時，特別是在輕負載下，轉換效率得以提高。因此，降低功耗的有益效果顯著。根據(jù)第六實施例的處理器120根據(jù)所獲得的計算量或處理內(nèi)容，停止向內(nèi)部電路中的不必要電路供電的dc-dc轉換器(200、201或202)。以此方式，根據(jù)本技術的第六實施例，安裝了多個dc-dc轉換器。因此，通過停止一些dc-dc轉換器，處理器120可以降低功耗。此外，上述實施例為實施本技術的示例，并且實施例中的事項各自與權利要求中的公開具體事項具有對應關系。同樣地，由相同的名稱表示的實施例中的事項和權利要求中公開的具體事項彼此具有對應的關系。然而，本技術不限于實施例，并且在不脫離本技術的精神的情況下，可以在本技術的范圍內(nèi)實施本實施例的各種修改。此外，在上述實施例中描述的處理順序可作為具有一系列序列的方法來處理，或者可作為用于使計算機執(zhí)行一系列序列的程序來處理和存儲程序的記錄介質(zhì)。作為記錄介質(zhì)，可以使用cd(致密盤)、md(minidisc)和dvd(數(shù)字通用盤)、存儲卡和藍光盤(注冊商標)。此外，本說明書中描述的效果不是限制性的而僅僅是示例，并且可能存在除了本說明書中描述的效果之外的效果。此外，本技術也可被配置如下。(1)電壓轉換電路，包括：電壓生成單元，其被配置為在電流被供給時基于該電流來生成輸出電壓；停止控制單元，其被配置為輸出用于停止電流的供給的信號；電流供給單元，其被配置為將電流供給至電壓生成單元，直到信號輸出為止；以及間歇控制單元，其被配置為在電流的供給時間段期間操作停止控制單元，并且在信號輸出時停止該停止控制單元。(2)根據(jù)(1)所述的電壓轉換電路,還包括：開始定時檢測單元，其被配置為檢測供給時間段的開始定時，其中，停止控制單元檢測供給時間段的結束定時并輸出該信號。(3)根據(jù)(2)所述的電壓轉換電路，其中，開始定時檢測單元包括電壓比較器，將輸出電壓與預定參考電壓進行比較，并輸出比較結果作為開始定時檢測信號果，以及檢測信號控制單元，在從檢測到所述開始定時到檢測到所述結束定時期間，將所述比較結果固定為預定的固定值。(4)根據(jù)(2)或(3)所述的電壓轉換電路，其中，停止控制單元檢測從開始定時起消逝的預定時間段的時間作為結束定時。(5)根據(jù)(2)或(3)所述的電壓轉換電路，其中，所述停止控制單元檢測所述電流達到預定峰值的時間作為所述結束定時。(6)根據(jù)(5)所述的電壓轉換電路，其中，停止控制單元包括電流比較器，其將電流與預定峰值進行比較，并輸出比較結果作為所述信號，以及信號掩蔽單元，在從所述開始定時起消逝一定掩蔽時間段期間，掩蔽所述信號。(7)根據(jù)(1)到(6)中任一項所述的電壓轉換電路，還包括：被配置為防止電流反向流動的反向流動防止單元。(8)根據(jù)(7)所述的電壓轉換電路，還包括：電流減少定時檢測單元，其被配置為在信號輸出時開始檢測所述電流低于預定的設定值的電流減少定時，其中，該反向流動防止單元在所述信號輸出時將電壓生成單元和接地端之間的路徑控制為閉合狀態(tài)，并且該反向流動防止單元在所述電流減少定時檢測到時將該路徑控制為斷開狀態(tài)，以及當所述電流減少定時檢測到時，所述間歇控制單元控制所述電流減少定時檢測單元，以停止所述電流減少定時的檢測。(9)根據(jù)(1)到(8)中任一項所述的電壓轉換電路,還包括：激活控制單元，其被配置為在給出開始生成輸出電壓的指令之后，在預定的準備時間段內(nèi)控制并操作停止控制單元。(10)電子裝置，包括：電壓轉換電路，被配置為包括：在電流被供給時基于所述電流生成輸出電壓的電壓生成單元；輸出用于停止所述電流的供給的信號的停止控制單元；向所述電壓生成單元供給所述電流直到所述信號輸出為止的電流供給單元；以及在所述電流的供給時間段期間操作所述停止控制單元并在所述信號輸出時停止所述停止控制單元的間歇控制單元；以及處理電路，被配置為執(zhí)行控制所述輸出電壓的處理。(11)電子裝置，包括：多個電壓轉換電路，每個電壓轉換電路被配置為包括：在電流被供給時基于所述電流生成輸出電壓的電壓生成單元；輸出用于停止所述電流的供給的信號的停止控制單元；向所述電壓生成單元供給所述電流直到所述信號輸出為止的電流供給單元；以及在所述電流的供給時間段期間操作所述停止控制單元并在所述信號輸出時停止所述停止控制單元的間歇控制單元；以及處理電路，被配置為執(zhí)行控制所述多個電壓轉換電路中的每個電壓轉換電路的所述輸出電壓的處理。(12)控制電壓轉換電路的方法，該方法包括：停止控制步驟，由停止控制單元輸出用于停止向電壓生成單元供給電流的信號，所述電壓生成單元在所述電流被供給時基于所述電流生成輸出電壓；電流供給步驟，由電流供給單元向所述電壓生成單元供給所述電流，直到所述信號輸出為止；以及間歇控制步驟，由間歇控制單元在所述電流的供給時間段期間操作所述停止控制單元，并且在所述信號輸出時停止所述停止控制單元。附圖標號列表100信息處理裝置110總線120處理器130接口200、201、202dc-dc轉換器210電壓減少檢測單元211參考電壓生成單元212、234、242比較器213、231、233、236、238、241、244、246開關214緩沖器220轉換器控制單元221pmos控制信號生成單元222nmos控制信號生成單元230pmos關斷定時檢測單元232導通時間定時器235、243檢測信號掩蔽單元237、245、292導通延遲定時器240nmos關斷定時檢測單元250驅(qū)動器261p型mos晶體管262n型mos晶體管263二極管270線圈280電容器290激活控制單元291輸出使能生成單元293激活使能生成單元。當前第1頁12