電壓轉換電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種電壓轉換電路，其包括高邊開關、驅動器以及電流傳感電路。電流傳感電路耦接輸入電壓端、工作電壓輸入端及相位節(jié)點，以提供傳感信號。工作電壓輸入端與相位節(jié)點之間的電壓差值小于預設電壓。電流傳感電路中的部分晶體管可以利用低壓晶體管來取代，且同樣可實現(xiàn)電流傳感功能。
【專利說明】電壓轉換電路

【技術領域】
[0001]本實用新型是有關于一種電壓轉換電路的電流傳感技術，且特別是有關于一種利用低壓晶體管來實現(xiàn)電流傳感功能的電壓轉換電路。

【背景技術】
[0002]圖1為現(xiàn)有電壓轉換電路的示意圖。請參閱圖1。現(xiàn)有的電壓轉換電路10包括電流傳感電路12、驅動器14、靴帶充電電路(boot charge circuit) 16以及高邊開關(highside switch) QU0靴帶充電電路16接收工作電壓VCC，并經由工作電壓輸入端BOOT輸出啟動電壓(boot voltage)。高邊開關QU的控制端稱接驅動器14。高邊開關QU的第一端率禹接輸入電壓端VIN，其第二端耦接相位節(jié)點PHASE與電容器Cl。電流傳感電路12耦接輸入電壓端VIN與相位節(jié)點PHASE，并且產生傳感信號ISNS。
[0003]圖2為圖1的電流傳感電路的電路圖。請合并參閱圖1和圖2?，F(xiàn)有的電流傳感電路12包括電阻Rdl、電阻Rd2、晶體管Qdl?Qd7、電流源24以及電流源26。輸入電壓端VIN接收3伏特至18伏特，或18伏特以上的工作電壓。電流傳感電路12內部的各晶體管皆為高壓晶體管，用于因應介于相位節(jié)點PHASE與地GND之間的電壓變化或是因應介于輸入電壓端VIN與地GND之間的電壓變化。高壓晶體管是指該晶體管的兩端之間可承受電壓差值在5伏特以上。相對地，低壓晶體管是指該晶體管的兩端之間可承受電壓差值在5伏特以內。此外，高壓晶體管的尺寸遠大于低壓晶體管的尺寸，且每一個高壓晶體管需配置一個相應的保護電路，因此高壓晶體管所占用集成電路面積相當大。
[0004]晶體管Qdl?Qd7皆為高壓晶體管。晶體管Qd5的控制端接收用于電流傳感功能的致能信號HGDH，晶體管Qd4的控制端接收反相的致能信號HGDH。晶體管Qdl與Qd2以P型金氧半場效晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor,M0SFET)來實施，且晶體管Qdl與Qd2組成電流鏡20。電流源24的電流IBdl與電流源26的電流IBd2具有等比例關系、或是相等關系。晶體管Qd6與Qd7以N型金氧半場效晶體管來實施，且晶體管Qd6與Qd7組成另一個電流鏡22。
[0005]電流Il可表示為:11 = IBd2+I2。當電流傳感電路12執(zhí)行電流傳感功能(致能信號HGDH為低邏輯電平)時，則電流11的大小會隨著相位節(jié)點PHASE的電壓變化而改變。由于電流源26的電流IBd2為固定值，因此電流12會隨著相位節(jié)點PHASE的電壓變化而改變。又，電流鏡22中，電流12與電流傳感信號(電流)ISNS也是成等比例關系，于是電流傳感電路12產生一個隨著相位電壓端PHASE的電壓變化的傳感信號ISNS。
[0006]晶體管Qdl?Qd5為高壓晶體管，且晶體管Qdl、Qd2、Qd3、Qd4、Qd5為P型金氧半場效晶體管。晶體管Qd6、Qd7為N型金氧半場效晶體管。此外，每一個高壓晶體管(Qdl?Qd5)為了能夠因應廣范圍的輸入電壓，在集成電路設計時除了本身元件的功能還需配置一個相應的電壓保護電路(未示出)。因此，電流傳感電路12整體的集成電路面積大，且制造成本高。另一方面，在制程上高壓晶體管相較于低壓晶體管，可靠度(reliability)較低。實用新型內容
[0007]有鑒于此，本實用新型提出一種電壓轉換電路，藉以解決先前技術所述及的問題。
[0008]本實用新型提供一種電壓轉換電路，其包括高邊開關、驅動器以及電流傳感電路。高邊開關耦接于輸入電壓端與相位節(jié)點之間。驅動器耦接工作電壓輸入端、高邊開關及相位節(jié)點。電流傳感電路接耦接輸入電壓端、工作電壓輸入端及相位節(jié)點，以提供傳感信號。工作電壓輸入端與相位節(jié)點之間的電壓差值小于預設電壓。
[0009]在本實用新型的一實施例中，預設電壓為5伏特。
[0010]在本實用新型的一實施例中，電流傳感電路包括第一傳感電路、高壓保護電路、第一靜電防護元件以及第二靜電防護元件。第一傳感電路耦接工作電壓輸入端，并且輸出傳感信號。高壓保護電路耦接第一傳感電路與工作電壓輸入端。第一靜電防護元件的第一端耦接高壓保護電路。第二靜電防護元件的第一端耦接高壓保護電路。
[0011]在本實用新型的一實施例中，電流傳感電路還包括第一晶體管以及第二傳感電路。第一晶體管的第一端耦接第二靜電防護元件的第二端，其第二端耦接第一靜電防護元件的第二端，其控制端接收致能信號。第二傳感電路耦接驅動器、高邊開關的第二端與相位節(jié)點。
[0012]在本實用新型的一實施例中，第一傳感電路包括多個晶體管且每一所述多個晶體管為低壓晶體管。每一所述低壓晶體管的兩端之間可承受電壓差值在預設電壓以內。
[0013]在本實用新型的一實施例中，第一傳感電路的多個晶體管包括第二晶體管至第五晶體管。第二晶體管與第三晶體管形成電流鏡，其中第二晶體管的控制端與第三晶體管的控制端之間具有第一節(jié)點，于第一節(jié)點輸出電壓傳感信號。第四晶體管與第五晶體管形成另一電流鏡，第四晶體管耦接第二晶體管，第五晶體管耦接第三晶體管。
[0014]在本實用新型的一實施例中，電流傳感電路還包括輸出電路。輸出電路接收電壓傳感信號且輸出電流傳感信號。
[0015]在本實用新型的一實施例中，輸出電路包括第六晶體管以及第七晶體管。第六晶體管的第一端耦接工作電壓輸入端，其控制端接收電壓傳感信號。第七晶體管的第一端耦接第六晶體管的第二端，其控制端耦接相位節(jié)點，其第二端輸出傳感信號。第六晶體管電壓與第七晶體管為低壓晶體管。每一所述低壓晶體管的兩端之間可承受電壓差值在預設電壓以。
[0016]在本實用新型的一實施例中，高壓保護電路包括第八晶體管以及第九晶體管。第八晶體管的第一端耦接第四晶體管的第二端，其第二端耦接第二靜電防護元件的第一端，其控制端耦接工作電壓輸入端。第九晶體管的第一端耦接第五晶體管的第二端，其第二端耦接第一靜電防護元件的第一端，其控制端耦接工作電壓輸入端。第八晶體管電壓與第九晶體管為高壓晶體管。每一所述高壓晶體管的兩端之間可承受電壓差值在預設電壓以上。
[0017]在本實用新型的一實施例中，第二傳感電路包括第十晶體管。第十晶體管的第一端耦接第二靜電防護元件的第二端，其第二端耦接高邊開關的第二端且耦接相位節(jié)點，其控制端耦接驅動器。
[0018]在本實用新型的一實施例中，第十晶體管的尺寸為高邊開關的1/K倍，且K的數(shù)值至少為1000。
[0019]在本實用新型的一實施例中，電流傳感電路在電壓傳感周期期間，依據(jù)由工作電壓輸入端與輸入電壓端所接收的兩電壓來作為電壓傳感區(qū)間，以傳感相位節(jié)點的電壓。
[0020]在本實用新型的一實施例中，電壓傳感區(qū)間小于或等于預設電壓。
[0021]在本實用新型的一實施例中，第一傳感電路依據(jù)傳感工作電壓輸入端與相位節(jié)點的電壓差值來輸出傳感信號。
[0022]基于上述，在本實用新型中，電壓轉換電路中的電流傳感電路根據(jù)工作電壓輸入端、相位節(jié)點以及輸入電壓來產生傳感信號，其中工作電壓輸入端與相位節(jié)點的電壓差值小于預設電壓(例如，5伏特)。此電流傳感電路可以使用多個低壓晶體管來進行電流傳感功能。由于低壓晶體管的尺寸遠小于高壓晶體管的尺寸，且不用對每一個低壓晶體管配置一個相應的保護電路。又，低壓晶體管之間具有低不匹配且低壓晶體管具有高可靠度。相對于現(xiàn)有技術，本實用新型的電流傳感電路的電路面積大幅縮小且節(jié)省制造成本，且此電路還具有低不匹配與高可靠度。
[0023]為讓本實用新型的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]下面的附圖是本實用新型的說明書的一部分，其示出了本實用新型的示例實施例，附圖是與說明書的描述一起用來說明本實用新型的原理。
[0025]圖1為現(xiàn)有電壓轉換電路的示意圖；
[0026]圖2為圖1的電流傳感電路的電路圖；
[0027]圖3是展示本實用新型一實施例的電壓轉換電路的示意圖；
[0028]圖4是展示電壓傳感周期期間的啟動電壓與相位電壓的波形圖；
[0029]圖5為依本實用新型實施例的電流傳感電路的電路圖。
[0030]附圖標記說明:
[0031]10:電壓轉換電路；
[0032]12:電流傳感電路；
[0033]14:驅動器；
[0034]16:靴帶充電電路
[0035]20、22:電流鏡；
[0036]24、26:電流源；
[0037]30:電壓轉換電路；
[0038]32:電流傳感電路；
[0039]34:驅動器；
[0040]36:靴帶充電電路；
[0041]40:傳感電路；
[0042]42:高壓保護電路；
[0043]44:傳感電路；
[0044]46:輸出電路；
[0045]A:節(jié)點；
[0046]BOOT:工作電壓輸入端；
[0047]C:節(jié)點；
[0048]Cl:電容器；
[0049]GND:地；
[0050]HGDH:致能信號；
[0051]IBdl、IBd2:電流；
[0052]IQS、IQU:電流；
[0053]ISNS:傳感信號；
[0054]I1、12:電流；
[0055]M = N:表示晶體管(QlO)的尺寸；
[0056]M = KXN:表不聞邊開關(QU)的尺寸；
[0057]N1:節(jié)點；
[0058]PHASE:相位節(jié)點；
[0059]PWM:脈寬調制信號；
[0060]Qdl、Qd2、Qd3、Qd4、Qd5、Qd6、Qd7:晶體管；
[0061]Ql ?QlO:晶體管；
[0062]QU:聞邊開關；
[0063]Rdl、Rd2:電阻；
[0064]Rl、R2:靜電防護元件；
[0065]UG:高邊開關控制信號；
[0066]UGB:致能信號；
[0067]UV:聞邊開關控制/[目號；
[0068]VB0:啟動電壓；
[0069]VCC:工作電壓；
[0070]VIN:輸入電壓端；
[0071]VPH:相位電壓；
[0072]VSNS:電壓傳感信號。

【具體實施方式】
[0073]現(xiàn)在將詳細參考本實用新型的實施例，并在附圖中說明所述的實施例的實例。另夕卜，在附圖及實施方式中所使用的相同或類似標號的元件/構件是用來代表相同或類似部分。
[0074]在下述諸實施例中，當元件被指為“連接”或“耦接”至另一元件時，其可為直接連接或耦接至另一元件，或可能存在介于其間的元件。術語“電路”或“單元”可表示為至少一元件或多個元件，或者主動地且/或被動地而稱接在一起的元件以提供合適功能。術語“信號”可表示為至少一電流、電壓、負載、溫度、數(shù)據(jù)或其他信號。此外，應理解，貫穿本說明書以及附圖所指代的信號，其物理特性可以為電壓或是電流。
[0075]圖3是展示本實用新型一實施例的電壓轉換電路的示意圖。圖4是展示電壓傳感周期期間的啟動電壓(boot voltage) VBO與相位電壓(phase voltage) VPH的波形圖。請合并參閱圖3和圖4。電壓轉換電路30包括電流傳感電路32、驅動器34以及高邊開關(highside switch)QU。驅動器34耦接工作電壓輸入端(或稱作啟動電壓輸入端)BOOT、高邊開關QU及相位節(jié)點PHASE。驅動器34接收脈寬調制信號PWM且產生高邊開關控制信號W。高邊開關QU的第一端耦接輸入電壓端VIN，其第二端耦接相位節(jié)點PHASE，其控制端接收高邊開關控制信號UG。靴帶充電電路36接收工作電壓VCC且經由工作電壓輸入端BOOT輸出啟動電壓VB0。請注意，供應給驅動器34的啟動電壓VBO必須高于輸入電壓端VIN的工作電壓，才能正常操作高邊開關QU，且啟動電壓VBO是由靴帶充電電路36及電容器Cl所產生。
[0076]相位電壓VPH為相位節(jié)點PHASE上的電壓。通常啟動電壓VBO與相位電壓VPH之間的電壓差值為工作電壓VCC所決定。輸入電壓端VIN的預設電壓的設定方式可將工作電壓VCC設定在5伏特。在電壓傳感周期期間，依據(jù)由工作電壓輸入端BOOT所接收的啟動電壓VBO與輸入電壓端VIN所接收的工作電壓VCC來作為電壓傳感區(qū)間，以傳感相位電壓VPH0電壓傳感區(qū)間小于或等于預設電壓。
[0077]在正常操作下，啟動電壓VBO約等于工作電壓VCC(例如，VCC = 5V)和相位電壓VPH的相加總合。電流傳感電路32根據(jù)輸入電壓端VIN、工作電壓輸入端BOOT以及相位節(jié)點PHASE的相位電壓VPH來監(jiān)控流經高邊開關QU的電流，據(jù)以產生傳感信號ISNS。由圖4的波形圖可得知，啟動電壓VBO比起相位電壓VPH高5伏特，且啟動電壓VBO與相位電壓VPH的電壓差值一直在5伏特以內。對于電流傳感電路32而言，各個端或節(jié)點(VIN、B00T、PHASE)之間的相對電壓差值均不會大于5伏特(預設電壓)。
[0078]圖5為依本實用新型實施例的電流傳感電路的電路圖。請參閱圖5。電流傳感電路32包括傳感電路40、高壓保護電路42、靜電防護元件R1、靜電防護元件R2、晶體管Ql以及傳感電路44。靜電防護元件Rl與靜電防護元件R2可為電阻，但不以此為限。傳感電路40耦接工作電壓輸入端BOOT與高壓保護電路42，并且輸出電壓傳感信號VSNS。高壓保護電路42耦接傳感電路40、工作電壓輸入端BOOT、靜電防護元件Rl的第一端與靜電防護元件R2的第一端。晶體管Ql的第一端與第二端分別耦接靜電防護元件R2的第二端與靜電防護元件Rl的第二端。傳感電路44耦接驅動器34、高邊開關QU的第二端、相位節(jié)點PHASE、靜電防護元件R2的第二端與晶體管Ql的第一端。
[0079]在本實施例中，將傳感電路40的架構建立在一個相對低電壓的操作環(huán)境。傳感電路40包括四個低壓晶體管(Q2?Q5)且每一晶體管的兩端之間可承受電壓差值在5伏特(預設電壓)以內，分別為晶體管Q2、Q3、Q4和Q5。晶體管Q2和Q3形成電流鏡，晶體管Q4和Q5形成另一電流鏡。晶體管Q2的第一端接收工作電壓輸入端Β00Τ，其第二端耦接其控制端。晶體管Q3的第一端接收工作電壓輸入端BOOT。晶體管Q4的第一端耦接Q2晶體管的第二端，其第二端耦接高壓保護電路42。晶體管Q5的第一端耦接晶體管Q3的第二端，其第二端耦接高壓保護電路42。
[0080]晶體管Q2與晶體管Q3可以為P型金氧半場效晶體管(metal oxidesemiconductor field effect transistor, M0SFET),晶體管 Q4 與晶體管 Q5 可以為 N 型金氧半場效晶體管。
[0081]此外，晶體管Q2的控制端與晶體管Q3的控制端之間具有節(jié)點NI，于節(jié)點NI輸出電壓傳感信號VSNS。電流傳感電路32還可包括輸出電路46。輸出電路46耦接節(jié)點NI。
[0082]值得一提的是，工作電壓輸入端BOOT與相位節(jié)點PHASE的電壓差值為5伏特(預設電壓)以內，且晶體管Q2、Q3和Q6每一者的第一端接收工作電壓輸入端BOOT,且傳感電路40和輸出電路46不與如圖2所示的地GND連接。
[0083]輸出電路46包括晶體管Q6以及晶體管Q7。晶體管Q6可用來輸出傳感結果。晶體管Q6的第一端耦接工作電壓輸入端Β00Τ，其控制端接收電壓傳感信號VSNS。低壓晶體管Q6的兩端之間可承受電壓差值在5伏特(預設電壓)以內。高壓晶體管Q7的兩端之間可承受電壓差值在5伏特(預設電壓)以上。晶體管Q7的第一端耦接晶體管Q6的第二端，其控制端耦接相位節(jié)點PHASE。晶體管Q6可以為P型金氧半場效晶體管，晶體管Q7可以為N型金氧半場效晶體管。
[0084]高壓保護電路42包括兩個高壓晶體管且每一晶體管的兩端之間可承受電壓差值在5伏特(預設電壓)以上，分別為晶體管Q8和晶體管Q9。晶體管Q8的第一端耦接晶體管Q4的第二端，其第二端耦接靜電防護元件R2的第一端，其控制端接收工作電壓輸入端BOOT。晶體管Q9的第一端耦接晶體管Q5的第二端，其第二端耦接靜電防護元件Rl的第一端，其控制端接收工作電壓輸入端BOOT。
[0085]另一個傳感電路44包括晶體管Q10。晶體管QlO的第一端耦接靜電防護元件R2的第二端，其第二端耦接高邊開關QU的第二端且接收相位節(jié)點PHASE，其控制端接收高邊開關控制信號W。
[0086]值得一提的是，晶體管QlO的尺寸可表示為M = N，高邊開關QU的尺寸可表示為M = KXN，也就是晶體管QlO的尺寸為高邊開關QU的1/K倍。電流IQU:電流IQS = K:1。在應用上，K的數(shù)值可以為1000或1000以上，可以選擇為數(shù)千，以達到傳感操作時節(jié)省功率消耗。
[0087]在執(zhí)行傳感電流功能時，晶體管Ql的控制端將接收致能信號UGB。透過電流傳感電路32內部的反饋功能，節(jié)點A與節(jié)點C的電壓會近乎相同，從而確保晶體管QlO與高邊開關QU處在相同的操作環(huán)境。電流IQS的大小會隨著相位節(jié)點PHASE的變化而改變。傳感電路40的節(jié)點NI輸出電壓傳感信號VSNS至輸出電路46。
[0088]此外,通過晶體管Q2和Q6之間的電流映射(current mapping)方式,將傳感到的電流IQS轉換成電壓傳感信號VSNS，再將電壓傳感信號VSNS轉換成電流傳感信號ISNS。由晶體管Q7的第二端輸出此電流傳感信號ISNS，據(jù)以輸出至脈寬調制電路(未示出)。故，傳感電路40的晶體管Q2?Q5可實現(xiàn)電流傳感功能且不需用到高壓金氧半場效晶體管。
[0089]值得一提的是，傳感電路40中的晶體管Q2?Q5為低壓晶體管。晶體管Q2?Q5可共用高壓保護電路42，且不用對每一個低壓晶體管單獨配置一個相應的保護電路。另外，在制程上，相較于高壓晶體管，低壓晶體管之間具有低不匹配(low mismatch)且低壓晶體管具有高可靠度(high reliability)。因此，電流傳感電路32的電路面積大幅縮小且節(jié)省制造成本，且此電路因制程關系而具有低不匹配與高可靠度。
[0090]基于上述，在本實用新型中，電壓轉換電路30中的電流傳感電路32根據(jù)工作電壓輸入端BOOT、相位節(jié)點PHASE以及輸入電壓VIN來產生電壓傳感信號VSNS或電流傳感信號ISNS，其中工作電壓輸入端BOOT與相位節(jié)點PHASE的電壓差值為5伏特以內。此電流傳感電路32可以使用多個低壓晶體管來進行電流傳感功能。由于低壓晶體管的尺寸遠小于高壓晶體管的尺寸，且不用對每一個低壓晶體管配置一個相應的保護電路。又，低壓晶體管之間具有低不匹配且低壓晶體管具有高可靠度。由此可見，相對于現(xiàn)有技術，本實用新型的電流傳感電路32的電路面積大幅縮小且節(jié)省制造成本，且此電路還具有低不匹配與高可靠度。
[0091]最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的范圍。
【權利要求】
1.一種電壓轉換電路,其特征在于,包括: 一高邊開關，稱接于一輸入電壓端與一相位節(jié)點之間； 一驅動器，耦接一工作電壓輸入端、所述高邊開關及所述相位節(jié)點；以及一電流傳感電路，耦接所述輸入電壓端、所述工作電壓輸入端及所述相位節(jié)點，以提供一傳感信號，其中所述工作電壓輸入端與所述相位節(jié)點之間的電壓差值小于一預設電壓。
2.根據(jù)權利要求1所述的電壓轉換電路，其特征在于，所述電流傳感電路包括: 一第一傳感電路，耦接所述工作電壓輸入端，并且輸出所述傳感信號； 一高壓保護電路，耦接所述第一傳感電路與所述工作電壓輸入端； 一第一靜電防護元件，其第一端耦接所述高壓保護電路；以及 一第二靜電防護元件，其第一端耦接所述高壓保護電路。
3.根據(jù)權利要求2所述的電壓轉換電路，其特征在于，所述電流傳感電路還包括: 一第一晶體管，其第一端耦接所述第二靜電防護元件的第二端，其第二端耦接所述第一靜電防護元件的第二端，其控制端接收一致能信號；以及 一第二傳感電路，耦接所述驅動器、所述高邊開關的第二端與所述相位節(jié)點。
4.根據(jù)權利要求2所述的電壓轉換電路，其特征在于，所述第一傳感電路包括多個晶體管且每一所述多個晶體管為低壓晶體管。
5.根據(jù)權利要求4所述的電壓轉換電路，其特征在于，所述第一傳感電路的所述多個晶體管包括: 一第二晶體管與一第三晶體管，形成一電流鏡，其中所述第二晶體管的控制端與所述第三晶體管的控制端之間具有一第一節(jié)點，于所述第一節(jié)點輸出一電壓傳感信號；以及一第四晶體管與一第五晶體管，形成另一電流鏡，所述第四晶體管耦接所述第二晶體管，所述第五晶體管耦接所述第三晶體管。
6.根據(jù)權利要求5所述的電壓轉換電路，其特征在于，所述電流傳感電路還包括: 一輸出電路，接收所述電壓傳感信號且輸出所述傳感信號。
7.根據(jù)權利要求6所述的電壓轉換電路，其特征在于，所述輸出電路包括: 一第六晶體管，其第一端耦接所述工作電壓輸入端，其控制端接收所述電壓傳感信號；以及 一第七晶體管，其第一端耦接所述第六晶體管的第二端，其控制端耦接所述相位節(jié)點，其第二端輸出所述傳感信號； 其中所述第六晶體管電壓與所述第七晶體管為低壓晶體管。
8.根據(jù)權利要求5所述的電壓轉換電路，其特征在于，所述高壓保護電路包括； 一第八晶體管，其第一端耦接所述第四晶體管的第二端，其第二端耦接所述第二靜電防護元件的第一端，其控制端耦接所述工作電壓輸入端；以及 一第九晶體管，其第一端耦接所述第五晶體管的第二端，其第二端耦接所述第一靜電防護元件的第一端，其控制端耦接所述工作電壓輸入端； 其中所述第八晶體管電壓與所述第九晶體管為高壓晶體管。
9.根據(jù)權利要求8所述的電壓轉換電路，其特征在于，所述第二傳感電路包括: 一第十晶體管，其第一端耦接所述第二靜電防護元件的第二端，其第二端耦接所述高邊開關的第二端且耦接所述相位節(jié)點，其控制端耦接所述驅動器。
10.根據(jù)權利要求9所述的電壓轉換電路，其特征在于，所述第十晶體管的尺寸為所述高邊開關的l/κ倍，且K的數(shù)值至少為1000。
【文檔編號】H02M3/155GK204089590SQ201420385869
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年7月14日 優(yōu)先權日:2014年6月20日
【發(fā)明者】林其平, 吳宜達 申請人:力智電子股份有限公司