一種提高剩余電流保護斷路器可靠性的觸發(fā)電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種提高剩余電流保護斷路器可靠性的觸發(fā)電路，其包括電磁脫扣線圈TR、可控硅SCR1和SCR2、二極管D7、D8和D9以及電容C8，所述可控硅SCR1的陽極接脫扣線圈TR，可控硅SCR1的陰極接可控硅SCR2的陽極，可控硅SCR1的控制極與可控硅SCR2的陽極之間并聯(lián)電容C8，可控硅SCR1的陽極接地，所述可控硅SCR2的控制極接控制端，可控硅SCR2的陰極依次串聯(lián)二極管D9和D8接地，通過完善保護電路，對可控硅既可以實現(xiàn)過電壓保護，又可以實現(xiàn)過電流保護，提供了剩余電流保護斷路器在運行中的可靠性。
【專利說明】一種提高剩余電流保護斷路器可靠性的觸發(fā)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及斷路器領(lǐng)域，更具體是涉及一種提高剩余電流保護斷路器可靠性 的觸發(fā)電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前在配電電路中廣泛使用的剩余電流保護斷路器，主要是用于對人的身體觸電 提供保護作用的一種電器。當人的身體發(fā)生意外觸電的瞬間，無論是直接接觸觸電還是間 接接觸觸電，剩余電流保護斷路器都能夠快速動作，立刻切斷輸入電源，避免觸電電流對人 的身體產(chǎn)生進一步傷害。剩余電流保護斷路器也可以用來防止由用電設(shè)備的接地故障電流 引起的火災(zāi)危險。隨著用電設(shè)備使用年限的增加或使用環(huán)境的變差，使得用電設(shè)備的絕緣 材料也會隨之老化，在老化的程度加大的同時，絕緣水平也逐步降低，當絕緣材料降低到不 能承受其電源電壓時，絕緣材料就會被擊穿。此時，電源通過用電設(shè)備對地將會產(chǎn)生一個接 地故障電流，伴隨著絕緣材料損壞程度加劇，故障電流也不斷加大，進而引起的電器火災(zāi)危 險。
[0003] 鑒于剩余電流保護斷路器在配電電路中所起到的安全保護作用，所以，剩余電流 保護斷路器在使用中的可靠性顯得尤為重要。
[0004] 剩余電流保護斷路器通常由兩部分組成，一部分包括剩余電流檢測、濾波、放大、 比較、觸發(fā)可控硅等電子電路；另一部分采用電磁脫扣器帶動操作機構(gòu)動作，使得剩余電流 保護斷路器的觸頭斷開的機械結(jié)構(gòu)。最終，達到切斷輸入電源，保護人身和用電設(shè)備的安全 的目的。從組成部分上分析，剩余電流保護斷路器是一種典型的電子與機械相結(jié)合的電子 電器產(chǎn)品。而影響這種產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵，往往是在二者的結(jié)合部位。常用的結(jié)合方法就 是用電子電路的可控硅來控制機械部分的電磁脫扣器線圈。這種方法的不足之處在于電磁 脫扣器線圈在通斷時將產(chǎn)生瞬時感應(yīng)電壓，僅用簡單的過電壓保護元件即壓敏電阻進行保 護，有時不能起到保護作用，就會造成可控硅的擊穿，至使整個產(chǎn)品失效，降低了剩余電流 保護斷路器在使用中的可靠性。 實用新型內(nèi)容
[0005] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型公開了一種提高剩余電流保護斷路器可靠 性的觸發(fā)電路。
[0006] 本實用新型提供一種提高剩余電流保護斷路器可靠性的觸發(fā)電路，其包括電磁脫 扣線圈TR、可控硅SCR1和SCR2、二極管D8和D9以及電容C8,所述可控硅SCR1的陽極接脫 扣線圈TR可控硅SCR1的陰極接可控硅SCR2的陽極，可控硅SCR1的控制極與可控硅SCR2 的陽極之間并聯(lián)電容C8,可控硅SCR1的陽極接地，所述可控硅SCR2的控制極接斷路器的控 制端，可控硅SCR2的陰極依次串聯(lián)二極管D9和D8接地。
[0007] 可控硅SCR1的控制極與陽極之間并聯(lián)串聯(lián)后的電阻R5和電阻R6。
[0008] 所述脫扣線圈TR兩端并聯(lián)二極管D7。
[0009] 所述可控硅SCR1的陽極經(jīng)壓敏電阻M0V4接地。
[0010] 本實用新型通過完善保護電路，對可控硅既可以實現(xiàn)過電壓保護，又可以實現(xiàn)過 電流保護，提供了剩余電流保護斷路器在運行中的可靠性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1是本實用新型的電路原理圖。

【具體實施方式】
[0012] 下面結(jié)合附圖對本實用新型實施例作進一步說明：
[0013] 如圖1所示，本實用新型提供一種剩余電流動作保護斷路器可靠性的觸發(fā)電路， 其包括電磁脫扣線圈TR、可控硅SCR1和SCR2、二極管D7、D8和D9、壓敏電阻M0V4、電阻R5 和R6以及電容C8,所述可控硅SCR1的陽極接脫扣線圈TR，可控硅SCR1的陰極接可控硅 SCR2的陽極，可控硅SCR1的控制極與陽極之間并聯(lián)電阻R5,可控硅SCR1的控制極與可控 硅SCR2的陽極之間依次并聯(lián)電阻R6和電容C8，可控硅SCR1的陽極經(jīng)壓敏電阻M0V4接地， 所述可控硅SCR2的控制極接斷路器的控制端，可控硅SCR2的陰極依次串聯(lián)二極管D9和D8 接地，所述電磁脫扣線圈TR兩端并聯(lián)二極管D7。
[0014] 所述斷路器的控制端包括零序互感器和集成電路1C，該部分為現(xiàn)有技術(shù)，故不予 以公開，其主要通過零序互感器檢測信號，并將信號發(fā)送到集成電路1C，集成電路1C發(fā)送 高電平到可控硅SCR2的控制極。
[0015] 通過斷路器的控制端輸出高電平，首先，使得可控硅SCR2和兩個二極管D9和D8 導通；經(jīng)過電容C8充電延時后，再使兩個可控硅和兩個二極管同時導通，電流通過電磁脫 扣器線圈TR使電磁脫扣器帶動操作機構(gòu)動作，使得剩余電流保護斷路器的觸頭斷開，切斷 輸入電源。
[0016] 所述電磁脫扣線圈TR兩端并聯(lián)二極管D7,所述電磁脫扣器線圈TR輸入端接二極 管D7的負極，輸出端接D7的正極。在電磁脫扣器線圈關(guān)斷時產(chǎn)生的持續(xù)電流可以通過二 極管D7得以維持，避免可控硅因流入持續(xù)電流而燒毀。從而實現(xiàn)對電路的過電流保護。
[0017] 所述可控硅SCR1的陽極經(jīng)壓敏電阻M0V4接地。在電磁脫扣器線圈通斷時產(chǎn)生的 過電壓可以通過壓敏電阻M0V4接至到地，避免過電壓將可控硅擊穿。從而實現(xiàn)對電路的過 電壓保護。
[0018] 所述電阻R5與R6串聯(lián)后再與可控硅SCR1并聯(lián)。經(jīng)電阻R5和R6分壓后，為可控 硅SCR1的控制極提供控制電平，保證可控硅SCR1可靠觸發(fā)。
[0019] 所述電容C8與電阻R6并聯(lián)后，再與可控硅SCR1的控制極與陰極之間并聯(lián)。通過 電容C8的充電過程來延緩可控硅SCR1的觸發(fā)導通時間，保證兩個可控硅都能導通，即可控 硅SCR2為直接觸發(fā)，可控硅SCR1為延時觸發(fā)，這樣可以提高電路的抗干擾能力。同時，雙 可控硅和雙二極管的這種連續(xù)串聯(lián)設(shè)計，可以成倍地提高可控硅的反向耐壓能力。
[0020] 實施例不應(yīng)視為對本實用新型的限制，但任何基于本實用新型的精神所作的改 進，都應(yīng)在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種提高剩余電流保護斷路器可靠性的觸發(fā)電路，其特征在于：其包括電磁脫扣線 圈TR、可控硅SCR1和SCR2、二極管D8和D9以及電容C8,所述可控硅SCR1的陽極接脫扣線 圈TR可控硅SCR1的陰極接可控硅SCR2的陽極，可控硅SCR1的控制極與可控硅SCR2的陽 極之間并聯(lián)電容C8,可控硅SCR1的陽極接地，所述可控硅SCR2的控制極接斷路器的控制 端，可控硅SCR2的陰極依次串聯(lián)二極管D9和D8接地。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高剩余電流保護斷路器可靠性的觸發(fā)電路，其特征在 于，可控硅SCR1的控制極與陽極之間并聯(lián)串聯(lián)后的電阻R5和電阻R6。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高剩余電流保護斷路器可靠性的觸發(fā)電路，其特征在 于，所述脫扣線圈TR兩端并聯(lián)二極管D7。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高剩余電流保護斷路器可靠性的觸發(fā)電路，其特征在 于，所述可控硅SCR1的陽極經(jīng)壓敏電阻M0V4接地。
【文檔編號】H02H9/04GK203871835SQ201420289873
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月3日
【發(fā)明者】楊志明, 王平, 石聿楊, 張勇, 高楠 申請人:華通機電股份有限公司