用于驅(qū)動(dòng)變壓器的pwm死區(qū)吸收電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動(dòng)變壓器的PWM死區(qū)吸收電路，包括變壓器T1，與變壓器T1輸入端連接的功率MOSFET管M1、M2和二極管D1、D2，二極管D1、D2的負(fù)極連接可控硅SCR正極，可控硅SCR負(fù)極和二極管D3正極連接VCC，或非門U1輸出端連接電容C1，電容C1的另一端連接二極管D3的負(fù)極，并與電阻R1相連，電阻R1另一端連接可控硅SCR觸發(fā)極；功率MOSFET管M1、M2的輸入端分別連接PWMA和PWMB管。本發(fā)明解決了驅(qū)動(dòng)變壓器在PWM死區(qū)時(shí)間能量釋放不充分，驅(qū)動(dòng)方波下降時(shí)間不夠短，造成被驅(qū)動(dòng)開關(guān)器件關(guān)斷不徹底、震蕩甚至誤導(dǎo)通以至損壞的問題。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于電力電子領(lǐng)域，具體涉及一種用于驅(qū)動(dòng)變壓器的PWM死區(qū)吸收電路。 用于驅(qū)動(dòng)變壓器的PWM死區(qū)吸收電路

【背景技術(shù)】
[0002] 驅(qū)動(dòng)變壓器在開關(guān)電源中被要求用來控制電路之間的同步動(dòng)作，這些器件用來為 開關(guān)電源半導(dǎo)件元器件如高壓功率MO S F E T或I G B T提供電脈沖，這種變壓器也用 作電壓隔離和阻抗匹配。
[0003] 驅(qū)動(dòng)變壓器是用來驅(qū)動(dòng)電子開關(guān)器件門電路的基本脈沖變壓器，設(shè)計(jì)這類變壓器 時(shí)，是假定其脈沖的上升、下降都是最佳的值，由于變壓器所儲能量不能瞬間變化，因此不 加處理就會使脈沖的上升、下降時(shí)間延長，或者發(fā)生震蕩，影響開關(guān)器件的性能，甚至使開 關(guān)器件同時(shí)導(dǎo)通，發(fā)生短路事故。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為了克服驅(qū)動(dòng)變壓器在PWM死區(qū)時(shí)間能量釋放不徹底缺點(diǎn)，本發(fā)明提供了 一種主 動(dòng)釋放能量的用于驅(qū)動(dòng)變壓器的PWM死區(qū)吸收電路。
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種用于驅(qū)動(dòng)變壓器的PWM死 區(qū)吸收電路，包括變壓器T1，與變壓器T1輸入端連接的功率M0SFET管Ml、M2和二極管D1、 D2,二極管D1、D2的負(fù)極連接可控硅SCR正極，可控硅SCR負(fù)極和二極管D3正極連接VCC， 或非門U1輸出端連接電容C1，電容C1的另一端連接二極管D3的負(fù)極，并與電阻R1相連， 電阻R1另一端連接可控硅SCR觸發(fā)極；功率M0SFET管M1、M2的輸入端分別連接PWM A和 PWM B 管。
[0006] 進(jìn)一步的，所述二極管D1、D2為快速恢復(fù)二極管，組成吸收能量的單項(xiàng)通道。
[0007] 本發(fā)明的有益效果是：或非門U1與電容C1、電阻R1、二極管D3、可控硅SCR組成 吸收能量的控制電路，驅(qū)動(dòng)變壓器中的能量有效釋放，驅(qū)動(dòng)波形迅速下降，主動(dòng)釋放能量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的描述。
[0009] 圖1為本發(fā)明電路原理圖； 圖2為本發(fā)明驅(qū)動(dòng)變壓器輸出波形。

【具體實(shí)施方式】
[0010] 如圖1所示，一種用于驅(qū)動(dòng)變壓器的PWM死區(qū)吸收電路，包括變壓器T1，與變壓器 T1輸入端連接的功率M0SFET管Ml、M2和二極管Dl、D2,二極管Dl、D2的負(fù)極連接可控硅 SCR正極，可控硅SCR負(fù)極和二極管D3正極連接VCC，或非門U1輸出端連接電容C1，電容 C1的另一端連接二極管D3的負(fù)極，并與電阻R1相連，電阻R1另一端連接可控硅SCR觸發(fā) 極；功率M0SFET管Ml、M2的輸入端分別連接PWM A和PWM B管。
[0011] 所述二極管D1、D2為快速恢復(fù)二極管，組成吸收能量的單項(xiàng)通道。
[0012] 所述二極管D3、電容C1、電阻R1組成自舉驅(qū)動(dòng)電路。
[0013] PWM A和PWM B是相位互補(bǔ)的兩路方波。當(dāng)PWM A和PWM B都是低電平，即死區(qū)時(shí) 間，存儲在驅(qū)動(dòng)變壓器中的能量不能有效的釋放，使驅(qū)動(dòng)波形不能迅速下降或產(chǎn)生震蕩。此 時(shí)，或非門U1輸出高電平，使電容C1與電阻R1之間電位高于VCC，可控硅SCR導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)變 壓器中的能量有效釋放，驅(qū)動(dòng)波形迅速下降。
[0014] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也 應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于驅(qū)動(dòng)變壓器的PWM死區(qū)吸收電路，其特征在于：包括變壓器T1，與變壓器 T1輸入端連接的功率MOSFET管Ml、M2和二極管Dl、D2,二極管Dl、D2的負(fù)極連接可控硅 SCR正極，可控硅SCR負(fù)極和二極管D3正極連接VCC，或非門U1輸出端連接電容C1，電容 C1的另一端連接二極管D3的負(fù)極，并與電阻R1相連，電阻R1另一端連接可控硅SCR觸發(fā) 極；功率MOSFET管Ml、M2的輸入端分別連接PWM A和PWM B管。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于驅(qū)動(dòng)變壓器的PWM死區(qū)吸收電路，其特征在于：所述二 極管Dl、D2為快速恢復(fù)二極管，組成吸收能量的單項(xiàng)通道。
【文檔編號】H02M1/08GK104124857SQ201410380267
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年8月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月5日
【發(fā)明者】唐春光, 杜香元, 曹學(xué)良, 郝敏強(qiáng), 曹學(xué)磊 申請人:曹學(xué)良