用于dc-dc變換器的主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于DC-DC變換器的主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)。DC-DC變換器的第一功率晶體管連接在電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間，第二功率晶體管連接在參考節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間，并且電感器連接在公共節(jié)點(diǎn)和DC-DC變換器的輸出節(jié)點(diǎn)之間?？刂破髟陔姼衅髦械碾娏鞒^(guò)正的閾值的情況下，在負(fù)載的降低事件期間將第一晶體管關(guān)斷并且將第二晶體管關(guān)斷。
【專利說(shuō)明】用于DC-DC變換器的主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及DC-DC變換器，具體而言，涉及用于DC-DC變換器的主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)。
【背景技術(shù)】
[0002]針對(duì)DC-DC變換器，快速瞬態(tài)響應(yīng)對(duì)高速現(xiàn)代設(shè)備至關(guān)重要。電信系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、服務(wù)器和基于處理器的系統(tǒng)是采用高速設(shè)備的應(yīng)用的示例。例如，微處理器和定制ASIC(專用集成電路單元)具有能夠迅速?gòu)幕蚨嗷蛏俚目臻e狀態(tài)向全負(fù)載改變并且返回到空閑狀態(tài)的負(fù)載需求，要求電流快速增加和減少。此外，可能需要快速動(dòng)態(tài)電壓轉(zhuǎn)變以根據(jù)操作模式來(lái)提高或降低穩(wěn)定電壓。如果DC-DC變換器不能夠?qū)υ黾雍徒档拓?fù)載事件或動(dòng)態(tài)電壓轉(zhuǎn)變進(jìn)行迅速響應(yīng)，則該變換器的輸出電壓可能在期望的調(diào)節(jié)窗口之外，有可能導(dǎo)致微處理器或ASIC的損壞或不當(dāng)操作。
[0003]一些DC-DC變換器具有快速瞬態(tài)響應(yīng)(ATR)單元，用于減輕降低負(fù)載事件。這些控制器不受功率開(kāi)關(guān)的同步控制限制，其中在逐周期的基礎(chǔ)上調(diào)制脈沖寬度占空比以控制輸出電壓。在常規(guī)降壓變換器的同步控制中，對(duì)于開(kāi)關(guān)周期的一部分，高側(cè)功率晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)(導(dǎo)通)并且低側(cè)功率晶體管處于非導(dǎo)通狀態(tài)(關(guān)斷)，然后對(duì)于開(kāi)關(guān)周期的剩余部分，高側(cè)功率晶體管關(guān)斷并且低側(cè)功率晶體管導(dǎo)通。具有ATR單元的控制器通常支持ATR低(ATRL)狀態(tài)或ATR高阻抗(ATRL_HiZ)狀態(tài)以在降低負(fù)載事件期間控制電壓過(guò)沖。
[0004]在ATRL狀態(tài)中，對(duì)于一個(gè)或多個(gè)開(kāi)關(guān)周期，高側(cè)功率晶體管關(guān)斷并且低側(cè)功率晶體管導(dǎo)通持續(xù)，使得負(fù)電流或正電流可以從輸出電感器流動(dòng)通過(guò)低側(cè)晶體管以便快速地降低輸出電壓。在ATRL_HiZ狀態(tài)中，高側(cè)功率晶體管和低側(cè)功率晶體管二者都關(guān)斷，因此變換器的功率級(jí)被切換至高阻抗(三態(tài)或HiZ)狀態(tài)，從而在輸出電感器中的電流十分迅速地通過(guò)低側(cè)晶體管的體二極管消散，但電流在該狀態(tài)下不能變負(fù)。傳統(tǒng)的ATR單元當(dāng)電感器電流到達(dá)零時(shí)采用或選擇這兩種狀態(tài)中的一種狀態(tài)，并且不從ATRL_HiZ狀態(tài)向ATRL低狀態(tài)切換。然而，這樣做能夠?qū)TR單元留在ATRL_HiZ狀態(tài)太久，這是有問(wèn)題的，因?yàn)樗赡軙?huì)導(dǎo)致較差的負(fù)載瞬態(tài)或動(dòng)態(tài)電壓響應(yīng)。還可能是有問(wèn)題的，如果驅(qū)動(dòng)器在其輸入處于三態(tài)持續(xù)太久時(shí)進(jìn)入低功率睡眠模式。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本文描述的實(shí)施例，DC-DC變換器包括主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)(ATR)單元，其可以根據(jù)各種考慮在降低負(fù)載時(shí)間期間將變換器的低側(cè)功率晶體管置于ATR低(ATRL)狀態(tài)或ATR高阻抗(ATRL_HiZ)狀態(tài)。降低負(fù)載事件可以是負(fù)載釋放或卸載事件，或者由于動(dòng)態(tài)電壓轉(zhuǎn)變的電感器電流釋放。在ATRL_HiZ狀態(tài)下，變換器功率級(jí)的高側(cè)功率晶體管和低側(cè)功率晶體管二者都關(guān)斷并且功率級(jí)處于被三態(tài)化，從而輸出電感器中電流通過(guò)低側(cè)晶體管的體二極管而迅速地消散。在ATRL狀態(tài)下，高側(cè)功率晶體管保持關(guān)斷并且低側(cè)功率晶體管導(dǎo)通，從而負(fù)電流或正電流能夠從輸出電感器流動(dòng)通過(guò)低側(cè)晶體管以便迅速降低輸出電壓。ATR單元以提高變換器在大的降低負(fù)載事件上的輸出電壓響應(yīng)的方式、基于各種條件決定何時(shí)實(shí)施這些狀態(tài)中的那個(gè)狀態(tài)。響應(yīng)于大的降低負(fù)載事件，取決于感測(cè)的電流，ATR單元激活A(yù)TRL狀態(tài)或ATRL_HiZ狀態(tài)。由ATR單元監(jiān)控各種參數(shù)以確保變換器功率級(jí)不保持在一種狀態(tài)太久，因此產(chǎn)生具有更理想形狀的電壓輸出響應(yīng)。一旦降低負(fù)載事件平息，ATR單元將功率級(jí)的切換控制返回至DC-DC變換器的控制器。
[0006]根據(jù)具有用于連接至負(fù)載的輸出節(jié)點(diǎn)的DC-DC變換器的實(shí)施例，DC-DC變換器包括連接在電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間的第一功率晶體管，連接在參考節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間的第二功率晶體管，以及連接在公共節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn)之間的電感器?？刂破髟陔姼衅髦械碾娏鞒^(guò)正的閾值的情況下，在負(fù)載處的降低事件期間將第一晶體管關(guān)斷并且將第二晶體管關(guān)斷。
[0007]根據(jù)操作具有連接至負(fù)載的輸出節(jié)點(diǎn)的DC-DC變換器的方法的實(shí)施例，該方法包括:經(jīng)由可變占空比控制信號(hào)來(lái)開(kāi)關(guān)第一晶體管和第二晶體管以通過(guò)電感器向負(fù)載遞送電流；在所述負(fù)載處的降低事件期間將第一晶體管關(guān)斷；以及在電感器中的電流超過(guò)正的閾值的情況下，在降低事件期間將第二晶體管關(guān)斷而不管可變占空比控制信號(hào)的狀態(tài)。
[0008]根據(jù)多相DC-DC變換器的實(shí)施例，穩(wěn)壓器包括功率級(jí)，其包括多個(gè)相，每個(gè)相具有用于通過(guò)相應(yīng)的電感器耦合至負(fù)載的高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管。脈沖寬度調(diào)制器可操作用于經(jīng)由可變占空比控制信號(hào)而開(kāi)關(guān)功率級(jí)的相，用于通過(guò)電感器中的一個(gè)或多個(gè)電感器向所述負(fù)載遞送電流。瞬態(tài)響應(yīng)單元可操作用于在電感器中的任意電感器中的測(cè)量的電感器電流或者電感器中的所有電感器中總的測(cè)量的電感器電流超過(guò)正的閾值的情況下，在負(fù)載的降低事件期間將高側(cè)晶體管關(guān)斷并且將低側(cè)晶體管關(guān)斷。
[0009]在閱讀了以下詳細(xì)描述以及查看了附圖之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到附加特征和優(yōu)勢(shì)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]附圖中的元件未必關(guān)于彼此按比例。相同的附圖標(biāo)記指明對(duì)應(yīng)的類似的部件。各種圖示的實(shí)施例的特征可以被組合，除非它們彼此排斥。實(shí)施例在附圖中進(jìn)行了描繪并且在以下的說(shuō)明書中進(jìn)行詳述。
[0011]圖1圖示具有ATR單元的DC-DC變換器的框圖。
[0012]圖2圖示用于DC-DC變換器的主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)的實(shí)施例的流程圖。
[0013]圖3至圖6圖示在不同類型的降低負(fù)載事件下的ATR單元的行為。
[0014]圖7圖示ATR單元的數(shù)字實(shí)施例的框圖
[0015]圖8圖示具有ATR單元的多相DC-DC變換器的框圖
【具體實(shí)施方式】
[0016]本文描述的實(shí)施例在DC-DC變換器中采用主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)(ATR)，該DC-DC變換器以提高變換器在大的降低負(fù)載事件上的輸出電壓響應(yīng)的方式、智能地決定何時(shí)將變換器的低側(cè)功率晶體管置于ATR低(ATRL)狀態(tài)或ATR高阻抗(ATRL_HiZ)狀態(tài)。DC-DC變換器通過(guò)交替地將電感器或變壓器通電和斷電來(lái)從輸入源向負(fù)載傳送功率。這些周期通過(guò)功率級(jí)的一組開(kāi)關(guān)或通過(guò)設(shè)備(pass device)來(lái)控制，并且通過(guò)改變這些開(kāi)關(guān)中的占空比或者通斷時(shí)間的比率或者占空比來(lái)控制電壓或電流傳送。DC-DC控制器通過(guò)反饋補(bǔ)償調(diào)節(jié)占空比來(lái)監(jiān)控和維持輸出變量(電壓和電流)。響應(yīng)于由于動(dòng)態(tài)電壓轉(zhuǎn)變的降低負(fù)載事件，諸如負(fù)載釋放或卸載事件或者電感器電流釋放，變換器以提高在瞬態(tài)事件期間的變換器的輸出電壓響應(yīng)的方式而實(shí)現(xiàn)ATR。
[0017]通過(guò)為變換器的低側(cè)功率晶體管提供ATRL狀態(tài)和ATRL_HiZ狀態(tài)以及基于各種條件來(lái)智能地決定何時(shí)實(shí)現(xiàn)這些狀態(tài)中的哪種狀態(tài)而實(shí)現(xiàn)ATR。在ATRL_HiZ狀態(tài)下，變換器功率級(jí)的高側(cè)功率晶體管和低側(cè)功率晶體管二者都關(guān)斷以將功率級(jí)置于高阻抗?fàn)顟B(tài)(即三態(tài))，從而輸出電感器中電流通過(guò)低側(cè)晶體管的體二極管而迅速地消散。在ATRL狀態(tài)下，高側(cè)功率晶體管保持關(guān)斷并且低側(cè)功率晶體管導(dǎo)通處于導(dǎo)通狀態(tài)中，從而負(fù)電流或正電流能夠從輸出電感器流動(dòng)通過(guò)低側(cè)晶體管以便迅速降低輸出電壓。響應(yīng)于大的降低負(fù)載事件，取決于感測(cè)的電流，ATR單元激活A(yù)TRL狀態(tài)或ATRL_HiZ狀態(tài)。由ATR單元監(jiān)控各種參數(shù)以確保變換器功率級(jí)不保持在一種狀態(tài)太久，因此產(chǎn)生具有更理想形狀的電壓輸出響應(yīng)。一旦降低負(fù)載事件平息，ATR單元將功率級(jí)的切換控制返回至DC-DC變換器的控制器。
[0018]圖1圖示了開(kāi)關(guān)式降壓變換器的框圖，它包括耦合到諸如微處理器、圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、ASIC等的負(fù)載102的功率級(jí)100。在圖1中用單相示出了功率級(jí)100，但是在需要時(shí)功率級(jí)100可以包括多個(gè)相。每個(gè)相具有由第一驅(qū)動(dòng)器104驅(qū)動(dòng)的高側(cè)功率晶體管(HS)和由第二驅(qū)動(dòng)器106驅(qū)動(dòng)的低側(cè)功率晶體管(LS)。、高側(cè)功率晶體管連接在電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)(VCC)與公共節(jié)點(diǎn)(A)之間。低側(cè)功率晶體管連接在參考節(jié)點(diǎn)(例如地)和公共節(jié)點(diǎn)之間。功率級(jí)100的每個(gè)相還具有連接在公共節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn)(Vout)之間的電感器(L)。電感器與負(fù)載102串聯(lián)連接并且向負(fù)載102遞送電流。由每個(gè)輸出相所提供的電流的數(shù)量取決于該相的高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。輸出電容器(C)在變換器的輸出存儲(chǔ)大量的能量。輸出電容器可以是單個(gè)電容器或并聯(lián)連接的電容器組。
[0019]功率級(jí)100的操作經(jīng)由控制器108實(shí)現(xiàn)的PWM(脈沖寬度調(diào)制)控制來(lái)控制?？刂破?08包括生成用于功率級(jí)100的每個(gè)相的生成PWM控制信號(hào)(PWM)的PWM控制單元110。PWM控制信號(hào)的每個(gè)周期具有導(dǎo)通部分和關(guān)斷部分。在每個(gè)PWM周期的導(dǎo)通部分期間，輸出相控制的高側(cè)晶體管通過(guò)PWM信號(hào)而導(dǎo)通(即進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài))并且低側(cè)晶體管被關(guān)斷(即進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài))。相反，在每個(gè)PWM周期的關(guān)斷部分期間，低側(cè)晶體管導(dǎo)通并且高側(cè)晶體管關(guān)斷。
[0020]PWM控制信號(hào)的占空比(d)確定在每個(gè)PWM周期期間高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管分別導(dǎo)通多久，并且因此確定源自該輸出相的至負(fù)載120的電流的量。基于向變換器提供的參考電壓(Vref )和輸出電壓(Vout)之差而生成PWM控制信號(hào)。在一些實(shí)施例中，參考電壓對(duì)應(yīng)于與負(fù)載102關(guān)聯(lián)的電壓標(biāo)識(shí)(VID)。VID確定穩(wěn)壓器負(fù)載設(shè)定點(diǎn)，即當(dāng)負(fù)載電流為零時(shí)穩(wěn)壓器的目標(biāo)電壓。
[0021]DC-DC變換器還包括自適應(yīng)電壓設(shè)定(AVP)單元112，其生成針對(duì)參考電壓(Vref)的一定數(shù)量的偏移(Vavp)，該數(shù)量與用于功率級(jí)100的每個(gè)輸出相所感測(cè)的電感器電流(I_sen)成比例。AVP單元112可以包括放大器和AVP濾波器。通常，控制器108可以實(shí)現(xiàn)任何常規(guī)AVP回路。DC-DC變換器的背景中的AVP是眾所周知的，因此，在這一方面而言沒(méi)有給出進(jìn)一步說(shuō)明。Vref與Vout和Vavp之差構(gòu)成誤差信號(hào)(e)，其輸入到控制器108的PWM控制單元110。在一個(gè)實(shí)施例中，PWM控制單元110包括PID (比例-積分-微分)濾波器，其使用誤差電壓(e)作為輸入并且用占空比作為輸出實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償器傳遞函數(shù)。[0022]基于輸出電壓和電感器的反饋信息(VOUT，I_sen)，響應(yīng)于所述負(fù)載狀態(tài)而調(diào)整占空比的輸出。例如，可以通過(guò)脈沖加寬或變窄來(lái)調(diào)整占空比。這樣，向DC-DC變換器100的功率級(jí)100提供的每個(gè)PWM控制信號(hào)的占空比基于由AVP單元112生成的偏移(Vavp)、輸出電壓(Vout)與參考電壓(Vref)所而設(shè)定。在瞬態(tài)負(fù)載狀態(tài)下，包括負(fù)載電流的大的降低，在控制器108中包括的或者與控制器108關(guān)聯(lián)的主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)(ATR)單元114實(shí)現(xiàn)了本文描述的ATR功能。
[0023]在穩(wěn)態(tài)調(diào)節(jié)期間，在負(fù)載102的電壓與由Vref設(shè)定的穩(wěn)壓器目標(biāo)電壓緊密匹配。在瞬態(tài)負(fù)載事件期間，在負(fù)載102的電壓偏離目標(biāo)電壓，并且可以通過(guò)使用檢測(cè)過(guò)度幅度偏離的ATR單元114來(lái)檢測(cè)負(fù)載事件的量級(jí)。例如，在負(fù)載102的電壓超過(guò)目標(biāo)電壓最小閾值時(shí)，可以使用比較器來(lái)觸發(fā)ATR事件。可替換地，在ATR單元114可以等待直到PWM控制信號(hào)變?yōu)榱悴⑶覚z測(cè)該零占空比的PWM信號(hào)作為ATR事件。在每種情況下，ATR單元114以提高變換器在大的降低負(fù)載事件上的輸出電壓響應(yīng)的方式智能地決定何時(shí)將功率級(jí)100置于ATRL狀態(tài)或ATRL_HiZ狀態(tài)。例如響應(yīng)于大的降低負(fù)載事件，ATR單元114根據(jù)感測(cè)的相電流(1_8611)而激活A(yù)TRL狀態(tài)或ATRL_HiZ狀態(tài)。由ATR單元114監(jiān)控各種參數(shù)以確保功率級(jí)100不保持在一種狀態(tài)中太久，從而產(chǎn)生具有更理想形狀的電壓輸出響應(yīng)。
[0024]圖2圖示由ATR單元114實(shí)現(xiàn)的ATR方法的流程圖。除非有降低負(fù)載事件，即ATR事件，否則在ATR單元114不采取任何動(dòng)作(框200)。如果向ATR單元114提供的或者由ATR單元114生成的ATR指示器(S)超過(guò)正的閾值(ATR_thr)，則檢測(cè)到降低負(fù)載事件(框210)。在一個(gè)實(shí)施例中，S為所感測(cè)的電感器電流(I_sen)和誤差電壓(e)的函數(shù)，即S表示電感器電流和電壓誤差的組合。在另一實(shí)施例中，在PWM控制信號(hào)(PWM)的占空比為零時(shí)，檢測(cè)到降低負(fù)載事件。在又一實(shí)施例中，將S實(shí)現(xiàn)為一個(gè)比較器，當(dāng)e>ATR_thr時(shí)該比較器跳變，因此由該模塊檢測(cè)到ATR事件。
[0025]當(dāng)檢測(cè)到降低負(fù)載事件時(shí)，ATR單元114確定所感測(cè)的電感器電流(I_sen)是否超過(guò)最小的正的閾值(Imin)(框220)。對(duì)于單相功率級(jí)100，I_sen是該相的電感其電流。對(duì)于多相變換器，I_sen可以是個(gè)體相電流(即分別與Imin進(jìn)行比較的個(gè)體相電流)或所有相電流的總和。
[0026]在每種情況下，如果I_sen>Imin，則將定時(shí)器(T)重置為零(框230)并且ATR單元114然后將功率級(jí)100置于ATRL_HiZ狀態(tài)中(框240)。在ATRL_HiZ狀態(tài)中，將高側(cè)功率晶體管和低側(cè)功率晶體管二者都關(guān)斷以三態(tài)化變換器功率級(jí)，從而輸出電感器(L)中的電流通過(guò)每個(gè)低側(cè)晶體管的體二極管迅速消散。ATR單元114將功率級(jí)100保持在ATRL_HiZ狀態(tài)中持續(xù)最小時(shí)間量(Tmin)(框242)。在這一時(shí)間段過(guò)后，只要該降低負(fù)載事件持續(xù)存在，即S>ATH_thr，則ATR單元114就繼續(xù)將功率級(jí)100保持在ATRL_HiZ狀態(tài)(框244)，并且1_sen保持大于Imin并且功率級(jí)100不在ATRL_HiZ狀態(tài)持續(xù)太久，即T〈Ton_Max，其中Ton_Max是低側(cè)晶體管被允許關(guān)斷并且功率級(jí)100被三態(tài)化的最大時(shí)間量(框246)。在一個(gè)實(shí)施例中，選擇Ton_Max使得在低側(cè)晶體管的驅(qū)動(dòng)106進(jìn)入低功率睡眠模式之前每個(gè)低側(cè)晶體管導(dǎo)通至導(dǎo)通狀態(tài)，即使電感器電流(I_sen)在降低負(fù)載事件期間保持在閾值(Imin)以上。
[0027]如果這些條件中的任何條件繼續(xù)未被滿足(即S〈ATH_thr，I_sen<Imin,和/或T>Ton_Max)，則ATR單元114重置計(jì)數(shù)器T (框250)并且將功率級(jí)100置于ATRL狀態(tài)(框260)。在ATRL狀態(tài)中，將每個(gè)高側(cè)功率晶體管關(guān)斷并且將每個(gè)低側(cè)功率晶體管導(dǎo)通，使得負(fù)電流或正電流可以從相應(yīng)的輸出電感器流動(dòng)通過(guò)對(duì)應(yīng)的低側(cè)晶體管，以便迅速降低變換器的輸出電壓(Vout)。如果在首次檢測(cè)到降低負(fù)載事件時(shí)I_sen不大于Imin，則ATR單元114還將功率級(jí)100置于ATRL狀態(tài)(框220、框250和框260)。
[0028]只要降低負(fù)載事件存在，在ATRL狀態(tài)中尚未過(guò)去最小時(shí)間量(Toffjnin)(框264)，并且I_sen仍然小于Imin (框266)，功率級(jí)100就保持在ATRL狀態(tài)(框262)。在功率級(jí)被三態(tài)化之前，參數(shù)Toffjnin確保了低側(cè)功率晶體管導(dǎo)通持續(xù)足夠的時(shí)間量(T)。否貝丨J，ATR單元114將功率級(jí)100置回于ATRL_HiZ狀態(tài)中(框266和框230)或?qū)⒐β始?jí)100的控制返回至控制器108 (框262和框200)。
[0029]圖3至圖6圖示了 ATR單元114在不同類型的降低負(fù)載事件(圖3至圖6中標(biāo)記的“ATR事件”)下的行為。在降低負(fù)載事件期間，ATR單元114對(duì)至包括在變換器的功率級(jí)100中的每個(gè)低側(cè)功率晶體管的柵極的將PWM控制信號(hào)進(jìn)行超越控制(override)。在圖3至圖6中將向每個(gè)低側(cè)功率晶體管的柵極施加的超越控制信號(hào)標(biāo)記為“1^_柵極”并且將向每個(gè)高側(cè)功率晶體管的柵極施加的超越控制信號(hào)標(biāo)記為“HS_柵極”。
[0030]在圖3中，在降低負(fù)載事件首先發(fā)生時(shí)，電感器電流(I_sen)大于Imin。作為響應(yīng)，在ATR單元114將功率級(jí)100置于ATRL_HiZ狀態(tài)中，伴隨著高側(cè)功率晶體管和低側(cè)功率晶體管二者都關(guān)斷。在時(shí)間段Ton_Max到期之后，在這種情況下I_sen仍然在Imin之上(在這種情況下設(shè)置Imin高于0A，以及Imin可以是可程序控制的并且被設(shè)置成包括OA的任何期望的值)。作為響應(yīng)，ATR單元114通過(guò)將低側(cè)晶體管開(kāi)關(guān)至導(dǎo)通狀態(tài)而將高側(cè)晶體管保持關(guān)斷來(lái)將功率級(jí)100置于ATRL狀態(tài)中。功率級(jí)100保持在ATRL狀態(tài)直至降低負(fù)載事件平息。
[0031]Ton_Max時(shí)間限制參數(shù)確保低側(cè)晶體管不關(guān)斷太久，例如從而避免低側(cè)晶體管的驅(qū)動(dòng)器106進(jìn)入低功率睡眠模式。當(dāng)負(fù)載電流中發(fā)生從高值(例如約200A)至中值(例如約40A)的大的降低時(shí)，利用Ton_Max時(shí)間限制參數(shù)也是有利的。在這種情況下,負(fù)載電流從未下降到0A，即從高值或中值下降到低值。然而，功率級(jí)100在整個(gè)降低負(fù)載事件期間不保持在ATRL_HiZ狀態(tài)。相反，通過(guò)強(qiáng)制低側(cè)功率晶體管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)而在Ton_Max時(shí)間限制到期時(shí)將功率級(jí)100從ATRL_HiZ狀態(tài)切換至ATRL狀態(tài)。由于在ATRL狀態(tài)中低側(cè)晶體管的體二極管不再導(dǎo)通(或者僅僅輕微導(dǎo)通)，所以電感器電流在ATRL狀態(tài)中不迅速消散，所以這樣做減少了變換器輸出電壓(Vout)中的過(guò)沖。
[0032]在圖4中，在降低負(fù)載事件首次發(fā)生時(shí)，電感器電流(I_sen)大于Imin。作為響應(yīng)，在ATR單元114將功率級(jí)100置于ATRL_HiZ狀態(tài)中，伴隨著高側(cè)功率晶體管和低側(cè)功率晶體管二者都關(guān)斷。在時(shí)間段Ton_Max到期之前，I_sen降至低于Imin。作為響應(yīng)，ATR單元114通過(guò)將低側(cè)晶體管開(kāi)關(guān)至導(dǎo)通狀態(tài)而將功率級(jí)100置于ATRL狀態(tài)中，即使Ton_Max在瞬態(tài)負(fù)載電流期間尚未到期。高側(cè)晶體管保持關(guān)斷。功率級(jí)100保持在ATRL狀態(tài)中直至降低負(fù)載事件平息。在一個(gè)實(shí)施例中，Imin可以設(shè)置為在OA以上以進(jìn)一步降低變換器輸出電壓(Vout)中的過(guò)沖，否則其可以在OA切換點(diǎn)發(fā)生。
[0033]在圖5中，在降低負(fù)載事件首次發(fā)生時(shí)電感器電流(I_sen)低于Imin。因此，ATR單元將功率級(jí)置于ATRL狀態(tài)中并且在整個(gè)降低負(fù)載事件期間維持功率級(jí)在ATRL狀態(tài)中。
[0034]圖6示出 了 ATR單元114對(duì)降低負(fù)載事件的更通用的響應(yīng)。在降低負(fù)載事件首次發(fā)生時(shí)電感器電流(I_sen)大于Imin。作為響應(yīng)，ATR單元114將功率級(jí)100置于ATRL_HiZ狀態(tài)中，伴隨著高側(cè)功率晶體管和低側(cè)功率晶體管二者都關(guān)斷。在時(shí)間段Ton_Max到期后，I_sen仍然在Imin以上。作為響應(yīng),ATR單元114通過(guò)將低側(cè)晶體管開(kāi)關(guān)至導(dǎo)通狀態(tài)而將功率級(jí)100置于ATRL狀態(tài)，同時(shí)高側(cè)晶體管保持關(guān)斷。功率級(jí)100保持在ATRL狀態(tài)中持續(xù)最小時(shí)間段(Toff_min)。參數(shù)Toffjnin確保低側(cè)功率晶體管在再次關(guān)斷之前具有足夠的恢復(fù)時(shí)間。
[0035]在Toffjnin到期后，ATR單元114評(píng)估降低負(fù)載事件是否仍然存在并且I_sen是否仍然大于Imin。如果是，則ATR單元114通過(guò)將低側(cè)功率晶體管從導(dǎo)通狀態(tài)開(kāi)關(guān)至非導(dǎo)通狀態(tài)(即關(guān)斷)而迫使功率級(jí)100從ATRL狀態(tài)到ATRL_HiZ狀態(tài)。這個(gè)過(guò)程一直繼續(xù)(從ATRL_HiZ開(kāi)關(guān)到ATRL以及返回到ATRL_HiZ)直至降低負(fù)載事件平息或者I_sen下降至低于Imin。如果在時(shí)間段Ton_Max到期之前I_sen下降至低于Imin,則ATR單元114通過(guò)再次將低側(cè)晶體管從非導(dǎo)通(關(guān)斷)狀態(tài)開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)到導(dǎo)通狀態(tài)而將功率級(jí)100從ATRL_HiZ狀態(tài)變換成ATRL狀態(tài)，即使在瞬態(tài)負(fù)載電流期間Ton_Max尚未到期。高側(cè)晶體管保持關(guān)斷。功率級(jí)100保持在ATRL狀態(tài)直至降低負(fù)載事件平息。當(dāng)降低負(fù)載事件最終平息，ATR單元114將功率級(jí)100的切換控制返回至DC-DC變換器的PWM控制單元110。
[0036]圖7圖示了 ATR單元114的實(shí)施例。根據(jù)這一實(shí)施例，將ATR單元114數(shù)字地實(shí)現(xiàn)為例如控制器108的一部分，并且ATR單元114包括用于基于各種控制和反饋參數(shù)(例如，PWM 控制信號(hào)、Imin、Tmin、Ton_Max、Toff_min> I_sen、e 和 ATR_thr)來(lái)實(shí)現(xiàn)本文先前描述的ATR相關(guān)的功能的控制邏輯300。圖7還圖示了 ATR控制邏輯300在變換器功率級(jí)100的每個(gè)低側(cè)功率晶體管上實(shí)現(xiàn)的控制。在一個(gè)實(shí)施例中，控制邏輯300在降低負(fù)載事件期間對(duì)輸入至每個(gè)低側(cè)功率晶體管的可變占空比控制信號(hào)(PWM)進(jìn)行超越控制。取決于輸入到控制邏輯300的控制和反饋參數(shù)的狀態(tài)，在全部或部分降低負(fù)載事件期間，可以強(qiáng)制低側(cè)晶體管導(dǎo)通處于導(dǎo)通狀態(tài)中(由圖7中“ATRL”標(biāo)記的框表示)或強(qiáng)制低側(cè)晶體管關(guān)斷處于非導(dǎo)通狀態(tài)中(由圖7中“ATRL_HiZ”標(biāo)記的框表示)?？刂七壿?00例如根據(jù)圖2的流程圖而確定低側(cè)晶體管的狀態(tài)，以根據(jù)降低負(fù)載事件期間的控制和反饋參數(shù)的狀態(tài)產(chǎn)生圖3至圖6中示出的結(jié)果。
[0037]圖8圖示了具有ATR單元114的DC-DC變換器的另一實(shí)施例。圖8中圖示的實(shí)施例類似于圖1中圖示的實(shí)施例，然而在這一實(shí)施例中變換器是多相的。換言之，變換器的功率級(jí)100包括多個(gè)輸出相。每個(gè)相具有用于通過(guò)相應(yīng)的電感器(LI，L2, , LN)耦合至負(fù)載102的高側(cè)晶體管(HS)和低側(cè)晶體管(LS)。PWM控制單元110經(jīng)由可變占空比控制信號(hào)(PWM)而開(kāi)關(guān)功率級(jí)100的相，用于通過(guò)一個(gè)或多個(gè)相電感器向負(fù)載102遞送電流。
[0038]在電感器(I_senl，I_sen2,...，I_senN)中的任意電感器中測(cè)量的電感器電流或者電感器中的所有電感器中總電感器電流超過(guò)正的閾值(Imin)的情況下，ATR單元114在負(fù)載102處的降低負(fù)載事件期間將低側(cè)晶體管關(guān)斷。在一種情況下，基于每個(gè)個(gè)體電感器電流來(lái)設(shè)置Imin，并且在電感器電流中的一個(gè)電感器電流超過(guò)Imin時(shí)，ATR單元114相應(yīng)的起反應(yīng)。在另一實(shí)施例中，基于所有電感器電流的總和來(lái)設(shè)置Imin，并且在總電感器電流超過(guò)Imin時(shí)，ATR單元114相應(yīng)的起反應(yīng)。在每種情況中，在例如在如圖3所示的降低負(fù)載事件期間測(cè)量的電感器電流(在個(gè)體或總和的基礎(chǔ)上)保持在Imin以上持續(xù)最大時(shí)間限制(Ton_Max)的情況下，ATR單元114通過(guò)導(dǎo)通晶體管而將低側(cè)晶體管從非導(dǎo)通(關(guān)斷)狀態(tài)開(kāi)關(guān)至導(dǎo)通狀態(tài)。在例如在如圖4所示的降低負(fù)載事件期間測(cè)量的電感器電流(在個(gè)體或總和的基礎(chǔ)上)在Ton_Max超期以前下降至Imin以下的情況下，ATR單元114可以將低側(cè)晶體管從關(guān)斷開(kāi)關(guān)至導(dǎo)通。如本文前面描述的，可以選擇最大時(shí)間限制(Ton_Max)使得在低側(cè)晶體管的驅(qū)動(dòng)器106進(jìn)入低功率睡眠模式之前將低側(cè)晶體管從非導(dǎo)通狀態(tài)開(kāi)關(guān)到導(dǎo)通狀態(tài)，即使測(cè)量的電感器電流(在個(gè)體或總和的基礎(chǔ)上)在降低負(fù)載事件期間保持在正的閾值以上。
[0039]功率級(jí)100可以取決于負(fù)載的需求而經(jīng)由相中的一個(gè)或多個(gè)來(lái)向負(fù)載102供應(yīng)高電流，中電流和低電流。如果在由高到中降低負(fù)載事件期間、即在負(fù)載電流從高值(例如大約200A)降低至中值(例如約40A)時(shí)，測(cè)量的電感器電流(在個(gè)體或總和的基礎(chǔ)上)保持在正的閾值(Imin)以上持續(xù)最大時(shí)間限制，則ATR單元114可以將低側(cè)晶體管從非導(dǎo)通狀態(tài)開(kāi)關(guān)到導(dǎo)通狀態(tài)。在這種情況下，負(fù)載電流從未下降到0A，即從高值或中值下降到低值。然而，功率級(jí)100在整個(gè)降低負(fù)載事件期間不保持在ATRL_HiZ狀態(tài)中。相反，如本文先前描述的，通過(guò)強(qiáng)制低側(cè)功率晶體管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)而在Ton_Max時(shí)間限制到期時(shí)，ATR單單元114強(qiáng)制功率級(jí)100從ATRL_HiZ狀態(tài)切換至ATRL狀態(tài)。
[0040]如在圖6所示的，在每個(gè)低側(cè)晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)中花費(fèi)預(yù)定時(shí)間量(Toffjnin)之后并且如果測(cè)量的電感器電流(在個(gè)體或總和的基礎(chǔ)上)在Toffjnin流逝之后繼續(xù)保持在正的閾值(Imin)以上，ATR單元114也可以在下降負(fù)載事件期間將低側(cè)晶體管從導(dǎo)通狀態(tài)切換回到非導(dǎo)通狀態(tài)。如在圖5所示的，如果測(cè)量的電感器電流(在個(gè)體或總和的基礎(chǔ)上)在降低負(fù)載事件期間總是保持在正的閾值以下，則ATR單元114可以在整個(gè)降低負(fù)載事件期間將低側(cè)晶體管維持在導(dǎo)通狀態(tài)中。
[0041]ATR單元114可以被數(shù)字地實(shí)現(xiàn)為DC-DC變換器控制器108的一部分，或者實(shí)現(xiàn)為單獨(dú)的部件，諸如ASIC。在其它實(shí)施例中，利用模擬電路來(lái)實(shí)現(xiàn)ATR單元114的功能。
[0042]諸如“第一”、“第二”等的術(shù)語(yǔ)用來(lái)描述各種元件、區(qū)域、部分等，并且也并非旨在是限制性的。類似的術(shù)語(yǔ)貫穿說(shuō)明書指代相同的元件。
[0043]如本文使用的，術(shù)語(yǔ)“具有”、“含有”、“包含”、“包括”等是開(kāi)放式術(shù)語(yǔ)，指示所陳述的元件或特征的存在，但并不排除額外的元件或特征。冠詞“一”，“一個(gè)”和“該”旨在包括復(fù)數(shù)以及單數(shù)，除非上下文另有明確說(shuō)明。
[0044]應(yīng)當(dāng)理解的是，本文描述的各個(gè)實(shí)施例的特征可以彼此組合，除非另有具體說(shuō)明。
[0045]雖然本文已經(jīng)圖示和描述具體實(shí)施例，但是那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，多種替代和/或等同實(shí)施方式可代替示出和描述的具體實(shí)施例而不脫離本發(fā)明的范圍。本申請(qǐng)旨在覆蓋本文所討論的具體實(shí)施例的任何適配或變化。因此，旨在僅由權(quán)利要求及其等同來(lái)限制本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.一種DC-DC變換器，具有用于連接至負(fù)載的輸出節(jié)點(diǎn)，包括: 第一功率晶體管，連接在電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間； 第二功率晶體管，連接在參考節(jié)點(diǎn)和所述公共節(jié)點(diǎn)之間； 電感器，連接在所述公共節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間；以及 控制器，可操作用于在所述電感器中的電流超過(guò)正的閾值的情況下，在所述負(fù)載處的降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管關(guān)斷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC-DC變換器，其中所述正的閾值是可程序控制的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC-DC變換器，其中所述控制器還可操作用于在所述電感器電流下降到第二閾值以下的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的DC-DC變換器，其中所述正的閾值和所述第二閾值被設(shè)置成相同的值。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的DC-DC變換器，其中兩個(gè)閾值都是可程序控制的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC-DC變換器，其中所述控制器還可操作用于在所述電感器電流在所述正的閾值以 下的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC-DC變換器，其中所述控制器還可操作用于在所述電感器電流超過(guò)所述正的閾值持續(xù)最大時(shí)間限制的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管關(guān)斷，在所述電感器電流在所述正的閾值以上并且超過(guò)所述最大時(shí)間限制的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通，以及在所述電感器電流在所述正的閾值以下并且沒(méi)有超過(guò)所述最大時(shí)間限制的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的DC-DC變換器，其中所述最大時(shí)間限制是可程序控制的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的DC-DC變換器，其中選擇所述最大時(shí)間限制使得在所述第二晶體管的驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入低功率睡眠模式之前在所述降低事件期間將所述第二晶體管導(dǎo)通。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的DC-DC變換器，其中所述控制器還可操作用于在所述第二晶體管導(dǎo)通持續(xù)預(yù)定時(shí)間量之后并且所述電感器電流在流逝所述預(yù)定時(shí)間量之后繼續(xù)保持在所述正的閾值以上，在所述降低負(fù)載事件期間將所述第二晶體管再次關(guān)斷。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的DC-DC變換器，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管還可共同操作用于根據(jù)在所述負(fù)載處的運(yùn)行狀態(tài)而向所述負(fù)載供應(yīng)高電流、中電流和低電流，其中所述降低負(fù)載事件在所述負(fù)載電流從由高到低、由高到中、或者由中到低改變時(shí)發(fā)生，其中所述控制器還可操作用于在由高到中或由中到低降低負(fù)載電流事件期間，將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通，并且其中所述控制器還可操作用于在由高到低降低負(fù)載電流事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管關(guān)斷。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC-DC變換器，其中所述控制器還可操作用于經(jīng)由輸入至所述第一晶體管和所述第二晶體管的可變占空比控制信號(hào)來(lái)控制所述第一晶體管和所述第二晶體管，并且其中所述控制器還可操作用于在所述降低負(fù)載事件期間對(duì)至所述第二晶體管的所述可變占空比控制信號(hào)進(jìn)行超越控制。
13.一種多相DC-DC變換器，包括:功率級(jí)， 包括多個(gè)相，每個(gè)相具有用于通過(guò)相應(yīng)的電感器耦合至負(fù)載的高側(cè)晶體管和低側(cè)晶體管； 脈沖寬度調(diào)制器，可操作用于經(jīng)由可變占空比控制信號(hào)而開(kāi)關(guān)所述功率級(jí)的相，用于通過(guò)所述電感器中的一個(gè)或多個(gè)電感器向所述負(fù)載遞送電流；以及 瞬態(tài)響應(yīng)單元，可操作用于在所述電感器中的任意電感器中的測(cè)量的電感器電流或者所述電感器中的所有電感器中總的測(cè)量的電感器電流超過(guò)正的閾值的情況下，在所述負(fù)載的降低事件期間將所述高側(cè)晶體管關(guān)斷并且將所述低側(cè)晶體管關(guān)斷。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多相DC-DC變換器，其中所述瞬態(tài)響應(yīng)單元還可操作用于在所述測(cè)量的電感器電流下降到第二閾值以下的情況下，在所述降低事件期間將所述高側(cè)晶體管關(guān)斷并且將所述低側(cè)晶體管導(dǎo)通。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多相DC-DC變換器，其中所述瞬態(tài)響應(yīng)單元還可操作用于在所述測(cè)量的電感器電流在所述正的閾值以下的情況下，在所述降低事件期間將所述高側(cè)晶體管關(guān)斷并且將所述低側(cè)晶體管導(dǎo)通。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多相DC-DC變換器，其中所述瞬態(tài)響應(yīng)單元還可操作用于在所述測(cè)量的電感器電流超過(guò)所述正的閾值持續(xù)最大時(shí)間限制的情況下，在所述降低事件期間將所述高側(cè)晶體管關(guān)斷并且將所述低側(cè)晶體管關(guān)斷，在所述測(cè)量的電感器電流在所述正的閾值以上并且超過(guò)所述最大時(shí)間限制的情況下，在所述降低事件期間將所述高側(cè)晶體管關(guān)斷并且將所述低側(cè)晶體管導(dǎo)通，并且在所述測(cè)量的電感器電流在所述正的閾值以下并且沒(méi)有超過(guò)所述最大時(shí)間限制的情況下，在所述降低事件期間將所述高側(cè)晶體管關(guān)斷并且將所述低側(cè)晶體管導(dǎo)通。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的多相DC-DC變換器，其中所述瞬態(tài)響應(yīng)單元還可操作用于在所述低側(cè)晶體管導(dǎo)通持續(xù)預(yù)定時(shí)間量以及所述測(cè)量的電感器電流在流逝所述預(yù)定時(shí)間量之后繼續(xù)保持在所述正的閾值以上的情況下，在所述降低負(fù)載事件期間將所述低側(cè)晶體管再次關(guān)斷。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的多相DC-DC變換器，其中所述高側(cè)晶體管和所述低側(cè)晶體管還可共同操作用于根據(jù)在所述負(fù)載的運(yùn)行狀態(tài)而向所述負(fù)載供應(yīng)高電流、中電流和低電流，其中所述降低負(fù)載事件在所述測(cè)量的負(fù)載電流從由高到低、由高到中、或者由中到低改變時(shí)發(fā)生，其中所述瞬態(tài)響應(yīng)單元還可操作用于在由高到中或由中到低降低負(fù)載電流事件期間將所述高側(cè)晶體管關(guān)斷并且將所述低側(cè)晶體管導(dǎo)通，并且其中所述瞬態(tài)響應(yīng)單元還可操作用于在由高到低降低負(fù)載電流事件期間將所述高側(cè)晶體管關(guān)斷并且將所述低側(cè)晶體管關(guān)斷。
19.一種操作DC-DC變換器的方法，所述DC-DC變換器包括連接在電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)和公共節(jié)點(diǎn)之間的第一功率晶體管，連接在參考節(jié)點(diǎn)和所述公共節(jié)點(diǎn)之間的第二功率晶體管，以及連接在所述公共節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的電感器，所述方法包括: 經(jīng)由可變占空比控制信號(hào)來(lái)開(kāi)關(guān)所述第一晶體管和所述第二晶體管以通過(guò)所述電感器向所述負(fù)載遞送電流； 在所述負(fù)載處的降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷； 在所述電感器中的電流超過(guò)正的閾值的情況下，在所述降低事件期間將所述第二晶體管關(guān)斷而不管所述可變占空比控制信號(hào)的狀態(tài)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括在所述電感器電流下降到第二閾值以下的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括在所述電感器電流在所述正的閾值以下的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括: 在所述電感器電流超過(guò)所述正的閾值持續(xù)最大時(shí)間限制的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管關(guān)斷； 在所述電感器電流在所述正的閾值以上并且超過(guò)所述最大時(shí)間限制的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通；以及 在所述電感器電流在所述正的閾值以下并且沒(méi)有超過(guò)所述最大時(shí)間限制的情況下，在所述降低事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括在所述第二晶體管導(dǎo)通持續(xù)預(yù)定時(shí)間量并且所述電感器電流在流逝所述預(yù)定時(shí)間量之后繼續(xù)保持在所述正的閾值以上的情況下，在所述降低負(fù)載事件期間將所述第二晶體管再次關(guān)斷。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管還可共同操作用于根據(jù)在所述負(fù)載的運(yùn)行狀態(tài)而向所述負(fù)載供應(yīng)高電流、中電流和低電流，其中所述降低負(fù)載事件在所述負(fù)載電流從由高到低、由高到中、或者由中到低改變時(shí)發(fā)生，所述方法還包括: 在由高到中或由中到低降低負(fù)載電流事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管導(dǎo)通；以及 在由高到低降低負(fù)載電流事件期間將所述第一晶體管關(guān)斷并且將所述第二晶體管關(guān)斷。
【文檔編號(hào)】H02M3/156GK103916013SQ201410011085
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2014年1月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月9日
【發(fā)明者】A·巴巴扎德赫, B·唐 申請(qǐng)人:英飛凌科技奧地利有限公司