新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】一種新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路，包括：變壓器、MOS管、限流電阻、輔助線圈、PNP型三極管及NPN型三極管，輔助線圈依次經(jīng)電容C3和電阻R5連接至MOS管的柵極，電壓輸入端Vin+經(jīng)過一過壓檢測(cè)電阻R1連接至NPN型三極管Q3的基極。本實(shí)用新型中自振蕩反激式變換器通過在電壓輸入端增加過壓檢測(cè)電阻，當(dāng)電壓輸入端電壓不斷變高的情況下，通過過壓檢測(cè)電阻流進(jìn)NPN型三極管基極的電流也不斷變大，從而使得NPN型三極管持續(xù)導(dǎo)通，MOS管的柵極電壓維持低電平，使整個(gè)模塊無電壓輸出，有效的保證了電路安全工作，而且電路工作穩(wěn)定，可靠性高。
【專利說明】新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及開關(guān)電源【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]自振蕩反激變換器包括耦合變壓器、場(chǎng)效應(yīng)管、振蕩晶極管，當(dāng)輸入電壓端加上電壓后，并產(chǎn)生自激振蕩工作后，電路會(huì)進(jìn)行反激。現(xiàn)有的自振蕩反激變換器在輸入電壓端的電壓較高時(shí)，尤其是電壓剛輸入的瞬間，在電壓輸入端上容易產(chǎn)生一個(gè)很大的瞬時(shí)電流尖峰，使晶體管瞬時(shí)導(dǎo)通，這一瞬時(shí)電流尖峰就有可能使晶體管被擊穿，同時(shí)加在管子上的過高電壓也會(huì)使晶體管損壞，也就會(huì)造成產(chǎn)品啟動(dòng)不良的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型提供一種新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路，能夠解決上述問題。
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路，包括:變壓器Tl、MOS管及限流電阻R9，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過變壓器Tl的原邊線圈、MOS管的漏極和源極、限流電阻R9接地，變壓器Tl副邊線圈上的耦合能量依次經(jīng)過整流管D2及儲(chǔ)能濾波電容Cio向電壓輸出端Vo輸出，電壓輸入端Vin+還經(jīng)過一分壓電路向MOS管的柵極供電，還包括:與變壓器Tl耦合的輔助線圈T2、PNP型三極管Q2及NPN型三極管Q3，輔助線圈一端接地另一端依次經(jīng)一電容C3和電阻R5連接至MOS管的柵極，MOS管柵極依次經(jīng)過一電阻R6、一電阻R7、NPN型三極管Q3的集電極和發(fā)射極接地，輔助線圈的所述另一端經(jīng)過一電容C5連接NPN型三極管Q3的基極，NPN型三極管Q3的基極通過一電阻R8連接MOS管的源極，PNP型三極管的發(fā)射極連接MOS管的柵極，PNP型三極管的集電極連接MOS管的源極，PNP型三極管Q2的基極連接在電阻R6和電阻R7的連接點(diǎn)上，MOS管的源極與NPN型三極管Q3之間連接一電容C6，電壓輸入端Vin+經(jīng)過一過壓檢測(cè)電阻Rl連接至NPN型三極管Q3的基極。
[0005]優(yōu)選地，所述分壓電路包括:依次串聯(lián)的電阻R2、電阻R3和電阻R4，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過電阻R2、電阻R3和電阻R4接地，電阻R3和電阻R4的連接點(diǎn)連接至MOS管的柵極。
[0006]優(yōu)選地，電壓輸入端Vin+經(jīng)過一電容Cl接地。
[0007]優(yōu)選地，儲(chǔ)能濾波電容ClO經(jīng)過一電感LI向電壓輸出端Vo輸出。
[0008]優(yōu)選地,還包括一光稱反饋回路,光稱反饋回路檢測(cè)儲(chǔ)能濾波電容ClO上的電壓并反饋至NPN型三極管Q3的基極。
[0009]上述技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例中自振蕩反激式變換器通過在電壓輸入端增加過壓檢測(cè)電阻，當(dāng)電壓輸入端電壓不斷變高的情況下，通過過壓檢測(cè)電阻流進(jìn)NPN型三極管Q3基極的電流也不斷變大，從而使得NPN型三極管Q3持續(xù)導(dǎo)通，MOS管Ql的柵極電壓維持低電平，使整個(gè)模塊無電壓輸出，有效的保證了電路安全工作，而且電路工作穩(wěn)定，可靠性高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0011]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例中電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0013]實(shí)施例:
[0014]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路，如圖1所示，包括:變壓器T1、M0S管Ql及限流電阻R9，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過變壓器Tl的原邊線圈、MOS管Ql的漏極和源極、限流電阻R9接地，變壓器Tl副邊線圈上的耦合能量依次經(jīng)過整流管D2及儲(chǔ)能濾波電容ClO向電壓輸出端Vo輸出，電壓輸入端Vin+還經(jīng)過一分壓電路向MOS管Ql的柵極供電，本實(shí)施例中新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路還包括:與變壓器Tl耦合的輔助線圈T2、PNP型三極管Q2及NPN型三極管Q3，輔助線圈T2 —端接地另一端依次經(jīng)一電容C3和電阻R5連接至MOS管Ql的柵極，MOS管Ql柵極依次經(jīng)過一電阻R6、一電阻R7、NPN型三極管Q3的集電極和發(fā)射極接地，輔助線圈T2的所述另一端經(jīng)過一電容C5連接NPN型三極管Q3的基極，NPN型三極管Q3的基極通過一電阻R8連接MOS管Ql的源極，PNP型三極管Q2的發(fā)射極連接MOS管Ql的柵極，PNP型三極管Q2的集電極連接MOS管Ql的源極，PNP型三極管Q2的基極連接在電阻R6和電阻R7的連接點(diǎn)上，MOS管Ql的源極與NPN型三極管Q3之間連接一電容C6，電壓輸入端Vin+經(jīng)過一過壓檢測(cè)電阻Rl連接至NPN型三極管Q3的基極。
[0015]為了增加本實(shí)施例電路的兼容性，NPN型三極管Q3的基極經(jīng)過一電阻RlO連接到一用于向開關(guān)電源提供反饋信號(hào)的的反饋控制端CTRL。
[0016]為了進(jìn)一步對(duì)減少輸入端的干擾，電壓輸入端Vin+經(jīng)過一電容Cl接地。在MOS管Ql的柵極與PNP型三極管Q2的基極之間連接一電容C4。
[0017]通過在電壓輸入端增加過壓檢測(cè)電阻，當(dāng)電壓輸入端電壓不斷變高的情況下，通過過壓檢測(cè)電阻流進(jìn)NPN型三極管Q3基極的電流也不斷變大，從而使得NPN型三極管Q3持續(xù)導(dǎo)通，MOS管Ql的柵極電壓維持低電平，使整個(gè)模塊無電壓輸出，有效的保證了電路安全工作，而且電路工作穩(wěn)定，可靠性高。
[0018]為了減小電路輸出信號(hào)的穩(wěn)定，減小干擾，儲(chǔ)能濾波電容ClO經(jīng)過一電感LI向電壓輸出端Vo輸出。
[0019]本實(shí)用新型實(shí)施例中所述分壓電路包括:依次串聯(lián)的電阻R2、電阻R3和電阻R4，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過電阻R2、電阻R3和電阻R4接地，電阻R3和電阻R4的連接點(diǎn)連接至MOS管Ql的柵極。電阻R3和電阻R4構(gòu)成的串聯(lián)支路的兩端并聯(lián)一電容C2，以減小干
擾信號(hào)。
[0020]本實(shí)用新型實(shí)施例中的自振蕩反激變換器還包括一光耦反饋回路，光耦反饋回路檢測(cè)儲(chǔ)能濾波電容ClO上的電壓并反饋至NPN型三極管Q3的基極。具體地，光耦反饋回路包括:光耦芯片U1、二極管D1、基準(zhǔn)源芯片IC1，其中光耦芯片Ul內(nèi)的光電二極管的陽極經(jīng)過一電阻Rl I連接到儲(chǔ)能濾波電容CIO上，用于檢測(cè)儲(chǔ)能濾波電容CIO上的電壓，進(jìn)而對(duì)輸出電壓進(jìn)行反饋檢測(cè)，光耦芯片Ul內(nèi)的光電二極管的陰極連接基準(zhǔn)源芯片ICl的陰極連接端，基準(zhǔn)源芯片Ul的陽極連接端接地，電壓輸出端Vo依次經(jīng)過電阻R13和電阻R14連接電源地，電源地與大地之間連接一電容C9，基準(zhǔn)源芯片ICl的基準(zhǔn)壓連接端連接至電阻R13與電阻R14的連接點(diǎn)，光耦芯片Ul內(nèi)的光電二極管的陽極與陰極之間連接一電阻R12，為了減小干擾，使反饋檢測(cè)更加精準(zhǔn)，光耦芯片Ul內(nèi)的光電二極管的陰極通過一電容C12連接至電阻R13和電阻R14的連接點(diǎn)上，電阻R13上并聯(lián)一電容C13，電阻R14上并聯(lián)一電阻R15。在反饋回路中增加了基準(zhǔn)源芯片ICl能夠進(jìn)一步增加反饋的精度，提升電路的工作效率。
[0021]以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
【權(quán)利要求】
1.新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路，包括:變壓器T1、M0S管及限流電阻R9，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過變壓器Tl的原邊線圈、MOS管的漏極和源極、限流電阻R9接地，變壓器Tl副邊線圈上的耦合能量依次經(jīng)過整流管D2及儲(chǔ)能濾波電容ClO向電壓輸出端Vo輸出，電壓輸入端Vin+還經(jīng)過一分壓電路向MOS管的柵極供電，其特征在于，還包括:與變壓器Tl耦合的輔助線圈T2、PNP型三極管Q2及NPN型三極管Q3，輔助線圈一端接地另一端依次經(jīng)一電容C3和電阻R5連接至MOS管的柵極，MOS管柵極依次經(jīng)過一電阻R6、一電阻R7、NPN型三極管Q3的集電極和發(fā)射極接地，輔助線圈的所述另一端經(jīng)過一電容C5連接NPN型三極管Q3的基極，NPN型三極管Q3的基極通過一電阻R8連接MOS管的源極，PNP型三極管的發(fā)射極連接MOS管的柵極，PNP型三極管的集電極連接MOS管的源極，PNP型三極管Q2的基極連接在電阻R6和電阻R7的連接點(diǎn)上，MOS管的源極與NPN型三極管Q3之間連接一電容C6，電壓輸入端Vin+經(jīng)過一過壓檢測(cè)電阻Rl連接至NPN型三極管Q3的基極。
2.如權(quán)利要求1所述的新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述分壓電路包括:依次串聯(lián)的電阻R2、電阻R3和電阻R4，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過電阻R2、電阻R3和電阻R4接地，電阻R3和電阻R4的連接點(diǎn)連接至MOS管的柵極。
3.如權(quán)利要求1或2所述的新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路，其特征在于，電壓輸入端Vin+經(jīng)過一電容Cl接地。
4.如權(quán)利要求1或2所述的新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路，其特征在于，儲(chǔ)能濾波電容ClO經(jīng)過一電感LI向電壓輸出端Vo輸出。
5.如權(quán)利要求1或2所述的新型反激變換器輸入過壓保護(hù)電路，其特征在于，還包括一光耦反饋回路，光耦反饋回路檢測(cè)儲(chǔ)能濾波電容ClO上的電壓并反饋至NPN型三極管Q3的基極。
【文檔編號(hào)】H02H7/12GK203522155SQ201320687657
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年11月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月1日
【發(fā)明者】薛濤, 陳華聰, 覃周, 陳忠富, 盧志飛, 呂亞潮 申請(qǐng)人:廣州市愛浦電子科技有限公司