一種新型的可控硅觸發(fā)電路的制作方法
【專利摘要】一種新型的可控硅觸發(fā)電路，包括整流電路、上電緩沖電阻、母線電容、可控硅、可控硅正向電壓檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)變壓器；可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入輸出端與可控硅的陽(yáng)極、陰極連接、觸發(fā)端與驅(qū)動(dòng)電路連接后再接入驅(qū)動(dòng)變壓器的初級(jí)線圈的一端，初級(jí)線圈的另一端接入可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸出端，次級(jí)線圈的一端接入可控硅的控制極，另一端接入可控硅的陰極；可控硅正向電壓檢測(cè)電路內(nèi)部設(shè)有比較電路，當(dāng)可控硅的正向電壓超過比較電路設(shè)置的電壓閾值時(shí)，可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端與驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)通、并控制驅(qū)動(dòng)變壓器驅(qū)動(dòng)可控硅導(dǎo)通。本發(fā)明增加可控硅正向電壓檢測(cè)電路，減少發(fā)熱量，工作安全可靠。
【專利說明】一種新型的可控硅觸發(fā)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電力電子【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種新型的可控硅觸發(fā)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著變頻調(diào)速技術(shù)的迅猛發(fā)展，各種變頻產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。大容量的電解電容是變頻產(chǎn)品中不可或缺的器件。眾所周知，給大電容充電需要用到上電緩沖電路。即電源先通過緩沖電阻給電容充電，當(dāng)電容上的電壓充到希望的值時(shí)，通過開關(guān)器件將該電阻短接起來(lái)?？煽毓杓词菍?shí)現(xiàn)該目的的可選開關(guān)器件之一。傳統(tǒng)的方法是當(dāng)電容充滿電以后，通過一個(gè)控制信號(hào)使可控硅導(dǎo)通。如圖1所示，交流電通過整流電路，再通過上電緩沖電阻RL對(duì)母線電容C進(jìn)行充電，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路監(jiān)測(cè)到母線電容的電壓達(dá)到一定的值時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路輸出一個(gè)比較高的電壓，這個(gè)電壓通過驅(qū)動(dòng)電阻R可以使可控硅SCR導(dǎo)通?？煽毓鑃CR —旦導(dǎo)通后，就旁路掉上電緩沖電阻RL，整流電路輸出的大電流從可控硅SCR中通過。完成了上電的全過程。
[0003]由于可控硅觸發(fā)需采用強(qiáng)觸發(fā)模式，即觸發(fā)脈沖電流要數(shù)倍于可控硅所要求的觸發(fā)電流，為提供較大的電流，觸發(fā)電壓一般都選用比較高，一般8-22V，但可控硅SCR導(dǎo)通后，可控硅觸發(fā)端的電壓(門極電壓)就降到很低，一般只有IV左右，然而驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓仍保持在20V左右，這樣輸出電路的壓降基本都加到驅(qū)動(dòng)電阻R上，造成驅(qū)動(dòng)電阻R的功耗很大，發(fā)熱很嚴(yán)重，一方面加重了電源供電的負(fù)擔(dān)；另一方面發(fā)熱帶給電路板帶來(lái)了不良的影響，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉器件和電路板，引起更大的故障。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，針對(duì)現(xiàn)有可控硅觸發(fā)電路存在驅(qū)動(dòng)電阻功耗大、發(fā)熱嚴(yán)重的問題，提供一種降低功耗、減少發(fā)熱量的新型的可控硅觸發(fā)電路。
[0005]本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種新型的可控硅觸發(fā)電路，包括整流電路(用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電)、上電緩沖電阻RL、母線電容C、可控硅SCR，所述整流電路、上電緩沖電阻RL、母線電容C依次首尾連接，可控硅SCR與上電緩沖電阻RL并聯(lián)連接，其特征在于:還包括可控硅正向電壓檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)變壓器Tl ;所述可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入端a、輸出端b分別與可控硅SCR的陽(yáng)極、陰極連接，可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c與驅(qū)動(dòng)電路連接后再接入驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈的一端，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈的另一端接入可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸出端b，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈的一端接入可控硅SCR的控制極，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈的另一端接入可控硅SCR的陰極；所述可控硅正向電壓檢測(cè)電路內(nèi)部設(shè)有比較電路，當(dāng)可控硅SCR的陽(yáng)極、陰極之間的正向電壓超過比較電路設(shè)置的電壓閾值時(shí)，可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c與驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)通、并控制驅(qū)動(dòng)變壓器驅(qū)動(dòng)可控硅SCR導(dǎo)通。
[0007]按上述方案，所述可控硅正向電壓檢測(cè)電路由第一電阻R1、第二電阻R2、三極管Q1、穩(wěn)壓二極管Zl組成，所述穩(wěn)壓二極管Zl即為可控硅正向電壓檢測(cè)電路內(nèi)部設(shè)置的比較電路；可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入端a接第一電阻R1、第二電阻R2后再與三極管Ql的基極連接，三極管Ql的發(fā)射極與穩(wěn)壓二極管Zl的負(fù)極連接，穩(wěn)壓二極管Zl的正極即為可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸出端b ;三極管Ql的集電極即為可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c ；
[0008]所述驅(qū)動(dòng)電路由電源+VD5、第六電阻(R6)、第三電阻(R3)、第四電阻R4、MOS管Q2、第五電阻R5組成；所述三極管Ql的集電極(可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c)接第四電阻R4、第三電阻R3后再接入電源+VD5 ；電源+VD5通過第六電阻R6分壓并將分壓接入整流電路的輸出端及可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入端a ;所述MOS管Q2的控制極接入第四電阻R4、第三電阻R3之間，MOS管Q2的源極接入電源+VD5，M0S管Q2的漏極與第五電阻R5的一端連接，第五電阻R5的另一端接入驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈的一端，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈的另一端接入穩(wěn)壓二極管Zl的正極；所述驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈的一端連接至可控硅SCR的控制極，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈的另一端接至可控硅SCR的陰極。
[0009]按上述方案，所述整流電路由二極管D2構(gòu)成，整流電路的輸出端與上電緩沖電阻RL之間設(shè)有二極管D1，二極管D2的陰極同時(shí)與二極管Dl的陽(yáng)極、可控硅SCR的陽(yáng)極連接，二極管Dl的陰極接上電緩沖電阻RL的一端(二極管Dl保證流經(jīng)上電緩沖電阻的電流只能正向流過，不能逆向流通)，上電緩沖電阻RL的另一端同時(shí)與母線電容C的一端、可控硅SCR的陰極連接，母線電容C的另一端接入二極管D2的陽(yáng)極。
[0010]按上述方案，所述MOS管Q2的型號(hào)為IRFR9120N。
[0011]本發(fā)明的工作原理:交流電通過整流電路后轉(zhuǎn)換為直流電；直流電通過二極管和上電緩沖電阻對(duì)母線電容進(jìn)行充電；當(dāng)可控硅正向電壓檢測(cè)電路檢測(cè)到可控硅的正向電壓時(shí)，可控硅的正向電壓被送到比較電路，當(dāng)可控硅的正向電壓超過比較電路的電壓閥值時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)通，且驅(qū)動(dòng)電路送出一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓值給驅(qū)動(dòng)變壓器，驅(qū)動(dòng)變壓器觸發(fā)可控硅，使可控娃導(dǎo)通，完成觸發(fā)任務(wù)；可控娃導(dǎo)通后，其正向?qū)妷汉艿停淮藭r(shí)可控娃正向電壓檢測(cè)到這一正向?qū)妷褐?，將它與比較電路的電壓閥值進(jìn)行比較:如果低于比較電路的電壓閥值，則驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷對(duì)驅(qū)動(dòng)變壓器的輸出，驅(qū)動(dòng)變壓器也就沒有輸出；可控硅的特性是一旦導(dǎo)通，即使沒有驅(qū)動(dòng)信號(hào)仍可以持續(xù)導(dǎo)通，這樣就完成了上電的過程。
[0012]本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下有益效果:
[0013]1、去掉發(fā)熱嚴(yán)重的大功率驅(qū)動(dòng)電阻，改為功耗更小的驅(qū)動(dòng)變壓器，減少了發(fā)熱量;
[0014]2、在上電緩沖電阻前加二極管，保證流經(jīng)上電緩沖電阻的電流只能正向流過，不能逆向流通，提高觸發(fā)電路安全性；
[0015]3、增加可控硅正向電壓檢測(cè)電路，通過檢測(cè)可控硅的正向電壓，當(dāng)該電壓達(dá)到一定幅值，驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)通、驅(qū)動(dòng)變壓器觸發(fā)可控硅，使可控硅導(dǎo)通；可控硅導(dǎo)通后，將可控硅兩端電壓鉗位在比較電路的電壓閥值以下，通過比較電路實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路不再工作，但是主電路經(jīng)過可控硅觸發(fā)后會(huì)繼續(xù)保持導(dǎo)通，不影響正常的使用，直到下一個(gè)周期的到來(lái)，這樣改進(jìn)以后就不存在現(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動(dòng)電阻功耗很大的問題；
[0016]4、通過比較電路實(shí)現(xiàn)整個(gè)電路自動(dòng)反饋，不需人為干預(yù)，只要設(shè)定好比較電路的電壓閥值，系統(tǒng)就會(huì)自動(dòng)工作，且保證驅(qū)動(dòng)電路不是在所有的時(shí)間都導(dǎo)通，而是在需要開通可控硅的瞬間導(dǎo)通，導(dǎo)通后驅(qū)動(dòng)電路就不再工作，進(jìn)一步降低了發(fā)熱量，工作安全可靠，各段電路之間合理搭配。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1是現(xiàn)有可控硅觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明新的可控硅觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的可控硅觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]參照?qǐng)D2?圖3所示，本發(fā)明所述的新型的可控硅觸發(fā)電路，包括整流電路(用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電)、二極管Dl、上電緩沖電阻RL、母線電容C、可控硅SCR，所述整流電路、二極管Dl、上電緩沖電阻RL、母線電容C依次首尾連接，二極管Dl的陽(yáng)極接整流電路的輸出端，二極管DI的陰極接上電緩沖電阻RL的一端，可控硅SCR與串聯(lián)后的二極管DI與上電緩沖電阻RL并聯(lián)連接，還包括可控硅正向電壓檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)變壓器Tl ;所述可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入端a、輸出端b分別與可控硅SCR的陽(yáng)極、陰極連接，可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c與驅(qū)動(dòng)電路連接后再接入驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈的一端，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈的另一端接入可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸出端b，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈的一端接入可控硅SCR的控制極，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈的另一端接入可控硅SCR的陰極；所述可控硅正向電壓檢測(cè)電路內(nèi)部設(shè)有比較電路，當(dāng)可控硅SCR的陽(yáng)極、陰極之間的正向電壓超過比較電路設(shè)置的電壓閾值時(shí)，可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c與驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)通、并控制驅(qū)動(dòng)變壓器驅(qū)動(dòng)可控硅SCR導(dǎo)通。
[0021]參照?qǐng)D3所示的實(shí)施例，整個(gè)可控硅觸發(fā)電路包括由二極管D2構(gòu)成的整流電路(用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電)、二極管D1、上電緩沖電阻RL、母線電容C、可控硅SCR、可控硅正向電壓檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)變壓器Tl ;將二極管D2的陰極(整流電路的輸出端)、Rl遠(yuǎn)離R2的一端(可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入端a)、二極管Dl的陽(yáng)極、可控硅SCR的陽(yáng)極均標(biāo)記為網(wǎng)絡(luò)T，穩(wěn)壓二極管Zl的正極(可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸出端b)、可控硅SCR的陰極均標(biāo)記為網(wǎng)絡(luò)DC+ ；
[0022]二極管D2的陰極(整流電路的輸出端)同時(shí)與二極管Dl的陽(yáng)極、可控硅SCR的陽(yáng)極(網(wǎng)絡(luò)T)連接，二極管Dl的陰極接上電緩沖電阻RL的一端(二極管Dl保證流經(jīng)上電緩沖電阻RL的電流只能正向流過，不能逆向流通)，上電緩沖電阻RL的另一端同時(shí)與母線電容C的一端、可控硅SCR的陰極(網(wǎng)絡(luò)DC+)連接，母線電容C的另一端接入二極管D2的陽(yáng)極(整流電路的輸入端)；
[0023]所述可控硅正向電壓檢測(cè)電路由第一電阻R1、第二電阻R2、三極管Q1、穩(wěn)壓二極管Zl組成，所述穩(wěn)壓二極管Zl即為可控硅正向電壓檢測(cè)電路內(nèi)部設(shè)置的比較電路；可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入端a (網(wǎng)絡(luò)T)接第一電阻R1、第二電阻R2后再與三極管Ql的基極連接，三極管Ql的發(fā)射極與穩(wěn)壓二極管Zl的負(fù)極連接，穩(wěn)壓二極管Zl的正極即為可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸出端b (網(wǎng)絡(luò)DC+);三極管Ql的集電極即為可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c ；
[0024]所述驅(qū)動(dòng)電路由電源+VD5、第六電阻R6、第三電阻R3、第四電阻R4、MOS管Q2、第五電阻R5組成；所述三極管Ql的集電極(可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c)接第四電阻R4、第三電阻R3后再接入電源+VD5 ；電源+VD5通過第六電阻R6分壓并將分壓接入網(wǎng)絡(luò)T ;所述MOS管Q2的控制極接入第四電阻R4、第三電阻R3之間，MOS管Q2的源極接入電源+VD5, MOS管Q2的漏極與第五電阻R5的一端連接，第五電阻R5的另一端接入驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈的一端，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈的另一端接入穩(wěn)壓二極管Zl的正極(網(wǎng)絡(luò)DC+);所述驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈的一端連接至可控硅SCR的控制極，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈的另一端接至可控硅SCR的陰極。
[0025]所述MOS管Q2的型號(hào)為IRFR9120N。
[0026]所述可控硅SCR可以是單向可控硅，也可以是雙向可控硅。
[0027]實(shí)施例中，R1=82KΩ，R2=82K Ω，R3=2.2K Ω，R4=2.2Κ Ω，R5=150 Ω，R6=2M Ω ;穩(wěn)壓二極管Zl (Zener)的電壓閾值為8.2V。
[0028]圖3所示實(shí)施例的工作原理如下:
[0029]交流電通過整流電路后轉(zhuǎn)換為直流電；直流電通過二極管和上電緩沖電阻對(duì)母線電容進(jìn)行充電；電源+VD5通過第六電阻R6流向網(wǎng)絡(luò)T ;可控硅SCR的正向電壓加到網(wǎng)絡(luò)T和網(wǎng)絡(luò)DC+之間，當(dāng)可控硅正向電壓檢測(cè)電路檢測(cè)到這一正向電壓超過比較電路的穩(wěn)壓二極管Zl的電壓閥值8.2V時(shí)，三極管Ql導(dǎo)通；三極管Ql導(dǎo)通后，電源+VD5通過第三電阻R3、第四電阻R4、三極管Q1、穩(wěn)壓二極管Zl流向網(wǎng)絡(luò)DC+ ；電流流經(jīng)第三電阻R3后將驅(qū)動(dòng)電路中的MOS管Q2導(dǎo)通；M0S管Q2導(dǎo)通后，電源+VD5通過MOS管Q2、第五電阻R5觸發(fā)驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈驅(qū)動(dòng)可控硅SCR，使可控硅SCR導(dǎo)通，完成觸發(fā)任務(wù)；
[0030]可控硅SCR導(dǎo)通后，其正向電壓降到約IV左右，低于比較電路的穩(wěn)壓二極管Zl的電壓閥值8.2V，導(dǎo)致三極管Ql不能導(dǎo)通，MOS管Q2關(guān)斷，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的初級(jí)線圈沒有輸入，驅(qū)動(dòng)變壓器Tl的次級(jí)線圈也沒輸出，就不存在電阻長(zhǎng)期工作發(fā)熱的問題?？煽毓璧奶匦允且坏?dǎo)通，即使沒有驅(qū)動(dòng)信號(hào)仍可以持續(xù)導(dǎo)通，由于此時(shí)可控硅SCR已經(jīng)觸發(fā)，因此可控硅SCR會(huì)持續(xù)導(dǎo)通，這樣就完成了上電的過程。直到下一個(gè)周期，直流電通過二極管D1、上電緩沖電阻RL對(duì)母線電容C充電時(shí)，流過上電緩沖電阻RL上的電流導(dǎo)致可控硅SCR的正向電壓超過8.2V，滿足關(guān)斷條件，又回到如前所述的觸發(fā)過程，重復(fù)工作，周而復(fù)始。
[0031]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種新型的可控硅觸發(fā)電路，包括整流電路、上電緩沖電阻(RL)、母線電容(C)、可控硅(SCR)，所述整流電路、上電緩沖電阻(RU、母線電容(C)依次首尾連接，可控硅(SCR)與上電緩沖電阻(RL)并聯(lián)連接，其特征在于:還包括可控硅正向電壓檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)變壓器(Tl);所述可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入端a、輸出端b分別與可控硅(SCR)的陽(yáng)極、陰極連接，可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c與驅(qū)動(dòng)電路連接后再接入驅(qū)動(dòng)變壓器(Tl)的初級(jí)線圈的一端，驅(qū)動(dòng)變壓器(Tl)的初級(jí)線圈的另一端接入可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸出端b，驅(qū)動(dòng)變壓器(Tl)的次級(jí)線圈的一端接入可控硅(SCR)的控制極，驅(qū)動(dòng)變壓器(Tl)的次級(jí)線圈的另一端接入可控硅(SCR)的陰極；所述可控硅正向電壓檢測(cè)電路內(nèi)部設(shè)有比較電路，當(dāng)可控硅(SCR)的陽(yáng)極、陰極之間的正向電壓超過比較電路設(shè)置的電壓閾值時(shí)，可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c與驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)通、并控制驅(qū)動(dòng)變壓器驅(qū)動(dòng)可控硅(SCR)導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的可控硅觸發(fā)電路，其特征在于:所述可控硅正向電壓檢測(cè)電路由第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、三極管(Q1)、穩(wěn)壓二極管(Zl)組成，所述穩(wěn)壓二極管(Zl)即為可控硅正向電壓檢測(cè)電路內(nèi)部設(shè)置的比較電路；可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入端a接第一電阻(R1)、第二電阻(R2)后再與三極管(Ql)的基極連接，三極管(Ql)的發(fā)射極與穩(wěn)壓二極管(Zl)的負(fù)極連接，穩(wěn)壓二極管(Zl)的正極即為可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸出端b ;三極管(Ql)的集電極即為可控硅正向電壓檢測(cè)電路的觸發(fā)端c ； 所述驅(qū)動(dòng)電路由電源(+VD5)、第六電阻(R6)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)、M0S管(Q2)、第五電阻(R5)組成；所述三極管(Ql)的集電極接第四電阻(R4)、第三電阻(R3)后再接入電源(+VD5 );電源(+VD5 )通過第六電阻R6分壓并將分壓接入整流電路的輸出端及可控硅正向電壓檢測(cè)電路的輸入端a;所述MOS管(Q2)的控制極接入第四電阻(R4)、第三電阻(R3)之間，MOS管(Q2)的源極接入電源(+VD5)，MOS管(Q2)的漏極與第五電阻(R5)的一端連接，第五電阻(R5)的另一端接入驅(qū)動(dòng)變壓器(Tl)的初級(jí)線圈的一端，驅(qū)動(dòng)變壓器(Tl)的初級(jí)線圈的另一端接入穩(wěn)壓二極管(Zl)的正極；所述驅(qū)動(dòng)變壓器(Tl)的次級(jí)線圈的一端連接至可控硅(SCR)的控制極，驅(qū)動(dòng)變壓器(Tl)的次級(jí)線圈的另一端接至可控硅(SCR)的陰極。
3.如權(quán)利要求1所述的可控硅觸發(fā)電路，其特征在于:所述整流電路由二極管D2構(gòu)成，整流電路的輸出端與上電緩沖電阻(RL)之間設(shè)有二極管(D1)，二極管(D2)的陰極同時(shí)與二極管(Dl)的陽(yáng)極、可控硅(SCR)的陽(yáng)極連接，二極管(Dl)的陰極接上電緩沖電阻(RL)的一端，上電緩沖電阻(RL)的另一端同時(shí)與母線電容(C)的一端、可控硅(SCR)的陰極連接，母線電容(C)的另一端接入二極管(D2)的陽(yáng)極。
4.如權(quán)利要求2所述的可控硅觸發(fā)電路，其特征在于:所述MOS管(Q2)的型號(hào)為IRFR9120N。
【文檔編號(hào)】H02M1/06GK103683861SQ201310626257
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月28日
【發(fā)明者】羅志剛, 盧家斌 申請(qǐng)人:中冶南方（武漢）自動(dòng)化有限公司