供電穩(wěn)定的電源電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了供電穩(wěn)定的電源電路，包括4個MOS管、整流管D、電感L、電容C1和電容C2，所述的電感L、MOS管N1的漏極、MOS管N1的源極、MOS管N2的漏極和MOS管N2的源極之間依次串聯(lián)連接組成閉合回路，電感L的兩端分別連接MOS管N1的柵極和MOS管N2的柵極，在MOS管N1的漏極和MOS管N2的源極之間并聯(lián)連接整流管D；所述的電容C1、MOS管N3的漏極和MOS管N3的源極之間依次串聯(lián)連接組成閉合回路，MOS管N3的柵極連接MOS管N4的源極，MOS管N4的漏極連接MOS管N3的漏極，電容C1和MOS管N3的公共端連接整流管D；所述的電容C2連接在整流管D和接地端之間。本發(fā)明通過上述原理，設(shè)計專門的電源電路來保證供應(yīng)電源的穩(wěn)定，使電子標(biāo)簽在射頻識別過程中更穩(wěn)定，易于識別。
【專利說明】供電穩(wěn)定的電源電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及射頻識別領(lǐng)域，具體涉及供電穩(wěn)定的電源電路。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著無線通信技術(shù)，微電子技術(shù)的發(fā)展，非接觸式IC卡技術(shù)蓬勃發(fā)展，并在眾多領(lǐng)域里得到了迅速的普及和推廣，如公交自動售票系統(tǒng)、居民身份證卡、電話卡、銀行卡等。其中常用的一種技術(shù)就是RFID，即射頻識別。RFID常稱為感應(yīng)式電子晶片或近接卡、感應(yīng)卡、非接觸卡、電子標(biāo)簽、電子條碼，等等。一套完整RFID系統(tǒng)由Reader與Transponder兩部份組成，其動作原理為由Reader發(fā)射一特定頻率之無限電波能量給Transponder,用以驅(qū)動Transponder電路將內(nèi)部之ID Code送出，此時Reader便接收此ID Code。Transponder的特殊在于免用電池、免接觸、免刷卡故不怕臟污,且晶片密碼為世界唯一無法復(fù)制，安全性高、長壽命。RFID的應(yīng)用非常廣泛，目前典型應(yīng)用有動物晶片、汽車晶片防盜器、門禁管制、停車場管制、生產(chǎn)線自動化、物料管理。無源供電技術(shù)是射頻識別的關(guān)鍵技術(shù)之一，目前主要是通過電磁感應(yīng)原理和集成穩(wěn)壓電路來解決的。當(dāng)電子標(biāo)簽進入閱讀器磁場時，通過電磁感應(yīng)從磁場中獲得能量，即在卡的線圈兩端感應(yīng)出交流電流，經(jīng)過整流穩(wěn)壓后可得到直流電壓。而現(xiàn)有的穩(wěn)壓電路中還沒有設(shè)計專門的電源電路來保證供應(yīng)電源的穩(wěn)定，導(dǎo)致電子標(biāo)簽在射頻識別過程中不穩(wěn)定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供供電穩(wěn)定的電源電路，設(shè)計專門的電源電路來保證供應(yīng)電源的穩(wěn)定，使電子標(biāo)簽在射頻識別過程中更穩(wěn)定，易于識別。
[0004]為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:供電穩(wěn)定的電源電路，包括MOS管N1、M0S管N2、M0S管N3、M0S管N4、整流管D、電感L、電容Cl和電容C2，所述的電感L、MOS管NI的漏極、MOS管NI的源極、MOS管N2的漏極和MOS管N2的源極之間依次串聯(lián)連接組成閉合回路，電感L的兩端分別連接MOS管NI的柵極和MOS管N2的柵極，在MOS管NI的漏極和MOS管N2的源極之間并聯(lián)連接整流管D ;所述的電容Cl、MOS管N3的漏極和MOS管N3的源極之間依次串聯(lián)連接組成閉合回路，MOS管N3的柵極連接MOS管N4的源極，MOS管N4的漏極連接MOS管N3的漏極，MOS管N4的柵極連接輸出端al，MOS管N3的柵極和MOS管N4的源極連接輸出端a2，電容Cl和MOS管N3的公共端連接整流管D ;所述的電容C2連接在整流管D和接地端之間。
[0005]所述的整流管D和電容C2的公共端連接電源。
[0006]所述的電容Cl和MOS管N3的公共端接地。
[0007]所述的MOS管NI和MOS管N2的公共端接地。
[0008]電源電路由儲能電容，MOS管構(gòu)成的整流器及開關(guān)電路組成。設(shè)置的電感線圈L，通過電磁耦合感應(yīng)出交流電，經(jīng)整流后在儲能電容C2端產(chǎn)生直流電壓VDD。調(diào)壓電容Cl在N3管導(dǎo)通后構(gòu)成放電回路使前端的電流開始對Cl充電而停止對C2充電，使C2兩端電壓保持穩(wěn)定，即為負(fù)載電路提供穩(wěn)定的電源電壓。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明在儲能電容，MOS管構(gòu)成的整流器及開關(guān)電路的共同作用下，來保證供應(yīng)電源的穩(wěn)定，使電子標(biāo)簽在射頻識別過程中更穩(wěn)定，易于識別。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的電路圖。
【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步闡述，本發(fā)明的實施例不限于此。
[0012]實施例:
如I圖所示，本發(fā)明包括MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4、整流管D、電感L、電容Cl和電容C2。本實施例的電感L、M0S管NI的漏極、MOS管NI的源極、MOS管N2的漏極和MOS管N2的源極之間依次串聯(lián)連接組成閉合回路，電感L的兩端分別連接MOS管NI的柵極和MOS管N2的柵極，在MOS管NI的漏極和MOS管N2的源極之間并聯(lián)連接整流管D，整流管D和電容C2的公共端連接電源。本實施例的電容Cl,MOS管N3的漏極和MOS管N3的源極之間依次串聯(lián)連接組成閉合回路，MOS管N3的柵極連接MOS管N4的源極，MOS管N4的漏極連接MOS管N3的漏極，MOS管N4的柵極連接輸出端al，MOS管N3的柵極和MOS管N4的源極連接輸出端a2，電容Cl和MOS管N3的公共端連接整流管D，電容Cl和MOS管N3的公共端接地，MOS管NI和MOS管N2的公共端接地。本實施例的電容C2連接在整流管D和接地端之間。
[0013]電源電路由儲能電容，MOS管構(gòu)成的整流器及開關(guān)電路組成。設(shè)置的電感線圈L，通過電磁耦合感應(yīng)出交流電，經(jīng)整流后在儲能電容C2端產(chǎn)生直流電壓VDD。調(diào)壓電容Cl在N3管導(dǎo)通后構(gòu)成放電回路使前端的電流開始對Cl充電而停止對C2充電，使C2兩端電壓保持穩(wěn)定，即為負(fù)載電路提供穩(wěn)定的電源電壓。在儲能電容，MOS管構(gòu)成的整流器及開關(guān)電路的共同作用下，來保證供應(yīng)電源的穩(wěn)定，使電子標(biāo)簽在射頻識別過程中更穩(wěn)定，易于識別。
[0014]如上所述便可實現(xiàn)該發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.供電穩(wěn)定的電源電路，其特征在于:包括MOS管N1、M0S管N2、M0S管N3、M0S管N4、整流管D、電感L、電容Cl和電容C2，所述的電感L、M0S管NI的漏極、MOS管NI的源極、MOS管N2的漏極和MOS管N2的源極之間依次串聯(lián)連接組成閉合回路，電感L的兩端分別連接MOS管NI的柵極和MOS管N2的柵極，在MOS管NI的漏極和MOS管N2的源極之間并聯(lián)連接整流管D ;所述的電容C1、M0S管N3的漏極和MOS管N3的源極之間依次串聯(lián)連接組成閉合回路，MOS管N3的柵極連接MOS管N4的源極，MOS管N4的漏極連接MOS管N3的漏極，MOS管N4的柵極連接輸出端al，M0S管N3的柵極和MOS管N4的源極連接輸出端a2，電容Cl和MOS管N3的公共端連接整流管D ;所述的電容C2連接在整流管D和接地端之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電穩(wěn)定的電源電路，其特征在于:所述的整流管D和電容C2的公共端連接電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電穩(wěn)定的電源電路，其特征在于:所述的電容Cl和MOS管N3的公共端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電穩(wěn)定的電源電路，其特征在于:所述的MOS管NI和MOS管N2的公共端接地。
【文檔編號】H02M7/217GK103683991SQ201310612416
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月28日
【發(fā)明者】林海, 廉保旺 申請人:成都位時通科技有限公司