專利名稱：基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高速電路微波技術(shù)，具體涉及一種基于局部帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，尤其是一種用于解決現(xiàn)代混合系統(tǒng)中電源完整性、信號(hào)完整性和電磁完整性問(wèn)題的電源分配網(wǎng)絡(luò)，本發(fā)明基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，在寬阻帶抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲的同時(shí)，具有低電磁干擾和良好信號(hào)完整性等特性。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代無(wú)線通信系統(tǒng)的發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度和制造工藝在不斷提高，為同時(shí)滿足系統(tǒng)高速度和低功耗的要求，數(shù)字電路的工作頻率越來(lái)越高，高速時(shí)鐘信號(hào)的邊沿不斷陡峭，信號(hào)電壓也不斷降低。高速混合電路系統(tǒng)中，由高速數(shù)字電路中大量的高速開(kāi)關(guān)器件同時(shí)狀態(tài)切換所產(chǎn)生的噪聲，稱之為同步開(kāi)關(guān)噪聲(Simultaneous SwitchingNoise, SSN),又稱之為地彈噪聲(Ground Bounce Noise, GBN)。同步開(kāi)關(guān)噪聲在由電路板的電源、地平面所構(gòu)成的平行板波導(dǎo)中傳播，會(huì)激發(fā)出平面諧振模式，從而導(dǎo)致嚴(yán)重的信號(hào)完整性和電磁干擾等問(wèn)題，對(duì)混合電路系統(tǒng)中射頻、模擬電路產(chǎn)生干擾或引發(fā)芯片的誤動(dòng)作，從而影響到系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。另外，電路板中的大量通孔所引起的震蕩效應(yīng)還會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的輻射和電磁干擾問(wèn)題。因此，如何在保證電路信號(hào)完整性和電磁完整性的前提下，設(shè)計(jì)好電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)，來(lái)有效地抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲成為目前研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)之一。由于現(xiàn)代高速混合電路系統(tǒng)中，分布了大量的高速開(kāi)關(guān)器件，同步開(kāi)關(guān)噪聲的產(chǎn)生不可避免，因此需要有效的抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲的傳播。為解決這一問(wèn)題，減小電源和地平面之間的同步開(kāi)關(guān)噪聲，保證電路系統(tǒng)的信號(hào)完整性、電源完整性和電磁完整性，已提出一些電源分配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)方案。典型的方法是添加去耦電容器，但去耦電容的噪聲抑制頻率范圍有限，當(dāng)系統(tǒng)的工作頻率升高時(shí)，由去耦電容自身產(chǎn)生的寄生電感會(huì)增大電容器的高頻阻抗，使得當(dāng)工作頻率大于GHz以上時(shí)噪聲抑制措施失效。另外還有電源/地平面分割、優(yōu)化過(guò)孔的設(shè)計(jì)位置、設(shè)計(jì)過(guò)孔防護(hù)欄等。這些噪聲抑制的方法各異，但也存在一些不足。im,電源/地平面分割的方法在抑制噪聲的同時(shí)，會(huì)造成返回電流路徑的不連續(xù)性，從而破壞了高速電路的信號(hào)完整性。另外，通過(guò)出現(xiàn)諧振現(xiàn)象來(lái)選擇過(guò)孔的位置的方法，雖然可以避開(kāi)諧振頻率的諧振峰值，但平面諧振同時(shí)也具有頻率相關(guān)性，使得該方法只能用于某些特定的諧振頻率點(diǎn)，具有一定的局限性。電磁帶隙結(jié)構(gòu)(EBG)是一種由有耗介質(zhì)、導(dǎo)體金屬或其他混合體組成的人工電磁材料。其電磁帶隙形成機(jī)理分為兩種，一種是Bragg散射原理，利用一種介質(zhì)材料在另一種介質(zhì)材料中周期分布來(lái)形成周期結(jié)構(gòu)，當(dāng)電磁波傳輸時(shí)，某些頻率范圍的電磁波強(qiáng)度會(huì)因?yàn)橹芷谛缘慕橘|(zhì)散射而減弱，從而形成了一定的頻率帶隙；另外一種是局部諧振機(jī)理，通過(guò)金屬單元與電介質(zhì)之間的耦合，形成諧振單元，利用結(jié)構(gòu)單元自身的諧振效應(yīng)，來(lái)形成高阻表面，阻止其諧振頻率附近的表面波傳播，繼而形成一定的頻率帶隙。后一種情形的EBG結(jié)構(gòu)，其阻帶中心頻率僅僅與局部諧振單元的諧振頻率有關(guān)，而與結(jié)構(gòu)的周期大小無(wú)關(guān)，使用常規(guī)的PCB加工工藝較為容易實(shí)現(xiàn)，因此其應(yīng)用場(chǎng)景較多。它常常用于改善微波器件和天線的性能，現(xiàn)在也越來(lái)越多地應(yīng)用于高速PCB中同步開(kāi)關(guān)噪聲抑制的研究。在高速混合電路系統(tǒng)的電磁兼容設(shè)計(jì)中，使用具有頻率帶隙特性電磁帶隙結(jié)構(gòu)來(lái)抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲大致分為兩類，一種是蘑菇型EBG結(jié)構(gòu)，其基本單元是在電源平面和地平面之間設(shè)計(jì)特別的通孔及附加的平面間金屬貼片；另外一種是平面型EBG結(jié)構(gòu)，相比較蘑菇型EBG結(jié)構(gòu)，它便于采用標(biāo)準(zhǔn)PCB工藝進(jìn)行加工，比如帶有嵌入層的雙平面EBG結(jié)構(gòu)，L-bridge EBG結(jié)構(gòu)，S-bridge EBG結(jié)構(gòu),級(jí)聯(lián)低頻和高頻單元的EBG結(jié)構(gòu)等等。然而這些方法多關(guān)注于如何降低EBG結(jié)構(gòu)的阻帶中心頻率和增加阻帶帶寬來(lái)抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲，對(duì)于信號(hào)完整性和電磁完整性問(wèn)題卻涉及較少。而實(shí)際上，在系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)中，聞速數(shù)字電路芯片和射頻/ |旲擬電路芯片常被設(shè)計(jì)在同一個(gè)集成電路系統(tǒng)。而由高速數(shù)字處理器的數(shù)字開(kāi)關(guān)狀態(tài)切換不同步所產(chǎn)生的噪聲，會(huì)通過(guò)電源分配網(wǎng)絡(luò)耦合到射頻/模擬這些對(duì)噪聲較敏感的電路上。傳統(tǒng)的利用共面性電磁帶隙結(jié)構(gòu)來(lái)解決同步開(kāi)關(guān)噪聲的設(shè)計(jì)中，由于電磁帶隙結(jié)構(gòu)是一種周期性分布結(jié)構(gòu)，電源平面上周期性的刻蝕槽線，從而破壞了電流的返回路徑，很大程度上影響了電源分配網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)完整性。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明提供一種基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，由互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器組成電磁帶隙結(jié)構(gòu)的基本單元，電磁帶隙結(jié)構(gòu)局部性的刻蝕在電源分配網(wǎng)絡(luò)的電源平面上，另一側(cè)的地平面則保持完整，從而在寬阻帶抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲的同時(shí)可以減小對(duì)返回電流路徑連續(xù)性的破壞，保證了電路的電源完整性和信號(hào)完整性。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的具體方案如下本發(fā)明提供一種基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，包括電源平面分布拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、電磁帶隙結(jié)構(gòu)和互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器；所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)是周期性結(jié)構(gòu)，其基本單元由互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器組成，相鄰的所述基本單元之間由Z-型橋連接，其中，所述互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器根據(jù)所述電源平面分布拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)刻蝕在電源平面上，對(duì)電源與地平面之間的同步開(kāi)關(guān)噪聲進(jìn)行抑制。優(yōu)選地，所述電源平面分布拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是局部抑制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在混合高速電路系統(tǒng)中，噪聲源電路和噪聲敏感電路分布于混合高速電路系統(tǒng)的不同區(qū)域，所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)分別位于噪聲源電路和噪聲敏感電路所在的區(qū)域。優(yōu)選地，所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)分布在噪聲源電路的高速數(shù)字電路和噪聲敏感電路的射頻/模擬電路所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。優(yōu)選地，所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)是一種周期性結(jié)構(gòu)，它是一種人工電磁材料，在一定的頻率范圍內(nèi)具有阻帶特性，可以對(duì)噪聲信號(hào)的傳輸進(jìn)行抑制。優(yōu)選地，所述互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器是一種人工介質(zhì)諧振器，它屬于微波異性介質(zhì)，當(dāng)電場(chǎng)軸向入射到諧振器表面時(shí)，會(huì)產(chǎn)生負(fù)的介電常數(shù)，形成一個(gè)陡峭的傳輸禁帶。優(yōu)選地，所述電源平面由電磁帶隙結(jié)構(gòu)局部刻蝕，地平面保持完整，從而保證了信號(hào)完整性不受影響。優(yōu)選地，所述電源分配網(wǎng)絡(luò)使用的是FR-4介質(zhì)基板，為有耗介質(zhì)材料，相對(duì)介電常數(shù)=4. 4，介質(zhì)厚度=0. 2mm,介質(zhì)表面的金屬厚度=35um，損耗角正切=0. 02。優(yōu)選地，所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)與SMA同軸接頭連接，連接到矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀來(lái)測(cè)量噪聲稱合傳輸系數(shù)。優(yōu)選地，所述電源分配網(wǎng)絡(luò)，當(dāng)以_50dB為噪聲耦合抑制標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，該電源分配網(wǎng)絡(luò)能夠在0. 26GHz—25GHz頻率范圍內(nèi)對(duì)同步開(kāi)關(guān)噪聲進(jìn)行抑制。本發(fā)明的有益效果有效應(yīng)用于并解決混合高速電路系統(tǒng)中由于瞬態(tài)電流變化所引起的電壓波動(dòng)問(wèn)題，能夠明顯地抑制電源分配網(wǎng)絡(luò)中產(chǎn)生的同步開(kāi)關(guān)噪聲，減小對(duì)混合高速電路系統(tǒng)中射頻/模擬電路產(chǎn)生干擾，避免引發(fā)芯片的誤動(dòng)作；通過(guò)優(yōu)化互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器的尺寸大小，可以改變電磁帶隙結(jié)構(gòu)單元的諧振特性，控制噪聲抑制的低頻截止頻率，增大噪聲抑制頻率帶寬范圍；通過(guò)在電源分配網(wǎng)絡(luò)的電源平面上局部性的蝕刻電磁帶隙結(jié)構(gòu)可以明顯地加大噪聲抑制深度；同時(shí)基于局部抑制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可以減少對(duì)返回電流路徑連續(xù)性的破壞，相對(duì)于全局抑制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)而言，能夠改善高速電路的信號(hào)完整性。


通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯圖I為電源分配網(wǎng)絡(luò)的三維結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為兩個(gè)相鄰電磁帶隙結(jié)構(gòu)單元的俯視圖；圖3為各端口的噪聲抑制散射系數(shù)圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明所提供電源分配網(wǎng)絡(luò)的測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果對(duì)比圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征與達(dá)成目的易于明白理解，以下結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步闡述本發(fā)明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)。這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。如圖I所示，為本發(fā)明所涉及的電源分配網(wǎng)絡(luò)的三維結(jié)構(gòu)示意圖。電源分配網(wǎng)絡(luò)在混合聞速電路系統(tǒng)中，混合聞速電路系統(tǒng)包括卩栄聲源電路和卩栄聲敏感電路，卩栄聲源電路包括聞速數(shù)字電路、聞速開(kāi)關(guān)電源等，噪聲敏感電路包含有射頻電路和1旲擬電路等。由互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器組成的電磁帶隙結(jié)構(gòu)局部性的刻蝕在電源分配網(wǎng)絡(luò)的電源平面上，從而可以在寬頻率范圍內(nèi)對(duì)電源與地平面之間的同步開(kāi)關(guān)噪聲進(jìn)行抑制，保證系統(tǒng)的電源完整性。所述電源平面分布拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種局部抑制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在混合高速電路系統(tǒng)中，高速數(shù)字電路和射頻/模擬電路分布在不同的區(qū)域，由互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器形成的電磁帶隙結(jié)構(gòu)分布在高速數(shù)字電路和射頻/模擬電路所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，測(cè)試端口分別位于EBG結(jié)構(gòu)中心。圖I中1代表高速數(shù)字電路所在位置，2代表射頻/模擬電路所在位置。相比較全局抑制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，局部抑制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在對(duì)同步開(kāi)關(guān)噪聲寬阻帶抑制的同時(shí)，對(duì)返回電流路徑的連續(xù)性破壞較小，從而保證電路的信號(hào)完整性。所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)是一種周期性結(jié)構(gòu)，又是一種人工電磁材料，通過(guò)金屬單元與電介質(zhì)之間的耦合形成諧振單元，利用結(jié)構(gòu)單元自身的諧振效應(yīng)，來(lái)形成高阻表面，阻止諧振頻率附近的表面波傳播，在一定的頻率范圍內(nèi)形成帶隙，從而對(duì)噪聲信號(hào)的傳輸進(jìn)行抑制。如圖2所示，為本發(fā)明所涉及的兩個(gè)相鄰電磁帶隙結(jié)構(gòu)基本單元的俯視圖。圖2中3代表組成電磁帶隙結(jié)構(gòu)基本單元的互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器，4代表連接兩個(gè)相鄰電磁帶隙結(jié)構(gòu)的Z-型橋。所述周期性延拓的基本單元之間由Z-型橋組成，采用Z-型橋可以增大等效電感大小，從而減小噪聲抑制傳輸系數(shù)的低頻截止頻率，增大噪聲抑制的頻帶帶寬范圍。如圖3所示，顯示了本發(fā)明所涉及的電源分配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中各端口之間的噪聲抑制結(jié)果圖，由圖可知，當(dāng)噪聲在端口 I (即Portl)產(chǎn)生時(shí)，由于位置I處的電磁帶隙結(jié)構(gòu)抑制了電磁波傳輸，其他3個(gè)端口(即Port2、Port3、Port4)位置處都能較好的對(duì)噪聲進(jìn)行抑制。其中，S21，S31和S41分別表示端口 2、端口 3、端口 4與端口 I之間的散射參數(shù)。如圖4所示，顯示了本發(fā)明所涉及的電源分配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果對(duì)比圖，由對(duì)比圖可知，仿真結(jié)果和測(cè)試結(jié)果基本吻合，達(dá)到了預(yù)計(jì)的寬頻帶高抑制度的噪聲抑制效果?！ぞC上，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的電源分配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)在以_50dB作為噪聲抑制參考值時(shí)，能夠在0. 25GHz—25GHz的頻率帶寬范圍內(nèi)對(duì)同步開(kāi)關(guān)噪聲進(jìn)行抑制，可見(jiàn)，本發(fā)明可以明顯地對(duì)同步開(kāi)關(guān)噪聲進(jìn)行抑制，達(dá)到寬頻帶高抑制度的噪聲抑制效果，同時(shí)減小了對(duì)返回電流路徑的破壞，保證了電源分配網(wǎng)絡(luò)的電源完整性和信號(hào)完整性。以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理和實(shí)現(xiàn)，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
權(quán)利要求
1.一種基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，其特征在于包括電源平面分布拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、電磁帶隙結(jié)構(gòu)和互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器；所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)是周期性結(jié)構(gòu)，其基本單元由互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器組成，相鄰的所述基本單元之間由Z-型橋連接，其中，所述互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器根據(jù)所述電源平面分布拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)刻蝕在電源平面上，對(duì)電源與地平面之間的同步開(kāi)關(guān)噪聲進(jìn)行抑制。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，其特征在于所述電源平面分布拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是局部抑制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在混合高速電路系統(tǒng)中，噪聲源電路和噪聲敏感電路分布于混合高速電路系統(tǒng)的不同區(qū)域，所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)分別位于噪聲源電路和噪聲敏感電路所在的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，其特征在于所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)分布在噪聲源電路的高速數(shù)字電路和噪聲敏感電路的射頻/模擬電路所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，其特征在于所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)是一種周期性結(jié)構(gòu)，它是一種人工電磁材料，在一定的頻率范圍內(nèi)具有阻帶特性，可以對(duì)噪聲信號(hào)的傳輸進(jìn)行抑制。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，其特征在于所述互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器是一種人工介質(zhì)諧振器，它屬于微波異性介質(zhì)，當(dāng)電場(chǎng)軸向入射到諧振器表面時(shí)，會(huì)產(chǎn)生負(fù)的介電常數(shù)，形成一個(gè)陡峭的傳輸禁帶。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，其特征在于所述電源平面由電磁帶隙結(jié)構(gòu)局部刻蝕，地平面保持完整。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，其特征在于所述電源分配網(wǎng)絡(luò)使用的是FR-4介質(zhì)基板，為有耗介質(zhì)材料，相對(duì)介電常數(shù)=4. 4，介質(zhì)厚度=O. 2mm,介質(zhì)表面的金屬厚度=35um,損耗角正切=0. 02。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，其特征在于所述電磁帶隙結(jié)構(gòu)與SMA同軸接頭連接，連接到矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀來(lái)測(cè)量噪聲耦合傳輸系數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，其特征在于所述電源分配網(wǎng)絡(luò)，當(dāng)以-50dB為噪聲耦合抑制標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，該電源分配網(wǎng)絡(luò)能夠在O. 26GHz—25GHz頻率范圍內(nèi)對(duì)同步開(kāi)關(guān)噪聲進(jìn)行抑制。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于局部電磁帶隙結(jié)構(gòu)的電源分配網(wǎng)絡(luò)，電磁帶隙結(jié)構(gòu)局部性的刻蝕在電源平面上；地平面保持完整。電磁帶隙結(jié)構(gòu)的基本單元由互補(bǔ)開(kāi)口環(huán)諧振器構(gòu)成，相鄰的電磁帶隙結(jié)構(gòu)基本單元之間通過(guò)Z-型橋連接在一起。本發(fā)明有效解決混合電路系統(tǒng)中同步開(kāi)關(guān)噪聲抑制程度不夠深，抑制頻段不夠?qū)挼膯?wèn)題，同時(shí)可以解決傳統(tǒng)全局性電磁帶隙結(jié)構(gòu)對(duì)電源平面破壞性較大的問(wèn)題，基于本發(fā)明的電源分配網(wǎng)絡(luò)具有良好的電源完整性，且能減小電磁干擾的影響。
文檔編號(hào)H02M1/44GK102957310SQ201210417988
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月26日
發(fā)明者朱浩然, 毛軍發(fā) 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)