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一種半橋電路的制作方法

文檔序號(hào):7462581閱讀:193來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種半橋電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電路領(lǐng)域,尤其涉及一種半橋電路。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的串聯(lián)諧振半橋電路利用諧振電感來(lái)實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān),可以減小開關(guān)損耗。具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,效率高,受電磁干擾(Electromagnetic Interference, EMI)小的特點(diǎn)。但也存在ー些不足,例如因増加了諧振電感,在次級(jí)ニ極管反向恢復(fù)過程中,ニ極管會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰和振蕩,増大了ニ極管開關(guān)損耗,使電路的EMI變差;輸入母線電壓較低吋,諧振電感取值已比較小,此時(shí)主要是變壓器的漏感對(duì)次級(jí)ニ極管的影響比較嚴(yán)重; 如果提高ニ極管耐壓或加入RC吸收電路,則會(huì)帶來(lái)EMI更差和效率更差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是針對(duì)以上現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種半橋電路,_在解決現(xiàn)有的串聯(lián)諧振半橋電路EMI較差,效率較低的問題。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種半橋電路,包括
作為能量傳輸回路為負(fù)載供給能量的初級(jí)諧振電路;
與所述初級(jí)諧振電路連接,將諧振電感存儲(chǔ)的能量回授到電網(wǎng)的諧振電感能量回授電路;以及與所述初級(jí)諧振電路連接,將變壓器漏感儲(chǔ)存的能量回授到電網(wǎng)的變壓器漏感能量回授電路。進(jìn)ー步地,所述初級(jí)諧振電路包括第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2、電感LI、第一變壓器TlA和第一電容Cl ;
第一 MOS管Ql的漏極與電壓輸出端的正極連接,源極與電感LI的輸入端連接;
第二 MOS管Q2的源極與電壓輸出端的負(fù)極連接,漏極與電感LI的輸入端連接;
第一變壓器TlA的nl阻的一端與電感LI輸出端連接,另一端與第一電容Cl連接,第ー電容Cl另一端連接電壓輸出端的負(fù)極。進(jìn)ー步地,所述諧振電感能量回授電路包括第一電阻R1、第三ニ極管D3、第四ニ極管D4、第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2 ;
第三ニ極管D3與第四ニ極管D4同相串聯(lián),連接在電壓輸入端的正負(fù)極之間;
第一電阻Rl —端與電感LI的輸出端連接,另一端連接在第三ニ極管D3與第四ニ極管D4的連接處;
第四ニ極管D4、第一電阻R1、電感LI和第一 MOS管Ql構(gòu)成正半周泄放回路;
第三ニ極管D3、第一電阻R1、電感LI和第二 MOS管Q2構(gòu)成負(fù)半周泄放回路。進(jìn)ー步地,所述變壓器漏感能量回授電路包括第二變壓器T1B、第五ニ極管D5、第六ニ極管D6、第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2 ;
第五ニ極管D5與第六ニ極管D6同相串聯(lián),連接在電壓輸入端的正負(fù)極之間;
第二變壓器TlB —端與第一 MOS管Ql的源極連接,另一端連接在第五ニ極管D5與第六ニ極管D6的連接處;
第六ニ極管D6、第二變壓器T1B、第一 MOS管Ql構(gòu)成正半周泄放回路;
第三ニ極管D3、第二變壓器T1B、第二 MOS管Q2構(gòu)成負(fù)半周泄放回路。進(jìn)ー步地,所述半橋電路還包括與所述初級(jí)諧振電路連接的零電壓開關(guān)電路。
進(jìn)ー步地,所述零電壓開關(guān)電路包括第三電容C3、第四電容C4和電感LI ;
第三電容C3接在第一 MOS管Ql的源極與漏極間,第四電容C4接在第二 MOS管Q2的源極與漏極間。進(jìn)ー步地,所述半橋電路還包括與所述初級(jí)諧振電路連接的輸出整流濾波電路。進(jìn)ー步地,所述輸出整流濾波電路包括第一ニ極管D1、第二ニ極管D2和極性電容C2 ;
第一ニ極管Dl連接在第一變壓器TlA的n2匝的一端與電壓輸出端的正極之間,第·ニニ極管D2連接在第一變壓器TlA的n2匝的另一端與電壓輸出端的正極之間,極性電容C2連接在電壓輸出端的正負(fù)極之間。本發(fā)明采用組合鉗位電路,可以將諧振電感和變壓器漏感所產(chǎn)生的干擾回授到電網(wǎng)內(nèi),能夠大大降低次級(jí)ニ極管的反向恢復(fù)尖峰,從而提高整機(jī)效率,降低EMI,使整機(jī)的可靠性大大提高,結(jié)構(gòu)新穎,簡(jiǎn)單可靠,通用性強(qiáng),適用所有的半橋電路。


圖I是本發(fā)明電路框圖結(jié)構(gòu)示意 圖2是本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)ー步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。圖I示出了本發(fā)明實(shí)施例中的半橋電路的結(jié)構(gòu),包括初級(jí)諧振電路I、諧振電感能量回授電路2和變壓器漏感能量回授電路3。初級(jí)諧振電路I作為能量傳輸回路為負(fù)載供給能量。諧振電感能量回授電路2與初級(jí)諧振電路I連接,將諧振電感存儲(chǔ)的能量回授到電網(wǎng)。變壓器漏感能量回授電路3與初級(jí)諧振電路I連接,將變壓器漏感儲(chǔ)存的能量回授到電網(wǎng)。如圖2所示,初級(jí)諧振電路I由第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2、電感LI、第一變壓器TlA和第一電容Cl構(gòu)成。第一MOS管Ql的漏極與電壓輸出端的正極連接,源極與電感LI的輸入端連接,第ニ MOS管Q2的源極與電壓輸出端的負(fù)極連接,漏極與電感LI的輸入端連接,第一變壓器TlA的nl阻的一端與電感LI輸出端連接,另一端與第一電容Cl連接,第一電容Cl另一端連接電壓輸出端的負(fù)極。第一 MOS管Q1、電感LI、第一變壓器TlA和第一電容Cl構(gòu)成變壓器正半周能量傳輸回路,經(jīng)第一ニ極管D1、電容C2供給負(fù)載正半周期能量;第二 MOS管Q2、電感LI、第一變壓器TlA和第一電容Cl構(gòu)成變壓器負(fù)半周能量傳輸回路,經(jīng)第ニニ極管D2、電容C2供給負(fù)載負(fù)半周期能量。第一電阻R1、第三ニ極管D3、第四ニ極管D4與第一 MOS管Ql、第二 MOS管Q2構(gòu)成諧振電感能量回授電路2。第三ニ極管D3與第四ニ極管D4同相串聯(lián),連接在電壓輸入端的正負(fù)極之間,第一電阻Rl —端與電感LI的輸出端連接,另一端連接在第三ニ極管D3與第四ニ極管D4的連接處。諧振電感能量回授電路能夠保證第一ニ極管D1、第二ニ極管D2在反向恢復(fù)過程中,諧振電感正/負(fù)半周儲(chǔ)存的能量通過第三ニ極管D3、第四ニ極管D4回授到電網(wǎng),從而保證第一ニ極管D1、第二ニ極管D2關(guān)斷時(shí),諧振電感的能量不會(huì)疊加到其上邊。其中第四ニ極管D4、第一電阻R1、電感LI和第一 MOS管Ql構(gòu)成正半周泄放回路;第三ニ極管D3、第一電阻R1、電感LI和第二 MOS管Q2構(gòu)成負(fù)半周泄放回路。第二變壓器T1B、第五ニ極管D5、第六ニ極管D6與第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2 構(gòu)成變壓器漏感能量回授電路3。第五ニ極管D5與第六ニ極管D6同相串聯(lián),連接在電壓輸入端的正負(fù)極之間,第二變壓器TlB —端與第一 MOS管Ql的源極連接,另一端連接在第五ニ極管D5與第六ニ極管D6的連接處。當(dāng)電路工作在低輸入電壓條件下,變壓器漏感能量回授電路能夠保證第一ニ極管D1、第二ニ極管D2在反向恢復(fù)過程中,變壓器漏感正/負(fù)半周儲(chǔ)存的能量通過第五ニ極管D5、第六ニ極管D6回授到電網(wǎng),從而保證第一ニ極管D1、第二ニ極管D2關(guān)斷時(shí),諧振電感的能量不會(huì)疊加到其上邊。其中,第六ニ極管D6、第二變壓器T1B、第一 MOS管Ql構(gòu)成正半周泄放回路;第三ニ極管D3、第二變壓器T1B、第二 MOS管Q2構(gòu)成負(fù)半周泄放回路。在本發(fā)明實(shí)施例中,該半橋電路還可以增加零電壓開關(guān)電路4,由第一 MOS管Ql的源極與漏極間接入的第三電容C3,第二 MOS管Q2的源極與漏極間接入的第四電容C4,和電感LI構(gòu)成,保證第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2在開通前,其Vds電壓接近為0V,使第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2的開通損耗接近于零,從而提高整機(jī)效率。在本發(fā)明實(shí)施例中,該半橋電路還可以增加輸出整流濾波電路5,由D1、第二ニ極管D2和極性電容C2構(gòu)成,第一ニ極管Dl、第二ニ極管D2和極性電容C2構(gòu)成。第一ニ極管Dl連接在第一變壓器TlA的n2匝的一端與電壓輸出端的正極之間,第二ニ極管D2連接在第一變壓器TlA的n2阻的另一端與電壓輸出端的正極之間,極性電容C2連接在電壓輸出端的正負(fù)極之間。本發(fā)明實(shí)施例采用組合鉗位電路,可以將諧振電感和變壓器漏感所產(chǎn)生的干擾回授到電網(wǎng)內(nèi),能夠大大降低次級(jí)ニ極管的反向恢復(fù)尖峰,從而提高整機(jī)效率,降低EMI,使整機(jī)的可靠性大大提高,結(jié)構(gòu)新穎,簡(jiǎn)單可靠,通用性強(qiáng),適用所有的半橋電路。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半橋電路,其特征在于,所述半橋電路包括 作為能量傳輸回路為負(fù)載供給能量的初級(jí)諧振電路; 與所述初級(jí)諧振電路連接,將諧振電感存儲(chǔ)的能量回授到電網(wǎng)的諧振電感能量回授電路;以及與所述初級(jí)諧振電路連接,將變壓器漏感儲(chǔ)存的能量回授到電網(wǎng)的變壓器漏感能量回授電路。
2.如權(quán)利要求I所述的半橋電路,其特征在于,所述初級(jí)諧振電路包括第一MOS管Q1、第二 MOS管Q2、電感LI、第一變壓器TlA和第一電容Cl ; 第一 MOS管Ql的漏極與電壓輸出端的正極連接,源極與電感LI的輸入端連接; 第二 MOS管Q2的源極與電壓輸出端的負(fù)極連接,漏極與電感LI的輸入端連接; 第一變壓器TlA的nl阻的一端與電感LI輸出端連接,另一端與第一電容Cl連接,第一電容Cl另一端連接電壓輸出端的負(fù)極。
3.如權(quán)利要求I所述的半橋電路,其特征在于,所述諧振電感能量回授電路包括第一電阻R1、第三二極管D3、第四二極管D4、第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2 ; 第三二極管D3與第四二極管D4同相串聯(lián),連接在電壓輸入端的正負(fù)極之間; 第一電阻Rl —端與電感LI的輸出端連接,另一端連接在第三二極管D3與第四二極管D4的連接處; 第四二極管D4、第一電阻R1、電感LI和第一 MOS管Ql構(gòu)成正半周泄放回路; 第三二極管D3、第一電阻R1、電感LI和第二 MOS管Q2構(gòu)成負(fù)半周泄放回路。
4.如權(quán)利要求I所述的半橋電路,其特征在于,所述變壓器漏感能量回授電路包括第二變壓器T1B、第五二極管D5、第六二極管D6、第一 MOS管Ql和第二 MOS管Q2 ; 第五二極管D5與第六二極管D6同相串聯(lián),連接在電壓輸入端的正負(fù)極之間; 第二變壓器TlB —端與第一 MOS管Ql的源極連接,另一端連接在第五二極管D5與第六二極管D6的連接處; 第六二極管D6、第二變壓器T1B、第一 MOS管Ql構(gòu)成正半周泄放回路; 第三二極管D3、第二變壓器T1B、第二 MOS管Q2構(gòu)成負(fù)半周泄放回路。
5.如權(quán)利要求2所述的半橋電路,其特征在于,所述半橋電路還包括與所述初級(jí)諧振電路連接的零電壓開關(guān)電路。
6.如權(quán)利要求5所述的半橋電路,其特征在于,所述零電壓開關(guān)電路包括第三電容C3、第四電容C4和電感LI ; 第三電容C3接在第一 MOS管Ql的源極與漏極間,第四電容C4接在第二 MOS管Q2的源極與漏極間。
7.如權(quán)利要求2所述的半橋電路,其特征在于,所述半橋電路還包括與所述初級(jí)諧振電路連接的輸出整流濾波電路。
8.如權(quán)利要求7所述的半橋電路,其特征在于,所述輸出整流濾波電路包括第一二極管Dl、第二二極管D2和極性電容C2 ; 第一二極管Dl連接在第一變壓器TlA的n2匝的一端與電壓輸出端的正極之間,第二二極管D2連接在第一變壓器TlA的n2匝的另一端與電壓輸出端的正極之間,極性電容C2連接在電壓輸出端的正負(fù)極之間。
全文摘要
本發(fā)明適用于電路領(lǐng)域,提供了一種半橋電路,包括作為能量傳輸回路為負(fù)載供給能量的初級(jí)諧振電路;與所述初級(jí)諧振電路連接,將諧振電感存儲(chǔ)的能量回授到電網(wǎng)的諧振電感能量回授電路;以及與所述初級(jí)諧振電路連接,將變壓器漏感儲(chǔ)存的能量回授到電網(wǎng)的變壓器漏感能量回授電路。本發(fā)明采用組合鉗位電路,可以將諧振電感和變壓器漏感所產(chǎn)生的干擾回授到電網(wǎng)內(nèi),能夠大大降低次級(jí)二極管的反向恢復(fù)尖峰,從而提高整機(jī)效率,降低EMI,使整機(jī)的可靠性大大提高,結(jié)構(gòu)新穎,簡(jiǎn)單可靠,通用性強(qiáng),適用所有的半橋電路。
文檔編號(hào)H02M1/44GK102684473SQ20121019192
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月12日
發(fā)明者徐兵, 徐永紅, 蘇周, 顧永德 申請(qǐng)人:深圳茂碩電源科技股份有限公司
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