專利名稱：一種變換器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，特別涉及一種變換器電路。
背景技術(shù)：
利用太陽能電池作電源的應(yīng)用場合通常需要5V電壓。然而，太陽能電池一般能提供的末端電壓僅為O. 8-1. 4V，其電流容量可達3-4A。大部分的DC/DC變換器既不能在這樣低的電壓下起動，又不能在滿負載條件下起動。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服以上技術(shù)的不足，提供了一種簡單有效的變換器電路。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的一種變換器電路，由兩個控制芯片IC1、IC2，一個MOS管Q，兩個二極管Dl、D2，兩個電感LI、L2，三個電阻Rl、R2、R3和四個電容Cl、C2、C3、C4連接而成，電壓輸入端Vin串聯(lián)電感LI后接在控制芯片ICl的I號端口上，電壓輸入端Vin上還接有一接地電容Cl ；控制芯片ICl的I號端口與2號端口間串接二極管Dl，控制芯片ICl的2號端口與3號端口直接串接；控制芯片ICl的4號端口直接接一接地電容C2 ;控制芯片ICl的5號端口與6號端口串接后接地；控制芯片IC2的I號端口接在MOS管Q的柵極，MOS管Q的漏極串接電感L2后接在電壓輸入端Vin上，同時MOS管Q的漏極串接二極管D2后接在電壓輸出端Vout上，電壓輸出端Vout上接有一接地電容C4 ；控制芯片IC2的2號端口與MOS管Q的源極相連，且MOS管Q的源極上連接一接地電阻Rl ；控制芯片IC2的3號端口串接電阻R2后接在電壓輸出端Vout上，且控制芯片IC2的3號端口上還接一接地電阻R3 ；控制芯片IC2的4號端口與控制芯片ICl的2號端口相連，且控制芯片IC2的4號端口上還接有一接地電容C3 ；控制芯片IC2的5號端口和6號端口串接后直接接地。優(yōu)選的，所述電壓輸入端Vin的輸入電壓為O. 5V-5V，則電壓輸出端Vout的輸出電壓為5V。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的由兩個控制芯片構(gòu)成的變換器電路，能滿足在低的輸人電壓下起動的需求，并在滿負載條件下輸出5V的電壓。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖I為本發(fā)明的變換器電路的電路原理圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作具體的說明。本實施例的變換器電路的電路原理圖一種變換器電路，由兩個控制芯片IC1、IC2，一個MOS管Q，兩個二極管Dl、D2，兩個電感LI、L2，三個電阻Rl、R2、R3和四個電容Cl、C2、C 3、C4連接而成，電壓輸入端Vin串聯(lián)電感LI后接在控制芯片ICl的I號端口上，電壓輸入端Vin上還接有一接地電容Cl ； 控制芯片ICl的I號端口與2號端口間串接二極管Dl，控制芯片ICl的2號端口與3號端口直接串接；控制芯片ICl的4號端口直接接一接地電容C2 ;控制芯片ICl的5號端口與6號端口串接后接地；控制芯片IC2的I號端口接在MOS管Q的柵極，MOS管Q的漏極串接電感L2后接在電壓輸入端Vin上，同時MOS管Q的漏極串接二極管D2后接在電壓輸出端Vout上，電壓輸出端Vout上接有一接地電容C4 ；控制芯片IC2的2號端口與MOS管Q的源極相連，且MOS管Q的源極上連接一接地電阻Rl ；控制芯片IC2的3號端口串接電阻R2后接在電壓輸出端Vout上，且控制芯片IC2的3號端口上還接一接地電阻R3 ；控制芯片IC2的4號端口與控制芯片ICl的2號端口相連，且控制芯片IC2的4號端口上還接有一接地電容C3 ；控制芯片IC2的5號端口和6號端口并接后直接接地。優(yōu)選的，所述電容Cl的容量為220 μ F，電容C2的容量為O. I μ F，電容C3的容量為15 μ F，電容C4的容量為480 μ F，電感LI的電感量為330 μ H，電感L2的電感量為22 μ H，電阻Rl的阻值為O. 02 Ω，電阻R2的阻值為91k Ω，電阻R3的阻值為36k Ω。優(yōu)選的，所述電壓輸入端Vin的輸入電壓為O. 5V_5V，Ui電壓輸出端Vout的輸出電壓為5V。本發(fā)明的變換器電路的具體電路闡述如下控制芯片ICl工作在自舉模式，從其輸出獲得功率，輸入電壓從最小O. 5V升壓到5V。從控制芯片(變換器)IC2輸出的由5V電壓而得到的功率，產(chǎn)生高達O. 5A的輸出電流。由電阻R2及電阻R3擬定控制芯片(變換器)IC2的輸出電壓。這樣不管負載條件如何，控制芯片ICl都能使控制芯片IC2啟動。為控制芯片IC2提供完整的5V電壓，還通過提供MOSFET最大的柵漏電壓(幅值為0-5V)，使外接的N溝道MOSFET的漏源導(dǎo)通電阻Rds (on)值最小。為抑制由電源開關(guān)產(chǎn)生的輸入波紋，電容Cl可選擇串聯(lián)等效電阻低的220 μ F的電容器,此電容器也能通過減少太陽能電池的輸出阻抗而使供電電壓波動小。電感LI的電感為330 μ H，它允許控制芯片ICl在低電壓下啟動。等效串聯(lián)電阻低的15 μ F的電容器C2置于控制芯片ICl的輸出端，可為控制芯片IC2減小供電電壓的波紋。
電流敏感電阻R3，使該電感器中的峰值電流限制在100mV/R3之上?？刂菩酒琁C2的輸出電容C3采用480 μ F低的電容器，電容C3可在負載電流高達600mA時輸出波紋電壓的峰值降低到不大于80mA。若輸出負載電流小時，可減少電容C1、C2的容量。此電路的轉(zhuǎn)換效率在O. 5V-5V的輸入電壓范圍內(nèi)都在80%左右，在Vin = O. 8V時可得到200mA或更大的電流，在Vin = I. 5V時可得到450mA以上的電流。上述實施例只是為了說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的是在于讓本領(lǐng)域內(nèi)的 普通技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡是根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實質(zhì)所作出的等效的變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種變換器電路，其特征在于，由兩個控制芯片IC1、IC2，一個M0S管Q，兩個二極管 Dl、D2，兩個電感LI、L2，三個電阻Rl、R2、R3和四個電容Cl、C2、C3、C4連接而成，電壓輸入端Vin串聯(lián)電感L1后接在控制芯片IC1的1號端口上，電壓輸入端Vin上還 接有一接地電容C1 ；控制芯片IC1的1號端口與2號端口間串接二極管D1，控制芯片IC1的2號端口與3 號端口直接串接；控制芯片IC1的4號端口直接接一接地電容C2 ;控制芯片IC1的5號端 口與6號端口串接后接地；控制芯片IC2的1號端口接在M0S管Q的柵極，M0S管Q的漏極串接電感L2后接在電 壓輸入端Vin上，同時M0S管Q的漏極串接二極管D2后接在電壓輸出端Vout上，電壓輸出 端Vout上接有一接地電容C4 ；控制芯片IC2的2號端口與M0S管Q的源極相連，且M0S管Q的源極上連接一接地電 阻R1 ；控制芯片IC2的3號端口串接電阻R2后接在電壓輸出端Vout上，且控制芯片IC2的 3號端口上還接一接地電阻R3 ；控制芯片IC2的4號端口與控制芯片IC1的2號端口相連，且控制芯片IC2的4號端 口上還接有一接地電容C3 ；控制芯片IC2的5號端口和6號端口串接后直接接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變換器電路，其特征在于，所述電壓輸入端Vin的輸入電壓為 0.5V-5V。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種變換器電路，由兩個控制芯片IC1、IC2，一個MOS管Q，兩個二極管D1、D2，兩個電感L1、L2，三個電阻R1、R2、R 3和四個電容C1、C2、C 3、C4連接而成。本發(fā)明的由兩個控制芯片構(gòu)成的變換器電路，能滿足在低的輸人電壓下起動的需求，并在滿負載條件下輸出5V的電壓。
文檔編號H02M3/155GK102664522SQ201210148268
公開日2012年9月12日 申請日期2012年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月15日
發(fā)明者張海虹 申請人:蘇州工業(yè)園區(qū)華銳裝飾工程有限公司