專利名稱：一種由硬件控制的過壓保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于變頻器制動(dòng)領(lǐng)域，尤其涉及一種由硬件控制的過壓保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代變頻器領(lǐng)域的飛猛發(fā)展，變頻器功能也越來越多，變頻器的CPU對(duì)功能檢測(cè)的使用頻率也越來越高，在通用變頻器、異步電動(dòng)機(jī)和機(jī)械負(fù)載所組成的變頻調(diào)速傳統(tǒng)系統(tǒng)中，當(dāng)電動(dòng)機(jī)所傳動(dòng)的位能負(fù)載下放時(shí)，電動(dòng)機(jī)將可能處于再生發(fā)電制動(dòng)狀態(tài)，而一般變頻器都是通過軟件檢測(cè)電壓來控制制動(dòng)電阻的通斷，從而實(shí)現(xiàn)將多余的再生能量快速的耗散掉。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供了一種能夠在變頻調(diào)速系統(tǒng)中，當(dāng)電壓上升到用戶設(shè)定的值時(shí)，及時(shí)快速的啟動(dòng)制動(dòng)單元，及時(shí)保護(hù)變頻器不受損壞的硬件控制的過壓保護(hù)電路。為達(dá)到發(fā)明目的本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種硬件控制的過壓保護(hù)電路，其特征在于包括變頻器，所述變頻器的母線電壓端與繼電器的常開端子連接，所述繼電器的線圈端子與控制其工作的變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路連接，所述變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路的PWM信號(hào)輸出端與變頻器連接，所述繼電器的公共端子上連接有用于檢測(cè)母線電壓端電壓的過壓檢測(cè)電路和用于與母線連接耗散掉變頻器多余能量的制動(dòng)單元，所述制動(dòng)單元與過壓檢測(cè)電路之間設(shè)有控制制動(dòng)單元工作的制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路。先通過變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路檢測(cè)變頻器是否工作在運(yùn)行還是停止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)變頻器停止工作時(shí)，將繼電器導(dǎo)通開始工作，將變頻器母線電壓端與過壓檢測(cè)電路連通，然后過壓檢測(cè)電路檢測(cè)母線電壓的值是否達(dá)到制動(dòng)單元所需要制動(dòng)的值，通過啟動(dòng)制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路，讓母線和制動(dòng)單元還有N地構(gòu)成回路,制動(dòng)單元以熱能的形式耗散掉變頻器多余的能量，當(dāng)母線電壓恢復(fù)正常后斷開制動(dòng)單元，等待下次制動(dòng)信號(hào)的到來，從而保護(hù)了變頻器。而且該電路通過硬件搭建來實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)，節(jié)省了 CPU的資源和一些運(yùn)算處理。進(jìn)一步，所述變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路包括用于檢測(cè)PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)高低電平的同態(tài)鎖存芯片，所述同態(tài)鎖存芯片與PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)端連接，其PWM信號(hào)輸出端與變頻器連接；所述PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)端與第一電阻的一端連接，所述第一電阻的另一端分別與第二電阻的一端、第四電容的一端、BJT管的基極連接，所述第二電阻的另一端、第四電容的另一端、BJT管的發(fā)射極均接GND ;所述BJT管的集電極分別與第十三電容的一端、第八二極管的陽極、繼電器的一個(gè)線圈端子連接，所述繼電器的另一線圈端子、第十三電容的另一端、第八二極管的陰極均與+24V電源連接。通過變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路檢測(cè)變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)，當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電平時(shí)，同態(tài)鎖存芯片工作輸出PWM波讓變頻器工作，當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電平時(shí)，BJT管的CE極打通，繼電器開始工作，與母線電壓端連接的常開端子和與制動(dòng)單元及過壓檢測(cè)電路連接的公共端子吸合，這樣過壓檢測(cè)電路開始進(jìn)行檢測(cè)功倉泛。進(jìn)一步，所述過壓檢測(cè)電路包括電壓保護(hù)芯片，所述電壓保護(hù)芯片的第五引腳與MOSFET開關(guān)的柵極連接，所述MOSFET開關(guān)的漏極與第四二極管的陰極連接，所述第四二極管的陽極與繼電器的公共端子連接；所述電壓保護(hù)芯片的第一引腳和第二引腳相連，其第一引腳上分別與第十一電阻、第十二電阻、第十電容的一端連接，其第二引腳與第十一電容的一端連接，所述第十一電阻的另一端與第二十三電阻的一端連接，所述第十二電阻的另一端與第四電容的陰極連接，所述第二十三電阻的另一端、第十電容的另一端、第十一電容的另一端、所述電壓保護(hù)芯片的第六引腳均與N地連接；所述電壓保護(hù)芯片的第三引腳分別與第十六電阻、第十八電阻、第七電容、第十九電阻、第十七電阻的一端連接，所述第十六電阻的另一端與MOSFET開關(guān)的源極連接，所述第十八電阻上依次連接有第二十四電阻和第二十五電阻，所述第二十四電阻與第二十五電阻的連接端與電壓保護(hù)芯片的第四引腳連接，所述第十七電阻的另一端與第十五電阻的一端連接，所述第十五電阻的另一端與第四二極管的陰極連接，所述第十九電阻的另一端與第二十六電阻的一端連接，所述第二十六電阻的另一端、所述第七電容的另一端、所述第二十五電阻的另一端均與N地連接；第十八電阻與第二十四電阻的連接端、第十九電阻與第二十六電阻的連接端均與制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路連接。P母線電壓的過壓檢測(cè)是通過電壓保護(hù)芯片控制，該電壓保護(hù)芯片監(jiān)視輸入電壓出現(xiàn)輸入過壓時(shí)，控制外部η溝道MOSFET開關(guān)，當(dāng)監(jiān)控輸入低于用戶設(shè)置的過壓門限時(shí)，MOSFET開關(guān)柵極被驅(qū)動(dòng)為高，完全導(dǎo)通MOSFET開關(guān)。當(dāng)輸入電壓超過用戶設(shè)置的過壓門限時(shí)，迅速拉低MOSFET開關(guān)的柵極，將負(fù)載與輸入斷開，根據(jù)不同的母線電壓過壓設(shè)置，要對(duì)相應(yīng)的電阻進(jìn)行參數(shù)設(shè)置，保證既能讓電路正常運(yùn)作又能長(zhǎng)期使用，變頻器的母線電壓比較高，所以要進(jìn)行分壓將電壓控制，首先電壓保護(hù)芯片第一引腳的電壓是通過第十一電阻和第二十三電阻二個(gè)電阻分壓得來的，其第三引腳的電壓是通過第十八電阻、第二十四電阻和第二十五電阻三個(gè)電阻分壓而來的，而且第一引腳和第三引腳的電壓要一致，當(dāng)母線電壓達(dá)到制動(dòng)電壓時(shí)，此時(shí)第四引腳滿足設(shè)置點(diǎn)，第三引腳的電壓達(dá)到過壓點(diǎn)，MOSFET開關(guān)就會(huì)被關(guān)斷，此時(shí)制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路開始工作。進(jìn)一步，所述制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路包括高速光耦芯片，所述高速光耦芯片的第二引腳分別與第十九電阻與第二十六電阻的連接端、第十六電容的一端連接，其第三引腳分別與第十八電阻與第二十四電阻的連接端、第十六電容的另一端連接，其第一引腳和第四引腳懸空，其第五引腳和第八引腳與芯片供給電源高端連接，其第七引腳與芯片供給電源低端連接，其第六引腳與第三十電阻的一端連接，所述第三十電阻的另一端分別與第三十一電阻的一端、第一穩(wěn)壓管的陰極、IGBT管的基極連接，所述第一穩(wěn)壓管的陽極與第二穩(wěn)壓管的陽極連接，所述第二穩(wěn)壓管的陰極、第三十一電阻的另一端、IGBT管的發(fā)射極均與N地連接，所述IGBT管的集電極與制動(dòng)單元連接。制動(dòng)單元的控制通過一塊高速光耦芯片，該高速光耦芯片的工作電源大概為30V左右，通過變頻器變壓器把芯片供給電源高端設(shè)置為IGBT管導(dǎo)通電壓，芯片供給電源低端為不導(dǎo)通電壓；IGBT管的GE二端串聯(lián)一個(gè)第三十一電阻，是為了保護(hù)該回路，高速光耦芯片的第六引腳和IGBT管的基極之間串聯(lián)一個(gè)第三十電阻，是為了抑制振蕩電壓；當(dāng)MOSFET開關(guān)開通時(shí)，高速光耦芯片上通過第二十六電阻的分壓得到的第二腳的電壓小于通過第二十四電阻和第二十五電阻二個(gè)電阻分壓得到的第三引腳的電壓，高速光耦芯片不工作；當(dāng)MOSFET開關(guān)關(guān)斷時(shí)，高速光耦芯片的第三引腳電壓變零，高速光耦芯片的通過第二十六電阻的分壓得到的第二引腳的電壓大于第三引腳的電壓，高速光耦芯片開始工作，此時(shí)高速光耦芯片的第六引腳與芯片供給電源高端相通，IGBT管的GE壓降滿足管子工作電壓，IGBT管導(dǎo)通，制動(dòng)單元開始工作。進(jìn)一步，所述制動(dòng)單元包括制動(dòng)電阻，所述制動(dòng)電阻的一端分別與IGBT管的集電極、第六二極管的陽極連接，所述制動(dòng)電阻的另一端分別與第六二極管的陰極、第四二極管的陰極連接。當(dāng)IGBT管導(dǎo)通后，制動(dòng)電阻與母線還有N地構(gòu)成回路，制動(dòng)電阻以熱能的形式將變頻器多余的能量耗散掉，同時(shí)第六二極管有保護(hù)功能，防止電壓過大導(dǎo)致IGBT管損壞。本實(shí)用新型的有益效果通過硬件控制的過壓保護(hù)電路來實(shí)現(xiàn)變頻器的過壓保護(hù)，減少了 CPU資源的利用和相應(yīng)的運(yùn)算處理；在變頻調(diào)速系統(tǒng)中，當(dāng)電壓上升到用戶設(shè)定的值時(shí)，能及時(shí)快速的啟動(dòng)制動(dòng)單元，及時(shí)保護(hù)變頻器不受損壞。
圖I是本實(shí)用新型的系統(tǒng)控制流程圖。圖2是本實(shí)用新型的電路原理圖。圖3是本實(shí)用新型的變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)端與繼電器連接的電路原理圖。圖4是本實(shí)用新型的過壓檢測(cè)電路的電路原理圖。圖5是本實(shí)用新型的制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路的電路原理圖。圖6是本實(shí)用新型的制動(dòng)單元的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例來對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步說明，但并不將本實(shí)用新型局限于這些具體實(shí)施方式
。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本實(shí)用新型涵蓋了權(quán)利要求書范圍內(nèi)所可能包括的所有備選方案、改進(jìn)方案和等效方案。參見圖1-6，一種硬件控制的過壓保護(hù)電路，包括變頻器，所述變頻器的母線電壓端P與繼電器K2的常開端子連接，所述繼電器K2的線圈端子與控制其工作的變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路連接，所述變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路的PWM信號(hào)輸出端與變頻器連接，所述繼電器K2的公共端子上連接有用于檢測(cè)母線電壓端電壓的過壓檢測(cè)電路和用于與母線連接耗散掉變頻器多余能量的制動(dòng)單元，所述制動(dòng)單元與過壓檢測(cè)電路之間設(shè)有控制制動(dòng)單元工作的制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路。先通過變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路檢測(cè)變頻器是否工作在運(yùn)行還是停止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)變頻器停止工作時(shí)，將繼電器K2導(dǎo)通開始工作，將變頻器母線電壓端P與過壓檢測(cè)電路連通，然后過壓檢測(cè)電路檢測(cè)母線電壓的值是否達(dá)到制動(dòng)單元所需要制動(dòng)的值，通過啟動(dòng)制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路，讓母線和制動(dòng)單元還有N地構(gòu)成回路,制動(dòng)單元以熱能的形式耗散掉變頻器多余的能量，當(dāng)母線電壓恢復(fù)正常后斷開制動(dòng)單元，等待下次制動(dòng)信號(hào)的到來，從而保護(hù)了變頻器。而且該電路通過硬件搭建來實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)，節(jié)省了CPU的資源和一些運(yùn)算處理。所述變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路包括用于檢測(cè)PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)高低電平的同態(tài)鎖存芯片U2，所述同態(tài)鎖存芯片U2與PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)端連接，其PWM信號(hào)輸出端與變頻器連接；所述PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)端與第一電阻Rl的一端連接，所述第一電阻Rl的另一端分別與第二電阻R2的一端、第四電容C4的一端、BJT管Q4的基極連接，所述第二電阻R2的另一端、第四電容C4的另一端、BJT管Q4的發(fā)射極均接GND ;所述BJT管Q4的集電極分別與第十三電容C13的一端、第八二極管D8的陽極、繼電器K2的一個(gè)線圈端子連接，所述繼電器K2的另一線圈端子、第十三電容C13的另一端、第八二極管D8的陰極均與+24V電源連接。通過變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路檢測(cè)變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)，當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電平時(shí)，同態(tài)鎖存芯片工作輸出PWM波讓變頻器工作，當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電平時(shí)，BJT管Q4的CE極打通，繼電器K2開始工作，與母線電壓端P連接的常開端子和與制動(dòng)單元及過壓檢測(cè)電路連接的公共端子吸合，這樣過壓檢測(cè)電路開始進(jìn)行檢測(cè)功能。所述過壓檢測(cè)電路包括電壓保護(hù)芯片U1，所述電壓保護(hù)芯片Ul的第五引腳與MOSFET開關(guān)Ql的柵極連接，所述MOSFET開關(guān)Ql的漏極與第四二極管D4的陰極連接，所述第四二極管D4的陽極與繼電器K2的公共端子連接；所述電壓保護(hù)芯片Ul的第一引腳和第二引腳相連，其第一引腳上分別與第十一電阻R11、第十二電阻R12、第十電容ClO的一端連接，其第二引腳與第十一電容Cll的一端連接，所述第十一電阻Rll的另一端與第二十三電阻R23的一端連接，所述第十二電阻R12的另一端與第四電容D4的陰極連接，所述第二十三電阻R23的另一端、第十電容ClO的另一端、第^ 電容Cll的另一端、所述電壓保護(hù)芯片Ul的第六引腳均與N地連接；所述電壓保護(hù)芯片Ul的第三引腳分別與第十六電阻R16、第十八電阻R18、第七電容C7、第十九電阻R19、第十七電阻R17的一端連接，所述第十六電阻R16的另一端與MOSFET開關(guān)Ql的源極連接，所述第十八電阻R18上依次連接有第二十四電阻R24和第二十五電阻R25，所述第二十四電阻R24與第二十五電阻R25的連接端與電壓保護(hù)芯片Ul的第四引腳連接，所述第十七電阻R17的另一端與第十五電阻R15的一端連接，所述第十五電阻R15的另一端與第四二極管D4的陰極連接，所述第十九電阻R19的另一端與第二十六電阻R26的一端連接，所述第二十六電阻R26的另一端、所述第七電容C7的另一端、所述第二十五電阻R25的另一端均與N地連接；第十八電阻R18與第二十四電阻R24的連接端、第十九電阻R19與第二十六電阻R26的連接端均與制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路連接。P母線電壓的過壓檢測(cè)是通過電壓保護(hù)芯片Ul控制，該電壓保護(hù)芯片Ul監(jiān)視輸入電壓出現(xiàn)輸入過壓時(shí)，控制外部η溝道MOSFET開關(guān)Q1，當(dāng)監(jiān)控輸入低于用戶設(shè)置的過壓門限時(shí)，MOSFET開關(guān)Ql柵極被驅(qū)動(dòng)為高，完全導(dǎo)通MOSFET開關(guān)Ql。當(dāng)輸入電壓超過用戶設(shè)置的過壓門限時(shí)，迅速拉低MOSFET開關(guān)Ql的柵極，將負(fù)載與輸入斷開，根據(jù)不同的母線電壓過壓設(shè)置，要對(duì)相應(yīng)的電阻進(jìn)行參數(shù)設(shè)置，保證既能讓電路正常運(yùn)作又能長(zhǎng)期使用，變頻器的母線電壓比較高，所以要進(jìn)行分壓將電壓控制，首先電壓保護(hù)芯片Ul第一引腳的電壓是通過第十一電阻Rll和第二十三電阻R23 二個(gè)電阻分壓得來的，其第三引腳的電壓是通過第十八電阻R18、第二十四電阻R24和第二十五電阻R25三個(gè)電阻分壓而來的，而且第一引腳和第三引腳的電壓要一致，當(dāng)母線電壓達(dá)到制動(dòng)電壓時(shí)，此時(shí)第四引腳滿足設(shè)置點(diǎn)，第三引腳的電壓達(dá)到過壓點(diǎn)，MOSFET開關(guān)Ql就會(huì)被關(guān)斷，此時(shí)制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路開始工作。所述制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路包括高速光耦芯片PCl，所述高速光耦芯片PCl的第二引腳分別與第十九電阻R19與第二十六電阻R26的連接端、第十六電容C16的一端連接，其第三引腳分別與第十八電阻R18與第二十四電阻R24的連接端、第十六電容C16的另一端連接，其第一引腳和第四引腳懸空，其第五引腳和第八引腳與芯片供給電源高端VH連接，其第七引腳與芯片供給電源低端VL連接，其第六引腳與第三十電阻R30的一端連接，所述第三十電阻R30的另一端分別與第三i^一電阻R31的一端、第一穩(wěn)壓管Zl的陰極、IGBT管Q2的基極連接，所述第一穩(wěn)壓管Zl的陽極與第二穩(wěn)壓管Z2的陽極連接，所述第二穩(wěn)壓管Z2的陰極、第三i^一電阻R31的另一端、IGBT管Q2的發(fā)射極均與N地連接，所述IGBT管Q2的集電極與制動(dòng)單元連接。制動(dòng)單元的控制通過一塊高速光耦芯片PC1，該高速光耦芯片PCl的工作電源大概為30V左右，通過變頻器變壓器把芯片供給電源高端VH設(shè)置為IGBT管導(dǎo)通電壓，芯片供給電源低端VL為不導(dǎo)通電壓；IGBT管Q2的GE 二端串聯(lián)一個(gè)第三十一電阻R31，是為了保護(hù)該回路，高速光耦芯片PCl的第六引腳和IGBT管Q2的基極之間串聯(lián)一個(gè)第三十電阻R30，是為了抑制振蕩電壓；當(dāng)MOSFET開關(guān)Ql開通時(shí)，高速光耦芯片PCl上通過第二十六電阻R26的分壓得到的第二腳的電壓小于通過第二十四電阻R24和第二十五電阻R25 二個(gè)電阻分壓得到的第三引腳的電壓，高速光耦芯片PCl不工作；當(dāng)MOSFET開關(guān)Ql關(guān)斷時(shí)，高速光耦芯片PCl的第三引腳電壓變零，高速光耦芯片PCl的通過第二十六電阻R26的分壓得到的第二引腳的電壓大于第三引腳的電壓，高速光耦芯片PCl開始工作，此時(shí)高速光耦芯片PCl的第六引腳與芯片供給電源高端VH相通，IGBT管Q2的GE壓降滿足管子工作電壓，IGBT管Q2導(dǎo)通，制動(dòng)單元開始工作。所述制動(dòng)單元包括制動(dòng)電阻R20，所述制動(dòng)電阻R20的一端分別與IGBT管Q2的集電極、第六二極管D6的陽極連接，所述制動(dòng)電阻R20的另一端分別與第六二極管D6的陰極、第四二極管D4的陰極連接。當(dāng)IGBT管Q2導(dǎo)通后，制動(dòng)電阻R20與母線還有N地構(gòu)成回路，制動(dòng)電阻R20以熱能的形式將變頻器多余的能量耗散掉，同時(shí)第六二極管D6有保護(hù)功能，防止電壓過大導(dǎo)致IGBT管Q2損壞。
8
權(quán)利要求1.一種硬件控制的過壓保護(hù)電路，其特征在于包括變頻器，所述變頻器的母線電壓端與繼電器的常開端子連接，所述繼電器的線圈端子與控制其工作的變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路連接，所述變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路的PWM信號(hào)輸出端與變頻器連接，所述繼電器的公共端子上連接有用于檢測(cè)母線電壓端電壓的過壓檢測(cè)電路和用于與母線連接耗散掉變頻器多余能量的制動(dòng)單元，所述制動(dòng)單元與過壓檢測(cè)電路之間設(shè)有控制制動(dòng)單元工作的制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種硬件控制的過壓保護(hù)電路，其特征在于所述變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路包括用于檢測(cè)PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)高低電平的同態(tài)鎖存芯片，所述同態(tài)鎖存芯片與PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)端連接，其PWM信號(hào)輸出端與變頻器連接；所述PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)端與第一電阻的一端連接，所述第一電阻的另一端分別與第二電阻的一端、第四電容的一端、BJT管的基極連接，所述第二電阻的另一端、第四電容的另一端、BJT管的發(fā)射極均接GND;所述BJT管的集電極分別與第十三電容的一端、第八二極管的陽極、繼電器的一個(gè)線圈端子連接，所述繼電器的另一線圈端子、第十三電容的另一端、第八二極管的陰極均與+24V電源連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種硬件控制的過壓保護(hù)電路，其特征在于所述過壓檢測(cè)電路包括電壓保護(hù)芯片，所述電壓保護(hù)芯片的第五引腳與MOSFET開關(guān)的柵極連接，所述MOSFET開關(guān)的漏極與第四二極管的陰極連接，所述第四二極管的陽極與繼電器的公共端子連接；所述電壓保護(hù)芯片的第一引腳和第二引腳相連，其第一引腳上分別與第十一電阻、第十二電阻、第十電容的一端連接，其第二引腳與第十一電容的一端連接，所述第十一電阻的另一端與第二十三電阻的一端連接，所述第十二電阻的另一端與第四電容的陰極連接，所述第二十三電阻的另一端、第十電容的另一端、第十一電容的另一端、所述電壓保護(hù)芯片的第六引腳均與N地連接；所述電壓保護(hù)芯片的第三引腳分別與第十六電阻、第十八電阻、第七電容、第十九電阻、第十七電阻的一端連接，所述第十六電阻的另一端與MOSFET開關(guān)的源極連接，所述第十八電阻上依次連接有第二十四電阻和第二十五電阻，所述第二十四電阻與第二十五電阻的連接端與電壓保護(hù)芯片的第四引腳連接，所述第十七電阻的另一端與第十五電阻的一端連接，所述第十五電阻的另一端與第四二極管的陰極連接，所述第十九電阻的另一端與第二十六電阻的一端連接，所述第二十六電阻的另一端、所述第七電容的另一端、所述第二十五電阻的另一端均與N地連接；第十八電阻與第二十四電阻的連接端、第十九電阻與第二十六電阻的連接端均與制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種硬件控制的過壓保護(hù)電路，其特征在于所述制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路包括高速光耦芯片，所述高速光耦芯片的第二引腳分別與第十九電阻與第二十六電阻的連接端、第十六電容的一端連接，其第三引腳分別與第十八電阻與第二十四電阻的連接端、第十六電容的另一端連接，其第一引腳和第四引腳懸空，其第五引腳和第八引腳與芯片供給電源高端連接，其第七引腳與芯片供給電源低端連接，其第六引腳與第三十電阻的一端連接，所述第三十電阻的另一端分別與第三十一電阻的一端、第一穩(wěn)壓管的陰極、IGBT管的基極連接，所述第一穩(wěn)壓管的陽極與第二穩(wěn)壓管的陽極連接，所述第二穩(wěn)壓管的陰極、第三十一電阻的另一端、IGBT管的發(fā)射極均與N地連接，所述IGBT管的集電極與制動(dòng)單元連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硬件控制的過壓保護(hù)電路，其特征在于所述制動(dòng)單元包括制動(dòng)電阻，所述制動(dòng)電阻的一端分別與IGBT管的集電極、第六二極管的陽極連接，所述制動(dòng)電阻的另一端分別與第六二極管的陰極、第四二極管的陰極連接。
專利摘要一種硬件控制的過壓保護(hù)電路，包括變頻器，所述變頻器的母線電壓端與繼電器的常開端子連接，所述繼電器的線圈端子與變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路連接，所述變頻器PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)檢測(cè)電路的PWM信號(hào)輸出端與變頻器連接，所述繼電器的公共端子上連接有用于檢測(cè)母線電壓端電壓的過壓檢測(cè)電路和用于與母線連接耗散掉變頻器多余能量的制動(dòng)單元，所述制動(dòng)單元與過壓檢測(cè)電路之間設(shè)有控制制動(dòng)單元工作的制動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)電路。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)通過硬件控制的過壓保護(hù)電路來實(shí)現(xiàn)變頻器的過壓保護(hù)，減少了CPU資源的利用和相應(yīng)的運(yùn)算處理；在變頻調(diào)速系統(tǒng)中，當(dāng)電壓上升到用戶設(shè)定的值時(shí)，能及時(shí)快速的啟動(dòng)制動(dòng)單元，及時(shí)保護(hù)變頻器不受損壞。
文檔編號(hào)H02M1/32GK202750005SQ20112056203
公開日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
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