專(zhuān)利名稱(chēng)：一種大功率mosfet驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)方法，屬于電流控制和電壓變頻檢測(cè)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
當(dāng)前，大功率MOSFET應(yīng)用具有一定特殊性，尤其是高電壓場(chǎng)合，其控制既可以做為類(lèi)繼電器式作，也可以做為恒流充電閉環(huán)控制核心，通常，大功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓在弱電電壓負(fù)10到正30V以?xún)?nèi)。其正向電壓是打開(kāi)大功率MOSFET管，反向加負(fù)壓主要為了可靠關(guān)斷，由于其設(shè)計(jì)特殊性，同時(shí)，大功率MOSFET種類(lèi)繁多，因此需要一個(gè)通用的驅(qū)動(dòng)方法，來(lái)驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET管可靠工作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)方法，以實(shí)現(xiàn)對(duì)各類(lèi)大功率MOSFET的可靠驅(qū)動(dòng)。為實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:TTL式的MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)，經(jīng)過(guò)低壓電壓和限流電阻R1，然后經(jīng)光電隔離器Ul的輸入單元，實(shí)現(xiàn)輸入信號(hào)的隔離，輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)正電源，再經(jīng)輸出限流電阻R2，再經(jīng)光電隔離器Ul的輸出單元，接入負(fù)地，這里的正負(fù)電源是一個(gè)專(zhuān)用的經(jīng)隔離的電源，經(jīng)隔離輸?shù)男盘?hào)再通過(guò)限流電阻R3，輸入到比較器U2的負(fù)端，注意，比較器U2的正端經(jīng)電阻R3接到地，信號(hào)經(jīng)比較后，再經(jīng)限流電阻R5，輸入到對(duì)管驅(qū)動(dòng)器Ql和Q2的基極上，Ql與Q2的射極輸出相聯(lián)，然后經(jīng)限流保護(hù)電阻R6，再驅(qū)動(dòng)大功率M0SFET，注意，大功率MOSFET的輸出與驅(qū)動(dòng)電路的地相接，形成驅(qū)動(dòng)電流回路。本發(fā)明具有驅(qū)動(dòng)能力大，電氣完全隔離，可驅(qū)動(dòng)一個(gè)或是數(shù)十個(gè)到百個(gè)大功率MOSFET同時(shí)并聯(lián)工作，性能穩(wěn)定可靠，尤其是在精密大電流閉環(huán)場(chǎng)合，更能發(fā)揮其控制優(yōu)勢(shì)。


:
附圖1是本發(fā)明的電路工作原圖 具體實(shí)施方式
:
為了使本發(fā)明的技術(shù)方案更加清楚明白，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，此處所描述的具體實(shí)例，僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。實(shí)施例:
請(qǐng)參閱附圖1所示，TTL式的MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)，經(jīng)過(guò)低壓電壓和限流電阻R1，然后經(jīng)光電隔離器Ul的輸入單元，實(shí)現(xiàn)輸入信號(hào)的隔離，輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)正電源，再經(jīng)輸出限流電阻R2，再經(jīng)光電隔離器Ul的輸出單元，接入負(fù)地，這里的正負(fù)電源是一個(gè)專(zhuān)用的經(jīng)隔離的電源，經(jīng)隔離輸?shù)男盘?hào)再通過(guò)限流電阻R3，輸入到比較器U2的負(fù)端，注意，比較器U2的正端經(jīng)電阻R3接到地，信號(hào)經(jīng)比較后，再經(jīng)限流電阻R5，輸入到對(duì)管驅(qū)動(dòng)器Ql和Q2的基極上，Ql與Q2的射極輸出相聯(lián)，然后經(jīng)限流保護(hù)電阻R6，再驅(qū)動(dòng)大功率M0SFET，注意，大功率MOSFET的輸出與驅(qū)動(dòng)電路的地相接，形成驅(qū)動(dòng)電流回路。對(duì)于輸入的TTL式的MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)，可以是電位方式的，主要控制于大電流開(kāi)關(guān)，也可以是積分形式的信號(hào)，當(dāng)為積分信號(hào)時(shí)，這時(shí)光電隔離管一般選擇高靈敏度的器件，以對(duì)積分信號(hào)做出快速準(zhǔn)確匹配的響應(yīng)。
權(quán)利要求
1.本發(fā)明涉及一種大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)方法，具有以下特征:TTL式的MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)，經(jīng)過(guò)低壓電壓和限流電阻R1，然后經(jīng)光電隔離器Ul的輸入單元，實(shí)現(xiàn)輸入信號(hào)的隔離，輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)正電源，再經(jīng)輸出限流電阻R2，再經(jīng)光電隔離器Ul的輸出單元，接入負(fù)地，這里的正負(fù)電源是一個(gè)專(zhuān)用的經(jīng)隔離的電源，經(jīng)隔離輸出的信號(hào)再通過(guò)限流電阻R3，輸入到比較器U2的負(fù)端，注意，比較器U2的正端經(jīng)電阻R3接到地，信號(hào)經(jīng)比較后，再經(jīng)限流電阻R5，輸入到對(duì)管驅(qū)動(dòng)器Ql和Q2的基極上，Ql與Q2的射極輸出相聯(lián)，然后經(jīng)限流保護(hù)電阻R6，再驅(qū)動(dòng)大功率M0SFET，注意，大功率MOSFET的輸出與驅(qū)動(dòng)電路的地相接，形成驅(qū)動(dòng)電流回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于:具有光電隔離器Ul，實(shí)現(xiàn)輸入信號(hào)的隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于:具有一個(gè)比較器U2，它可以是專(zhuān)用比較器，也可以是由運(yùn)放構(gòu)成的比較器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于:具有對(duì)管驅(qū)動(dòng)器Ql和Q2，用于擴(kuò)大輸出能力。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于:大功率MOSFET的輸出與驅(qū)動(dòng)電路的地相接，形成驅(qū)動(dòng)電流回路。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)方法，TTL式的MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)，光電隔離器U1的輸入單元，輸入到比較器U2的負(fù)端，信號(hào)經(jīng)比較后，再經(jīng)限流電阻R5，輸入到對(duì)管驅(qū)動(dòng)器Q1和Q2的基極上，Q1與Q2的射極輸出相聯(lián)，然后經(jīng)限流保護(hù)電阻R6，再驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET，注意，大功率MOSFET的輸出與驅(qū)動(dòng)電路的地相接，形成驅(qū)動(dòng)電流回路，本發(fā)明具有驅(qū)動(dòng)能力大，電氣完全隔離，可驅(qū)動(dòng)一個(gè)或是數(shù)十個(gè)到百個(gè)大功率MOSFET同時(shí)并聯(lián)工作，性能穩(wěn)定可靠，尤其是在精密大電流閉環(huán)場(chǎng)合，更能發(fā)揮其控制優(yōu)勢(shì)。
文檔編號(hào)H02M1/092GK103151907SQ20111040251
公開(kāi)日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月7日
發(fā)明者淡博, 李金錄 申請(qǐng)人:哈爾濱智木科技有限公司