專(zhuān)利名稱(chēng)：大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及調(diào)壓控制器領(lǐng)域，特別涉及一種大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器。
背景技術(shù)：
目前的交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器多采用可調(diào)電阻和電阻分壓來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)相調(diào)壓的功能，但是該技術(shù)是有觸點(diǎn)調(diào)壓，因此存在的缺點(diǎn)為:可調(diào)電阻的表面物質(zhì)隨著次數(shù)上去很容易磨損，變得經(jīng)常出故障，還有它的調(diào)壓要求也要靠機(jī)械方式來(lái)輔助，或人工手調(diào)，其調(diào)壓精度難以做到高分辨率等等。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器，包括可控硅，可控硅的控制端與磁環(huán)隔離觸發(fā)線圈的次級(jí)線圈連接，磁環(huán)隔離觸發(fā)線圈的初級(jí)線圈正端與單晶硅的第一基極連接，磁環(huán)隔離觸發(fā)線圈的初級(jí)線圈負(fù)端與整流橋堆的負(fù)輸出端連接，單晶硅的第二基極通過(guò)一電阻接整流橋堆的正輸出端，單晶硅的發(fā)射極與第二三極管的發(fā)射極連接，單晶硅的發(fā)射極還通過(guò)一電阻接整流橋堆的正輸出端，單晶硅的發(fā)射極還通過(guò)一電容接整流橋堆的負(fù)輸出端，第二三極管的集電極接整流橋堆的正輸出端，第二三極管的基極與第五電阻的一端連接，第五電阻的另一端通過(guò)第二電容接整流橋堆的負(fù)輸出端，其特征在于第五電阻的另一端通過(guò)第四電阻接第一三極管的集電極極，第一三極管的集電極通過(guò)電阻與二極管的陰極連接，二極管的陽(yáng)極與整流橋堆的正輸出端連接，第一三極管的發(fā)射極接整流橋堆的負(fù)輸出端，第一三極管的基極與第二電阻的一端連接，第二電阻的另一端通過(guò)第一電容接整流橋堆的負(fù)輸出端，第二電阻的另一端還通過(guò)第一電阻與單片機(jī)的脈沖輸出端連接。
本發(fā)明利用單片機(jī)、第一電阻、第二電阻、第一電容和第一三極管組成可變阻值，就會(huì)改變第四電阻，第二電容，第五電阻和第二三極管的充電時(shí)間常數(shù)，使單晶硅BT33輸出的脈沖電壓的相位前移或后退，從而改變脈沖電壓的周期，完成交流調(diào)相調(diào)壓的控制。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于能廣泛應(yīng)用于自動(dòng)化設(shè)備控制，可以智能化地完成各類(lèi)復(fù)雜熱處理流程控制等等。


圖1為本發(fā)明的電路圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示，一種大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器，包括可控硅3，可控硅3的控制端與磁環(huán)隔離觸發(fā)線圈6的次級(jí)線圈連接，磁環(huán)隔離觸發(fā)線圈6的初級(jí)線圈正端與單晶娃BT33的第一基極連接,磁環(huán)隔離觸發(fā)線圈6的初級(jí)線圈負(fù)端與整流橋堆I的負(fù)輸出端連接，單晶硅BT33的第二基極通過(guò)一電阻R8接整流橋堆I的正輸出端，單晶硅BT33的發(fā)射極與第二三極管T2的發(fā)射極連接，單晶硅BT33的發(fā)射極還通過(guò)一電阻R7接整流橋堆I的正輸出端，單晶硅BT33的發(fā)射極還通過(guò)一電容C3接整流橋堆的負(fù)輸出端，第二三極管T2的集電極接整流橋堆I的正輸出端，第二三極管T2的基極與第五電阻R5的一端連接，第五電阻R5的另一端通過(guò)第二電容C2接整流橋堆I的負(fù)輸出端，其特征在于第五電阻R5的另一端通過(guò)第四電阻R4接第一三極管Tl的集電極，第一三極管Tl的集電極通過(guò)第三電阻R3與二極管Dl的陰極連接，二極管Dl的陽(yáng)極與整流橋堆I的正輸出端連接，第一三極管Tl的發(fā)射極接整流橋堆I的負(fù)輸出端，第一三極管Tl的基極與第二電阻R2的一端連接，第二電阻R2的另一端通過(guò)第一電容Cl接整流橋堆I的負(fù)輸出端，第二電阻R2的另一端還通過(guò)第一電阻Rl與單片機(jī)2的脈沖輸出端連接。
如圖所示，該單片機(jī)的輸出端還與LCD 4連接，一組輸入端還與一組按鈕7連接，由單片機(jī)通過(guò)LCD和按鈕來(lái)設(shè)置各時(shí)段所輸出的電壓，做到可編程控制，單片機(jī)的上述整流橋堆的輸入端與一變壓器的輸出端連接，變壓器的輸入端與交流電源連接。上述可控硅的一端與交流電源的一端連接，上述可控娃的另一端與負(fù)載5的一端連接,負(fù)載5的另一端與交流電源的另一端連接。
權(quán)利要求
1.大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器，包括可控硅，可控硅的控制端與磁環(huán)隔離觸發(fā)線圈的次級(jí)線圈連接，磁環(huán)隔離觸發(fā)線圈的初級(jí)線圈正端與單晶硅的第一基極連接，磁環(huán)隔離觸發(fā)線圈的初級(jí)線圈負(fù)端與整流橋堆的負(fù)輸出端連接，單晶硅的第二基極通過(guò)一電阻接整流橋堆的正輸出端，單晶硅的發(fā)射極與第二三極管的發(fā)射極連接，單晶硅的發(fā)射極還通過(guò)一電阻接整流橋堆的正輸出端，單晶硅的發(fā)射極還通過(guò)一電容接整流橋堆的負(fù)輸出端，第二三極管的集電極接整流橋堆的正輸出端，第二三極管的基極與第五電阻的一端連接，第五電阻的另一端通過(guò)第二電容接整流橋堆的負(fù)輸出端，其特征在于第五電阻的另一端通過(guò)第四電阻接第一三極管的集電極極，第一三極管的集電極通過(guò)電阻與二極管的陰極連接，二極管的陽(yáng)極與整流橋堆的正輸出端連接，第一三極管的發(fā)射極接整流橋堆的負(fù)輸出端，第一三極管的基極與第二電阻的一端連接，第二電阻的另一端通過(guò)第一電容接整流橋堆的負(fù)輸出端，第二電阻的另一端還通過(guò)第一電阻與單片機(jī)的脈沖輸出端連接。
2.按權(quán)利要求1所述的大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器，其特征在于:該單片機(jī)還與IXD連接。
3.按權(quán)利要求1所述的大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器，其特征在于:單片機(jī)的一組輸入端還與一組按鈕連接。
4.按權(quán)利要求1所述的大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器，其特征在于上述可控娃的一端與交流電源的一端連接，上述可控娃的另一端與負(fù)載的一端連接，負(fù)載的另一端與交流電源的另一端連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種大功率無(wú)級(jí)無(wú)觸點(diǎn)可編程交流過(guò)零同步移相調(diào)壓控制器，其特征在于第五電阻的另一端通過(guò)第四電阻接第一三極管的集電極極，第一三極管的集電極通過(guò)電阻與二極管的陰極連接，二極管的陽(yáng)極與整流橋堆的正輸出端連接，第一三極管的發(fā)射極接整流橋堆的負(fù)輸出端，第一三極管的基極與第二電阻的一端連接，第二電阻的另一端通過(guò)第一電容接整流橋堆的負(fù)輸出端，第二電阻的另一端還通過(guò)第一電阻與單片機(jī)的脈沖輸出端連接。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于能廣泛應(yīng)用于自動(dòng)化設(shè)備控制，可以智能化地完成各類(lèi)復(fù)雜熱處理流程控制等等。
文檔編號(hào)H02M5/451GK103151936SQ20111039966
公開(kāi)日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2011年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月6日
發(fā)明者金榮華, 趙青濱 申請(qǐng)人:上海松盛電器科技有限公司