專利名稱：一種過(guò)流保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種保護(hù)電路，尤其是涉及一種過(guò)流保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
目前，車載電子產(chǎn)品的保護(hù)形式越來(lái)越多，保護(hù)電路也層出不窮，以智能芯片居 多，并得到了大量應(yīng)用，但是由于其核心技術(shù)多掌握在集成芯片廠商的手中，價(jià)格昂貴，嚴(yán) 重影響了企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，所以一些相對(duì)簡(jiǎn)單可靠性高的電路更適合當(dāng)前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的發(fā)展趨 勢(shì)。另外，許多智能芯片的保護(hù)措施都是利用對(duì)溫度的檢測(cè)，根據(jù)過(guò)流中芯片的溫度 保護(hù)，當(dāng)溫度降下來(lái)后，重新開(kāi)始工作，這就造成了芯片反復(fù)在過(guò)流與保護(hù)過(guò)程工作，增大 了過(guò)流時(shí)的功耗。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種電路結(jié)構(gòu) 簡(jiǎn)單、成本低廉、大大減小了過(guò)流時(shí)的功耗的過(guò)流保護(hù)電路。本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于，包括一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路、低電平驅(qū)動(dòng)電路、二極管D3， 所述的二極管D3的陰極與低電平驅(qū)動(dòng)電路連接，所述的二極管D3的陽(yáng)極與一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路 連接，所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路與低電平驅(qū)動(dòng)電路連接。所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括三極管Q1、電阻R1、電阻R2、二極管D1、穩(wěn)壓管D2、電容 Cl ；所述的三極管Ql包括發(fā)射極、集電極、基極，所述的發(fā)射極與電源連接，所述的集 電極與二極管Dl的陽(yáng)極連接，所述的基極通過(guò)電阻Rl與穩(wěn)壓管D2的陰極連接，所述的基 極通過(guò)電阻R2與電源連接，所述的基極與二極管Dl的陰極連接；所述的穩(wěn)壓管D2的陽(yáng)極與二極管D3的陽(yáng)極連接；所述的電容Cl 一端接在穩(wěn)壓管D2的陽(yáng)極與二極管D3的陽(yáng)極之間，另一端接地。所述的低電平驅(qū)動(dòng)電路包括MOS管Q2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管D5 ；所述的MOS管Q2包括源極、漏極、柵極，所述的源極接地，所述的漏極與二極管D3 的陰極連接，所述的柵極與穩(wěn)壓管D5的陰極連接，所述的柵極通過(guò)電阻R4接地，所述的柵 極通過(guò)電阻R3接在三極管Ql的集電極與二極管Dl的陽(yáng)極之間。所述的三極管Ql為PNP型三極管。所述的MOS管Q2為N溝道MOS管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)1、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉。2、此過(guò)流保護(hù)電路屬于自鎖式，當(dāng)負(fù)載過(guò)流發(fā)生后，電路自動(dòng)切斷輸出，直到重新 啟動(dòng)后方可恢復(fù)工作，這樣大大減小了過(guò)流時(shí)的功耗。[0018]3、可通過(guò)調(diào)整二級(jí)管的值，靈活地改變過(guò)流大小。
圖1為本實(shí)用新型的電路圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例如圖1所示，一種過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于，包括一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路1、低電平驅(qū)動(dòng)電 路2、二極管D3，所述的二極管D3的陰極與低電平驅(qū)動(dòng)電路2連接，所述的二極管D3的陽(yáng) 極與一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路1連接，所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路1與低電平驅(qū)動(dòng)電路2連接。所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路1包括三極管Q1、電阻R1、電阻R2、二極管D1、穩(wěn)壓管D2、電 容Cl ；所述的三極管Ql包括發(fā)射極、集電極、基極，所述的發(fā)射極與電源連接，所述的集電 極與二極管Dl的陽(yáng)極連接，所述的基極通過(guò)電阻Rl與穩(wěn)壓管D2的陰極連接，所述的基極 通過(guò)電阻R2與電源連接，所述的基極與二極管Dl的陰極連接；所述的穩(wěn)壓管D2的陽(yáng)極與 二極管D3的陽(yáng)極連接；所述的電容Cl 一端接在穩(wěn)壓管D2的陽(yáng)極與二極管D3的陽(yáng)極之間， 另一端接地。所述的三極管Ql為PNP型三極管。所述的低電平驅(qū)動(dòng)電路2包括MOS管Q2、電阻R3、電阻R4、二極管D5 ；所述的MOS 管Q2包括源極、漏極、柵極，所述的源極接地，所述的漏極與二極管D3的陰極連接，所述的 柵極與二極管D5的陰極連接，所述的柵極通過(guò)電阻R4接地，所述的柵極通過(guò)電阻R3接在 三極管Ql的集電極與二極管Dl的陽(yáng)極之間。所述的MOS管Q2為N溝道MOS管。負(fù)載load接在二極管D3的陰極與MOS管Q2的漏極之間。本實(shí)用新型電路工作原理當(dāng)負(fù)載load正常時(shí)，通電瞬間，由于電容Cl兩端電壓不能突變，所以穩(wěn)壓管D2開(kāi) 始工作，將電壓穩(wěn)定在所選值，促使三極管Ql開(kāi)始工作，輸出高電平驅(qū)動(dòng)后級(jí)的N溝道MOS 管Q2穩(wěn)定工作，由于N溝道MOS管0^2)的強(qiáng)下拉，使得二極管D3將穩(wěn)壓管D2陽(yáng)極電位箝 位在低電平，穩(wěn)壓管D2工作，保證這個(gè)電路正常工作。當(dāng)負(fù)載變化時(shí)，造成流過(guò)N溝道MOS管Q2電流過(guò)大，MOS管Q2內(nèi)部等效為一定值 電阻，使得N溝道MOS管Q2漏極電壓升高，經(jīng)過(guò)二極管D3箝位，則一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路中穩(wěn)壓管 D2陽(yáng)極電壓升高，從而停止工作，那么三極管Ql也就停止對(duì)MOS管Q2的驅(qū)動(dòng)，電路處于關(guān) 斷保護(hù)。
權(quán)利要求1.一種過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于，包括一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路、低電平驅(qū)動(dòng)電路、二極管D3， 所述的二極管D3的陰極與低電平驅(qū)動(dòng)電路連接，所述的二極管D3的陽(yáng)極與一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路 連接，所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路與低電平驅(qū)動(dòng)電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于，所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括 三極管Ql、電阻Rl、電阻R2、二極管Dl、穩(wěn)壓管D2、電容Cl ；所述的三極管Ql包括發(fā)射極、集電極、基極，所述的發(fā)射極與電源連接，所述的集電極 與二極管Dl的陽(yáng)極連接，所述的基極通過(guò)電阻Rl與穩(wěn)壓管D2的陰極連接，所述的基極通 過(guò)電阻R2與電源連接，所述的基極與二極管Dl的陰極連接；所述的穩(wěn)壓管D2的陽(yáng)極與二極管D3的陽(yáng)極連接；所述的電容Cl 一端接在穩(wěn)壓管D2的陽(yáng)極與二極管D3的陽(yáng)極之間，另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于，所述的低電平驅(qū)動(dòng)電路包 括MOS管Q2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管D5 ；所述的MOS管Q2包括源極、漏極、柵極，所述的源極接地，所述的漏極與二極管D3的陰 極連接，所述的柵極與穩(wěn)壓管D5的陰極連接，所述的柵極通過(guò)電阻R4接地，所述的柵極通 過(guò)電阻R3接在三極管Ql的集電極與二極管Dl的陽(yáng)極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于，所述的三極管Ql為PNP型 三極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于，所述的MOS管Q2為N溝道 MOS 管。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種過(guò)流保護(hù)電路，包括一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路、低電平驅(qū)動(dòng)電路、二極管D3，所述的二極管D3的陰極與低電平驅(qū)動(dòng)電路連接，所述的二極管D3的陽(yáng)極與一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路連接，所述的一級(jí)驅(qū)動(dòng)電路與低電平驅(qū)動(dòng)電路連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、大大減小了過(guò)流時(shí)的功耗等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H02H3/08GK201821077SQ20102053792
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者李兵, 鄧卓瑛, 邵巍 申請(qǐng)人:上海航天汽車機(jī)電股份有限公司