專利名稱：供給功率調節(jié)器和半導體制造裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對加熱器供給功率的供給功率調節(jié)器和使用了該供給功率調節(jié)器的 半導體制造裝置。
背景技術：
圖3表示現(xiàn)有的加熱器用的供給功率調節(jié)器。加熱器用的供給功率調節(jié)器20，在 其輸入端具有與交流電源1連接的受電端子板2，在其輸出端具有與加熱器7連接的分配用 端子板6。在受電端子板2和分配用端子板6之間連接有電源斷路器3、電源變壓器4、作為 功率調節(jié)器的功率控制用晶閘管5。在加熱器7內設置有溫度測定用熱電偶8。由受電端子板2輸入交流電源1，通過電源斷路器3，向電源變壓器4供給功率。在 電源變壓器4進行了變壓的功率，由功率控制用晶閘管5控制，從分配用端子板6供給加熱 器7。由此，加熱器7被加熱，加熱器7的溫度發(fā)生變化。由溫度測定用熱電偶8測定該加 熱器溫度并輸入溫度調節(jié)器9。溫度調節(jié)器9求出由溫度測定用熱電偶8測定的測定溫度 與設定溫度之差，并根據(jù)該溫度差計算應供給加熱器7的功率量。該計算結果被換算為相 位控制量，作為控制信號從溫度調節(jié)器9輸出到功率控制用晶閘管5。功率控制用晶閘管5 將與該控制信號的時序對應的功率供給加熱器7。這樣，加熱器用的供給功率調節(jié)器20，在檢測加熱器溫度后由溫度調節(jié)器9決定 輸出控制信號的時序，并根據(jù)該時序對功率控制用晶閘管5進行相位控制，從而控制加熱 器溫度使其等于設定溫度。該相位控制的方法示于圖4。圖4的(a)示出交流電源的電壓波形，圖4的(b) 示出控制功率控制用晶閘管的功率控制用晶閘管控制信號。在相位控制方法中，在交流電 源的每一個周期內，將從功率控制用晶閘管控制信號產(chǎn)生時起到電源波形的零電壓時的期 間設為功率控制期間A，將從零電壓時起到控制信號產(chǎn)生時的期間設為無功功率期間B。而 且，對電源求出比溫度穩(wěn)定時所需的功率大的最大功率。因此，溫度穩(wěn)定時的有效功率被限 制在最大功率的60% 80%左右，除此以外為無功功率，因而使電源的效率惡化。為改善這種狀況，進行了各種嘗試，如采用在原理上不產(chǎn)生無功功率的零交叉控 制、采用功率因數(shù)改善用的相位超前電容器，將有效功率的比率提高到85%以上。零交叉控制，在電路上與圖3相同，但不同點在于，一般作為功率控制用元件采用 SSR(固體繼電器)而不是晶閘管，并改變了其控制信號的內容。該零交叉控制的方法示于 圖5。圖5的(a)示出交流電源的電壓波形，圖5的(b)示出控制SSR的功率控制用SSR 控制信號。采用在電源波形的零電壓時使SSR接通的觸發(fā)方式，并將交流電源的規(guī)定時間 (A+B)作為一個周期(一個循環(huán)時間)，將在該期間內輸出功率控制用SSR控制信號并通電 著的期間設為功率控制期間A，將除此以外的期間設為不消耗功率的非通電期間B。由于零交叉控制只是通/斷電源，因此在原理上不產(chǎn)生無功功率。另外，采用相位超前電容器的控制方式示于圖6。圖6的(a)的實線表示供給側交 流電源波形W1，虛線表示控制側電源波形W2。另外，圖6的(b)示出功率控制用晶閘管控 制信號。當由該控制信號控制用實線表示的供給側交流電源波形Wl時，無功功率期間B較 大，因此，相位角Pl時的功率控制例如僅限制在70%。但是，當用功率控制用晶閘管控制信 號控制由相位超前電容器使相位超前了的用虛線表示的控制側電源波形W2時，無功功率 期間B'減小相位角P2超前的量功率，從表面上看功率因數(shù)提高，功率控制增加到90%。但是，在零交叉控制的情況下，由于對功率控制用元件采用了與絕緣柵雙極晶體 管IGBTansulated Gate Bipolar Transistor)那樣的高速切換功率控制用半導體相比接 通電壓較大的SSR，存在著使加熱器溫度的響應性惡化的問題。另外，在采用相位超前電容 器的情況下，由于有相位超前電容器的補償，需要進行對達到最大功率之前的曲線加以限 制的功率調節(jié)。這是因為，由于進行著相位超前補償，如突然升到最大功率就還要進行相位 滯后補償。因此，使用的方便性惡化。

發(fā)明內容
如上所述，在現(xiàn)有的采用SSR作為功率控制用元件的供給功率調節(jié)器中，在對功 率控制用晶閘管進行零交叉控制來控制溫度時，存在著溫度的響應性惡化的問題。另外， 在采用相位超前電容器的情況下，必須進行對達到最大功率之前的曲線加以限制的功率調 節(jié)，因而使用的方便性惡化。進一步，兩者雖然可以共用，但沒有對電源變化和負載變化采 取任何措施，因此存在著針對電源變化和負載變化的穩(wěn)定性惡化的問題。本發(fā)明是為解決上述現(xiàn)有技術的問題而作出的，其目的在于提供一種小型、溫度 響應性優(yōu)良、對電源變化和負載變化的穩(wěn)定性也良好、使用方便性好的供給功率調節(jié)器和 半導體制造裝置。按照本發(fā)明的方式，提供一種半導體制造裝置，將裝填了多個襯底的保持件送入 反應爐內進行熱處理，其特征在于具有設置在上述反應爐周圍的加熱器和調節(jié)對上述加 熱器的供給功率的供給功率調節(jié)器，上述供給功率調節(jié)器包括=IGBT變換器，將交流電源 的交流電壓變換為以該交流電壓的零交叉點為基準而生成的、與控制信號的頻率對應的交 流功率，向上述加熱器供給；溫度變化檢測裝置，檢測上述加熱器的溫度變化；電源變化檢 測裝置，從由上述交流電源供給上述供給功率調節(jié)器的交流電壓中檢測上述交流電源的電 源變化；負載變化檢測裝置，從供給上述加熱器的交流功率中檢測負載變化；以及頻率可 變裝置，根據(jù)上述溫度變化檢測裝置、上述電源變化檢測裝置和上述負載變化檢測裝置的 各檢測結果，在對上述溫度變化的反饋控制中引入對上述電源變化的前饋控制和對上述負 載變化的反饋控制，控制上述控制信號的頻率。另外，本發(fā)明提供一種供給功率調節(jié)器，用于調節(jié)對設置在半導體制造裝置的反 應爐的周圍的加熱器的供給功率，其特征在于，上述供給功率調節(jié)器包括=IGBT變換器，將 交流電源的交流電壓變換為以該交流電壓的零交叉點為基準而生成的、與控制信號的頻率 對應的交流功率，向上述加熱器供給；溫度變化檢測裝置，檢測上述加熱器的溫度變化；電 源變化檢測裝置，從由上述交流電源供給上述供給功率調節(jié)器的交流功率中檢測上述交流 電源的電源變化；負載變化檢測裝置，從供給上述加熱器的交流功率中檢測負載變化；以及頻率可變裝置，根據(jù)上述溫度變化檢測裝置、上述電源變化檢測裝置和上述負載變化檢 測裝置的各檢測結果，在對上述溫度變化的反饋控制中引入對上述電源變化的前饋控制和 對上述負載變化的反饋控制，控制上述控制信號的頻率。另外，本發(fā)明提供一種基于本發(fā)明的半導體制造裝置的半導體器件的制造方法， 該半導體制造裝置將裝填了多個襯底的保持件送入反應爐內，將交流電源的交流電壓變換 為以該交流電壓的零交叉點為基準而生成的、與控制信號的頻率對應的交流功率，將該變 換功率向設于上述反應爐的周圍的加熱器供給來進行熱處理，該半導體器件的制造方法的 特征在于檢測上述加熱器的溫度變化；從由上述交流電源供給上述供給功率調節(jié)器的交 流電壓中檢測上述交流電源的電源變化；從供給上述加熱器的交流功率中檢測負載變化； 根據(jù)上述溫度變化的檢測結果、上述電源變化的檢測結果以及上述負載變化的檢測結果， 在對上述溫度變化的反饋控制中引入對上述電源變化的前饋控制和對上述負載變化的反 饋控制，控制上述控制信號的頻率。另外，本發(fā)明提供一種功率用IGBT轉換器，其包括切換電路，該切換電路具有上 下兩級串聯(lián)層疊的上級IGBT和下級IGBT，通過脈寬調制控制來對上述上級IGBT和上述下 級IGBT的開閉進行控制，從而切換從交流電源輸出的交流電壓，并調整從上述交流電源提 供給負載的功率。另外，本發(fā)明提供一種再生用IGBT轉換器，其包括切換電路，該切換電路具有上 下兩級串聯(lián)層疊的上級IGBT和下級IGBT，從交流電源向負載提供功率，來將上述負載側產(chǎn) 生的反電動勢用上述上級IGBT和上述下級IGBT進行切換，從而得到再生功率，并將該再生 功率返回給上述交流電源。另外，本發(fā)明提供一種供給功率調節(jié)器，其包括功率用IGBT轉換器和再生用IGBT 轉換器，其中，上述功率用IGBT轉換器，包括具有上下兩級串聯(lián)層疊的上級功率用IGBT和 下級功率用IGBT的切換電路，用上述上級功率用IGBT切換從交流電源輸出的交流電壓的 正半波和負半波的一者，用上述下級功率用IGBT切換另一者，從而調整從上述交流電源提 供給負載的功率，上述再生用IGBT轉換器，包括具有上下兩級串聯(lián)層疊的上級再生用IGBT 和下級再生用IGBT的切換電路，用上述上級再生用IGBT切換從負載側產(chǎn)生的反電動勢的 正半波和負半波的一者，用上述下級再生用IGBT切換另一者而得到再生功率，將該再生功 率返回給上述交流電源。按照本發(fā)明的實施方式，可以得到一種小型、溫度響應性優(yōu)良、針對電源變化和負 載變化的穩(wěn)定性也良好、使用方便性好的供給功率調節(jié)器和半導體制造裝置。


圖1是本發(fā)明一個實施方式的供給功率調節(jié)器的框圖。圖2是本發(fā)明一個實施方式的供給功率調節(jié)器的主要部分的具體的框圖。圖3是現(xiàn)有例的供給功率調節(jié)器的框圖。圖4是現(xiàn)有的基于相位控制的功率供給方法的說明圖。圖5是現(xiàn)有技術和實施例共用的基于零交叉控制的功率供給方法的說明圖。圖6是現(xiàn)有的基于相位超前電容器方式的功率因數(shù)改善的說明圖。圖7是本發(fā)明一個實施方式的供給功率調節(jié)器的主要部分圖。
圖8是表示本發(fā)明一個實施方式的供給功率調節(jié)器的主要部分的切換動作和各 點的電壓波形的圖。圖9是本發(fā)明一個實施方式的電源變化檢測裝置22、負載變化檢測裝置23和頻率 可變電路15的具體的說明圖。圖10是表示本發(fā)明一個實施方式的作為制造半導體的工序之一的對半導體襯底 進行熱處理用的熱處理裝置的一例的斜視圖。圖11是表示本發(fā)明一個實施方式的反應爐的一例的剖視圖。
具體實施例方式作為實現(xiàn)上述目的研究成果，本發(fā)明人在對IGBT考慮了功率消耗、高速切換等情 況下，發(fā)現(xiàn)了最適合上述目的技術方案，進而得到了如果由IGBT對交流電壓進行直接切換 就無需具有整流電路的見解，從而導致本發(fā)明的創(chuàng)立。以下，說明本發(fā)明的供給功率調節(jié)器的一個實施方式。本實施方式的供給功率調節(jié)器，將進行高速切換動作的變換器的輸出作為功率供 給加熱器，對該變換器的器件使用了作為高速切換功率控制用元件的IGBT。由IGBT對交流 電源的交流電壓進行直接切換并將進行了脈沖調制的交流功率供給加熱器，使無功功率幾 乎為零，從而有效地利用了電源。如圖1所示，從交流電源1向加熱器7供給功率的供給功率調節(jié)器21，在其輸入端 具有與交流電源1連接的受電端子板2，在其輸出端具有與加熱器7連接的分配用端子板 6。交流電源1例如為頻率50/60Hz、AC200V的單相工業(yè)電源。加熱器7例如為二硅化鉬制 的電阻加熱器。在受電端子板2上連接電源斷路器3，進而根據(jù)需要連接電源變壓器4。在受電端 子板2輸入交流電源1，通過電源斷路器3，將功率供給電源變壓器4。根據(jù)加熱器7的規(guī) 格，有時也不使用該電源變壓器4。此外，供給功率調節(jié)器21，有時也準備多個IGBT變換器 11，以便能夠將加熱器7劃分為多個區(qū)域并分別進行功率控制。在電源變壓器4的二次側，還具有輸入側濾波電路10、IGBT變換器11、電源變化檢 測裝置22、負載變化檢測裝置23、溫度變化檢測裝置M、頻率可變裝置(以下稱為頻率可變 電路)15、輸出側濾波電路30。由電源變壓器4變壓后的功率，通過輸入側濾波電路10供 給由頻率可變電路15控制的IGBT變換器11，并通過輸出側濾波電路30施加于連接在分配 用端子板6上的加熱器7。以下，用圖7所示的供給功率調節(jié)器的主要部分圖來說明輸入側濾波電路10、輸 出側濾波電路30和IGBT變換器11。輸入側濾波電路10是按濾波方式使用了 LC的低通濾波器，具有將濾波要素按CLC 的順序配置的結構。線圈L分割為Ll-I和L1-2并插入輸入線路和公共線路。此外，LC前 的電容器C1-1，用于除去電源波形中載有的高頻分量和用于降低損耗，最好是電容非常小 的電容器。低通濾波器的截止頻率，從電源波形、噪聲的觀點來考慮，設定為切換頻率(為 IGBT在1秒鐘內導通/截止的次數(shù)，在本實施例中為20KHz。)的1/10 l/40(500Hz 2KHz)。因此，能夠截止高的頻率分量而將作為目的工業(yè)頻率(50Hz或60Hz)左右的功率可 靠地供給加熱器7。
輸入側濾波電路10抑制因使IGBT變換器11以高速、高頻進行切換動作而產(chǎn)生的 電磁噪聲。因此，能夠抑制在與交流電源1側連接的IGBT變換器11的輸入線路中感應的 電磁噪聲，因而能夠防止在交流電源中產(chǎn)生噪聲故障。輸出側濾波電路30與輸入側濾波電路10同樣地，是按濾波方式使用了 LC的低通 濾波器，具有將濾波要素按LCC的順序配置的結構。線圈L分割為L2-1和L2-2并插入輸 出線路和公共線路。此外，LC后的電容器C2-2，也如在輸入側濾波電路10中所述的那樣， 是用于除去電源波形中載有的高頻分量的電容器。進而，該低通濾波器的截止頻率也同樣 為 500Hz 2KHz。輸出側濾波電路30對由IGBT變換器11進行切換而得到的輸出進行濾波(使其 平滑)，并且有效地除去輸出中所含有的高頻分量。IGBT變換器11具有功率用IGBT變換器Ila和再生用IGBT變換器lib。由于IGBT 變換器11分別進行正的電壓·電流和負的電壓·電流的切換，因此最好為雙臂型。功率用 IGBT變換器Ila由高速整流電路FRDl和具有IGBT2的斬波部構成。斬波部具有施加斬波 部PWM信號的上臂和下臂。再生用IGBT變換器lib具有IGBT3和高速整流電路FRD2。由上述IGBT2以高速、高頻的基本載頻對交流進行直接切換。例如基于PWM方式 的切換時刻，從供給源的交流檢測零交叉點，以該零交叉點為基準，校準控制信號(PWM信 號)。然后，以校準后的載頻切換供給源的交流并得到脈沖調制波，將其通過輸出側濾波電 路30供給加熱器7。從頻率可變電路15輸出的控制信號，根據(jù)變化(溫度、功率、負載)改 變施加到IGBT的柵極(臂)上的控制信號的占空比。圖8是示出圖7所示的供給功率調節(jié)器的主要部分的切換動作、以及各點((a) (e)、(f) (i))的電壓波形的圖。用圖8詳細說明IGBT變換器11的作用。首先，如(a) 所示將工業(yè)頻率交流電源的電壓波形A供給端子板TBI。將通過臂對IGBT變換器11施加 的PWM信號的輸入頻率固定在20KHz (50 μ sec)。對IGBT2的上臂和下臂分別施加如(b)、 (c)所示的斬波部PWM信號。IGBT變換器11的輸出電壓波形B，僅當IGBT2導通時(施加 PWM信號時)使工業(yè)頻率交流電源通電，當IGBT2截止時將工業(yè)頻率交流電源通電切斷，因 此成為(d)那樣的輸出波形。該輸出由輸出側濾波電路30進行平滑濾波，并從輸出側濾波 電路30通過分配用端子板(TB》輸出(e)那樣的失真小的工業(yè)頻率的電壓波形C。這樣， 通過改變IGBT2導通著的時間來控制輸出到最終的負載的供給電壓的電壓峰值。因此，利 用對IGBT變換器11中使用的對IGBT2施加的PWM信號，可以不改變供給電壓的頻率而只 將峰值控制在0 70%的范圍內并向負載輸出。此外，當如(f)、(g)那樣使施加在IGBT2的上臂和下臂的斬波部PWM信號的脈寬 大于上述(b)、(c)所示的脈寬時，IGBT變換器11的輸出電壓波形B成為(h)那樣的波形， 對最終的負載輸出的供給電壓的電壓波形C，可以如(i)那樣使電壓峰值大于上述(e)的峰值。由于通過組裝在IGBT變換器11內的IGBT2對交流電壓進行直接切換，因此在 IGBT變換器11的輸入側不需要二極管全波整流電路。作為構成該IGBT變換器11的切換元件的IGBT2，是將電壓驅動的柵極進行了組合 的雙極功率晶體管，柵極驅動功率消耗少適用于高速切換。而且，由于是高頻且大容量的元 件，導通電壓比MOSFET(SSR)大幅度地減小。為了減小無功功率而以高頻控制該IGBT2。
溫度變化檢測裝置M檢測加熱器7的溫度變化，將與該變化對應的反饋信號輸出 到頻率可變電路15。該溫度變化檢測裝置M具有作為溫度傳感器的溫度測定用熱電偶8、 和用于調節(jié)加熱器溫度的溫度調節(jié)器9。溫度測定用熱電偶8在加熱器7附近設置所需個數(shù)，根據(jù)熱電動勢測定加熱器溫 度。溫度調節(jié)器9求出由溫度測定用熱電偶8測定到的加熱器7的測定溫度與設定溫度的 溫度差(溫度變化)，根據(jù)該溫度差計算應供給加熱器7的功率量，并將計算結果作為反饋 信號輸出到頻率可變電路15。另外，當檢測到溫度異常時，溫度調節(jié)器9還輸出報警信號。電源變化檢測裝置22檢測來自輸入側濾波電路10的輸出功率的變化，將與該變 化對應的前饋信號輸出到頻率可變電路15。該電源變化檢測裝置22具有測定在輸入側濾 波電路10的輸出端流過的電流的電流變換器12、測定輸入側濾波電路10的輸出線的電 壓的電壓測定線路13、以及電源電壓·電流前饋電路14。為檢測輸出功率的變化，電源電 壓·電流前饋電路14求出由電流變換器12測定的測定電流與設定電流之差、和由電壓測 定線路13測定的測定電壓與設定電壓之差。這些差的乘積(功率)就是電源變化。將該 電源變化作為前饋信號輸出到頻率可變電路15。負載變化檢測裝置23檢測供給加熱器7的輸出功率的變化，并將與該變化對應的 反饋信號輸出到頻率可變電路15。該負載變化檢測裝置23具有測定輸出側濾波電路30的 輸出線間電壓的電壓測定線路17、測定流過加熱器7的電流的電流變換器18、以及控制電 壓·電流反饋電路16。為了檢測負載變化，控制電壓·電流反饋電路16求出由電壓測定線 路17測定的測定電壓與設定電壓之差、和由電流變換器18測定的測定電流與設定電流之 差。這些差的乘積(功率)就是負載變化。將該負載變化作為反饋信號輸出到頻率可變電 路15。此外，為了高精度地測量負載電流的變化，也可以將電流變換器18設置在靠分配 用端子板6外側的加熱器7 —側。頻率可變電路15根據(jù)電源變化檢測裝置22和負載變化檢測裝置23的變化結果， 對IGBT變換器11進行頻率控制。具體來說，頻率可變電路15根據(jù)從電源變化檢測裝置22 的電源電壓·電流前饋電路14輸出的變化信號、從負載變化檢測裝置23的控制電壓·電 流反饋電路16輸出的變化信號、以及從溫度變化檢測裝置M的溫度調節(jié)計9輸出的信號， 將具有與應供給加熱器7的功率量對應的頻率的柵極控制信號施加到構成IGBT變換器11 的各IGBT的柵極上。通過對IGBT進行頻率控制并使頻率大致連續(xù)地變化，從而控制施加到加熱器7上 的功率。頻率可變幅度越大功率的控制性越好?；陬l率可變電路15的頻率控制，從改變頻率這一點上，與VVVF控制的VF (可變 頻率)控制相同。在本頻率控制中，還包括使基本載頻恒定而控制占空比的PWM控制。VF 控制、PWM控制的每一個都是在0電壓時使IGBT導通，因此都是零交叉控制。在上述實施方式的供給功率調節(jié)器21中，溫度調節(jié)器9和頻率可變電路15，按如 下方式進行控制以使加熱器7的溫度成為設定溫度。溫度調節(jié)器9求出測定溫度與設定溫度的溫度差，根據(jù)該溫度差，計算應供給加 熱器7的功率量，并將計算結果輸出到頻率可變電路15。頻率可變電路15，將具有與溫度 調節(jié)器9的輸出值對應的頻率的柵極控制信號施加到IGBT變換器11。IGBT變換器11將從輸入側濾波電路10輸出的交流功率變換為與頻率可變電路15的柵極控制信號對應的頻 率的交流功率，并通過輸出側濾波電路30供給加熱器7。通過向加熱器7供給功率，加熱器 7的溫度發(fā)生改變。通過這樣的溫度變化檢測一控制計算一輸出值的輸出一溫度的變化一溫度變化 的檢測一...這樣的閉合環(huán)路進行反饋控制。由于在檢測溫度狀態(tài)后由溫度調節(jié)器9和頻 率可變電路15決定輸出量，從而能夠良好地進行反饋控制。因此，可以通過校正加熱器的 溫度變化而向加熱器7供給穩(wěn)定的功率，并能將加熱器7保持在預定的溫度。而且，由于頻 率控制是零交叉控制，因此能夠進行沒有無功功率的高效率的控制。當如上述那樣對加熱器溫度良好地進行反饋控制時，如果交流電源1的電壓發(fā)生 變化，則該電壓變化將在輸入側濾波電路10的輸出中表現(xiàn)為電流變化和電壓變化。該電流 變化和電壓變化，由電流變換器12和電壓測定線路13測定，并由電源電壓 電流前饋電路 14檢測。從電源電壓·電流前饋電路14向頻率可變電路15輸入與該功率變化對應的控制 信號。頻率可變電路15利用該信號，輸出與電源功率和設定功率之差對應的頻率的柵極控 制信號。將該柵極控制信號施加到IGBT變換器11來對IGBT變換器11進行頻率控制。因 此，能夠校正交流電源1的電壓變化來向加熱器7供給穩(wěn)定的功率。而且，由于頻率控制是 零交叉控制，因而能夠進行沒有無功功率的高效率的控制。通過該前饋控制，改善了從輸入 側濾波電路(交流電源)10到溫度測定用熱電偶8的響應特性。另外，當如上述那樣對加熱器溫度良好地進行反饋控制時，如果加熱器7上出現(xiàn) 紊亂(例如接觸到外部的空氣等)、或加熱器的性質稍有變化而使負載發(fā)生變化，則表現(xiàn)為 IGBT變換器11的輸出功率的變化。即，流過加熱器7的負載電流和施加于加熱器7的負載 電壓發(fā)生變化。該電流變化和電壓變化，由電流變換器18和電壓測定線路17檢測，并由控 制電壓 電流反饋電路16測定。從控制電壓·電流反饋電路16向頻率可變電路15輸入與 該功率變化對應的信號。頻率可變電路15利用該信號，輸出與電源功率和設定功率之差對 應的頻率的柵極控制信號。將該柵極控制信號施加于IGBT變換器11并進行頻率控制。因 此，能夠校正負載變化來向加熱器7供給穩(wěn)定的功率。而且，由于頻率控制是零交叉控制， 能夠進行沒有無功功率的高效率的控制。該負載變化控制，與通過紊亂一加熱器溫度變化一熱電偶檢測這3個步驟的溫度 變化控制相比，為紊亂一功率變化檢測這2個步驟，因此能夠省略熱電偶檢測的步驟，從而 加快響應速度。在上述實施方式中，供給功率調節(jié)器21中具有電源變化檢測裝置22、負載變化檢 測裝置23、溫度變化檢測裝置24、頻率可變電路15，但不論該方式如何，作為例如調節(jié)向負 載(加熱器)供給功率的眾所周知的功率調節(jié)器和輸出控制信號的裝置，可以設置電源變 化檢測裝置22、負載變化檢測裝置23、溫度變化檢測裝置M、頻率可變電路15并將其組合 使用。用圖9就另一個實施方式說明頻率可變電路15根據(jù)來自電源變化檢測裝置22、負 載變化檢測裝置23、溫度變化檢測裝置M的變化信號對IGBT輸出柵極控制信號的處理。電源變化檢測裝置22，分別由AC/DC轉換器22a、22b將電流變換器12測定的電 流、電壓測定線路13測定的電壓從有效值(RMS)轉換為DC，由計算器22c進行電流(DC) X 電壓(DC)=—次側功率的計算，并作為一次側電源變化反饋信號FB 1輸入到頻率可變電路15。負載變化檢測裝置23，分別由AC/DC轉換器23a、2 將電流變換器18測定的電 流、電壓測定線路17測定的電壓從有效值(RMS)轉換為DC，由計算器23c進行電流(DC) X 電壓(DC) = 二次側功率的計算，并作為二次側電源變化反饋信號FB2輸入到頻率可變電路 15。溫度變化檢測裝置M將從溫度調節(jié)器9輸出的信號作為功率設定信號輸入到頻 率可變電路15。頻率可變電路15，在內部有二個功率增益調節(jié)器15a、1 和一個功率設定增益調 節(jié)器15c，通過可以單獨調節(jié)的模擬運算或CPU運算，進行各信號的信號電平的電平調節(jié)。 然后，將進行了電平調節(jié)的各信號輸入到加法器15f進行加法運算。該加法運算也通過模 擬運算或CPU運算進行。在如上所述的結構中，當對頻率可變電路15分別輸入一次側電源變化反饋信號 FBl和二次側負載變化反饋信號FB2時，一次側電源變化反饋信號FBl和二次側負載變化反 饋信號FB2，由功率增益調節(jié)器15a、1 調整增益，并由反相器15d、lk反轉為負后輸入到 加法器15f。然后，在加法器15f中，將預先輸出功率設定信號時的反饋信號FBI' (FB2') 與反饋信號FBl(ra2)進行比較，其差值作為電源變化(負載變化)與功率設定信號相加。當從溫度變化檢測裝置M向頻率可變電路15輸出功率設定信號時，功率設定信 號由功率設定增益調節(jié)器15c進行增益調節(jié)并輸入到加法器15f。當發(fā)生電源變化或負載 變化時，頻率可變電路15將如上述那樣進行了增益調節(jié)的一次側電源變化反饋信號FBl和 二次側負載變化反饋信號FB2的變化部分在加法器15f內與功率設定信號相加，并將最佳 的功率設定信號作為柵極控制信號(IGBT頻率設定信號)輸出。如這樣地使用高頻且大容量的IGBT作為構成高速切換功率控制用半導體變換器 的元件、并在對溫度變化的反饋控制中引入了對電源變化的前饋控制和對負載變化的反饋 控制，所以溫度穩(wěn)定性、對電源變換和負載變化的穩(wěn)定性極其優(yōu)良，因而可以使加熱器溫度 獲得很高的穩(wěn)定性。尤其是，除溫度變化以外還引入了電源電壓變化和負載變化這一點，由 于采用作為高頻且大容量元件的IGBT才首次成為可能。圖2是上述的輸入側濾波電路10、IGBT變換器11、輸出側濾波電路30的具體的 說明圖。輸入側濾波電路10和輸出側濾波電路30都是由常規(guī)濾波電路構成。即，輸入側濾 波電路10由與輸入線路31串聯(lián)連接的扼流圈ACL1、和在扼流圈ACLl的靠功率用IGBT變 換器Ila —側的輸入線路31和公共線路33之間并聯(lián)連接的多個電容器CFl CF6構成。 當由常規(guī)濾波電路構成輸入側濾波電路10時，可以有效地使從IGBT變換器11向輸入側漏 泄的電磁噪聲衰減。另外，輸出側濾波電路30由與輸入線路32串聯(lián)連接的扼流圈ACL2、和在扼流圈 ACL2的靠加熱器7 —側的輸出線路32和公共線路33之間并聯(lián)連接的多個電容器CF7 CF12構成。當由常規(guī)濾波電路構成輸出側濾波電路30時，可以有效地將從IGBT變換器11 輸出的交流功率中所含有的高頻分量除去。而且，如果是在公共線路33上不設元件的常規(guī) 濾波器，就可以有效地使高頻的尖峰信號分量(反電動勢)通過加熱器7從公共線路33返 回再生用IGBT變換器lib。其結果是，在公共線路33上沒有能量釋放，可以有效地進行功率再生，因而能提高交流電源1的能量效率。IGBT變換器11由作為進行主電路的通/斷的主電路切換元件部的功率用IGBT變 換器11a、和當主電路切換元件斷開時進行動作的再生用IGBT變換器lib構成，各自一體化 而構成封裝組件。各元件由正的電壓·電流用和負的電壓·電流用的二個系統(tǒng)構成，為防 止反向電流，還分別配置高速整流元件。功率用IGBT變換器Ila由高速整流電路FRD1、串聯(lián)上下兩級的前級切換電路 IGBT1、緩沖電路CRF1、串聯(lián)上下兩級的后級切換電路IGBT2(扼流圈的一部分)構成。在圖 2中，因流過電流很多而準備了二個IGBT。作為切換方法，功率用IGBT變換器11a，如上述 那樣通過PWM控制(脈寬調制)進行通/斷控制。再生用IGBT變換器lib進行電源電壓 的正負的判斷動作。最好是可以通過負載是純電阻負載或具有電感性負載的純電阻負載在 切換動作中計入延遲時間進行調節(jié)的電路結構。高速整流電路FRDl由在中心抽頭連接輸入線路31的中心抽頭型的高速整流元件 構成，將從輸入線路31施加的供給源的交流整流為正的半波和負的半波，并根據(jù)極性分配 到前級切換電路IGBTl的上級和下級。前級切換電路IGBTl和后級切換電路IGBT2，都是由串聯(lián)上下兩級組成的雙臂型 的IGBT構成。在各IGBT中并聯(lián)連接著續(xù)流二極管。前級切換電路IGBTl和后級切換電 路IGBT2并聯(lián)運行，分別由上級的IGBT對由高速整流電路FRDl分配的正的半波、由下級的 IGBT對負的半波進行直接切換。緩沖電路CRFl同樣由雙臂型構成，與前級切換電路IGBTl和后級切換電路IGBT2 公共連接，用于使構成這些電路的各IGBT截止時在電路內產(chǎn)生并通過續(xù)流二極管FWD流過 的電流作為熱量消耗掉。功率用IGBT變換器Ila由高速整流電路FRDl根據(jù)極性分配施加于輸入電路31 的交流，通過前級切換電路IGBTl和后級切換電路IGBT2進行切換而得到交流功率，將該交 流功率施加于輸出側濾波電路30。另外，由緩沖電路CRFl將在功率用IGBT變換器Ila內 產(chǎn)生的反電動勢變?yōu)闊嵯?。再生用IGBT變換器lib由在中心抽頭連接公共線路33的中心抽頭型的高速整流 電路FRD2、串聯(lián)上下兩級的雙臂型的切換電路IGBT3、與切換電路IGBT3的各級并聯(lián)連接的 兩個單臂型的緩沖電路CRF2、CRF3構成。在該再生用IGBT變換器lib中，由高速整流電路FRD2根據(jù)極性分配在IGBT變 換器11以外產(chǎn)生并從公共線路33返回來的反電動勢，由切換電路IGBT3的各級根據(jù)極性 直接對交流進行切換而得到再生功率，并將該再生功率通過功率用IGBT變換器11a、輸入 側濾波電路10返回交流電源1。另外，在緩沖電路CRF2、CRF3中，將在再生用IGBT變換器 lib內產(chǎn)生的反電動勢變?yōu)闊嵯摹D10示出本發(fā)明一個實施方式的作為制造半導體的工序之一的對半導體襯底進 行熱處理用的半導體制造裝置的熱處理裝置110的一例的斜視圖。該熱處理裝置110為分 批式縱向型熱處理裝置，具有配置主要部分的殼體112。在殼體112內的背面上側配置有反應爐140。將裝填了多個襯底的襯底保持件130 送入該反應爐140內并進行熱處理。圖11示出反應爐140的剖視圖的一例。該反應爐140具有石英制的反應管142。該反應管142為上端部封閉而下端部敞開的圓筒形狀。在該反應管142的下方配置有石英 制的連接部144以支承反應管142。由反應管142和連接部144構成反應容器143。另外， 在反應容器143中的除連接部144以外的反應管142的周圍配置有加熱器146。由反應管142和連接部144形成的反應容器143的下部敞開，以便插入襯底保持 件130。該敞開部分(爐口部)通過使爐口密封板148與連接部144下端部突緣的下表面 抵接而被密封閉。爐口密封板148被設置成支承襯底保持件130，并可與襯底保持件130 — 起升降。襯底保持件130以大致水平的狀態(tài)隔開間隙地多層支承多個、例如25 100個襯 底154，并裝填在反應管142內。在連接部144上與連接部144 一體地設置有氣體供給口 156和氣體排出口 159。 分別在氣體供給口 156上連接有氣體導入管160、在氣體排出口 159上連接有排氣管162。從氣體導入管160導入氣體供給口 156的處理氣體，通過設置在連接部144側壁 部的氣體導入通路164、噴嘴166供給到反應管142內。下面，說明如上述那樣構成的熱處理裝置110的作用。此外，在以下的說明中，構成熱處理裝置110、即用于進行熱處理的襯底處理裝置 的各部的動作由控制器170進行控制。首先，在將收存了多個襯底154的容器116放置在容器承載臺114上時，由容器輸 送裝置118將容器116從容器承載臺114輸送到容器擱板120，堆放在該容器擱板120上。 接著，由容器輸送裝置118，將堆放在該容器擱板120上的容器116輸送并放置在容器開啟 器122上，由該容器開啟器122將容器116的蓋打開，并由襯底個數(shù)檢測器IM檢測存放在 容器116內的襯底154的個數(shù)。然后，由襯底轉裝機1 的鉗子132( , 4 一廿)從處于容器開啟器122的位置的 容器116中取出襯底IM并轉裝到槽口位置對準器128。在槽口位置對準器128，一邊使襯 底1 旋轉，一邊檢測并對準槽口。接著，由襯底轉裝機1 的鉗子132從槽口位置對準器 128中取出襯底154，并轉裝到襯底保持件130上。這樣，在將一批襯底IM轉裝到襯底保持件130后，將裝填了多個襯底IM的襯底 保持件130插入到例如設定為600°C左右溫度的反應爐140(反應容器140)內，并由爐口密 封板148將反應爐140內密封。然后，將爐內溫度升溫到熱處理溫度，并從氣體導入管160 通過氣體供給口 156、設置在連接部144側壁部的氣體導入通路164和噴嘴166將處理氣體 導入到反應管142內。當對襯底巧4進行熱處理時，將襯底巧4加熱到例如1000°C的設定 溫度。當為了達到設定溫度而調節(jié)對加熱器的供給功率時，將實施方式的供給功率調節(jié)器 作為上述控制器170的一部分使用。當襯底154的熱處理結束時，在將爐內溫度降溫到例如600°C左右的溫度后，將支 承熱處理后的襯底154的襯底保持件130從反應爐140內取出，在由襯底保持件130支承 的所有襯底1 冷卻的期間，使襯底保持件130在預定位置待機。接著，當待機的襯底保持 件130的襯底154冷卻到預定溫度時，由襯底轉裝機126從襯底保持件130取出襯底154， 輸送并收存在放置在容器開啟器122上的空的容器116內。然后，由容器輸送裝置118將 收存了襯底154的容器116輸送到容器擱板120、或容器承載臺114，從而完成一系列的處 理。如上所述，按照實施方式的供給功率調節(jié)器，能夠得到如下效果。
由于由IGBT變換器直接切換交流電源的交流電壓，因而不需要IGBT變換器前級 的二極管全波整流電路，從而能夠實現(xiàn)小型的供給功率調節(jié)器。例如，雖然全波整流電路也取決于其容量，但在200A等級中尺寸大約為 200 (W) X 350 (D) X 100 (H)。具有這樣的全波整流電路的供給功率調節(jié)器的總體尺寸大約為 600 (W) X800 (D) X 1200 (H)。在本實施方式中，由于沒有全波整流電路，因而供給功率調節(jié) 器的整體大小可以減小到大約其尺寸的80%。另外，在IGBT變換器中產(chǎn)生的電磁噪聲，由輸入側濾波電路抑制，所以能夠防止 電磁噪聲混入交流電源。因此，能夠防止在交流電源中發(fā)生噪聲故障。而且，能夠抑制在從 交流電源到IGBT變換器的輸入電纜中感應電磁噪聲。另外，IGBT變換器的輸出中含有的高頻分量由輸出側濾波電路抑制，因此能夠衰 減供給加熱器的交流功率中的高頻分量。另外，由于具有再生用IGBT變換器并將在IGBT變換器以外產(chǎn)生的反電動勢再生 并返回交流電源，因此能夠提高交流電源的能量效率。尤其是，IGBT變換器以高速 高頻 進行切換動作，反電動勢的發(fā)生次數(shù)也相應地增多，因而頻繁地進行功率再生，所以非常有 助于能量效率的提高。由于在溫度變化的反饋控制中引入了對電源電壓變化進行前饋控制、對負載變化 進行反饋控制，因此能夠提供溫度穩(wěn)定性優(yōu)良的控制系統(tǒng)。而且，可以進行穩(wěn)定的功率控 制，使用的方便性得到改善。由于是零交叉控制，在原理上沒有無功功率，因而可以有效利用電源功率，并能提 供高效率的供給功率調節(jié)器。由于采用原有的溫度調節(jié)器9、將其輸出施加到頻率可變電路15、并輸出IGBT的 柵極控制信號，因而與現(xiàn)有系統(tǒng)具有互換性，僅稍加變更就可以很容易地從現(xiàn)有系統(tǒng)變更 為本系統(tǒng)。此外，也可以不對溫度調節(jié)器使用原有的調節(jié)器，而與電源變化或負載變化的情 況同樣地將計算功能移植到頻率可變電路15內，使溫度調節(jié)器構成為只檢測溫度變化的 電路。通過采用高速切換元件，能夠節(jié)省功率并可以無浪費地得到所需的功率。尤其是， 由于使用作為高頻元件的IGBT，因而溫度響應性優(yōu)良，而且適合于厭惡噪聲的器械操作線 路附近的加熱器控制。此外，在上述的實施方式中，除對溫度變化進行控制之外，還引入了對電源電壓變 化和負載變化兩者的控制，但也可以在溫度變化控制中只對電源電壓變化進行控制、或在 溫度變化控制中只對負載變化進行控制。對于前者，可以校正供給電源的電壓變化從而得 到穩(wěn)定的功率。對于后者，可以抑制加熱器的負載變化。按照本發(fā)明的實施方式，能夠減小成為使用設備的誤動作 損壞、進而成為外圍設 備的誤動作的原因的高速切換時產(chǎn)生的浪涌電流或高頻噪聲，因而可以輸出失真小的優(yōu)良 的正弦波。另外，上述實施方式的供給功率調節(jié)器21，可以用于具有由加熱器加熱的反應爐 的半導體制造裝置。反應爐由石英管和從外部對該石英管進行加熱的筒狀的反應器構成。 為了加熱該加熱器而使用實施方式的供給功率調節(jié)器。如在半導體制造裝置中使用上述的 供給功率調節(jié)器，就能夠得到穩(wěn)定的加熱器溫度，因此能夠得到高性能的半導體器件。
以下，附記本發(fā)明的優(yōu)選方式。第一方式是一種供給功率調節(jié)器，其特征在于，包括IGBT變換器，將交流電源的 交流電壓變換為與控制信號的頻率對應的交流功率，并將該交流功率供給加熱器；輸入側 濾波電路，設置在上述IGBT變換器的輸入側，用于抑制在上述IGBT變換器中產(chǎn)生的電磁噪 聲；輸出側濾波電路30，設置在上述IGBT變換器的輸出側，用于抑制從上述IGBT變換器輸 出的交流功率中含有的高頻分量；溫度變化檢測裝置，檢測上述加熱器的溫度變化；電源 變化檢測裝置，從由上述交流電源供給上述IGBT變換器的交流電壓中檢測上述交流電源 的電源變化；負載變化檢測裝置，從由上述IGBT變換器供給上述加熱器的交流功率中檢測 負載變化；以及頻率可變裝置，根據(jù)上述溫度變化檢測裝置、上述電源變化檢測裝置和上述 負載變化檢測裝置的各檢測結果，計算應供給上述加熱器的功率量，并根據(jù)該計算結果控 制施加于上述IGBT變換器的上述控制信號的頻率。按照本方式，由于由IGBT變換器直接切換交流電源的交流電壓，因而不需要IGBT 變換器前級的整流電路，因而可以實現(xiàn)小型的電源。另外，能夠由輸入側濾波電路抑制在IGBT變換器中產(chǎn)生的電磁噪聲，因而能夠防 止電磁噪聲混入交流電源。另外，由輸出側濾波電路30抑制IGBT變換器的輸出中含有的高頻分量，因而能夠 防止在供給加熱器的交流功率中含有高頻分量。另外，通過由溫度變化檢測裝置檢測溫度變化、由頻率可變裝置計算與該檢測結 果對應的功率量，并根據(jù)該計算結果對IGBT變換器進行頻率控制，因而能夠與溫度變化對 應地對加熱器的供給功率進行反饋控制。因此，能夠將加熱器的溫度良好地保持在預定的 溫度。另外，當交流電源變化時，該變化在IGBT變換器的輸入側表現(xiàn)為功率的變化。通 過由電源變化檢測裝置檢測該功率變化、由頻率可變裝置計算與該檢測結果對應的功率量 并根據(jù)該計算結果對IGBT變換器進行頻率控制，從而可以對針對電源變化的供給功率進 行前饋控制。因此，能夠抑制在良好地進行反饋控制時，由于電源發(fā)生變化并使對加熱器的 供給功率量發(fā)生變化而產(chǎn)生的對加熱器溫度的紊亂。另外，當負載變化時，該變化表現(xiàn)為對加熱器供給的功率的變化。通過由負載變化 檢測裝置檢測該功率變化、由頻率可變裝置計算與該檢測結果對應的功率量并根據(jù)該計算 結果對IGBT變換器進行頻率控制，從而可以對針對負載變化的供給功率進行反饋控制。因 此，能夠抑制在良好地進行反饋控制時，負載發(fā)生變化并因負載變化使對加熱器的供給功 率量的控制產(chǎn)生很大紊亂而出現(xiàn)的加熱器溫度的紊亂。這樣，由于采用IGBT變換器、并在對溫度變化的反饋控制中引入了對電源變化的 前饋控制和對負載變化的反饋控制，所以溫度穩(wěn)定性、針對電源變換和負載變化的穩(wěn)定性 極其優(yōu)良，因而可以使加熱器溫度獲得很高的穩(wěn)定性。另外，由于在IGBT變換器中進行高 速切換動作，溫度響應性優(yōu)良。而且，由于是不用相位超前電容器的補償?shù)目刂?，使用的?便性也得到改善。進而，由于用IGBT構成變換器，瞬態(tài)響應性特別優(yōu)良。而且，由于IGBT 的頻率控制是零交叉控制，能夠提高電源的效率。第二方式是另一種供給功率調節(jié)器，其特征在于，上述IGBT變換器具有將因該 IGBT變換器的切換動作而產(chǎn)生的反電動勢再生并返回上述交流電源的再生用IGBT變換
15器。由于IGBT變換器具有再生用IGBT變換器并將作為熱能放出的反電動勢再生后返 回交流電源，能夠提高交流電源的能量效率。第三方式是將第一方式或第二方式的供給功率調節(jié)器用作加熱器用電源的半導 體制造裝置。由于具有使加熱器溫度獲得高的穩(wěn)定性的第一方式或第二方式的供給功率調 節(jié)器，從而能夠制造高性能的半導體器件。
權利要求
1.一種功率用IGBT轉換器，其包括切換電路，該切換電路具有上下兩級串聯(lián)層疊的上 級IGBT和下級IGBT，通過脈寬調制控制來對上述上級IGBT和上述下級IGBT的開閉進行控 制，從而切換從交流電源輸出的交流電壓，并調整從上述交流電源提供給負載的功率。
2.根據(jù)權利要求1所述的功率用IGBT轉換器，其特征在于 還包括整流電路，利用該整流電路，將上述交流電壓整流成正半波和負半波，根據(jù)極性將上述正半波和 上述負半波分給上述上級IGBT和上述下級IGBT，利用上述上級IGBT來切換上述正半波和上述負半波中的一者，利用上述下級IGBT來切換另一者。
3.根據(jù)權利要求1或權利要求2所述的功率用IGBT轉換器，其特征在于 還包括緩沖電路，利用該緩沖電路，將在上述上級IGBT和上述下級IGBT關閉時產(chǎn)生的反電動勢作為熱 能而消耗。
4.根據(jù)權利要求3所述的功率用IGBT轉換器，其特征在于 還具有與上述上級IGBT和上述下級IGBT并聯(lián)連接的續(xù)流二極管，利用上述緩沖電路，將在上述上級IGBT和上述下級IGBT關閉時流過上述續(xù)流二極管 的電流作為熱能而消耗。
5.根據(jù)權利要求1所述的功率用IGBT轉換器，其特征在于 設有多個上述切換電路，上述多個切換電路被串聯(lián)連接。
6.根據(jù)權利要求5所述的功率用IGBT轉換器，其特征在于上述多個切換電路為2個切換電路，這2個切換電路為前級的切換電路和后級的扼流 圈的一部分。
7.—種再生用IGBT轉換器，其包括切換電路，該切換電路具有上下兩級串聯(lián)層疊的上 級IGBT和下級IGBT，用上述上級IGBT和上述下級IGBT對通過從交流電源向負載提供功率 而在上述負載側產(chǎn)生的反電動勢進行切換，從而得到再生功率，并將該再生功率返回給上 述交流電源。
8.一種供給功率調節(jié)器，其包括功率用IGBT轉換器和再生用IGBT轉換器，其中， 上述功率用IGBT轉換器，包括具有上下兩級串聯(lián)層疊的上級功率用IGBT和下級功率用IGBT的功率用切換電路，用上述上級功率用IGBT轉換器切換從交流電源輸出的交流電 壓的正半波和負半波中的一者，用上述下級功率用IGBT轉換器切換另一者，從而調整從上 述交流電源提供給負載的功率，上述再生用IGBT轉換器，包括具有上下兩級串聯(lián)層疊的上級再生用IGBT和下級再 生用IGBT的切換電路，用上述上級再生用IGBT轉換器切換在上述負載側產(chǎn)生的反電動勢 的正半波和負半波中的一者，用上述下級再生用IGBT轉換器切換另一者，從而得到再生功 率，并將該再生功率返回給上述交流電源。
9.根據(jù)權利要求8所述的供給功率調節(jié)器，其特征在于 還包括整流電路，利用該整流電路將上述交流電壓整流成正半波和負半波，根據(jù)極性將該正半波和負半 波分給上述上級功率用IGBT和上述下級功率用IGBT，利用上述上級功率用IGBT來切換上述正半波和上述負半波中的一者，利用上述下級 功率用IGBT切換另一者。
10.根據(jù)權利要求8所述的供給功率調節(jié)器，其特征在于上述功率用IGBT轉換器具有多個上述切換電路，該多個切換電路被串聯(lián)連接。
11.一種半導體制造裝置，具有權利要求8-10中任一項所述的供給功率調節(jié)器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種供給功率調節(jié)器和半導體制造裝置。在將裝填了多個襯底的襯底保持件送入反應爐內進行熱處理的半導體制造裝置中，具有設置在上述反應爐周圍的加熱器和調節(jié)對上述加熱器的供給功率的供給功率調節(jié)器，上述供給功率調節(jié)器由將交流電源的交流電壓變換為與控制信號的頻率對應的交流功率并供給上述加熱器的功率用IGBT變換器、和將因該IGBT變換器的切換動作而產(chǎn)生的反電動勢再生并返回交流電源的再生用IGBT變換器構成。
文檔編號H02M5/293GK102122892SQ20101054662
公開日2011年7月13日 申請日期2006年4月3日 優(yōu)先權日2005年4月4日
發(fā)明者石津秀雄, 鈴木雅行 申請人:株式會社三幸, 株式會社國際電氣半導體技術服務