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在主電流路徑中具有增強(qiáng)模式器件的瞬變阻擋單元的制作方法

文檔序號(hào):7435374閱讀:177來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:在主電流路徑中具有增強(qiáng)模式器件的瞬變阻擋單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及保護(hù)電負(fù)載使其免受電瞬變的影響。
背景技術(shù)
瞬變阻擋單元(TBU)是彼此串聯(lián)的兩個(gè)或更多個(gè)晶體管的裝置,使得當(dāng)穿過(guò)這些 晶體管的TBU電流超過(guò)預(yù)定的閾值時(shí)這些晶體管就自動(dòng)地切換成截止。隨著TBU電流增大, TBU晶體管兩端作為柵極電壓被提供給TBU晶體管的電壓降趨于使這些晶體管截止。當(dāng)TBU 電流在閾值以下時(shí),這種截止效應(yīng)是可忽略的,并且TBU阻抗是很低的。當(dāng)TBU電流升到閾 值以上時(shí),這種截止效應(yīng)強(qiáng)到足以引起正反饋,這導(dǎo)致TBU迅速且自動(dòng)地切換到高阻抗截 止?fàn)顟B(tài)。該情形中的正反饋起因于TBU晶體管上增大的柵極電壓會(huì)增大該TBU晶體管兩端 的電壓降這一趨勢(shì),并且這種增大的電壓降作為柵極電壓被提供給另一個(gè)TBU晶體管。TBU 電路如此連接以使得從這些增大的晶體管和柵極電壓能夠得到正反饋。圖1示出了常規(guī)TBU的簡(jiǎn)單示例。在本示例中,兩個(gè)耗盡模式(即,常態(tài)下導(dǎo)通 的)晶體管Ql和Q3串聯(lián)連接,以使得相同的電流Itbu流過(guò)Ql和Q3。隨著Itbu增大,Ql的 Vds和Q3的Vsd都增大。晶體管類型被選擇成使得隨著Ql的Vds增大,施加到Q3的柵極上 的電壓起到關(guān)斷Q3的作用。相似的是,隨著Q3的Vsd增大,施加到Ql的柵極上的電壓起到 關(guān)斷Q 1的作用。這種裝置中所固有的正反饋導(dǎo)致了一旦Itbu超過(guò)預(yù)定的閾值,TBU就從常 態(tài)的低阻抗?fàn)顟B(tài)快速躍變到高阻抗電流阻擋狀態(tài)。在操作過(guò)程中,TBU可以響應(yīng)于來(lái)自電 瞬變的過(guò)電流條件而切換到其高阻抗?fàn)顟B(tài),由此保護(hù)了連接到該TBU的電器件或電路。圖1的TBU示例是單極(或單向)TBU,因?yàn)樗鼉H僅在阻擋具有預(yù)定極性的浪涌 (即,要么正的浪涌要么負(fù)的浪涌)上是有效的。圖2示出了常規(guī)的雙極TBU。圖2的電路 可以被理解成提供兩個(gè)串聯(lián)的極性相反的單極TBU。第一單極TBU是由耗盡模式晶體管Ql 和Q3形成的,第二單極TBU是由耗盡模式晶體管Q2和Q3形成的。圖2也示出了 TBU的典 型應(yīng)用,其中它被串聯(lián)地放置在電器件202和負(fù)載204之間,以便保護(hù)器件202免受來(lái)自負(fù) 載204的瞬變的影響。也保護(hù)了器件202不受可能形成于TBU和負(fù)載204之間(例如,在 傳輸線路上)的瞬變的影響。如果來(lái)自負(fù)載的瞬變導(dǎo)致TBU電流超過(guò)TBU閾值,則TBU將 切換到其截止?fàn)顟B(tài),由此保護(hù)了該器件不受該瞬變的影響。TBU的一些早期的示例包括US 3,916,220、US 4,533,970 和 US 5,742,463。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述,常規(guī)的TBU依賴于在主電流路徑中使用耗盡模式器件(即常態(tài)下導(dǎo)通 的晶體管)來(lái)提供過(guò)電流保護(hù)。然而,耗盡模式MOSFET制造起來(lái)往往比增強(qiáng)模式(即,常 態(tài)下截止的)MOSFET困難。與增強(qiáng)模式MOSFET相比,這種困難導(dǎo)致耗盡模式MOSFET的成 本更高和/或參數(shù)變化性更大。特別是,TBU閾值電流取決于主路徑晶體管的閾值電壓。受 控性較差的耗盡模式MOSFET閾值可能會(huì)直接導(dǎo)致受控性較差的TBU電流閾值,這對(duì)TBU產(chǎn) 量有很不利的影響。與常規(guī)TBU相關(guān)的另一個(gè)問(wèn)題是,常規(guī)TBU將僅僅在穿過(guò)TBU的電流超過(guò)TBU閾 值時(shí)才切換成截止。在某些情況下,這一行為可能導(dǎo)致器件保護(hù)受到削弱。更具體地講,受 TBU保護(hù)的器件可能并不總是能夠發(fā)源(source)或吸陷(sink)該TBU閾值電流(例如,如 果受保護(hù)的器件是處在待機(jī)或睡眠模式中)。在這種情況下,TBU的接口一側(cè)的瞬變可能到 達(dá)受保護(hù)的器件并且有可能破壞它。在本申請(qǐng)中,通過(guò)將一個(gè)或更多個(gè)增強(qiáng)模式晶體管并入到主TBU電流路徑中,就 能夠同時(shí)解決上述這些問(wèn)題。圖3示出了這一概念的示例性示意圖。此處,晶體管Ml和M2 是增強(qiáng)模式MOSFET,M3是耗盡模式結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。主TBU電流路徑穿過(guò)晶體 管Ml和M3。M2的柵極連接到Ml和M3之間的節(jié)點(diǎn),Ml的柵極連接到M2。在合適的偏置下 (例如,如圖所示),在常態(tài)操作(即TBU電流低于閾值)期間Ml處存在足以使Ml導(dǎo)通的 柵極電壓,并且M2是處于截止?fàn)顟B(tài)中。當(dāng)TBU電流超過(guò)閾值時(shí),因M3中的電流所導(dǎo)致的電 壓降而使M2處的柵極電壓增大,由此趨于使M2導(dǎo)通。當(dāng)M2導(dǎo)通時(shí),Ml的柵極電壓減小到 Ml的導(dǎo)通閾值以下,從而使其截止。作為這一變化的結(jié)果,Ml兩端所形成的增大的電壓使 M3截止。隨著M3的阻抗增大,M2被完全導(dǎo)通,并且Ml處的柵極電壓進(jìn)一步減小。當(dāng)TBU 電流超過(guò)閾值時(shí),所得的正反饋導(dǎo)致該電路快速且自動(dòng)地切換到高阻抗電流阻擋狀態(tài)。此 類電路所提供的電壓觸發(fā)能力與在下文中描述的多個(gè)示例相結(jié)合進(jìn)行解釋。為了更好地理解本發(fā)明的方案,將其與其它將增強(qiáng)模式晶體管與TBU結(jié)合起來(lái)使 用的方案進(jìn)行比較是有幫助的。在US 7,342,433中,通過(guò)添加增強(qiáng)模式器件以控制主TBU 晶體管的柵極電壓,來(lái)修改在主電流路徑中具有耗盡模式晶體管的TBU。更具體地講,主耗 盡模式TBU晶體管的柵極電壓可以被增強(qiáng)模式器件控制,以減小TBU的導(dǎo)通阻抗。在US 2009/0231773中,輔助增強(qiáng)模式晶體管被添加到基本的TBU配置中,以便減 小TBU閾值電流對(duì)耗盡模式TBU晶體管的受控性較差的參數(shù)的依賴性。在2009年1月27 日提交的美國(guó)公開(kāi)申請(qǐng)2009/0231773中,可以找到關(guān)于增強(qiáng)模式輔助式TBU的更多細(xì)節(jié), 該申請(qǐng)整體通過(guò)參引整體納入于此。在這些情形中,主TBU晶體管(即TBU電流流過(guò)的晶體管)全是耗盡模式器件,如 圖1和2的示例中那樣。將耗盡模式晶體管用作TBU中的主晶體管可減少部件數(shù)目(例 如,通過(guò)比較圖1和3可以看出),這在平常將決定性地贊同將耗盡模式器件用作主TBU晶 體管。然而,令人驚奇的是,發(fā)現(xiàn)將增強(qiáng)模式器件用作主TBU晶體管的優(yōu)點(diǎn)往往能超過(guò)部件 數(shù)目增多這一缺點(diǎn)。更具體地講,有兩個(gè)主要的優(yōu)點(diǎn)1)與耗盡模式MOSFET相比,具有穩(wěn)固受控的閾值的增強(qiáng)模式MOSFET制造起來(lái)更 容易且成本更低,要求更少的處理步驟;以及2)增強(qiáng)模式器件能被配置成使得它們形成這樣一種TBU 當(dāng)TBU電壓超出范圍時(shí)該TBU切換到截止(除了提供過(guò)電流保護(hù)的常規(guī)TBU能力以外)。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的瞬變阻擋單元的示意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)的瞬變阻擋單元的另一個(gè)示意圖。圖3示出了涉及本發(fā)明的實(shí)施方式的示意圖。圖4是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的示意圖。圖5是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的示意圖。圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的示意圖。圖7是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的示意圖。圖8是本發(fā)明的第五實(shí)施方式的示意圖。圖9是本發(fā)明的第六實(shí)施方式的示意圖。
具體實(shí)施例方式圖4是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的示意圖。在本電路中,+V表明這是正軌道。M2和 M4是增強(qiáng)模式器件,M3是耗盡模式器件。較佳地,M2和M4是η溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶 體管(NMOS),Jl優(yōu)選是ρ溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。Jl和Μ2在主TBU電流路徑中, 所以這些晶體管可以被稱為主晶體管。Μ4不在主TBU電流路徑中,所以稱這一晶體管為輔 助晶體管是方便的。此處,Μ2的柵極連接到Μ4,Μ4的柵極連接到Jl和Μ2之間的節(jié)點(diǎn)。R4 連接到正軌道+V。只要Μ4是截止的(常態(tài)TBU導(dǎo)通模式),Μ2的柵極就被拉高,這使其導(dǎo) 通。(在實(shí)踐中,跨接在Μ4的漏極-源極上的齊納箝位二極管可以被用于(未示出)防止 過(guò)大的電壓,或者Μ4可以被允許雪崩,以便保護(hù)Μ2的柵極。)“受保護(hù)的”端子是TBU的受 保護(hù)的一側(cè),可以被連接到IC或其它受保護(hù)的裝備?!敖涌凇倍俗邮荰BU的暴露的一側(cè),此 處,可能會(huì)經(jīng)歷浪涌。如果發(fā)生浪涌且正向地拉動(dòng)該接口,如果足夠大的電流流過(guò),則TBU將以增強(qiáng)模 式輔助式TBU的常態(tài)方式來(lái)起作用,因?yàn)樵撾娏鲿?huì)導(dǎo)致形成橫跨Jl的電壓,如果該電壓是 足夠大的,則將使Μ4導(dǎo)通;轉(zhuǎn)而將有效地將Μ2的柵極連接(即短接)到Jl的源極(或漏 極),這轉(zhuǎn)而將使Μ2截止。這樣,就有可能提供TBU電流保護(hù)能力,而不使用耗盡模式NMOS 器件。如果TBU的受保護(hù)的端子連接到高阻抗受保護(hù)器件,則電流流動(dòng)可能不足以使 TBU跳開(kāi)。在這種情況下,受保護(hù)的端子也將被正向拖向+V。如果電壓的變化率是相對(duì)較 低的,則當(dāng)Μ2的源極逼近+V時(shí),R4將使Μ2的柵極保持在+V,由此使Μ2截止。由此,任何 會(huì)迫使TBU高過(guò)正軌道的浪涌也都會(huì)使TBU截止。在實(shí)踐中,Μ2通常是相當(dāng)大的NM0S,由此具有相當(dāng)大的柵極電容。在這種情況下, 因?yàn)闁艠O電容和R4構(gòu)成了很長(zhǎng)的RC時(shí)間常數(shù),所以TBU僅僅因緩慢移動(dòng)的浪涌而截止,但 是可能無(wú)法快到足以響應(yīng)于比方說(shuō)60Hz干線AC,而這是保護(hù)器件的首要要求。為了提高截 止速度,能通過(guò)使用兩個(gè)額外的小的增強(qiáng)模式器件M5和M6來(lái)修改該電路。圖5示出了所得的電路。此處,M5和M6用作簡(jiǎn)單的比較器。在該電路中,常態(tài)下, 通過(guò)電阻器R13所加的正偏置使M5完全導(dǎo)通,這使M6完全截止,該電路就像上文所述那樣起作用,區(qū)別之處在于,現(xiàn)在分壓器是由R4和R12形成的。這一差別并不實(shí)質(zhì)性地改變?cè)?電路的操作或效果?,F(xiàn)在,當(dāng)發(fā)生正浪涌時(shí),M5隨著其源極逼近+V而被截止,因?yàn)镸5的柵極通過(guò)R13 被束縛到+V。M5是相對(duì)非常小的,所以其柵極電容很低。因此,它隨柵極驅(qū)動(dòng)減小反應(yīng)很 迅速,并且隨著接口節(jié)點(diǎn)逼近+V而截止。當(dāng)M5截止時(shí),通過(guò)R12施加的電壓使M6導(dǎo)通,從 而通過(guò)Rll吸陷電流并且使NMOS M2的任何柵極電荷放電,Rll具有相對(duì)低的值。這樣,就 能為M2提供低阻柵極電容放電路徑。在先前的示例中,考慮了具有單向電流阻擋能力的TBU。本發(fā)明的方案也可應(yīng)用于 雙向TBU。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的雙向TBU的一個(gè)示例。在本電路中,+V表明這是正軌道。 Ml、M2和Jl在主TBU電流路徑中。Ml和M2是增強(qiáng)模式器件,Jl是耗盡模式器件。輔助晶 體管M3和M4也是增強(qiáng)模式器件,但是它們不在主TBU電流路徑中。輔助晶體管M3和M4分 別對(duì)應(yīng)于主晶體管Ml和M2。較佳地,M1、M2、M3和M4是NMOS器件,Jl優(yōu)選是ρ溝道JFET。 R3和R4連接到正軌道+V。只要Μ3和Μ4是截止的(常態(tài)TBU導(dǎo)通模式),這兩個(gè)HV NMOS Ml和Μ2的柵極就被拉高,這使它們導(dǎo)通。(在實(shí)踐中,跨接在Μ3和Μ4的漏極-源極上的 齊納箝位二極管可以被用于(未示出)防止過(guò)大的電壓,或者這些器件可以被允許雪崩,以 便保護(hù)Ml和Μ2的柵極。)對(duì)于正向拉動(dòng)所述接口的浪涌,該電路基本上就像圖4的電路那樣工作,并且提 供了過(guò)電流和過(guò)電壓保護(hù)。R6、R7、Dl和D2所形成的網(wǎng)絡(luò)確保了在Jl的柵極處呈現(xiàn)合適 的TBU反饋電壓。二極管Dl和D2防止電阻器產(chǎn)生分壓器的作用,此作用將使所述反饋電 壓減小到1/2,由此降低TBU的靈敏性。如果發(fā)生負(fù)浪涌且足夠大的電流流過(guò),則跨Jl形成 的電壓將使Μ3導(dǎo)通,這轉(zhuǎn)而使Ml的柵極短接至Μ2的源極,這轉(zhuǎn)而使Ml截止。這樣,就有 可能提供雙向TBU電流保護(hù)能力,而不使用耗盡模式NMOS器件。圖6的電路可以被修改,以通過(guò)提供低阻抗柵極電容放電路徑來(lái)提高Μ2的切換速度。圖7是這種經(jīng)修改的電路的示例。在該電路中,由R1、R2和R5所形成的網(wǎng)絡(luò)將電 壓參考基準(zhǔn)提供給晶體管M4、M5和M6,使得它們能充當(dāng)電壓比較器,正如結(jié)合圖5所描述 的那樣。在圖6和7的示例中,提供了針對(duì)過(guò)電流條件的雙向保護(hù),但是過(guò)電壓保護(hù)是單向 的。例如,引起過(guò)電壓但不引起過(guò)電流的負(fù)的行進(jìn)浪涌將被傳遞給受保護(hù)的器件。在防止 這種可能性很重要的情況下,可以添加電壓比較能力。圖8和9示出了這種經(jīng)修改的電路的示例,它們分別對(duì)應(yīng)于圖6和7的示例。此 處,正電壓軌道被稱為+V2,負(fù)電壓軌道被稱為-VI。在這些示例中,增強(qiáng)模式MOS晶體管 M7和M8與電阻器Rl、R2、R5、R8-R10和二極管D4-D6相結(jié)合,充當(dāng)電壓比較電路。更具體 地講,這種比較電路在TBU輸出電壓接近或超過(guò)負(fù)軌道(-V1)的情況下使該TBU截止。當(dāng) TBU輸出電壓(Vout)下降到滿足Vdimte-Vth= (Vout)-(-VI)的電壓以下時(shí),NMOS M7被導(dǎo) 通,從而使NMOS M8截止。M8的漏極處的上升電壓接下來(lái)使JFET Jl截止。D4的二極管電 壓降Vdi-可以被選定為補(bǔ)償M7的閾值電壓Vth,以使得隨著輸出電壓Vout被拉到接近或 低于-Vl時(shí)TBU截止。在某些應(yīng)用中,通過(guò)設(shè)置合適的二極管電壓降來(lái)將該閾值設(shè)置成稍 微高于或稍微低于-Vl以便達(dá)到最佳的保護(hù)性能可能是有利。在一些情況下,D4可以被連接成正向偏置,并且正向電壓二極管壓降可以被用作參考基準(zhǔn)。在其它情況下,可使用多個(gè) 正向偏置的二極管或正向和反向偏置的二極管的組合來(lái)進(jìn)行最佳的補(bǔ)償。可以看出,響應(yīng)于+V2以上或-Vl以下的電壓浪涌而使TBU截止的這兩個(gè)功能是 分別通過(guò)器件M5/6和M7/8而實(shí)現(xiàn)的。所得的TBU電路很容易用允許簡(jiǎn)單的低電壓輔助 NMOS器件和高電壓高阻值電阻器的簡(jiǎn)單工藝來(lái)集成。上面的描述是作為示例,而非作為限制?;谏厦娴脑?,給定示例的許多變體將 會(huì)是明顯的。本發(fā)明的實(shí)踐并不決定性地取決于TBU電路中所使用的晶體管的極性和/或 類型。例如,器件的極性以及電壓輸入能夠全都被一致地反轉(zhuǎn)。PMOS晶體管能被用于替代 NMOS晶體管,比如Ml和M2,盡管NMOS器件通常是較佳的,因?yàn)樗鼈兺峁┍萈MOS器件 更佳的適于TBU的電性能。在反轉(zhuǎn)極性的情況下,Vl和V2極性如今也將被反轉(zhuǎn),從而相對(duì) 于Vl而言V2變?yōu)樨?fù)的。
權(quán)利要求
一種瞬變阻擋單元(TBU),包括兩個(gè)或更多個(gè)主晶體管,所述主晶體管被串聯(lián)連接以使得當(dāng)穿過(guò)TBU輸入和TBU輸出之間的每一個(gè)所述主晶體管的TBU電流超過(guò)預(yù)定的閾值大小時(shí),所述主晶體管自動(dòng)地切換到高阻抗?fàn)顟B(tài);以及一個(gè)或更多個(gè)輔助晶體管,每一個(gè)輔助晶體管將其柵極連接到所述主晶體管中的兩個(gè)主晶體管之間的相應(yīng)節(jié)點(diǎn);其中,所述主晶體管中的一個(gè)或更多個(gè)是增強(qiáng)模式器件;并且其中,所述增強(qiáng)模式器件中的每一個(gè)將其柵極連接到所述輔助晶體管中相應(yīng)的一個(gè)輔助晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的TBU,其特征在于,所述增強(qiáng)模式器件包括一個(gè)或更多個(gè)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的TBU,其特征在于,所述主晶體管中的一個(gè)或更多個(gè)是耗盡模式器件。
4.如權(quán)利要求3所述的TBU,其特征在于,所述耗盡模式器件包括一個(gè)或更多個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的TBU,還包括用于為所述增強(qiáng)模式器件中的一個(gè)或更多個(gè)提供低阻抗柵極電容放電路徑的電路。
6.如權(quán)利要求1所述的TBU,還包括連接到所述TBU的電壓比較電路,如果所述TBU輸出處的輸出電壓落在預(yù)定的電壓范 圍之外,則所述電壓比較電路將柵極電壓提供給所述主晶體管中的一個(gè)或更多個(gè)以使所述 主晶體管中的所述一個(gè)或更多個(gè)截止。
7.如權(quán)利要求1所述的TBU,其特征在于,所述主晶體管包括第一增強(qiáng)模式晶體管、第二增強(qiáng)模式晶體管以及連接在所述第一和 第二增強(qiáng)模式晶體管之間的耗盡模式晶體管;所述第一增強(qiáng)模式晶體管的柵極連接到所述輔助晶體管中的第一輔助晶體管;所述第二增強(qiáng)模式晶體管的柵極連接到所述輔助晶體管中的第二輔助晶體管;所述第一輔助晶體管的柵極連接到在所述耗盡模式晶體管和所述第一增強(qiáng)模式晶體 管之間的節(jié)點(diǎn);以及所述第二輔助晶體管的柵極連接到在所述耗盡模式晶體管和所述第二增強(qiáng)模式晶體 管之間的節(jié)點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的TBU,還包括用于為所述增強(qiáng)模式器件中的一個(gè)或更多個(gè)提供低阻抗柵極電容放電路徑的電路。
9.如權(quán)利要求7所述的TBU,還包括連接到所述TBU的電壓比較電路,如果所述TBU輸出處的輸出電壓落在預(yù)定的電壓范 圍之外,則所述電壓比較電路將柵極電壓提供給所述主晶體管中的一個(gè)或更多個(gè)以使所述 主晶體管中的所述一個(gè)或更多個(gè)截止。
全文摘要
瞬變阻擋單元(TBU)是一種具有串聯(lián)晶體管的電路,這些晶體管在常態(tài)下傳導(dǎo)電流,但是響應(yīng)于過(guò)電流條件會(huì)自動(dòng)地切換到高阻抗電流阻擋狀態(tài)。此處,增強(qiáng)模式器件被用于主TBU電流路徑中,與在該環(huán)境中使用耗盡模式器件的常規(guī)做法相反。這一方案提供了兩個(gè)主要的優(yōu)點(diǎn)。第一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是TBU參數(shù)對(duì)于受控性較差的耗盡模式器件參數(shù)的依賴性可以減小或被消除。第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)是這種TBU除了可以提供過(guò)電流保護(hù)以外,還可以提供過(guò)電壓保護(hù)。
文檔編號(hào)H02H9/02GK101931220SQ201010134999
公開(kāi)日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2010年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月23日
發(fā)明者A·J·莫瑞什 申請(qǐng)人:柏恩氏股份有限公司
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