專利名稱：極細(xì)同軸線的末端處理方法及末端處理構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在切斷屏蔽導(dǎo)體時(shí)減輕對(duì)內(nèi)部絕緣體的損傷的極細(xì)同軸線末端處理 方法及末端處理構(gòu)造。
背景技術(shù)：
連接筆記本型計(jì)算機(jī)的主體和液晶顯示器的配線或連接醫(yī)療用超聲波診斷裝置 的主體和探頭的配線等作為傳輸高頻信號(hào) 高速信號(hào)而且具有大的撓性的電纜有極細(xì)同軸 線。極細(xì)同軸線是從中心向外側(cè)依次將中心導(dǎo)體、內(nèi)部絕緣體、屏蔽導(dǎo)體以及套管疊 層而成的電纜。極細(xì)同軸線與機(jī)器直接連接，或者在安裝于連接器上時(shí)，則要實(shí)施使末端部 分的中心導(dǎo)體和屏蔽導(dǎo)體露出的末端處理。
利用圖5說(shuō)明按照現(xiàn)有的末端處理方法對(duì)多條極細(xì)同軸線進(jìn)行末端處理的順序。如圖5(a)所示，以所要求的排列間距排列多條極細(xì)同軸線1，再用粘結(jié)帶6固定該 排列狀態(tài)。如圖5(b)所示，在從末端起所要求的距離的處理部位，對(duì)粘結(jié)帶6和極細(xì)同軸線 1的套管5通過(guò)照射激光而切斷粘結(jié)帶6和極細(xì)同軸線1的套管5，從該處理部位同時(shí)拔出 位于末端側(cè)的粘結(jié)帶6和套管5。由此，從該處理部位到末端使屏蔽導(dǎo)體4露出。并且，所 謂切斷是指進(jìn)行切入。如圖5(c)所示，在比上述圖5(b)的處理部位更靠近末端的處理部位，通過(guò)對(duì)屏蔽 導(dǎo)體4照射激光而切斷屏蔽導(dǎo)體4，將從該處理部位起位于末端側(cè)的屏蔽導(dǎo)體4向末端方向 拔出。由此，使從該處理部位到末端的內(nèi)部絕緣體3露出。如圖5(d)所示，在比上述圖5(c)的處理部位更靠近末端的處理部位，通過(guò)對(duì)內(nèi)部 絕緣體3照射激光而切斷內(nèi)部絕緣體3，將從該處理部位起位于末端側(cè)的內(nèi)部絕緣體3向末 端方向拔出。由此，從該處理部位到末端使中心導(dǎo)體2露出。通過(guò)依次進(jìn)行以上的工序，屏蔽導(dǎo)體4、內(nèi)部絕緣體3及中心導(dǎo)體2分別處于露出 了所要求的長(zhǎng)度的狀態(tài)。然而，在現(xiàn)有的末端處理方法中，在對(duì)屏蔽導(dǎo)體4照射激光而切斷屏蔽導(dǎo)體4時(shí)， 激光在切斷了屏蔽導(dǎo)體4之后達(dá)到內(nèi)部絕緣體3，內(nèi)部絕緣體3吸收激光的能量，產(chǎn)生內(nèi)部 絕緣體3受到損傷之類的問(wèn)題。在專利文獻(xiàn)1(日本特開2007-290013號(hào)公報(bào))中，采取的措施是改變光軸角度而 照射多束激光，對(duì)卷繞在內(nèi)部絕緣體上的全部屏蔽導(dǎo)體均勻地給以激光能量。但是，這種場(chǎng) 合，將多條同軸線排列成陣列狀時(shí)，在切斷其中的一條外部導(dǎo)體時(shí)，與其相鄰的兩條同軸線 產(chǎn)生遮擋激光光軸的情況，存在電纜陣列間距不能設(shè)定得狹窄之類的問(wèn)題。在專利文獻(xiàn)2(日本特開2007-20342號(hào)公報(bào))中，通過(guò)使激光的焦點(diǎn)位置相對(duì)照 射對(duì)象向垂直方向偏移來(lái)降低對(duì)內(nèi)部絕緣體的熱影響。即使使激光的焦點(diǎn)位置向垂直方向 偏移，相對(duì)于極細(xì)同軸線的直徑，一般的加工用激光的焦點(diǎn)深度都相當(dāng)大，在實(shí)際效果上，通過(guò)小于極細(xì)同軸線的直徑的程度的焦點(diǎn)位置的偏移來(lái)降低熱影響的效果很小，仍無(wú)法避 免熱影響。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于解決上述問(wèn)題，提供一種在切斷屏蔽導(dǎo)體時(shí)減輕對(duì)內(nèi)部 絕緣體的損傷的極細(xì)同軸線的末端處理方法及末端處理構(gòu)造。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的極細(xì)同軸線的末端處理方法，在從中心向外側(cè)依次 具有中心導(dǎo)體、內(nèi)部絕緣體、屏蔽導(dǎo)體及套管，上述屏蔽導(dǎo)體由導(dǎo)線構(gòu)成并通過(guò)螺旋卷繞或 編織卷繞的任何一種而形成的極細(xì)同軸線的末端處理方法中，包含以下各步驟切斷上述 套管而使上述屏蔽導(dǎo)體露出的步驟；在上述極細(xì)同軸線的長(zhǎng)度方向的多個(gè)部位切斷上述已 露出的屏蔽導(dǎo)體的圓周方向的一部分的步驟；以及從距末端最遠(yuǎn)的末端處理部位拔出末端 側(cè)的套管及屏蔽導(dǎo)體而使內(nèi)部絕緣體露出的步驟。另外，優(yōu)選的方法為，相對(duì)于上述屏蔽導(dǎo)體的螺旋卷繞或編織卷繞間距以1/ (2Xη) (η為整數(shù)且11 > 2)的間距從上述極細(xì)同軸線的兩面進(jìn)行上述屏蔽導(dǎo)體的切斷。再有，優(yōu)選的方法為，相對(duì)于上述屏蔽導(dǎo)體的螺旋卷繞或編織卷繞間距以l/m(m 為整數(shù)且111 > 2)的間距從上述極細(xì)同軸線的單面進(jìn)行上述屏蔽導(dǎo)體的切斷。本發(fā)明的末端處理構(gòu)造采用上述任何一種方法加工而成。本發(fā)明具有如下效果。根據(jù)本發(fā)明，在極細(xì)同軸線的末端加工中，尤其是在對(duì)陣列化的多條極細(xì)同軸線 的末端一起進(jìn)行加工時(shí)，能夠降低起因于加工工序?qū)?nèi)部絕緣體的損傷，并提高生產(chǎn)率和
可靠性。


圖1 (a) 圖1 (h)是表示利用本發(fā)明的極細(xì)同軸線的末端處理方法對(duì)多條極細(xì)同 軸線的進(jìn)行末端處理的順序的俯視圖。圖2(a) 圖2(c)是表示圖1(b) 圖1(c)的屏蔽導(dǎo)體的切斷原理的圖。圖3是剝離極細(xì)同軸線的套管而使屏蔽導(dǎo)體露出的局部剖視圖。圖4(a)是圖1 (d)的屏蔽導(dǎo)體的剩余部分的放大圖，圖4(b)是屏蔽導(dǎo)體的剩余部 分的斷面示意圖。圖5(a) 圖5(d)是表示利用現(xiàn)有的極細(xì)同軸線的末端處理方法對(duì)多條極細(xì)同軸 線進(jìn)行的末端處理的順序的俯視圖。圖中1-極細(xì)同軸線，2-中心導(dǎo)體，3-內(nèi)部絕緣體，4-屏蔽導(dǎo)體，5-套管，6-粘結(jié)帶， 7_位于鄰接的極細(xì)同軸線彼此的間隙中的屏蔽導(dǎo)體露出部，8-激光照射面，9-屏蔽導(dǎo)體的 第一部分，10-屏蔽導(dǎo)體的第二部分，11-屏蔽導(dǎo)體的第三部分。
具體實(shí)施例方式以下，基于附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)敘述。如圖1(a) 圖1(g)所示，本發(fā)明的極細(xì)同軸線1的末端處理方法是，在從中心向外側(cè)依次具有中心導(dǎo)體、內(nèi)部絕緣體3、屏蔽導(dǎo)體4及套管5，屏蔽導(dǎo)體4由導(dǎo)線構(gòu)成并通 過(guò)螺旋卷繞或編織卷繞的任何一種而形成的極細(xì)同軸線1的末端處理方法中，包含以下各 步驟對(duì)于以如末端處理部位P1、P2、P3所示的由多個(gè)部位構(gòu)成的末端處理部位，通過(guò)從表 里兩面對(duì)套管5進(jìn)行激光掃描，從而切斷套管5而使屏蔽導(dǎo)體4露出的步驟Sl ；通過(guò)從表 里兩面對(duì)在上述步驟Sl露出了的屏蔽導(dǎo)體4進(jìn)行激光掃描，從而如Pl P3斷面圖所示， 在屏蔽導(dǎo)體4中不切斷位于鄰接的極細(xì)同軸線彼此的間隙中的屏蔽導(dǎo)體7，而切斷位于激 光照射面8的屏蔽導(dǎo)體4的步驟S2 ；對(duì)從距末端T最遠(yuǎn)的末端處理部位Pl到末端T側(cè)的 套管5及屏蔽導(dǎo)體4進(jìn)行拔出而使內(nèi)部絕緣體3露出的步驟S3 ；以及使屏蔽導(dǎo)體4和中心 導(dǎo)體2露出的步驟S4。在圖1中，末端處理部位P1、P2、P3相對(duì)于屏蔽導(dǎo)體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距 為1/6的間距。如圖2 (a) 圖2 (c)所示，圖1 (b)的末端處理部位PI、P2、P3各自的斷面構(gòu)造相 對(duì)于末端處理部位P1、P2、P3各自的屏蔽導(dǎo)體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距為1/6的間距， 由于屏蔽導(dǎo)體4是連續(xù)地卷繞的，因而在各自的斷面上，各自的極細(xì)同軸線1的屏蔽導(dǎo)體4 成為以1/6周期旋轉(zhuǎn)的構(gòu)造。S卩，在末端處理部位P1，屏蔽導(dǎo)體的第一部分9露出于激光照射面8(參照?qǐng)D 1 (C))；在末端處理部位P2，屏蔽導(dǎo)體的第二部分10露出于激光照射面8 ；在末端處理部位 P3，屏蔽導(dǎo)體的第三部分11露出于激光照射面8 ；在末端處理部位Pl的屏蔽導(dǎo)體的第一部 分9，在末端處理部位P2的屏蔽導(dǎo)體的第二部分10，在末端處理部位P3的屏蔽導(dǎo)體的第三 部分11成為切斷的屏蔽導(dǎo)體；通過(guò)切斷屏蔽導(dǎo)體的各部分，從而屏蔽導(dǎo)體4的全部可以在 末端處理部位PI、P2、P3的任何部位切斷。另外，在只從單面照射激光的場(chǎng)合，由于激光照射面8僅為單面，因而若將末端處 理部位P1、P2、P3設(shè)為1/3的間距，則可以全部切斷屏蔽導(dǎo)體4。以上，說(shuō)明了相對(duì)于屏蔽導(dǎo)體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距以1/6的間距設(shè)置末端 處理部位Pl、P2、ra的三個(gè)部位，利用激光從極細(xì)同軸線陣列的兩面切斷屏蔽導(dǎo)體4的原理。也可以相對(duì)于屏蔽導(dǎo)體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距以l/(2Xn)間距間隔設(shè)置
η個(gè)部位的末端處理部位PI、Ρ2、Ρ3.....Ρη，利用激光從極細(xì)同軸線陣列的兩面切斷屏蔽
導(dǎo)體4。但是，η是整數(shù)且η彡2。另外，也可以相對(duì)于屏蔽導(dǎo)體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距以1/m的間距設(shè)置m
個(gè)部位的末端處理部位P1、P2、P3.....Pm，利用激光從極細(xì)同軸線陣列的單面切斷屏蔽導(dǎo)
體4。但是，m是整數(shù)且m彡2。另外，在本實(shí)施方式中，雖然獨(dú)立地形成了末端處理部位PI、P2、P3.....Pn,但也
可以將各自的末端處理部位PI、P2、P3.....Pn相結(jié)合。這種場(chǎng)合，從末端處理部位Pl到
末端處理部位Pn的距離，即結(jié)合了的屏蔽導(dǎo)體露出寬度在對(duì)極細(xì)同軸線陣列的兩面的屏 蔽導(dǎo)體4進(jìn)行切斷的場(chǎng)合，相對(duì)于螺旋卷繞或編織卷繞間距為1/2間距的量，在對(duì)單面的屏 蔽導(dǎo)體4進(jìn)行切斷的場(chǎng)合則為1個(gè)間距量。并且，在本實(shí)施方式中，雖然將激光用于套管5和屏蔽導(dǎo)體4的切斷，但本方法不 限于激光，也可以使用例如切削刃之類的加工方法。下面，按照末端處理的順序詳細(xì)說(shuō)明實(shí)施例。
如圖1(a)所示，首先，以所要求的排列間距排列多條極細(xì)同軸線1并做成扁平電 纜狀。在該扁平電纜狀的多條極細(xì)同軸線1上用粘結(jié)帶6進(jìn)行疊層。由此，多條極細(xì)同軸 線1以排列狀態(tài)的原狀進(jìn)行固定。極細(xì)同軸線1是例如外徑為0. 2mm的AWG#46電纜，屏蔽 導(dǎo)體4通過(guò)將20條直徑為0. 02mm的導(dǎo)體螺旋卷繞而成。其次，如圖1 (b)所示，在末端處理部位Pl、P2、P3，使用波長(zhǎng)為10. 6 μ m的CO2激 光器對(duì)由聚合物材料構(gòu)成的套管5照射激光。當(dāng)照射激光時(shí)，粘結(jié)帶6和套管5吸收激光 能量而達(dá)到高溫的同時(shí)燃燒、蒸發(fā)，在粘結(jié)帶6和套管5中產(chǎn)生孔。通過(guò)調(diào)整從激光受到的 能量來(lái)調(diào)整孔的大小。CO2激光器的激光由于在構(gòu)成屏蔽導(dǎo)體4的金屬絲的表面進(jìn)行反射， 因而不會(huì)對(duì)屏蔽導(dǎo)體4及內(nèi)部絕緣體3造成損傷。CO2激光器通過(guò)從極細(xì)同軸線1的上下面的各個(gè)面進(jìn)行照射來(lái)切斷極細(xì)同軸線的 全周部分的套管5。這樣一來(lái)，通過(guò)對(duì)套管5照射激光而切斷套管5并使屏蔽導(dǎo)體4露出，形成屏蔽導(dǎo) 體露出部7。該圖1(b)的工序是步驟Si。另外，也可以通過(guò)劃片機(jī)(夕'〃〉〃一)加 工等其它加工方法切斷套管5而使屏蔽導(dǎo)體4露出。通過(guò)調(diào)整CO2激光器的強(qiáng)度、掃描速度、掃描次數(shù)等將末端處理部位PI、P2、P3的 屏蔽導(dǎo)體露出部7的寬度(極細(xì)同軸線1的長(zhǎng)度方向)做成0. 3mm。考慮到CO2激光器的 光斑直徑以及下一工序用YAG激光器進(jìn)行的屏蔽導(dǎo)體4的切斷，末端處理部位P1、P2、P3的 屏蔽導(dǎo)體露出部7的寬度最好在0. Imm以上。其次，如圖1 (c)所示，對(duì)末端處理部位Pl、P2、P3，通過(guò)使用波長(zhǎng)為532nm的YAG 激光器(二次諧波)從極細(xì)同軸線1的上下兩面分別對(duì)屏蔽導(dǎo)體4照射激光，從而在屏蔽 導(dǎo)體4中不切斷位于鄰接的極細(xì)同軸線彼此的間隙中的屏蔽導(dǎo)體7(在激光強(qiáng)度弱的條件 下進(jìn)行掃描)，而切斷位于激光照射面8的屏蔽導(dǎo)體4。該圖1(c)的工序是步驟S2。在此，如圖3所示，剝離極細(xì)同軸線的套管而露出屏蔽導(dǎo)體的部分從中心向外側(cè) 依次具有中心導(dǎo)體2、內(nèi)部絕緣體3及屏蔽導(dǎo)體4。在現(xiàn)有的同軸電纜的成段剝離的處理 方法中，采用的是通過(guò)用激光兩次掃描來(lái)切斷位于上半部分的全部屏蔽導(dǎo)體和位于下半部 分的全部屏蔽導(dǎo)體。因此，與中央附近比較在同軸電纜的側(cè)面部分，應(yīng)由激光切斷的屏蔽導(dǎo) 體增多，因而需要提高激光的強(qiáng)度，由于在該激光強(qiáng)度強(qiáng)的條件下進(jìn)行掃描并切斷屏蔽導(dǎo) 體，因而在中央附近激光就達(dá)到內(nèi)部絕緣體而損傷了內(nèi)部絕緣體。對(duì)此，在本發(fā)明中，由于將激光的強(qiáng)度定為能夠切斷位于中央附近的屏蔽導(dǎo)體4 的程度(為了切斷位于側(cè)面部分的屏蔽導(dǎo)體4所需要的激光強(qiáng)度的約50% 70% )，因而 激光不會(huì)到達(dá)內(nèi)部絕緣體3，可以防止損傷內(nèi)部絕緣體3。此外，在側(cè)面部分，由于激光的強(qiáng) 度弱而不能切斷屏蔽導(dǎo)體4。其次，如圖1(d)所示，從距末端T最遠(yuǎn)的末端處理部位Pl拔出末端T側(cè)的套管5 及屏蔽導(dǎo)體4而使內(nèi)部絕緣體3露出。這時(shí)，構(gòu)成屏蔽導(dǎo)體4的多條導(dǎo)體在步驟S2中，在 末端處理部位P1、P2、P3的任何一處被切斷。圖1(d)的工序是步驟S3。這里，若將圖1 (d)的一部分示于圖4(a)中，則在屏蔽導(dǎo)體剩余部分12中，混合存 在有三種長(zhǎng)度的屏蔽導(dǎo)體4。S卩，如圖4(b)所示，若將圓周六等分并定義所劃分的各區(qū)域， 則在屏蔽導(dǎo)體剩余部分12中分別存在有在圓周的60度的范圍存在到末端處理部位Pl的 長(zhǎng)度的屏蔽導(dǎo)體4的2個(gè)區(qū)域，在圓周的60度的范圍存在到末端處理部位P2的長(zhǎng)度的屏蔽導(dǎo)體4的2個(gè)區(qū)域，以及在圓周的60度的范圍存在到末端處理部位P3的長(zhǎng)度的屏蔽導(dǎo) 體4的2個(gè)區(qū)域。接著，如圖1(e)所示，在末端處理部位P4中，通過(guò)使用波長(zhǎng)為10. 6 μ m的CO2激 光器對(duì)套管5照射激光，從而切斷套管5并拔出到末端T側(cè)，如圖1(f)所示，使末端處理部 位P4 P2間的屏蔽導(dǎo)體4露出，形成屏蔽導(dǎo)體露出部。接著，如圖1(g)所示，在末端處理部位P5中，通過(guò)使用波長(zhǎng)為10.6μπι的0)2激 光器對(duì)內(nèi)部絕緣體3照射激光，從而切斷內(nèi)部絕緣體3并拔出到末端T側(cè)，如圖1(h)所示， 形成中心導(dǎo)體露出部。通過(guò)以上的處理而結(jié)束末端處理，得到本發(fā)明的末端處理構(gòu)造。圖1(e) 圖1(h) 表示的是步驟S4。與上述實(shí)施例相同，在步驟Sl中，相對(duì)于屏蔽導(dǎo)體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距
以1/(2Χη)的間距設(shè)置η個(gè)部位的末端處理部位P1、P2、P3.....Pn ；在步驟S2中，對(duì)η個(gè)
部位的末端處理部位Ρ1、Ρ2、Ρ3.....Ρη，從極細(xì)同軸線陣列的兩面利用激光進(jìn)行屏蔽導(dǎo)體
4的切斷；在步驟S3中，從距末端T最遠(yuǎn)的末端處理部位Pl拔出末端T側(cè)的套管5及屏蔽 導(dǎo)體4而使內(nèi)部絕緣體3露出；在步驟S4中，可以形成屏蔽導(dǎo)體露出部、中心導(dǎo)體露出部。 上述實(shí)施例相當(dāng)于η = 3的情況。在η = 2或4以上的情況下也能得當(dāng)本發(fā)明的效果。這時(shí)，在末端處理部位Pl Pn中，由于各個(gè)末端處理部位Pl Pn的要切斷的屏 蔽導(dǎo)體4的導(dǎo)體條數(shù)隨著η的增加而減少，因而，可以通過(guò)增加η來(lái)減小用于切斷屏蔽導(dǎo)體 4的YAG激光器的強(qiáng)度。由此，可以降低到達(dá)內(nèi)部絕緣體3的YAG激光器的強(qiáng)度，可以進(jìn)一 步降低對(duì)內(nèi)部絕緣體3的損傷。另外，也可以相對(duì)于屏蔽導(dǎo)體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距以l/m(m彡2)的間距
設(shè)置m個(gè)部位的末端處理部位PI、P2、P3.....Pm,利用激光從極細(xì)同軸線陣列的單面進(jìn)行
屏蔽導(dǎo)體4的切斷。就在同軸線陣列的2個(gè)部位的位置從單面照射激光的方法(m = 2的場(chǎng)合)而言， 與現(xiàn)有技術(shù)同樣，由于在同軸線的側(cè)面要用激光切斷屏蔽導(dǎo)體4增多，因而需要提高激光 的強(qiáng)度。然而，本發(fā)明中，相對(duì)于在長(zhǎng)度方向不同的部位(2個(gè)部位)內(nèi)部絕緣體3受到損 傷，現(xiàn)有技術(shù)則是在1個(gè)部位內(nèi)部絕緣體3受到損傷。因此，分散了損傷部位的本發(fā)明與現(xiàn) 有技術(shù)也能降低屏蔽性能的劣化。在3個(gè)部位以上的位置(m為3以上)從同軸線陣列的單面照射激光的方法中，如 在圖2中說(shuō)明的那樣，由于可以使激光的強(qiáng)度為能切斷位于中央附近的屏蔽導(dǎo)體4的程度 的強(qiáng)度，因而能夠防止內(nèi)部絕緣體3受到損傷。另外，在上述實(shí)施例中，雖然分別獨(dú)立地形成末端處理部位PI、P2、P3.....Pn的
屏蔽導(dǎo)體露出部位，但也可以將各個(gè)屏蔽導(dǎo)體露出部位相結(jié)合。該場(chǎng)合，從末端處理部位Pl 到末端處理部位Pn的距離，即結(jié)合了的屏蔽導(dǎo)體露出部位的長(zhǎng)度在對(duì)極細(xì)同軸線陣列的 兩面進(jìn)行屏蔽導(dǎo)體4的切斷的場(chǎng)合，相對(duì)于螺旋卷繞或編織卷繞間距為1/2間距量，在進(jìn)行 單面的屏蔽導(dǎo)體4的切斷的場(chǎng)合為1個(gè)間距量。這時(shí)，將激光的照射位置(屏蔽導(dǎo)體切斷 部)設(shè)定為1/(2 X η)間距或1/m間距。另外，在上述實(shí)施例中，雖然將激光用于屏蔽導(dǎo)體4的切斷，但該方法也不限于激 光，例如，也可以使用如切削刃那樣的加工方法。
權(quán)利要求
一種極細(xì)同軸線的末端處理方法，其是在從中心向外側(cè)依次具有中心導(dǎo)體、內(nèi)部絕緣體、屏蔽導(dǎo)體、套管，上述屏蔽導(dǎo)體由螺旋卷繞的導(dǎo)線或者編織卷繞的導(dǎo)體構(gòu)成的極細(xì)同軸線的末端處理方法中，其特征在于，包含以下各步驟切斷上述套管而使上述屏蔽導(dǎo)體露出的步驟；在上述極細(xì)同軸線的長(zhǎng)度方向的多個(gè)部位切斷上述已露出的屏蔽導(dǎo)體的圓周方向的一部分的步驟；以及從距末端最遠(yuǎn)的末端處理部位拔出末端側(cè)的套管及屏蔽導(dǎo)體而使內(nèi)部絕緣體露出的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極細(xì)同軸線的末端處理方法，其特征在于，相對(duì)于上述屏蔽導(dǎo)體的螺旋卷繞或編織卷繞間距以l/(2Xn)的間距從上述極細(xì)同軸 線的兩面進(jìn)行上述屏蔽導(dǎo)體的切斷，其中n為整數(shù)且n > 2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極細(xì)同軸線末端處理方法，其特征在于，相對(duì)于上述屏蔽導(dǎo)體的螺旋卷繞或編織卷繞間距以1/m的間距從上述極細(xì)同軸線的 單面進(jìn)行上述屏蔽導(dǎo)體的切斷，其中m為整數(shù)且m > 2。
4.一種末端處理構(gòu)造，其特征在于，使用權(quán)利要求1 3中任何一項(xiàng)所述的方法加工而成。
全文摘要
本發(fā)明涉及極細(xì)同軸線的末端處理方法及末端處理構(gòu)造。本發(fā)明提供一種在切斷屏蔽導(dǎo)體時(shí)減輕對(duì)內(nèi)部絕緣體的損傷的極細(xì)同軸線的末端處理方法及末端處理構(gòu)造。本發(fā)明的極細(xì)同軸線的末端處理方法包含以下各步驟切斷套管(5)而使屏蔽導(dǎo)體(4)露出的步驟(S1)；在極細(xì)同軸線的長(zhǎng)度方向的多個(gè)部位切斷已露出的屏蔽導(dǎo)體(4)的圓周方向的一部分的步驟(S2)；以及從距末端最遠(yuǎn)的末端處理部位拔出末端側(cè)的套管(5)及屏蔽導(dǎo)體(4)而使內(nèi)部絕緣體(3)露出的步驟(S3)。
文檔編號(hào)H02G1/12GK101882747SQ20091022184
公開日2010年11月10日 申請(qǐng)日期2009年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月7日
發(fā)明者田中康太郎 申請(qǐng)人:日立電線株式會(huì)社