專利名稱：升壓穩(wěn)壓器的啟動(dòng)電路和升壓穩(wěn)壓器的啟動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種升壓穩(wěn)壓器，尤其是涉及一種升壓穩(wěn)壓器的啟動(dòng)電 路和一種升壓穩(wěn)壓器的啟動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
圖1顯示現(xiàn)有升壓穩(wěn)壓器的范例圖。電路100包含電感102、整流
二極管103、開關(guān)105、電容107，以及控制電路106。所述控制電路106 用來開通或關(guān)斷開關(guān)105;所述電感102用來接收輸入電壓101 ，即Vim 該電感102的另一端耦合到整流二極管103的陽極和開關(guān)105的一端， 該開關(guān)105的另一端則接地。所述整流二極管103的陰極則連到穩(wěn)定后 的電壓Vout。所述整流二極管103的陰極也耦合到控制電路106的輸入 端和電容107的一端。該電容107的另一端接地。所述開關(guān)105的控制 輸入端連接到控制電路106的控制輸出端。該穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)通常稱為升 壓穩(wěn)壓器，因?yàn)檩斎腚妷?01被提升至某一個(gè)較高的電壓并送到輸出端 104。
升壓穩(wěn)壓器電路100的啟動(dòng)范例過程可以如下實(shí)施例如，在電路
100上加1.5V電壓，產(chǎn)生經(jīng)由整流二極管103至輸出端104的電流。由
于在整流二極管103上的電壓降，因此輸出端104的起始電壓為 1.5V-0.6V=0.9V，該0.9V電壓供給控制電路106以足夠的功率，從而啟 動(dòng)功率開關(guān)105。當(dāng)開關(guān)105關(guān)斷時(shí)，電感102將能量?jī)?chǔ)存于磁場(chǎng)，而 當(dāng)開關(guān)105斷開時(shí)，所儲(chǔ)存的能量即釋放到電容107。因?yàn)檩敵鲭妷褐?與傳送到負(fù)載電容107的電荷、電容107的電量，以及電感102的大小 有關(guān)，所以該輸出電壓可以被提升至一個(gè)甚至比輸入電壓101還要高的 電壓?？刂齐娐?06同樣利用輸出電壓來決定是否已經(jīng)把輸出設(shè)置為正 確的電平。該反饋允許控制電路106改變送到功率開關(guān)105的開關(guān)信號(hào) 的頻率和/或占空比，從而增加或減少被輸出的電荷量和輸送的速率，以 獲得一固定的輸出電壓。
升壓穩(wěn)壓器在電池供電的設(shè)備中特別有用，因?yàn)樵摲N設(shè)備的輸入電 壓可能比較低。例如，在采用一節(jié)五號(hào)電池(AA，其正常電壓為1.5V) 供電的設(shè)備中，可能有一個(gè)電路需要3.3V的電壓。既然在該類設(shè)備中可 能只有有限的空間，因此該升壓穩(wěn)壓器和其他電子電路必須要很小。因 此，3引腳的穩(wěn)壓器因?yàn)轶w積更小而可能比5引腳的穩(wěn)壓器更具優(yōu)越性。 同理，具有更少外部器件的解決方案(例如除去外部的肖特基二極管) 可以更進(jìn)一步減小印制板的引腳和面積。
電池供電設(shè)備的另一個(gè)問題是其電壓會(huì)隨時(shí)間而降低，例如五號(hào)電 池(AA)的電壓會(huì)降低到1V或更低。如果在啟動(dòng)時(shí)，端點(diǎn)101的輸入 為IV，電流流過整流二極管103，使得在輸出端104的起始電壓為0.4V。 如此低的電壓有可能不足以啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器，因?yàn)樵谡鞫O管103上 的電壓降限制了升壓穩(wěn)壓器控制電路106的啟動(dòng)。 一個(gè)解決方法是在穩(wěn) 壓器上增加引腳，以便直接把輸入電壓供給控制電路106，但該方法需 要增加引腳。該實(shí)施例突現(xiàn)了 3引腳的升壓穩(wěn)壓器在低輸入電壓方面的 局限性。
在很多應(yīng)用電路中，啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器會(huì)成為問題，不只是由于在整 流二極管上的壓降，同時(shí)也因?yàn)閱?dòng)時(shí)輸出端的電流需求。要把輸入電 壓提升到所需的輸出電壓，升壓穩(wěn)壓器必須提供足夠的電流以滿足負(fù)載 的需要。最后， 一般也希望盡可能地延長(zhǎng)電池的使用壽命。較好的是存 在一個(gè)啟動(dòng)電路，該啟動(dòng)電路在電池即將用盡，電壓降低時(shí)，仍能啟動(dòng) 該升壓穩(wěn)壓器。
因此，有必要提供一種改進(jìn)升壓穩(wěn)壓器的啟動(dòng)電路和一種改進(jìn)升壓 穩(wěn)壓器的啟動(dòng)方法。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明提供一種改進(jìn)的升壓穩(wěn)壓器啟 動(dòng)電路和一種改進(jìn)的升壓穩(wěn)壓器啟動(dòng)方法。
本發(fā)明所提供的改進(jìn)的升壓穩(wěn)壓器啟動(dòng)電路包括用以接收輸入電 壓的輸入節(jié)點(diǎn)，用以輸出輸出電壓的輸出節(jié)點(diǎn)，介于所述輸入節(jié)點(diǎn)和所 述輸出節(jié)點(diǎn)之間的中間節(jié)點(diǎn)，耦接于所述輸出節(jié)點(diǎn)和地之間的電容，介 于所述中間節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的放大器，以及介于所述中間節(jié)點(diǎn) 和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的控制電路；所述升壓穩(wěn)壓器還包括耦接于所述輸 入節(jié)點(diǎn)和所述中間節(jié)點(diǎn)之間的電感，耦接于所述中間節(jié)點(diǎn)和地之間的N 溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(N channel Metal-Oxide-Semiconductor Transistor ; NMOSFET)，以及耦接于所述中間節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間 的P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(P channel Metal-Oxide-Semiconductor Transistor ; PMOSFET)。
本發(fā)明所提供的改進(jìn)的升壓穩(wěn)壓器啟動(dòng)方法包括起始階段，當(dāng)升 壓穩(wěn)壓器開始工作時(shí)，通過開通的P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，
將電池電壓轉(zhuǎn)換為輸出電容上的電壓；在第一階段之后的第二階段，內(nèi) 部的控制器控制所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管和所述N溝道金 屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管同步開通和關(guān)斷；在第二階段之后的第三階段， 關(guān)斷所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，開通所述N溝道金屬-氧化 物-半導(dǎo)體晶體管，使所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管和所述N溝 道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管以非同步方式工作；以及，在第四階段，以 固定頻率開通和關(guān)斷P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管和N溝道金屬-氧 化物-半導(dǎo)體晶體管，以將輸出電容上電壓增至預(yù)定電壓電平。
本發(fā)明所提供的改進(jìn)的升壓穩(wěn)壓器啟動(dòng)方法還包括，在所述第二階 段，接通第一振蕩器，以提供開關(guān)信號(hào)至P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶 體管和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管；在所述第四階段，接通第二 振蕩器，以提供開關(guān)信號(hào)至P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管和N溝道 金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管。
所述第二振蕩器的工作頻率與所述第一振蕩器的工作頻率相互獨(dú) 立，所述控制器若判定輸出電壓高于預(yù)設(shè)電壓，則產(chǎn)生一邏輯信號(hào)，用 以關(guān)斷第一振蕩器并開通第二振蕩器。
所述同步開通和關(guān)斷P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管和N溝道金 屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的步驟包括在第一時(shí)間間隔中，同步開通N 溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，關(guān)斷P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管； 在第二時(shí)間間隔中，同步開通P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，關(guān)斷N 溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管。
下面將結(jié)合附圖，詳細(xì)闡述本發(fā)明的特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)。


圖1顯示一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的升壓穩(wěn)壓器電路；
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例的電路范例圖3顯示根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例的對(duì)升壓穩(wěn)壓器加電的方法；
圖4顯示本發(fā)明具體實(shí)施例的模擬范例圖。
具體實(shí)施例方式
下文將結(jié)合實(shí)施例詳細(xì)闡述本發(fā)明。對(duì)熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言， 如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明亦可能包括如下描述該等實(shí)施例的某些特征 或全部特征，或該某些特征或全部特征與其他特征的結(jié)合，亦可能包含 對(duì)此處描述的特征和概念的顯而易見的修改或等效替換。
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的電路范例圖。升壓穩(wěn)壓器 系統(tǒng)200包括輸入節(jié)點(diǎn)201、電感202、電容206，以及集成升壓穩(wěn)壓器 219。所述升壓穩(wěn)壓器219包括輸出節(jié)點(diǎn)211、接地端212、中間節(jié)點(diǎn)205、 放大器203、 P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204、 N溝道金屬-氧化物 -半導(dǎo)體晶體管207、下拉電阻217，以及控制電路218。所述電感202 的一端接收直流電壓VBArr，另一端連接到中間節(jié)點(diǎn)205、 N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207的漏端、晶體管204的漏端，以及放大器203 的反相輸入端。所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207和P溝道金 屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204在該升壓穩(wěn)壓器219中，用作功率開關(guān)。N 溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207的源端接地，而N溝道金屬-氧化物 -半導(dǎo)體晶體管207的柵端連接到控制電路218。所述輸出節(jié)點(diǎn)211連接 到放大器203的同相端、電容206的一端、控制電路218的電源/反饋端
215，以及P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204的漏端。電容206的另 一端接地?？刂齐娐?18包含定時(shí)器210、第一振蕩器208、第二振蕩器 209，電源/反饋輸入215、 PMOS控制輸出213、 NMOS控制輸出214， 以及電流反轉(zhuǎn)信號(hào)輸入216。
升壓穩(wěn)壓器系統(tǒng)200工作于不同的相位。對(duì)集成升壓穩(wěn)壓器219加 電時(shí)，該集成升壓穩(wěn)壓器219輸出端的起始電壓接近于零。下拉電阻217 使P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204在開始時(shí)導(dǎo)通，電流從VBArr 流到中間節(jié)點(diǎn)205、并通過P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204的溝道 到達(dá)輸出節(jié)點(diǎn)211。該起始相位也允許啟動(dòng)電流經(jīng)過反饋/電源輸入215 流至控制電路218，同時(shí)將控制電路218中的晶體管偏置。該階段允許 控制電路218由輸出來加電，從而使本發(fā)明可能采用3引腳來實(shí)現(xiàn)。當(dāng) 電壓達(dá)到第一電壓電平時(shí)，第一振蕩器208可以同步方式開始讓升壓穩(wěn) 壓器219工作，該同步方式是在N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207 導(dǎo)通而P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204截至?xí)r，在第一時(shí)間間隔 內(nèi)讓電感202儲(chǔ)能，然后N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207關(guān)斷，P 溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204導(dǎo)通，以在第二時(shí)間間隔中將能量轉(zhuǎn) 移至電容206。利用該種方式相繼地以一振蕩頻率開通和關(guān)斷N溝道金 屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207和P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204， 可以使穩(wěn)壓器提升輸出電壓。第一振蕩器208以比100kHz高的頻率運(yùn)行 來克服肇因于低輸入電壓的電感電流飽和而產(chǎn)生的溢出。第二振蕩器209 的工作頻率與第一振蕩器208的工作頻率相互獨(dú)立。在第二階段，定時(shí) 器210工作，經(jīng)過一預(yù)定時(shí)間段，升壓穩(wěn)壓器219會(huì)進(jìn)入第三階段。在 該第三階段，升壓穩(wěn)壓器219關(guān)斷P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204，
開通N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207，以使所述P溝道金屬-氧化 物-半導(dǎo)體晶體管204和所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207工作 于非同步方式，該模式確保沒有反向電流從輸出節(jié)點(diǎn)211流向電池，從 而允許輸出節(jié)點(diǎn)211繼續(xù)增加至第二預(yù)定電壓電平。在該第二電壓電平 時(shí)，升壓穩(wěn)壓器219可以進(jìn)入第四階段，在該第四階段，同步開通和關(guān) 斷所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204和所述N溝道金屬-氧化物 -半導(dǎo)體晶體管207，以將電壓增至所需要的電壓電平。
圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的對(duì)升壓穩(wěn)壓器的加電方法。 圖4顯示該具體實(shí)施例的模擬范例圖，該圖中，408表示輸出電壓、409 表示感應(yīng)電流、410表示NMOS門、411表示PMOS門，而412表示啟 動(dòng)振蕩器，在輸出電壓408部分，405表示第一預(yù)定電壓，407表示第二 預(yù)定電壓。起始階段301，當(dāng)升壓穩(wěn)壓器219開始工作時(shí)，通過開通的P 溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204，將電池電壓轉(zhuǎn)換為輸出電容206上 的電壓，并將該電容206上的電壓增加至大約等于輸入電壓減去P溝道 金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204源極與漏極之間的電壓降的一第一電壓 電平，即和輸入一樣的電平，并使升壓穩(wěn)壓器219有足夠電壓以進(jìn)入下 一階段302。所述第一電壓電平大約等于輸入電壓減去P溝道金屬-氧化 物-半導(dǎo)體晶體管204的源極與漏極之間的電壓降，或者能使第一振蕩器 208開始工作的電平。例如，假如輸入節(jié)點(diǎn)201是由即將放完電的五號(hào) (AA)電池來供給0.9V的電壓，那么輸出節(jié)點(diǎn)211上的電壓將從OV充 至0.9V。圖4中的第一階段401顯示該起始階段的模擬范例圖。
第二階段302，內(nèi)部控制器控制所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體 管204和所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207同步開通和關(guān)斷。
通過對(duì)第一振蕩器208加電，提供,關(guān)斷信號(hào)給^溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207，開始第二階 段302。所述第一振蕩器208可以工作在比正常工作時(shí)為高的頻率，以 便提供附加的電流，從而提高在該階段的電壓。例如，在第二階段，輸 出節(jié)點(diǎn)211上的電壓可能從0.9V充至1.5V。圖4中的第二階段402顯示 該第二階段的模擬范例圖。
步驟303，關(guān)斷所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204，開通所 述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207，使所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204和所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207以非同 步方式工作；當(dāng)中間節(jié)點(diǎn)205與輸出節(jié)點(diǎn)211之間的電壓足夠克服P溝 道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204關(guān)斷時(shí)所呈現(xiàn)的內(nèi)在二極管電壓時(shí)，就 可以認(rèn)為是第三階段的開始。內(nèi)在二極管作用如同整流器件，只允許電 流流向輸出，從而持續(xù)的把輸出電容上的電壓206充到第二預(yù)定電壓值。 例如，在第三階段，輸出節(jié)點(diǎn)211上的電壓可能從1.25V充到2.5V。圖 4中的第三階段403顯示該第三階段的模擬范例圖。
步驟304，同步開通和關(guān)斷P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管204和 N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管207，將輸出電容206上的電壓增至預(yù) 定電壓電平，進(jìn)入正常的升壓穩(wěn)壓器工作狀態(tài)。在一個(gè)具體實(shí)施例中， 該開關(guān)頻率可以比較低，以便在低功耗應(yīng)用中節(jié)省功率。例如，可使振 蕩器控制開關(guān)頻率工作在100kHz。在該第四階段304，輸出節(jié)點(diǎn)211上 的電壓被充至第三預(yù)定的電壓值。該電壓電平可以是升壓穩(wěn)壓器219所 需的穩(wěn)壓輸出電平。例如，在該階段，輸出節(jié)點(diǎn)211上的電壓可以從1.6V 充電至3.3V，然后輸出電平就保持在3.3V。圖4中的第四階段404顯示
該第四階段的模擬范例圖。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，但其并非用以限 制本發(fā)明，任何熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng) 可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的申請(qǐng)專利范 圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種升壓穩(wěn)壓器，包括用以接收輸入電壓的輸入節(jié)點(diǎn)，用以輸出輸出電壓的輸出節(jié)點(diǎn)，介于所述輸入節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的中間節(jié)點(diǎn)，耦接于所述輸出節(jié)點(diǎn)和地之間的電容，介于所述中間節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的放大器，以及介于所述中間節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的控制電路，其特征在于所述升壓穩(wěn)壓器還包括耦接于所述輸入節(jié)點(diǎn)和所述中間節(jié)點(diǎn)之間的電感，耦接于所述中間節(jié)點(diǎn)和地之間的N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，以及耦接于所述中間節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓穩(wěn)壓器，其特征在于所述電感與所述 中間節(jié)點(diǎn)相連的一端，還同時(shí)與所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管 的漏端、所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的漏端，以及所述放大 器的反相輸入端相連。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的升壓穩(wěn)壓器，其特征在于所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的源端接地。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的升壓穩(wěn)壓器，其特征在于所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的柵端連接到所述控制電路。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓穩(wěn)壓器，其特征在于所述放大器的同 相端與所述輸出節(jié)點(diǎn)相連。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓穩(wěn)壓器，其特征在于所述控制電路包 含定時(shí)器、第一振蕩器，以及第二振蕩器。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的升壓穩(wěn)壓器，其特征在于，所述第二振蕩器 的工作頻率與所述第一振蕩器的工作頻率相互獨(dú)立。
8. —種啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器的方法，所述啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器包括用以接收輸 入電壓的輸入節(jié)點(diǎn)，用來輸出輸出電壓的輸出節(jié)點(diǎn)，耦接于所述輸入節(jié) 點(diǎn)和所述中間節(jié)點(diǎn)之間的電感，耦接于所述中間節(jié)點(diǎn)和地之間的N溝道 金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，耦接于所述中間節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的 P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，耦接于所述輸出節(jié)點(diǎn)和地之間的電 容，以及介于所述中間節(jié)點(diǎn)和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的控制電路，其特征在于該方法主要包括如下步驟起始階段，當(dāng)所述升壓穩(wěn)壓器開始工作時(shí)，通過開通的所述P溝道 金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，將電池電壓轉(zhuǎn)換為輸出電容上的電壓，并將 該電容上的電壓增加至大約等于輸入電壓減去所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管源極與漏極之間的電壓降的第一電壓電平；第二階段，內(nèi)部控制電路控制所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管 和所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管同步開通和關(guān)斷；第三階段，關(guān)斷所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，開通所述N 溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，使所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體 管和所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管以非同步方式工作；以及，第四階段，以固定頻率開通和關(guān)斷所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶 體管和所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，將輸出電容上電壓增至 預(yù)定電壓電平。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器的方法，其特征在于，所述控制電路包含定時(shí)器、第一振蕩器，以及第二振蕩器。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器的方法，其特征在于， 該方法還包括于所述的第二階段，對(duì)所述第一振蕩器上電，以提供開關(guān) 信號(hào)給所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管和所述N溝道金屬-氧化物 -半導(dǎo)體晶體管的步驟。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器的方法，其特征在于，該方法還包括于所述的第四階段，對(duì)所述第二振蕩器上電，以提供開關(guān)信號(hào)給所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管和所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的步驟。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器的方法，其特征在于，所 述第二振蕩器的工作頻率與所述第一振蕩器的工作頻率相互獨(dú)立。
13.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器的方法，其特征在于，當(dāng) 所述控制電路判定輸出電壓高于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，所述控制電路即產(chǎn)生邏輯 信號(hào)，用以關(guān)斷所述第一振蕩器并開通所述第二振蕩器。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器的方法，其特征在于，同 步開通關(guān)斷所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管和所述N溝道金屬-氧 化物-半導(dǎo)體晶體管的步驟包括在第一時(shí)間段內(nèi)，開通所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，并 關(guān)斷所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管；以及在第二時(shí)間段內(nèi)，開通所述P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管，并關(guān) 斷所述N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器的方法，該方法主要包含如下步驟起始階段，當(dāng)升壓穩(wěn)壓器開始工作時(shí)，通過開通的PMOS晶體管，將電池電壓轉(zhuǎn)換為輸出電容上的電壓，并將該電容上的電壓增加至大約等于輸入電壓減去PMOS晶體管漏極與源極之間的電壓降；第二階段，內(nèi)部的控制器控制所述PMOS晶體管和所述NMOS晶體管同步開通和關(guān)斷；第三階段，關(guān)斷所述PMOS晶體管，開通所述NMOS晶體管，使所述PMOS晶體管和所述NMOS晶體管以非同步方式工作；以及，第四階段，以固定頻率開通和關(guān)斷PMOS晶體管和NMOS晶體管，將輸出電容上電壓增至預(yù)定電壓電平。采用本發(fā)明所提供的啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器的方法，在電池即將用盡，電壓降低時(shí)，仍能啟動(dòng)升壓穩(wěn)壓器。
文檔編號(hào)H02M3/156GK101102080SQ20071004188
公開日2008年1月9日 申請(qǐng)日期2007年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月11日
發(fā)明者楊衛(wèi)麗, 瑾 王, 胡黎強(qiáng) 申請(qǐng)人:龍鼎微電子(上海)有限公司;上海龍茂微電子有限公司