專利名稱：一種電源電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電源電路，具體地說，涉及一種電源電路中的功率因數(shù)校正電路。
背景技術(shù)：
目前，在很多電源電路中設(shè)計(jì)有對(duì)功率因數(shù)進(jìn)行校正的功率因數(shù)校正電路，其方案是使用一個(gè)PFC芯片或高成本高精度的功率場(chǎng)效應(yīng)管來實(shí)現(xiàn)電源功率預(yù)調(diào)，但這兩種部件都不易采購到，價(jià)格高昂且貨期不保證，這樣導(dǎo)致整個(gè)電源電路的成本升高，生產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn)增大。為了降低成本，保證貨源，有些廠家使用一般的MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管)來代替上述兩種部件。在使用中發(fā)現(xiàn)，雖然MOSFET的柵極G與漏極D、源極S間相互擊穿短路的現(xiàn)象比較少，但漏極與源極很容易被擊穿燒壞，其漏極與源極(D-S)短路的現(xiàn)象比較普遍，造成電源電路可靠性差。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種成本低、能保證貨源且可靠性好的電源電路。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出一種電源電路，包括功率因數(shù)校正電路1，所述功率因數(shù)校正電路1包括MOSFET 3和用于抑制MOSFET 3的漏極和源極之間峰值電壓的緩沖單元2，所述緩沖單元2連接在MOSFET的漏極和源極之間。
所述緩沖單元2為包含有電阻R和電容C串聯(lián)的電路。
本實(shí)用新型的有益效果是通過電路分析，漏極和源極擊穿的原因是漏極和源極之間的瞬間電壓太大，即實(shí)際工作電壓值大于其額定值，所以在漏極和源極之間串聯(lián)一個(gè)緩沖電路，即可抑制漏極和源極之間的峰值電壓。從而既保證了使用價(jià)廉、貨源充足的MOSFET的可行性，又可保證電源電路的可靠性。
本實(shí)用新型的特征及優(yōu)點(diǎn)將通過實(shí)施例結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。


圖1表示本實(shí)用新型的電源電路圖；圖2表示本實(shí)用新型的功率因數(shù)校正電路圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型包括功率因數(shù)校正電路1，所述功率因數(shù)校正電路1包括MOSFET 3和用于抑制MOSFET 3的漏極和源極之間峰值電壓的緩沖單元2，所述緩沖單元2連接在MOSFET的漏極和源極之間。
如圖2所示為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述緩沖單元2為包含有電阻R和電容C串聯(lián)的電路。當(dāng)MOSFET管關(guān)斷時(shí)，電容C通過電阻R被充電到(Vds-Vr)的電壓，這樣漏極電流有了分路，漏極電流能較快地減小。當(dāng)MOSFET管導(dǎo)通時(shí)，電容C通過電阻R和MOSFET管放電。
本實(shí)用新型的緩沖單元2還可通過其他方式實(shí)現(xiàn)，例如簡單的集成電路。
本實(shí)用新型的的RC緩沖單元消耗了過剩的關(guān)斷能量，擴(kuò)展了MOSFET的負(fù)載線，增加了它的可靠性。
權(quán)利要求1.一種電源電路，包括功率因數(shù)校正電路(1)，所述功率因數(shù)校正電路(1)包括MOSFET(3)，其特征在于還包括用于抑制MOSFET(3)的漏極和源極之間峰值電壓的緩沖單元(2)，所述緩沖單元(2)連接在MOSFET的漏極和源極之間。
2.如權(quán)利要求1所述的電源電路，其特征在于所述緩沖單元(2)為包含有電阻(R)和電容(C)串聯(lián)的電路。
3.如權(quán)利要求2所述的電源電路，其特征在于所述電阻(R)的阻值為10歐，電容(C)的容值為100pF。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種電源電路，公開了一種電源電路，包括功率因數(shù)校正電路1，所述功率因數(shù)校正電路1包括MOSFET 3和用于抑制MOSFET 3的漏極和源極之間峰值電壓的緩沖單元2，所述緩沖單元2連接在MOSFET的漏極和源極之間。本實(shí)用新型的成本低、能保證貨源且可靠性好。
文檔編號(hào)H02M1/00GK2682729SQ200320115300
公開日2005年3月2日 申請(qǐng)日期2003年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月3日
發(fā)明者李鴻安, 李海鷹, 戴奇峰, 李 遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:深圳創(chuàng)維－Rgb電子有限公司