專利名稱：Dc／dc變換器同步整流電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力電子領(lǐng)域中一種DC/DC變換器的同步整流技術(shù)。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字芯片要求模塊電源的供電電壓越來越低、供電電流越來越大、供電功率越來越高。單個(gè)的模塊已不能滿足供電要求，取而代之的是多個(gè)模塊電源并聯(lián)運(yùn)行。同時(shí)，用于DC-DC變換器的同步整流技術(shù)由于比肖特基整流技術(shù)具有更高的效率而在DC-DC變換器整流技術(shù)中被廣泛采用。但是，由于同步整流MOS晶體管的導(dǎo)通特性與肖特基二極管的單向?qū)ㄌ匦圆煌?，同步整流MOS晶體管在柵極電荷未被及時(shí)泄放情況下可雙向?qū)ā＿@樣當(dāng)DC-DC變換器并機(jī)時(shí)一旦其中一模塊退出運(yùn)行，由于同步整流MOS晶體管沒有及時(shí)關(guān)斷或關(guān)機(jī)時(shí)間太長，反向電流達(dá)到一定值時(shí)將燒毀退出運(yùn)行的電源模塊；同時(shí)可能導(dǎo)致母線電壓跌落，達(dá)到一定值時(shí)將使敏感負(fù)載發(fā)生邏輯錯(cuò)誤。另外由于MOSFET晶體管反向?qū)ǎ瑸V波電容與濾波電感將諧振，使DC-DC變換器輸出產(chǎn)生負(fù)壓，對(duì)輸入端的有極性電容和負(fù)載造成損傷，甚至使敏感負(fù)載發(fā)生邏輯錯(cuò)誤。
一種常用的已有同步整流自驅(qū)電路(專利號(hào)99126693)如

圖1所示。同步整流驅(qū)動(dòng)電路由PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vdrv、隔離驅(qū)動(dòng)電路、延遲驅(qū)動(dòng)電路以及串聯(lián)的Da、Ra、Sa組成，對(duì)同步整流MOS晶體管SR1、SR2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。該電路較好地實(shí)現(xiàn)了同步整流管的自驅(qū)驅(qū)動(dòng)。
如圖2所示，該電路的原理為在t1時(shí)刻，Vdrv為高電平，通過隔離驅(qū)動(dòng)電路使Sa導(dǎo)通，將同步整流MOS晶體管SR2的門極電荷釋放，SR2關(guān)斷；經(jīng)過延遲驅(qū)動(dòng)電路，在t2時(shí)刻，功率MOS管S導(dǎo)通，同步整流MOS晶體管SR1導(dǎo)通；在t3時(shí)刻，功率MOS管S關(guān)斷，SR1關(guān)斷，SR2的寄生二極管導(dǎo)通續(xù)流，由于此時(shí)變壓器T1副邊繞組Ns的電壓極性為下正上負(fù)，正電壓通過Da、Ra加在SR2門極上，使SR2導(dǎo)通，由于SR2的門極除連接有Sa外，沒有其它放電回路，SR2將持續(xù)導(dǎo)通，直到Vdrv變?yōu)楦唠娖健?br> 在變換器停止工作的t4時(shí)刻，Vdrv為低電平，功率MOS管S關(guān)斷，SR1關(guān)斷，SR2為導(dǎo)通狀態(tài)，由于變換器停止工作后Vdrv一直為低電平，Sa無法導(dǎo)通將SR2的門極電荷釋放，SR2將一直導(dǎo)通，續(xù)流結(jié)束后輸出端電容Cout上的電荷將通過電感L、SR2泄放，電流由SR2的漏極流過源極，與正常續(xù)流電流方向相反，由于電感L、SR2回路上的阻抗往往較小，泄放電流會(huì)很大，對(duì)SR2造成很大的電流應(yīng)力，同時(shí)電感L與電容Cout還會(huì)形成振蕩，在輸出端形成負(fù)電壓，對(duì)輸入端的有極性電容和負(fù)載造成損傷。在輸出空載或輕載時(shí)，由于負(fù)載阻抗相對(duì)較小，流過電感L、SR2的電流也相對(duì)較大，這個(gè)問題會(huì)更加嚴(yán)重。由于同樣的原因，采用這種同步整流驅(qū)動(dòng)電路的DC-DC變換器也無法應(yīng)用在要求輸出能直接并聯(lián)的場(chǎng)合。
即使在關(guān)機(jī)時(shí)利用電容C1與驅(qū)動(dòng)變壓器T2激磁電感Lm諧振和電容C2的電荷保持，在占空比很小的情況下關(guān)機(jī)時(shí)，由于電容C1、C2上的電壓與占空比成正比，且PWM輸出阻抗及R2的衰減作用，隔離微分電路輸出電壓很低無法使MOS晶體管Sa導(dǎo)通從而泄放SR2柵極電荷，SR2仍然將反向?qū)ā?br> 在該電路中，DC-DC變換器在關(guān)機(jī)時(shí)由于續(xù)流管SR2沒有及時(shí)關(guān)斷，續(xù)流管將反向?qū)ǎ敵鲭妷簩⒂胸?fù)壓，變換器不能并聯(lián)運(yùn)行。本發(fā)明的目的在于提供一種DC/DC變換器同步整流電路，可以克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的構(gòu)建一種DC/DC變換器并聯(lián)同步整流電路，包括延遲驅(qū)動(dòng)電路；主功率管，與延遲驅(qū)動(dòng)電路相連接；變壓器，與主功率管的漏極相連接；變壓器的次級(jí)繞組、第一整流管、與所述第一整流管漏極相連接的電感、和輸出電容順次連接成閉合回路；
第二整流管，其漏極與所述第一整流管的漏極相連接，其源極與輸出電容和次級(jí)繞組的聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連接；第二整流管的驅(qū)動(dòng)電路，包括與次級(jí)繞組相連接的二極管、與二極管陰極相連接的電阻，連接到連接到第二整流管的柵極；電平比較及柵極電荷泄放電路，包括輔助MOS管，其漏極與所述第二整流管的柵極連接，其源極接地；第二柵極電荷泄放電路，包括P溝道的第二輔助MOS管，其源極與輔助MOS管的柵極相連接，其漏極接地，其柵極與所述變壓器次級(jí)線圈輔助繞組相連接；隔離驅(qū)動(dòng)電路，其輸出與所述輔助MOS管以及第二輔助MOS管的柵極相連接。
本發(fā)明因?yàn)椴捎昧松鲜黾夹g(shù)方案，解決了現(xiàn)有技術(shù)中低壓大電流DC-DC變換器常用的同步整流驅(qū)動(dòng)電路中存在的同步整流MOS晶體管沒有及時(shí)關(guān)斷或關(guān)斷時(shí)間太長的問題，減小了主功率MOS晶體管的漏源極Vds電壓應(yīng)力脈寬，同時(shí)能夠避免同步整流管反向?qū)ㄓ帜軌虮苊獾谝弧⒍鞴芡瑫r(shí)導(dǎo)通。結(jié)構(gòu)簡單、成本低、效率高。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種同步整流自驅(qū)動(dòng)電路圖。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中同步整流自驅(qū)動(dòng)電路的工作時(shí)序圖。
圖3a是本發(fā)明的同步整流驅(qū)動(dòng)電路圖。
圖3b是本發(fā)明的另一實(shí)施例圖。
圖4是本發(fā)明同步整流驅(qū)動(dòng)電路的工作時(shí)序圖。
圖5是IRLML5103柵源極電壓Vgs與漏源極電流Id關(guān)系圖。
圖6是本發(fā)明電路實(shí)施例的仿真波形圖。
圖7是本發(fā)明在諧振箝位雙正激變換器中的應(yīng)用圖。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明內(nèi)容作進(jìn)一步闡述。
如圖3a所示，DC/DC變換器同步整流電路包括延遲驅(qū)動(dòng)電路；主功率管S，與延遲驅(qū)動(dòng)電路相連接；變壓器T1，與主功率管的漏極相連接；變壓器T1的次級(jí)繞組Ns、第一整流管SR1、與所述第一整流管SR1漏極相連接的電感L、和輸出電容Cout順次連接成閉合回路；第二整流管SR2，其漏極與所述第一整流管SR1的漏極相連接，其源極與輸出電容Cout和次級(jí)繞組Ns的聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連接；第二整流管SR2的驅(qū)動(dòng)電路，包括與次級(jí)繞組Ns相連接的二極管Da、與二極管Da陰極相連接的電阻Ra，連接到SR2的柵極；電平比較及柵極電荷泄放電路，包括輔助MOS管Sa(P溝道MOS晶體管)，其漏極與所述第二整流管SR2的柵極連接，其源極接地；第二柵極電荷泄放電路，包括第二輔助MOS管Sb(P溝道MOS晶體管)，其源極與輔助MOS管Sa的柵極相連接，其漏極接地，其柵極與所述變壓器T1次級(jí)線圈輔助繞組Nsa相連接。
隔離驅(qū)動(dòng)電路，其輸出與所述輔助MOS管Sa以及第二輔助MOS管Sb的柵極相連接。
所述隔離驅(qū)動(dòng)電路為反向隔離微分電路。包括驅(qū)動(dòng)變壓器T2原邊繞組Nps、副邊繞組Nss；電容C1與變壓器原邊繞組Nps相連接，副邊繞組Nss一端接地，另一端與電容C2、電阻R2順次連接，副邊繞組Nss通過電容C2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。PWM信號(hào)通過阻尼電阻R1加在電容C1的一端。
如圖3b所示，所述第二柵極電荷泄放電路還包括一個(gè)比較器電路，連接在所述第二輔助MOS管Sb的柵極與所述變壓器T1次級(jí)線圈輔助繞組Nsa之間；其比較器電路的輸出與所述第二輔助MOS管Sb的柵極相連接，其輸入與所述變壓器T1次級(jí)線圈輔助繞組Nsa相連接，也可實(shí)現(xiàn)同樣的目的。
本發(fā)明的同步整流驅(qū)動(dòng)電路工作原理如圖4所示。
在t1時(shí)刻，驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vdrv由低電平翻轉(zhuǎn)為高電平Vdrh，驅(qū)動(dòng)變壓器T2原邊Vtp同相端由低電平-Vc1即電容C1初值翻轉(zhuǎn)為高電平Vdrh-Vc1，驅(qū)動(dòng)變壓器T2副邊Vts反相端由于同名端反相由Vc1翻轉(zhuǎn)為低電平-Vdrh+Vc1；電平比較及電荷泄放電路P溝道MOS晶體管Sa柵極G端電平Vg由于MOS晶體管Sb體二極管D1的箝位而被箝位在通態(tài)壓降-Vd，MOS晶體管Sa柵源極形成電壓差-Vgs，P溝道MOS晶體管的硅表面從N型反型成P型，Id電流形成，一旦大于開啟電壓P溝道MOS晶體管Sa就迅速導(dǎo)通，同步整流續(xù)流管SR2柵極電荷被快速泄放，Vsr2g翻轉(zhuǎn)為低電平。
在t1-t2為Ton期間，SR1導(dǎo)通，SR2由于Sa一直導(dǎo)通而關(guān)斷。在t2時(shí)刻，驅(qū)動(dòng)信號(hào)PWM由高電平翻轉(zhuǎn)為低電平，驅(qū)動(dòng)變壓器T2原邊Vtp同相端由高電平Vdrh-Vc1翻轉(zhuǎn)為低電平-Vc1，驅(qū)動(dòng)變壓器T2副邊Vts反相端由于同名端反相由低電平-Vdrh+Vc1翻轉(zhuǎn)為Vc1，電容C2電平仍為Vdrh-Vc1-Vd，MOS晶體管Sa柵極G端電平初值為Vdrh-Vc1-Vd+Vc1＝Vdrh-Vd，此時(shí)MOS晶體管Sa的柵極電平高于或等于源極電平，P溝道MOS晶體管的硅表面不能從N型反型成P型，Id電流不能形成，MOS晶體管Sa快速關(guān)斷。
在t2-t3為Toff期間，SR1關(guān)斷，電平比較電路MOS晶體管Sa柵極電平Vg為高電平，并按下式衰減Vg=Vc1+(Vdrh-Vc1-Vd)e-tR2*C2]]>只要時(shí)間常數(shù)R2*C2及驅(qū)動(dòng)變壓器T2變比Nps/Nss選得合適，就能保證P溝道MOS晶體管Sa柵極電平高于源極電平，其電壓差-Vgs小于開啟電壓，MOS晶體管Sa就保持關(guān)斷狀態(tài)，從而使得同步整流續(xù)流管柵極電荷得以保持并保證在Toff期間SR2關(guān)斷。
在t4時(shí)刻為關(guān)機(jī)時(shí)刻，由于變壓器激磁電感Lm、電容C1與電阻R1組成二階電路，該電路在關(guān)機(jī)時(shí)為零輸入響應(yīng)，R1必須大于 才能有效抑制諧振。此時(shí)電容C1電壓Vc1的表達(dá)式Vc1=Vc1(0)p2-p1(p2*eP1*t-p1*ep2*t)]]>其中p1=-R12Lm+(R12Lm)2-1Lm*C1]]>p2=-R12Lm-(R12Lm)2-1Lm*C1]]>由于R1的阻尼作用，原邊Vtp同相端電平很快衰減到零，驅(qū)動(dòng)變壓器T2副邊Vts反相端電平很快衰減到零，但柵極電平Vg按照C2、R2微分電路衰減，但仍然較高。從圖3可看出，由于P溝道MOS管Sb的柵極受變壓器輔助繞組Nsa控制，關(guān)機(jī)時(shí)該繞組為低電平，MOS晶體管Sb將快速導(dǎo)通，使柵極電平Vg快速降為低電平。一旦MOS晶體管Sa柵極電平Vg低于源極電平Vs，Sa柵極電荷開始泄放，如Sa柵源極電壓差-Vgs大于門限電壓，MOS晶體管Sa就快速導(dǎo)通，Id在0.15A以上(如圖5所示)，從而保證同步整流續(xù)流管SR2柵極電荷的快速泄放，泄放時(shí)間不會(huì)大于1個(gè)周波，同步整流續(xù)流管SR2被及時(shí)關(guān)斷，防止了同步整流續(xù)流管SR2的反向?qū)??？梢宰C明，續(xù)流管SR2柵極電荷泄放時(shí)間是非常小的。如圖5所示，MOS晶體管Qa采用IRLML5103，其柵源極電壓差-Vgs達(dá)到3V，漏源極電流-Id≥0.15A，如續(xù)流管SR2選用HAT2099，Qg＝75nC，柵極電荷泄放時(shí)間t=QgA=0.5uS,]]>如并聯(lián)2pcs，柵極電荷泄放時(shí)間為1.0uS，為一個(gè)開關(guān)周期(f＝250kHZ)的1/4，如此短的時(shí)間，同步續(xù)流管上的電流Isr2ds還沒有下降到零SR2就被關(guān)斷了。仿真波形圖如圖6所示。因此，DC-DC變換器輸出電壓關(guān)機(jī)時(shí)不會(huì)出現(xiàn)負(fù)壓，同時(shí)也不影響DC-DC變換器并聯(lián)運(yùn)行。
驅(qū)動(dòng)變壓器T2主要用于DC-DC變換器原副邊隔離和小功率P溝道MOS晶體管Sa柵極電平Vg的調(diào)節(jié)，改變驅(qū)動(dòng)變壓器T2的變比就能改變柵極電平Vg，非常方便。
變壓器輔助繞組Nsa主要用于控制P溝道MOS管Sb的柵極電平，正常運(yùn)行時(shí)該電平高于其源極電平，MOS管Sb不導(dǎo)通，箝位功能由MOS管Sb體二極管完成；關(guān)機(jī)時(shí)該電平迅速翻轉(zhuǎn)為低電平，保證MOS管Sb快速導(dǎo)通。
圖7是本發(fā)明在諧振箝位雙正激變換器中的應(yīng)用。通過采取以上措施，使得本發(fā)明能夠低成本地在采用均流措施下實(shí)現(xiàn)同步整流DC-DC變換器的并機(jī)運(yùn)行、在關(guān)機(jī)時(shí)DC-DC變換器輸出無負(fù)壓和同步MOS晶體管的無反向?qū)▎栴}。同時(shí)，還能減小主功率MOS管Vds電壓應(yīng)力超標(biāo)脈寬在允許范圍內(nèi)。
與本發(fā)明對(duì)比，現(xiàn)有技術(shù)為了解決以上電路中同步整流MOS晶體管沒有及時(shí)關(guān)斷或關(guān)斷時(shí)間太長的問題，一般需增加6pcs以上的元器件，1pcs三極管、3pcs二極管、1pcs電容、1pcs電阻及相應(yīng)PCB占板面積，每塊DC-DC變換器需增大料本約5元人民幣以上，還沒有包括電路安裝、調(diào)試、維護(hù)及市場(chǎng)營銷等人工成本，產(chǎn)品成本增加1％，市場(chǎng)成本增加5％，產(chǎn)品競(jìng)爭力大幅降低。
本發(fā)明創(chuàng)造性地利用P溝道MOSFET晶體管如柵極電平小于源極電平就開始導(dǎo)通和如柵極電平大于源極電平就開始關(guān)斷的原理于同步整流驅(qū)動(dòng)電路中，使P溝道MOSFET晶體管Sa不但具有電荷泄放的功能，而且具有電平比較的功能，根據(jù)Sa柵極電平Vg和源極即SR2柵極電平的比較來實(shí)現(xiàn)同步續(xù)流管SR2柵極電荷泄放，并和二極管Da一起實(shí)現(xiàn)同步續(xù)流管SR2柵極電荷保持，從而使得同步整流MOS晶體管幾乎具有和肖特基二極管一樣的開關(guān)整流特性。
本發(fā)明利用變壓器的原副邊電壓的實(shí)時(shí)特性原理，即變壓器原邊電壓Vtp不管是高電平或是低電平，在關(guān)機(jī)時(shí)在有阻尼情況下，變壓器副邊Vts一定是低電平的原理。同時(shí)，利用電容C2與電阻R2組成的微分電路的微分特性，在增加驅(qū)動(dòng)變壓器副邊Nss匝數(shù)以提高Vts最高電平或減小主變壓器副邊輔助繞組匝數(shù)以減小SR2柵極電平情況下，減小時(shí)間常數(shù)C2·R2。兩種因數(shù)促使P溝道MOSFET晶體管Sa柵極電平Vg在關(guān)機(jī)時(shí)降低，柵極電平低于源極電平，MOS晶體管Sa就開始導(dǎo)通，同時(shí)泄放同步續(xù)流管SR2柵極電荷，同步續(xù)流管SR2及時(shí)關(guān)斷。而現(xiàn)有技術(shù)常用電路采用的變壓器及微分電路在關(guān)機(jī)時(shí)與本發(fā)明電路的功能相反，該電路希望關(guān)機(jī)時(shí)隔離微分電路輸出為高電平及原邊諧振以保證N溝道MOSFET晶體管Sa導(dǎo)通，但實(shí)際上在占空比較小時(shí)，無法形成有效諧振和微分電路的電荷保持，從而無法保證N溝道MOSFET晶體管Sa及時(shí)導(dǎo)通，同步續(xù)流管SR2由于柵極電荷沒有及時(shí)泄放而反向?qū)?，DC-DC變換器無法并機(jī)運(yùn)行，關(guān)機(jī)時(shí)輸出有負(fù)壓，本發(fā)明不存在此問題。
本發(fā)明的反相隔離微分電路由電容C1、C2、二極管D1、電阻R2、驅(qū)動(dòng)變壓器T2原邊繞組Nps、副邊繞組Nss組成，能夠?qū)崿F(xiàn)隔離電路輸入端和輸出端電平高度的基本還原、原副邊隔離和反相的功能，同時(shí)由于MOSFET晶體管Sa為小功率晶體管需要驅(qū)動(dòng)能量小，電容C2的充放電電荷在各種運(yùn)行狀態(tài)下容易平衡，能夠滿足DC-DC變換器在大動(dòng)態(tài)的要求。而第一種常用電路采用的是同相隔離微分電路，不能實(shí)現(xiàn)反相功能，其反相由N溝道MOSFET晶體管Sa來實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明利用MOS晶體管Sb體二極管實(shí)現(xiàn)箝位作用，利用變壓器輔助繞組Nsa和MOS晶體管Sb組成快速關(guān)機(jī)電路，實(shí)現(xiàn)關(guān)機(jī)電路雙保險(xiǎn)。同時(shí)，表貼MOS晶體管與二極管封裝一樣，不增加占板面積。
本發(fā)明的電路通過調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)變壓器T2副邊匝數(shù)Nss或主變壓器副邊輔助繞組匝數(shù)和微分電路時(shí)間常數(shù)C2·R2，利用Vsr2g電平一旦快于并超過Vdrv電平(原邊輔助電源一般采用平均整流)的上升，即Vsr2g電平高于Vg電平，MOS晶體管Sa就開始導(dǎo)并通泄放電荷，從而達(dá)到減小主功率管S的漏源極Vds電壓脈寬的目的，使主功率MOS晶體管電壓應(yīng)力超標(biāo)的脈寬在允許范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種DC/DC變換器并聯(lián)同步整流電路，包括延遲驅(qū)動(dòng)電路；主功率管(S)，與延遲驅(qū)動(dòng)電路相連接；變壓器(T1)，與主功率管的漏極相連接；變壓器(T1)的次級(jí)繞組(Ns)、第一整流管(SR1)、與所述第一整流管(SR1)漏極相連接的電感(L)、和輸出電容(Cout)順次連接成閉合回路；第二整流管(SR2)，其漏極與所述第一整流管(SR1)的漏極相連接，其源極與輸出電容(Cout)和次級(jí)繞組(Ns)的聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連接；第二整流管(SR2)的驅(qū)動(dòng)電路，包括與次級(jí)繞組(Ns)相連接的二極管(Da)、與二極管(Da)陰極相連接的電阻(Ra)，連接到第二整流管(SR2)的柵極；其特征在于還包括電平比較及柵極電荷泄放電路，包括P溝道的輔助MOS管(Sa)，其漏極與所述第二整流管(SR2)的柵極連接，其源極接地；第二柵極電荷泄放電路，包括P溝道的第二輔助MOS管(Sb)，其源極與輔助MOS管(Sa)的柵極相連接，其漏極接地，其柵極與所述變壓器(T1)次級(jí)線圈輔助繞組(Nsa)相連接；隔離驅(qū)動(dòng)電路，其輸出與所述輔助MOS管(Sa)以及第二輔助MOS管(Sb)的柵極相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC/DC變換器并聯(lián)同步整流電路，其特征在于所述第二柵極電荷泄放電路還包括一個(gè)比較器電路，連接在所述第二輔助MOS管(Sb)的柵極與所述變壓器(T1)次級(jí)線圈輔助繞組(Nsa)之間；其比較器電路的輸出與所述第二輔助MOS管(Sb)的柵極相連接，其輸入與所述變壓器(T1)次級(jí)線圈輔助繞組(Nsa)相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的DC/DC變換器并聯(lián)同步整流電路，其特征在于所述隔離驅(qū)動(dòng)電路為反相隔離微分電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的DC/DC變換器并聯(lián)同步整流電路，其特征在于所述反向隔離微分電路。包括驅(qū)動(dòng)變壓器(T2)原邊繞組(Nps)、副邊繞組(Nss)；第一電容(C1)與驅(qū)動(dòng)變壓器原邊繞組(Nps)相連接，驅(qū)動(dòng)變壓器副邊繞組(Nss)一端接地，另一端與第二電容(C2)、第二電阻(R2)順次連接，驅(qū)動(dòng)變壓器副邊繞組(Nss)通過第二電容(C2)輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種DC/DC變換器并聯(lián)同步整流電路，包括延遲驅(qū)動(dòng)電路、主電路、第一整流管SR1、第二整流管SR2，第二整流管SR2的驅(qū)動(dòng)電路，電平比較及柵極電荷泄放電路，隔離驅(qū)動(dòng)電路，第二柵極電荷泄放電路。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中低壓大電流DC－DC變換器常用的同步整流驅(qū)動(dòng)電路中存在的同步整流MOS晶體管沒有及時(shí)關(guān)斷或關(guān)斷時(shí)間太長的問題，減小了主功率MOS晶體管的漏源極Vds電壓應(yīng)力脈寬，同時(shí)能夠避免同步整流管反向?qū)ㄓ帜軌虮苊釹R1、SR2同時(shí)導(dǎo)通。結(jié)構(gòu)簡單、成本低、效率高。
文檔編號(hào)H02M3/24GK1529403SQ20031011182
公開日2004年9月15日 申請(qǐng)日期2003年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月20日
發(fā)明者雷興華 申請(qǐng)人:艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司