專利名稱:一種自供電p-sshi電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種自供電P-SSHI電路。其特征是所述P-SSHI電路包括檢測(cè)器I，檢測(cè)器II，MOS管M1，MOS管M4，二極管D3，二極管D5，開(kāi)關(guān)器件I，開(kāi)關(guān)器件II，整橋電路。該P(yáng)-SSHI電路在不需要電源情況下能較多的收集壓電元件的能量，與現(xiàn)有的壓電能量收集電路相比，該電路不僅適合在高振動(dòng)水平收集較多能量，也適合在低振動(dòng)水平有效收集能量，有效的提高了能量收集效率。
【專利說(shuō)明】一種自供電P-SSHI電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型屬于能量、電源【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種能量收集電路。該實(shí)用新型可以用 壓電元件在振動(dòng)環(huán)境中收集能量，所收集的能量電路可以為人們?nèi)粘Ｉ钐峁┓奖恪?br>
【背景技術(shù)】
[0002] 在最近幾年中，節(jié)能減排、無(wú)線技術(shù)已經(jīng)滲透在生活中每一個(gè)角落。歸功于無(wú)線傳 感網(wǎng)絡(luò)與低功耗技術(shù)的進(jìn)步，能量收集器的研宄和應(yīng)用日益廣泛。例如結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測(cè)，全球 定位系統(tǒng)等這些與日俱增的應(yīng)用便對(duì)能源的需求具有很大刺激。目前，環(huán)境中存在多種形 式的能量，其能量密度如表1所示。
[0003] 表1環(huán)境中能量密度
[0004]

【權(quán)利要求】
1. 一種基于自供電的P-SSHI電路，其特征是所述P-SSHI電路包括檢測(cè)器I，檢測(cè)器 II，MOS管Ml，MOS管M4,二極管D3,二極管D5,開(kāi)關(guān)器件I，開(kāi)關(guān)器件II，整橋電路； 所述檢測(cè)器I包括電阻Rl，二極管Dl，電容Cl ;所述檢測(cè)器II包括電阻R2,二極管D2， 電容C2 ;所述開(kāi)關(guān)器件I包括二極管D4, MOS管M3 ;所述開(kāi)關(guān)器件II包括二極管D6, MOS 管M2 ;所述整橋電路由二極管D7,二極管D8,二極管D9,二極管DlO構(gòu)成； 所述壓電元件一端分別與電阻Rl -端，MOS管Ml柵極端，二極管D4正極端，二極管D6 負(fù)極端，MOS管M4的柵極端，電阻R2的一端，二極管D7的負(fù)極，二極管D8正極相連，電阻Rl 另一端與二極管Dl的正極相連，二極管Dl的負(fù)極分別與MOS管Ml的源極端，電容Cl的一 端相連，電容Cl另一端分別與壓電元件的另一端，電感L 一端，電容C2 -端，二極管D9負(fù) 極端，二極管DlO正極端；所述MOS管Ml的漏極端與二極管D3的正極相連，所述二極管D3 負(fù)極端與MOS管M3的柵極端相連，所述MOS管M3的漏極端與二極管D4的負(fù)極端相連，所述 電感的另一端分別與MOS管M3的源極，MOS管M2的源極相連；所述MOS管M2的柵極與二 極管D5正極相連，所述MOS管的漏極與二極管D6正極相連；所述二極管D5負(fù)極與MOS管 M4漏極端相連，所述MOS管M4源極端分別與電容C2 -端，二極管D2的正極相連；所述二 極管D2的負(fù)極分別與電阻R2 -端相連；所述二極管D7正極，二極管D9正極都與地相連， 所述二極管D8負(fù)極，二極管DlO負(fù)極與輸出負(fù)載一端相連，輸出負(fù)載另一端與地相連，輸出 負(fù)載可以是電容Crect，輸出負(fù)載也可以是電容Crect與電阻Rload并聯(lián)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-SSHI電路，其特征在于，整橋電路中二極管選用正向?qū)?壓降小、反向截至電流小的二極管。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-SSHI電路，其特征在于，MOS管選用超低功耗型號(hào)。
【文檔編號(hào)】H02N2-18GK204271948SQ201420551927
【發(fā)明者】闞江明, 龐帥, 李文彬 [申請(qǐng)人]北京林業(yè)大學(xué)