專利名稱：電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路的技術(shù)。本發(fā)明也涉及一種半導(dǎo)體裝置技術(shù)。此外，本發(fā)明屬于一種半導(dǎo)體裝置技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體裝置具有以源跟隨電路、差動(dòng)放大器、讀出放大器、運(yùn)算放大器等、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和光電轉(zhuǎn)換器件為代表的電路。
背景技術(shù)：
這些年廣泛用于便攜式電話和便攜式端子等的集成電路(IC)具有一種在約5平方毫米的硅基片上形成成百上千到幾百萬晶體管和電阻器的結(jié)構(gòu)，并且在裝置小型化、增加裝置可靠性和裝置的大規(guī)模生產(chǎn)中起重要作用。
其次當(dāng)用于集成電路(IC)等的電路被設(shè)計(jì)時(shí)，在許多情況下，具有放大小振幅信號(hào)的電壓和電流功能的放大器電路被設(shè)計(jì)。放大器電路被廣泛應(yīng)用，因?yàn)樗亲柚巩a(chǎn)生失真而使電路穩(wěn)定工作所必不可少的電路。
此處，作為放大器電路的一個(gè)實(shí)例，將描述一個(gè)源跟隨電路的結(jié)構(gòu)及其操作。首先，圖5A表示一個(gè)源跟隨電路的結(jié)構(gòu)實(shí)例，并且描述了其在穩(wěn)態(tài)的操作。然后，通過圖5B和5C，將描述源跟隨電路的工作點(diǎn)。最后，一個(gè)結(jié)構(gòu)不同于圖5A的源跟隨電路的實(shí)例示于圖6中，并且將描述其在瞬態(tài)的操作。
首先，將利用圖5A的源跟隨電路描述穩(wěn)態(tài)下的操作。
在圖5A中，參考數(shù)字11表示一個(gè)n-溝道型放大晶體管，而參考數(shù)字12表示n-溝道型偏壓晶體管。此外，雖然圖5A中所示的放大晶體管11和偏壓晶體管12是n-溝道型，但它們也可用p-溝道型晶體管構(gòu)成。另外，此處為簡(jiǎn)化起見，假定放大晶體管11和偏壓晶體管12的特性和尺寸相同，并且更進(jìn)一步電流特性也是理想的?？傊?，假定即使放大晶體管和偏壓晶體管12的源極和漏極間的電壓變化，飽和區(qū)的電流值也不變。
并且，放大晶體管11的漏區(qū)被連接到電源線13，而源區(qū)被連接到偏壓晶體管12的漏區(qū)。偏壓晶體管12的源區(qū)被連接到電源線14。
偏壓電位Vb被施加到偏壓晶體管12的柵電極。然后電源電位Vdd被施加到電源線13，而接地電位Vss被施加到電源線14。
在圖5A所示的源跟隨電路中，放大晶體管11的柵電極成為輸入端，并且輸入電位V輸入被施加到放大晶體管11的柵電極。并且，放大晶體管11的源區(qū)成為輸出端，而放大晶體管11的源區(qū)的電位成為輸出電位V輸出。偏壓電位Vb被施加到偏壓晶體管12的柵電極，并假定當(dāng)偏壓晶體管12在飽和區(qū)工作時(shí)，有表示為Ib的電流流動(dòng)。此時(shí)，由于放大晶體管11和偏壓晶體管12串聯(lián)，因此相同大小的電流流過這兩個(gè)晶體管。即當(dāng)電流Ib流過偏壓晶體管12時(shí)，電流Ib也流過放大晶體管11。
此處，將計(jì)算在源跟隨電路中的輸出電位V輸出。通過調(diào)節(jié)放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1，使輸出電位V輸出的值小于輸入電位V輸入。此時(shí)，輸入電位V輸入、輸出電位V輸出和柵極及源極間的電壓Vgs1的關(guān)系滿足下式(1)。
V輸出＝V輸入-Vgs1…(1)其次，由于在放大晶體管11在飽和區(qū)工作情況下，電流Ib流過放大晶體管11，因此放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1需等于偏壓電位Vb。然后得到下面的公式(2)。但是公式(2)只是當(dāng)放大晶體管11和偏壓晶體管12在飽和區(qū)工作時(shí)才能得到。
V輸出＝V輸入-Vb…(2)其次，將利用表示放大晶體管11和偏壓晶體管12的電壓和電流關(guān)系的圖5B和5C，描述源跟隨電路的工作點(diǎn)。更詳細(xì)地，將利用圖5B描述放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1與偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2為相同值的情況。然后，利用圖5C描述放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1為一個(gè)不同于偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2的值的情況，例如偏壓晶體管12在線性區(qū)工作的情況。
在圖5B中，虛線21表示當(dāng)放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1為Vb時(shí)電壓和電流的關(guān)系；而實(shí)線22表示偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2為Vb時(shí)電壓和電流的關(guān)系。在圖5C中，虛線21也表示放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1為Vb’時(shí)的電壓和電流關(guān)系；而實(shí)線22表示偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2為Vb時(shí)的電壓和電流關(guān)系。
在圖5B中，由于放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1與偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2為相同值，而且更進(jìn)一步，偏壓電位Vb和偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2為相同值，因此放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1與偏壓電位Vb是相同的值。即得到Vgs1＝Vgs2＝Vb，并且如圖5B所示，放大晶體管11和偏壓晶體管12在飽和區(qū)工作。此時(shí)，輸入電位V輸入和輸出電位V輸出成為線性關(guān)系。
另一方面，在圖5C中，放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1與偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2為不同值，其次，偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2和偏壓電位Vb為相同值。此外，假定放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1為偏壓電位Vb’?？傊瑵M足Vgs2＝Vb和Vgs1＝Vb’，并且如圖5C所示，放大晶體管11在飽和區(qū)工作，而偏壓晶體管12在線性區(qū)工作。此時(shí)，輸入電位V輸入、輸出電位V輸出及偏壓電位Vb’間的關(guān)系滿足下式(3)。
V輸出＝V輸入-Vb’ …(3)如果假定當(dāng)偏壓晶體管12在線性區(qū)操作時(shí)流過的電流為Ib’，滿足Ib’＜Ib?？傊甐b’＜Vb被滿足，并且輸入電位V輸入和電流Ib’的值都被減少。則偏壓電位Vb’也減少。此時(shí)，輸入電位V輸入和輸出電位V輸出的關(guān)系為非線性。
綜前所述，在穩(wěn)態(tài)源跟隨電路中，為了擴(kuò)大輸出電位V輸出的振幅，理想的是減少偏壓電位Vb。這是由于如下兩個(gè)原因。
第一個(gè)原因是，如公式(2)所示，當(dāng)偏壓電位Vb小時(shí)，輸出電位V輸出可被擴(kuò)大。第二個(gè)原因是，在偏壓電位Vb的值大的情況下，當(dāng)輸入電位V輸入被減少時(shí)，偏壓晶體管12在線性區(qū)工作。當(dāng)偏壓晶體管12在線性區(qū)工作時(shí)，輸入電位V輸入和輸出電位V輸出的關(guān)系易變?yōu)榉蔷€性。
此外，由于偏壓晶體管12處于導(dǎo)通狀態(tài)是必要的，因此將偏壓電位Vb的值設(shè)為大于偏壓晶體管12的閾值電壓的值是必要的。
至此，已描述了源跟隨電路在穩(wěn)態(tài)下的工作，隨后將利用圖6A-B描述源跟隨電路在瞬態(tài)下的工作。
如圖6A-B所示的源跟隨電路是通過在圖5A的電路中增加一個(gè)電容器件15而設(shè)計(jì)成的結(jié)構(gòu)。電容器件15的一個(gè)端子被連接到放大晶體管11的源區(qū)，而另一端子被連接到電源線16。接地電位Vss被施加到電源線16。
電容器件15的兩個(gè)電極之間的電位差變得與源跟隨電路的輸出電位V輸出一致。此處，將利用圖6A描述V輸出＜V輸入-Vb的情況下的工作，然后利用圖6B描述V輸出＞V輸入-Vb的情況下的工作。
首先，利用圖6A，將描述在V輸出＜V輸入-Vb的情況下源跟隨電路在穩(wěn)態(tài)下的工作。
在圖6A中，在t＝0時(shí)間點(diǎn)，放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1的值為大于偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2的值。因此，大的電流流過放大晶體管11，且電荷迅速被保持在電容器件15中。然后，輸出電位V輸出被放大，放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1的值被減小。
然后，隨著時(shí)間推移(t＝t1，t1＞0)，當(dāng)放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1變成等于偏壓電位Vb時(shí)，它進(jìn)入穩(wěn)態(tài)。此時(shí)，輸出電位V輸出、輸入電位V輸入及偏壓電位Vb間的關(guān)系滿足上述公式(2)。
綜前所述，在V輸出＜V輸入-Vb的情況下，由于放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1大于偏壓電位Vb，因此，大的電流流過放大晶體管11，且電荷迅速被保持在電容器件15中。因此，在電容器件15中保持預(yù)定電荷所需時(shí)間，換言之用于寫信號(hào)到電容器件15所需時(shí)間可被縮短。
其次，將利用圖6B描述V輸出＞V輸入-Vb的情況下源跟隨電路在瞬態(tài)的工作。
在圖6B中，在t＝0時(shí)間點(diǎn)，放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1為小于放大晶體管11的閾值電壓的值，因此放大晶體管11處于非導(dǎo)通狀態(tài)。然后存儲(chǔ)在電容器件15中的電荷沿接地電位Vss的方向流過偏壓晶體管12，并且最終被釋放。此時(shí)，由于偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2與偏壓電位Vb為相同值，因此流過偏壓晶體管12的電流成為Ib。
然后，隨著時(shí)間推移(t＝T1，t1＞0)，輸出電位V輸出減少，而放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1被增大。其次，當(dāng)放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1變得等于偏壓電位Vb時(shí)，它進(jìn)入穩(wěn)態(tài)。此時(shí)，輸出電位V輸出、輸入電位V輸入及偏壓電位Vb間的關(guān)系滿足上述公式(2)。此外，在穩(wěn)態(tài)下，輸出電位V輸出被保持在一個(gè)定值，并且電荷不流過電容器件15。然后電流Ib流過放大晶體管11和偏壓晶體管12。
綜前所述，在V輸出＞V輸入-Vb的情況下，用于保持預(yù)定電荷在電容器件15中所需時(shí)間，換言之，用于寫信號(hào)到電容器件15的時(shí)間取決于流過偏壓晶體管12的電流Ib。其次，電流Ib取決于偏壓電位Vb。因此，為了通過增大電流Ib來縮短寫信號(hào)到電容器件15所需時(shí)間，有必要增大偏壓電位Vb。
此外，作為補(bǔ)償晶體管閾值電壓變化的方法，有一種方法是通過觀察一個(gè)有信號(hào)輸入的電路的輸出的變化，并隨后將變化反饋回輸入側(cè)(例如見非專利文件1)[非專利文件1]H.Sekine等，“用于帶集成的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的多晶Si TFT LCLV的放大器補(bǔ)償法”，IDRC’97，45～48頁。
上述源跟隨電路的工作是在假定放大器晶體管11和偏壓晶體管12的特性相同的情況下進(jìn)行的。但是，對(duì)于兩種晶體管，諸如柵極長(zhǎng)度(L)、柵極寬度(W)和柵極絕緣膜的膜厚變化的因素是部分一致的，出現(xiàn)這種情況是由于制造工藝和所用基片不同以及溝道形成區(qū)的結(jié)晶狀態(tài)的變化等引起的，因此晶體管的閾值電壓和遷移率會(huì)出現(xiàn)變化。
例如，在圖5A中，假定放大晶體管11的閾值電壓為3V，而偏壓晶體管12的閾值電壓為4V，有1V的變化產(chǎn)生。其次，為了流過電流Ib，將一個(gè)比偏壓晶體管12的柵極和源極間的電壓Vgs2小1V的電壓值施加到放大晶體管11的柵極和源極間的電壓Vgs1是必要的?？傊瑵M足Vgs1＝Vb-1。其次，V輸出＝V輸入-Vgs1＝V輸入-Vb+1。總之，即使當(dāng)放大晶體管11和偏壓晶體管12的閾值電壓發(fā)生1V的改變，輸出電位V輸出也會(huì)發(fā)生改變。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮到上述問題做出的，它的一個(gè)任務(wù)是提供一種電路，其中晶體管特性變化的影響被抑制。更詳細(xì)地，本發(fā)明的任務(wù)提供一種能夠抑制晶體管特性變化的影響并且能夠在具有放大電流功能的電路中提供所需要的電壓。


本發(fā)明及其進(jìn)一步的優(yōu)勢(shì)可通過參考如下結(jié)合附圖所做的描述被更好地了解，其中圖1A和1B是用于解釋本發(fā)明的源跟隨電路的操作的視圖；圖2A和2B是用于解釋本發(fā)明的源跟隨電路的操作的視圖；圖3A和3B是用于解釋本發(fā)明的源跟隨電路的操作的視圖；圖4A～E是用于解釋本發(fā)明的電路的結(jié)構(gòu)及其操作的視圖；圖5A～C是用于解釋源跟隨電路的操作的視圖；圖6A和6B是用于解釋源跟隨電路的操作的視圖；圖7A和7B是用來表示本發(fā)明的源跟隨電路的視圖；圖8是表示本發(fā)明的差動(dòng)放大器的視圖；圖9是表示本發(fā)明的差動(dòng)放大器的視圖；圖10A～B是表示本發(fā)明的運(yùn)算放大器的視圖；圖11A和11B是表示本發(fā)明的運(yùn)算放大器的視圖；圖12A～C是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的視圖；圖13是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的像素和偏壓電路的視圖；圖14A和14B是用于說明本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)的視圖；圖15是本發(fā)明信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的視圖；圖16是本發(fā)明上述信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的視圖；圖17是用于說明本發(fā)明的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的操作的視圖；而圖18A～H是應(yīng)用本發(fā)明的電器的視圖。
具體實(shí)施例方式
為解決上述問題，本發(fā)明使用下面所示結(jié)構(gòu)的電路。
首先，將利用圖4A和4B描述本發(fā)明中所使用的一種電路的結(jié)構(gòu)。在圖4A和4B中，參考數(shù)字2903和2913代表具有開關(guān)功能的器件，并且優(yōu)選使用半導(dǎo)體器件諸如由晶體管構(gòu)成的模擬開關(guān)。開關(guān)2903、2913由信號(hào)1控制接通或關(guān)斷。此外，開關(guān)2903、2913是簡(jiǎn)單開關(guān)，它們的極性不做特別限定。
參考數(shù)字2902和2912代表整流型器件(整流器件)。整流型器件表示當(dāng)在器件兩端的電極施加電位差時(shí)，僅在單一方向產(chǎn)生電流的器件。作為整流型器件，可列舉的有二極管，其中的柵極和漏極被連接的TFT等。此外，在本說明書中，其中的柵極和漏極被連接的TFT被作為二極管連接的TFT來描述。其次，在圖4A和4B中，整流型器件2902為二極管連接的p-溝道型晶體管，而整流型器件2912為二極管連接的n-溝道型晶體管。其次，在本發(fā)明中，使用其中如圖4A所示的整流型器件2902和開關(guān)2903被連接的電路，或其中如圖4B所示整流型器件2912和開關(guān)2913被連接的電路。
此處，將通過圖4C和4D描述如圖4A和4B所示電路的操作。此外，圖4C表示信號(hào)1的時(shí)間圖。并且，圖4D表示柵極和源極間電壓與時(shí)間的關(guān)系，此時(shí)假定TFT2902和2912的柵極電位分別為VG2902和VG2912。
此處，假定從電路的一端輸入一定的信號(hào)，并在電路的另一端施加一定的恒定電位。在如圖4A所示的電路情況下，假定被輸入的信號(hào)為Vx，恒定電位為Vss(≤Vx-|Vthp|Vthp表示TFT2902的閾值電壓)。在如圖4B所示的電路情況下，假定被輸入的信號(hào)為Vx，恒定電位為Vdd(≤Vx+|VthN|VthN表示TFT2912的閾值電壓)。
首先在用(i)表示的時(shí)段內(nèi)，開關(guān)2903和2913為接通。則在如圖4A所示的電路中，晶體管2902的漏區(qū)和柵電極的電位得以降低。在如圖4B所示的電路中，晶體管2912的漏區(qū)和柵電極的電位得以增加。對(duì)于晶體管2902、2912，由于每個(gè)晶體管的兩個(gè)電極間的電壓超過了閾值電壓的絕對(duì)值，因此它們轉(zhuǎn)為接通。
然后在用(ii)表示的時(shí)段內(nèi)，開關(guān)2903和2913為關(guān)斷。則TFT2902的漏極電位得以增加，TFT2912的漏極電位得以降低。
再然后，在用(iii)表示的時(shí)段內(nèi)，TFT2902、2912的柵極和源極間的電壓變得等于它的閾值電壓，則TFT2902、2912均為關(guān)斷。此時(shí)，TFT2902、2912的漏極電位分別變?yōu)閂x-|Vthp|、Vx+|VthN|。即這意味著通過TFT2902、2912在被輸入信號(hào)的電位Vx上附加閾值電壓的操作被進(jìn)行。
如上所述，本發(fā)明提供一種使用整流型器件的電路，當(dāng)在該整流型器件的兩端的電極上施加電位差時(shí)，僅在單一方向產(chǎn)生電流。其次，本發(fā)明利用了這樣一個(gè)事實(shí)，即當(dāng)信號(hào)電壓被輸入到整流型器件的一個(gè)端子時(shí)，另一端子的電位成為只由整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢弧?br> 總之，即使在整流型器件間出現(xiàn)閾值電壓的變化，整流型器件總能提供一個(gè)只由整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢?。其次，本發(fā)明可以提供一種電路，其中整流型器件間閾值電壓的變化的影響可通過使用整流型器件被抑制。
此外TFT2902、2912的極性不特別限定。并且如圖4E所示，可分別使用二極管2922、2932替代TFT2902、2912。對(duì)于二極管2922、2932，除了具有普通PN結(jié)的二極管，可使用具有公知結(jié)構(gòu)的二極管。
此外，在本發(fā)明中，可使用用任何材料的晶體管和經(jīng)過任何加工及制造方法的晶體管，并且也可使用任何類型的晶體管。例如，可使用薄膜晶體管(TFT)。作為TFT，可使用非晶、多晶或單晶的任何半導(dǎo)體層。作為其它晶體管，可使用在單晶基片上形成的晶體管，和在SOI基片上形成的晶體管?？墒褂糜捎袡C(jī)材料和碳納米管制成的晶體管。進(jìn)一步，可使用MOS型晶體管和雙極型晶體管。
(實(shí)施例模式1)在本實(shí)施例模式中，作為本發(fā)明的電路的一個(gè)實(shí)例，表示出一種源跟隨電路，并將利用圖1A～3B描述其結(jié)構(gòu)和操作。
首先，將利用圖1A～3B描述源跟隨電路的結(jié)構(gòu)。
在圖1A～3B中，411表示放大晶體管，412表示偏壓晶體管。413和414代表整流型器件，并且在本實(shí)施例模式中，晶體管被用作整流型器件。其次，假定晶體管413的閾值電壓為Vth1，而晶體管414的閾值電壓為Vth2。415和416代表具有開關(guān)功能的器件，并且優(yōu)選采用由晶體管構(gòu)成的模擬開關(guān)。此外，開關(guān)415、416為簡(jiǎn)單開關(guān)，它們的極性不特別限定。
此外，晶體管411～晶體管413的極性不特別限定，但是優(yōu)選晶體管411和晶體管412、晶體管411和晶體管413、晶體管412和晶體管414具有相同極性。其次，圖1A和1B和2A表示一種源跟隨電路，其中晶體管411～晶體管414為n-溝道型。其次，圖2B和3A～B表示晶體管411～晶體管414為p-溝道型的情況。
放大晶體管411的漏區(qū)被連接到電源線419，它的源區(qū)通過晶體管412被連接到電源線420。放大晶體管411的柵電極被連接到晶體管413的柵電極和漏區(qū)。此外，此后放大晶體管411被標(biāo)識(shí)為是晶體管411。
偏壓晶體管412的漏區(qū)通過晶體管411被連接到電源線419，它的源區(qū)被連接到電源線420。偏壓晶體管412的柵電極被連接到晶體管414的柵電極和漏區(qū)。此外，此后偏壓晶體管412被標(biāo)識(shí)為是晶體管412。
開關(guān)415、416由輸入信號(hào)控制其接通或關(guān)斷。但是，為簡(jiǎn)化起見，用于輸入信號(hào)到開關(guān)415、416的信號(hào)線等在圖中省略不表示出來。
然后，在圖1A～3B所示的源跟隨電路中，輸入電位V輸入被輸入到晶體管413的源區(qū)。并且，偏壓電位被輸入到晶體管414的源區(qū)。然后，晶體管411的源區(qū)的電位成為輸出電位V輸出。
參考數(shù)字417～420代表電源線，電源電位Vdd1被施加到電源線417，電源電位Vdd2被施加到電源線418。并且電源電位Vdd3被施加到電源線419，而接地電位Vss被施加到電源線420。此外，電源電位Vdd1和電源電位Vdd2需滿足以下條件。
首先，如圖1A、1B和2A所示，當(dāng)晶體管411～晶體管413為n-溝道的情況下，電源電位Vdd1必須是大于輸入電位V輸入和晶體管413的閾值電壓Vth1的加和值的一個(gè)電位。此時(shí)，滿足下式(4)。
Vdd1≥(V輸入+Vth1)…(4)同樣情況，電源電位Vdd2必須是大于偏壓電位Vb和晶體管414的閾值電壓Vth2的加和值的一個(gè)電位。此時(shí)，滿足下式(5)。
Vdd2≥(Vb+Vth2)…(5)進(jìn)一步，如圖2B和3A～B所示，當(dāng)晶體管411～晶體管413為p-溝道的情況下，電源電位Vdd1必須是比輸入電位V輸入減去晶體管413的閾值電壓Vth1的絕對(duì)值所得之值小的一個(gè)電位。此時(shí)，滿足下式(6)。
Vdd1≤(V輸入-|Vth1|) …(6)同樣情況，電源電位Vdd2必須是比偏壓電位Vb減去晶體管414的閾值電壓Vth2的絕對(duì)值所得之值小的一個(gè)電位。此時(shí)，滿足下式(7)。
Vdd2≤(Vb-|Vth2|)…(7)此外，電源線417～電源線419可使用一個(gè)公共電源線。但是，其時(shí)必須施加滿足公式(4)和(5)的電位。同樣情況，施加滿足公式(6)和(7)的電位是必須的。
隨后，將描述如圖1A～3B所示源跟隨電路的操作。首先，將利用圖1A、1B和2A描述晶體管411～晶體管413為n-溝道的情形。然后，將利用圖2A、3A和3B描述晶體管411～晶體管413為p-溝道的情形。
在圖1A中，輸入電位V輸入被施加到晶體管413的源區(qū)，并且偏壓電位Vb也被施加到晶體管414的源區(qū)。然后，開關(guān)415、416被轉(zhuǎn)向接通。然后，在電源線417和晶體管413的源區(qū)產(chǎn)生一個(gè)電位差，并且電流流動(dòng)。同樣情況，在電源線418通過晶體管414的源區(qū)產(chǎn)生一個(gè)電位差，并且有電流流動(dòng)。此時(shí)，晶體管413的柵電極的電位成為和電源電位Vdd1相同的值，而晶體管414的柵電極的電位成為和電源電位Vdd2相同的值。
然后，開關(guān)415、416轉(zhuǎn)向關(guān)斷(圖1B)。然后，晶體管413、414的漏區(qū)的電位降低。再然后，晶體管413、414的柵極和源極間電壓變得等于晶體管413、414的閾值電壓Vth1、Vth2。結(jié)果，晶體管413、414一同轉(zhuǎn)向關(guān)斷。
此時(shí)，晶體管413的漏極電位為V輸入+Vth1。并且，晶體管414的漏極電位為Vb+Vth2(圖2A)。然后，晶體管411的源區(qū)的電位變?yōu)閂輸出。輸出電位V輸出由下列公式(8)～(15)來計(jì)算。
當(dāng)晶體管在飽和區(qū)工作時(shí)，滿足下列公式(8)。Ids代表流經(jīng)晶體管的溝道形成區(qū)的電流量，而Vgs代表晶體管的柵極和源極間電壓。并且Vth代表晶體管的閾值電壓。
Ids∝(Vgs-Vth)2…(8)在上面公式(8)中，假定Vk＝Vgs-Vth，滿足下列公式(9)。
Ids∝Vk2…(9)由公式(9)可知，Ids正比于Vk的二次方，Vk是由Vgs減去Vth所得值。此處，通過將上述公式(8)和(9)應(yīng)用到晶體管411、412，來計(jì)算輸出電壓V輸出。首先，假定施加到晶體管412的柵電極的電壓為Va2，滿足下列公式(10)。
Va2＝Vb+Vth2…(10)其次，假定晶體管412和414的閾值電壓相同。然后，假定由施加到晶體管412的柵電極的電壓Va2減去閾值電壓Vth2得到的值為Vk2，滿足下列公式(11)。
Vk2＝Va2-Vth2＝(Vb+Vth2)-Vth2＝Vb…(11)并且，假定施加到晶體管411的柵電極的電壓為Va1，滿足下列公式(12)。
Va1＝V輸入+Vth1…(12)假定晶體管413和411的閾值電壓相同。其次，假定由晶體管411的柵極和源極間電壓Vgs1減去閾值電壓Vth1得到的值為Vk1，滿足下列公式(13)。
Vk1＝Vgs1-Vth1…(13)此處認(rèn)為相同量的電流流過晶體管411、412，滿足下式(14)。此外，在本實(shí)施例模式中，為簡(jiǎn)化起見，假定晶體管411和412具有相同尺寸如柵極寬度、柵極長(zhǎng)度等。
Vk1＝Vk2＝Vb…(14)其次，由于輸出電位V輸出為晶體管211的源區(qū)電位，滿足下式(15)。
V輸出＝Va1-Vgs1＝(V輸入+Vth1)-(Vb+Vth1)＝V輸入-Vb…(15)正如公式(15)所示，輸出電位V輸出成為一個(gè)由輸入電位V輸入減去偏壓電位Vb所得值，而不取決于閾值電壓。因此，即使晶體管411、415的閾值電壓出現(xiàn)變化，也可抑制對(duì)輸出電位V輸出的影響。
其次，將利用圖2B和3描述晶體管411～413為p-溝道型的情況。
在圖2B中，輸入電位V輸入被施加到晶體管413的源區(qū)，并且偏壓電位Vb被施加到晶體管414的源區(qū)。然后，開關(guān)415、416轉(zhuǎn)向接通。然后，在晶體管413的源區(qū)和電源線417產(chǎn)生電位差，并且有電流流動(dòng)。同樣情況，在晶體管414的源區(qū)和電源線418產(chǎn)生電位差，并且有電流流動(dòng)。然后，晶體管413的柵電極的電位成為與電源電位Vdd1相同的值，而晶體管414的柵電極的電位成為與電源電位Vdd2相同的值。
然后，開關(guān)415、416轉(zhuǎn)向關(guān)斷(圖3A)。然后，晶體管413、414的漏區(qū)的電位被增加。再后，晶體管413、414的柵極和源極間電壓變?yōu)榈扔诰w管413、414的閾值電壓Vth1、Vth2。結(jié)果，晶體管413、414一同轉(zhuǎn)向關(guān)斷。
此時(shí)，晶體管413的漏極電位為(V輸入-|Vth1|)。并且，晶體管414的漏極電位為(Vb-|Vth2|)(圖3B)。然后，晶體管411的源區(qū)的電位變?yōu)檩敵鲭娢?。輸出電位由下列公?16)～(21)來計(jì)算。
首先，參考上述公式(8)、(9)，假定施加到晶體管412的柵電極的電壓為Va2，滿足下式(16)。
Va2＝Vb-|Vth2|…(16)進(jìn)一步，假定由施加到晶體管412的柵電極的電壓Va2減去閾值電壓Vth2得到的值為Vk2，滿足下式(17)。
Vk2＝Va2-Vth2＝(Vb-|Vth2|)-Vth2＝Vb…(17)并且，假定施加到晶體管411的柵電極的電壓為Va1，滿足下列公式(18)。
Va1＝V輸入-|Vth1|…(18)進(jìn)一步，假定由晶體管411的柵極和源極間電壓Vgs1減去閾值電壓Vth1得到的值為Vk1，滿足下列公式(19)。
Vk1＝Vgs1-|Vth1| …(19)此處，認(rèn)為相同量的電流流過晶體管411、412，滿足下式(20)。
Vk1＝Vk2＝Vb…(20)其次，由于輸出電位V輸出為晶體管211的源區(qū)電位，滿足下式(21)。
V輸出＝Va1-Vgs1＝(V輸入+Vth1)-(Vb+Vth1)＝V輸入-Vb…(21)正如公式(21)所示，輸出電位V輸出成為一個(gè)由輸入電位V輸入減去偏壓電位Vb所得值，而不取決于閾值電壓。因此，即使晶體管411、415的閾值出現(xiàn)變化，也可抑制對(duì)輸出電壓V輸出的影響。
并且，圖7A表示了這樣一種情形的源跟隨電路，即在圖1A～B和2A所示的源跟隨電路中，不配置晶體管412、414、開關(guān)416以及電源線418。此外，在圖7A所示的電路中，在電源線420和晶體管411的源區(qū)間另外配置開關(guān)423。由于如圖7A所示的源跟隨電路的操作與上述圖1A～B和2A中所示的源跟隨電路的操作相同，本實(shí)施例中省略對(duì)其描述。
進(jìn)一步，圖7B表示了這樣一種情形的源跟隨電路，即在圖2B和3A～B所示的源跟隨電路中，不配置晶體管412、414、開關(guān)416以及電源線418。此外，由于如圖7B所示的源跟隨電路的操作與上述圖2B和3中所示的源跟隨電路的操作相同，本實(shí)施例中省略對(duì)其描述。
此外，在本說明書中，將預(yù)定電荷給整流型器件的操作稱為置位操作。在本實(shí)施例模式中，如圖1A所示的操作和如圖2B所示的操作對(duì)應(yīng)于置位操作。輸入輸入電位V輸入并取出輸出電位V輸出的操作稱為輸出操作。在本實(shí)施例模式中，如圖1B和2A所示的操作和如圖3A和3B所示的操作對(duì)應(yīng)于輸出操作。
如上所述，本發(fā)明提供一種使用整流型器件的電路，當(dāng)在該器件兩端的的電極上施加電位差時(shí)，通過該器件電流僅在單一方向流動(dòng)。其次，本發(fā)明利用了一個(gè)事實(shí)，即當(dāng)信號(hào)電壓被施加到整流型器件的一個(gè)端子時(shí)，另一端子的電位成為只被整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢弧?br> 總之，即使在整流型器件間出現(xiàn)閾值電壓的變化，整流型器件總能提供一個(gè)只被整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢弧１景l(fā)明通過使用上述整流型器件，能夠提供一種電路，其中整流型器件間閾值電壓變化的影響可被抑制。其次，對(duì)應(yīng)于為了抑制整流型器件間閾值電壓變化的影響，可能提供一種電路，其中，整流型器件間閾值電壓變化的影響被抑制。
(實(shí)施例模式2)在上述實(shí)施例模式1中，描述了應(yīng)用本發(fā)明的源跟隨電路。但是，本發(fā)明可應(yīng)用于不同電路，如以差動(dòng)放大器、讀出放大器、運(yùn)算放大器等為代表的運(yùn)算電路等。在本實(shí)施例模式中，將利用圖8～11B描述應(yīng)用本發(fā)明的運(yùn)算電路。
首先，利用圖8描述應(yīng)用本發(fā)明的差動(dòng)放大器。差動(dòng)放大器進(jìn)行輸入電位V輸入1和輸入電位V輸入2的差的運(yùn)算并輸出輸出電位V輸出。
在如圖8所示的差動(dòng)放大器中，參考數(shù)字272和273代表p-溝道型晶體管，參考數(shù)字274～276代表n-溝道型晶體管。參考數(shù)字277～279代表整流型器件，并且在本實(shí)施例模式中，n-溝道型晶體管被用作整流型器件。同樣，參考數(shù)字280～282代表具有開關(guān)功能的器件，且被表示為開關(guān)。對(duì)于開關(guān)280～282，優(yōu)選使用半導(dǎo)體器件如晶體管等。此外，開關(guān)280～282為簡(jiǎn)單開關(guān)，并且它的極性不作特別限定。
晶體管272的漏區(qū)被連接到電源線285，它的源區(qū)被連接到晶體管274的漏區(qū)。晶體管273的漏區(qū)被連接到電源線285，它的源區(qū)被連接到晶體管275的漏區(qū)。晶體管272的柵電極和晶體管273的柵電極被連接。此外，可配置電阻器來代替晶體管272和273。
晶體管274的漏區(qū)通過晶體管272被連接到電源線285，而它的源區(qū)通過晶體管276被連接到電源線289。晶體管274的柵電極被連接到晶體管277的柵電極。
晶體管275的漏區(qū)通過晶體管273被連接到電源線285，而它的源區(qū)通過晶體管276被連接到電源線289。晶體管275的柵電極被連接到晶體管278的柵電極。
晶體管276的漏區(qū)被連接到晶體管274的源區(qū)和晶體管275的源區(qū)，晶體管276的源區(qū)被連接到電源線289，而它的柵電極被連接到晶體管279的柵電極。
在如圖8所示的差動(dòng)放大器中，輸入電位V輸入1被輸入到晶體管277的源區(qū)，輸入電位V輸入2被輸入到晶體管278的源區(qū)。并且偏壓電位Vb被輸入到晶體管279的源區(qū)。然后，晶體管275的漏區(qū)電位成為輸出電位V輸出。
參考數(shù)字285～289代表電源線，且電源電位Vdd1被施加到電源線285，而電源電位Vdd2被施加到電源線286。并且電源電位Vdd3被施加到電源線287，而電源電位Vdd4被施加到電源線288。并且接地電位Vss被施加到電源線289。此處，假定晶體管277的閾值電壓為Vth277，而晶體管278的閾值電壓為Vth278以及晶體管279的閾值電壓為Vth279，各個(gè)電源電位Vdd2～Vdd4需滿足下式(22)～(24)。
Vdd2≥(V輸入1+Vth277)…(22)Vdd3≥(V輸入2+Vth278)…(23)Vdd4≥(Vb+Vth279)…(24)此外，一個(gè)公共電源線可用于電源線285～288。但是，施加滿足公式(22)～(24)的電位是必要的。并且，由于如圖8所示的差動(dòng)放大器的操作的描述與上述實(shí)施例模式1一致，本實(shí)施例模式省略對(duì)其的描述。
隨后，將利用圖9描述構(gòu)成如圖8所示差動(dòng)放大器的晶體管具有相反導(dǎo)電類型的情況。
在如圖9所示的差動(dòng)放大器中，參考數(shù)字272和273代表n-溝道型晶體管，參考數(shù)字274～276代表p-溝道型晶體管。參考數(shù)277～279代表整流型器件，并且在本實(shí)施例模式中，p-溝道型晶體管被用于整流型器件。并且參考數(shù)字280～282代表開關(guān)。另外，由于晶體管272～279的連接關(guān)系與上述圖8所示差動(dòng)放大器相同，此處省略對(duì)其描述。
參考數(shù)字285～289代表電源線，且電源電位Vdd1被施加到電源線285，而電源電位Vdd2被施加到電源線286。并且電源電位Vdd3被施加到電源線287，而電源電位Vdd4被施加到電源線288。并且接地電位Vss被施加到電源線289。此處，假定晶體管277的閾值電壓為Vth277，而晶體管278的閾值電壓為Vth278以及晶體管279的閾值電壓為Vth279，各個(gè)電源電位Vdd2～Vdd4滿足下式(25)～(27)成為必要的。
Vdd2≤(V輸入1-|Vth277|) …(25)Vdd3≤(V輸入2-|Vth278|) …(26)Vdd4≤(Vb-|Vth279|) …(27)此外，電源線285～288可使用公共的電源線。但是，施加滿足公式(25)～(27)的電位是必要的。而且由于圖9所示的差動(dòng)放大器的操作的描述與上述實(shí)施例模式1一致，因此本實(shí)施例省略對(duì)其描述。
同樣，在本實(shí)施例模式中，圖8和圖9所示的電路被表明是差動(dòng)放大器，但是本發(fā)明不限于此，通過隨意改變被作為輸入電位V輸入1和輸入電位V輸入2輸入的電壓，它可被用作另一運(yùn)算電路如讀出放大器等。
其次，將利用圖10A-B和11A-B描述應(yīng)用本發(fā)明的運(yùn)算放大器。圖10A表示了運(yùn)算放大器的電路符號(hào)，而圖10B表示運(yùn)算放大器的電路結(jié)構(gòu)。
此外，有運(yùn)算放大器的各種電路結(jié)構(gòu)。其次，在圖12A-C中，將描述作為最簡(jiǎn)單情況的差動(dòng)放大器與源跟隨電路結(jié)合的情況。因而運(yùn)算放大器的電路結(jié)構(gòu)不限于圖12A-C的結(jié)構(gòu)。
在運(yùn)算放大器中，特性由輸入電位V輸入1和輸入電位V輸入2以及輸出電位V輸出的關(guān)系決定。更詳細(xì)地，運(yùn)算放大器具有放大輸入電位V輸入1和輸入電位V輸入2的差值電壓A倍并輸出輸出電位V輸出的功能。
在圖10B所示的運(yùn)算放大器中，輸入電位V輸入1被輸入到晶體管277的源區(qū)，而輸入電位V輸入2被輸入到晶體管278的源區(qū)。且偏壓電位Vb被輸入到晶體管279、414的源區(qū)。然后晶體管411的源區(qū)的電位變成輸出電位V輸出。
在圖10B所示的電路中，被虛線包圍的表示為305的部分是與圖8所示的差動(dòng)放大器相同的結(jié)構(gòu)。而且被虛線包圍的表示為306的部分是與圖1A和B所示的源跟隨電路相同的結(jié)構(gòu)。因此圖10B所示的運(yùn)算放大器結(jié)構(gòu)的詳述被省略。但是，各個(gè)施加到電源線286～288的電源電位滿足上述公式(22)～(24)是必要的。各個(gè)施加到電源線417、418的電源電位滿足上述公式(4)和(5)也是必要的。此外，在本實(shí)施例模式中，上述公式(4)中的輸入電位V輸入對(duì)應(yīng)于晶體管275的漏區(qū)的電位。
另外，圖11A-B表示了晶體管412為p-溝道型的情況下的一種運(yùn)算放大器。圖11B所示的結(jié)構(gòu)與圖10B所示的運(yùn)算放大器相同，除一點(diǎn)即晶體管414的漏區(qū)被連接到晶體管413的漏區(qū)。因此圖11B所示的放大器結(jié)構(gòu)的詳述被省略。但是，各個(gè)施加到電源線286～288的電源電位滿足上述公式(22)～(24)是必要的。施加到電源線417的電源電位滿足上述公式(4)也是必要的。此外，在本實(shí)施例模式中，上述公式(4)中的輸入電位V輸入對(duì)應(yīng)于晶體管275的漏區(qū)的電位。另外，施加到電源線418的電源電位滿足下面公式(28)也是必要的。
Vdd6≤(V輸入-|Vth414|)…(28)正如所描述的，本發(fā)明提供一種使用整流型器件的電路，當(dāng)電位差被施加到該器件兩端的電極時(shí)，通過整流型器件電流在單一方向流動(dòng)。其次本發(fā)明利用這樣一個(gè)事實(shí)，即當(dāng)信號(hào)電壓被輸入到整流型器件的一個(gè)端子時(shí)，另一端子的電位變成只被該整流型器件的閾值電壓所補(bǔ)償?shù)碾娢弧?br> 總之，即使在整流型器件之間發(fā)生閾值電壓的變化，整流型器件也能提供一個(gè)只被整流型器件的閾值電壓所補(bǔ)償?shù)碾娢?。本發(fā)明可以提供一種電路，其中整流型器件之間閾值電壓的變化的影響可通過使用整流型器件被抑制。其次，對(duì)應(yīng)于抑制整流型器件之間閾值電壓的變化的影響，可提供一種電路，其中晶體管之間閾值電壓的變化的影響可被抑制。
此外，可將本實(shí)施例模式與實(shí)施例模式1任意組合。
(實(shí)施例模式3)在本實(shí)施例模式中，具有應(yīng)用本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換器件的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)及其操作將被利用圖12A-C和13描述。
圖12A所示的半導(dǎo)體裝置具有像素部分702，其中多個(gè)像素在基片701上按矩陣形狀被配置，并在像素部分702的周邊具有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路703和第一到第四掃描線驅(qū)動(dòng)電路704～707。在圖12A所示的半導(dǎo)體裝置具有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路703和四組掃描線驅(qū)動(dòng)電路704～707，但是本發(fā)明不限于此，可以依照像素結(jié)構(gòu)配置任意數(shù)量的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和掃描線驅(qū)動(dòng)電路。并且信號(hào)從外部通過FPC708被施加到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路703和第一到第四掃描線驅(qū)動(dòng)電路704～707。但是本發(fā)明不限于此，除像素部分702，電路可利用IC等從外部供給。
首先，將利用圖12B描述第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路704和第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路705的結(jié)構(gòu)。由于第三掃描線驅(qū)動(dòng)電路706和第四掃描線驅(qū)動(dòng)電路707與圖12B的圖一致，在圖中省略表示。
第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路704具有移位寄存器709和緩沖器710。第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路705具有移位寄存器711和緩沖器712。簡(jiǎn)單描述操作，移位寄存器709、711根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)(G-CLK)、起動(dòng)脈沖(SP)和時(shí)鐘反相信號(hào)(G-CLKb)順序輸出取樣脈沖。之后，被緩沖器710、712放大的取樣脈沖被輸入到掃描線并使其一條線接一條線的落入選擇狀態(tài)。
此外形成這樣一種結(jié)構(gòu)是好的，即在移位寄存器709和緩沖器710之間，或在移位寄存器711和緩沖器712之間配置電平移位電路。通過配置電平移位電路可擴(kuò)大電壓振幅。
然后將利用圖12C描述信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路703的結(jié)構(gòu)。
信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路703具有用于信號(hào)輸出線的驅(qū)動(dòng)電路715、取樣和保持電路716、偏壓電路714和放大器電路717。偏壓電路714通過與每個(gè)像素的放大晶體管配對(duì)而形成源跟隨電路。取樣和保持電路716具有暫時(shí)存儲(chǔ)信號(hào)、執(zhí)行模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換及減小噪音的功能。用于信號(hào)輸出的驅(qū)動(dòng)電路715具有順序輸出被暫時(shí)存儲(chǔ)的信號(hào)的信號(hào)輸出功能。其次，放大器電路717具有用于放大從取樣和保持電路716和用于信號(hào)輸出的驅(qū)動(dòng)電路715輸出的信號(hào)的電路。另外，在不需要放大信號(hào)的情況下，可不配置放大器電路717。
其次，在像素部分702，將利用圖13描述配置在第i列和第j行的像素713的電路以及在第i列的周邊的偏壓電路714的操作和結(jié)構(gòu)。
首先，配置在第i列和第j行的像素713的電路以及在第i列的周邊的偏壓電路714的結(jié)構(gòu)將被描述。
圖13所示像素713具有第一到第四掃描線Ga(j)～Gd(j)、信號(hào)線S(i)、第一電源線Va(i)和第二電源線Vc(i)。并且它具有n-溝道型晶體管254、255、光電轉(zhuǎn)換器件257和開關(guān)250～253。晶體管254為二極管連接，并且相當(dāng)于整流型器件。
偏壓電路714具有n-溝道型晶體管256、257和開關(guān)258。晶體管257為二極管連接，并且相當(dāng)于整流型器件。
在本實(shí)施例模式中，晶體管255為n-溝道型，但是本發(fā)明不限于此，p-溝道型同樣可以使用。然而，由于源跟隨電路由晶體管255和260形成，優(yōu)選兩個(gè)晶體管具有相同極性。
開關(guān)250～254和258是具有開關(guān)功能的半導(dǎo)體器件，并優(yōu)選使用晶體管作為這些器件。開關(guān)251由從第一掃描線Ga(j)輸入的信號(hào)控制接通或關(guān)斷。開關(guān)250由從第二掃描線Gb(j)輸入的信號(hào)控制接通或關(guān)斷。開關(guān)252由從第三掃描線Gc(j)輸入的信號(hào)控制接通或關(guān)斷。開關(guān)253由從第四掃描線Gd(j)輸入的信號(hào)控制接通或關(guān)斷。并且，開關(guān)258由輸入信號(hào)控制接通或關(guān)斷。但是，為簡(jiǎn)化描述起見，圖中表示用于輸入信號(hào)到開關(guān)258的信號(hào)線被省略。
在像素713中，對(duì)于晶體管255的源區(qū)和漏區(qū)，一個(gè)被連接到第一電源線Va(i)，而另一個(gè)通過開關(guān)250被連接到信號(hào)線S(i)。晶體管255的柵電極被連接到晶體管254的漏區(qū)和柵電極。光電轉(zhuǎn)換器件257的一個(gè)端子通過開關(guān)252被連接到晶體管254的源區(qū)。光電轉(zhuǎn)換器件257的另一個(gè)端子被連接到電源線258。接地電位Vss被施加到電源線258。
并且在偏壓電路714中，晶體管256的漏區(qū)被連接到信號(hào)線S(i)，而它的源區(qū)被連接到電源線260。接地電位Vss被施加到電源線260。并且晶體管256的柵電極被連接到晶體管257的漏區(qū)和柵電極，并通過開關(guān)258被連接到電源線259。接地電位Vdd被施加到電源線259。并且偏壓電位Vb被施加到晶體管257的源區(qū)。
其次，在圖13中，參考數(shù)字719表示的虛線包圍部分和參考數(shù)字714表示的虛線包圍部分對(duì)應(yīng)于圖1A和1B所示的源跟隨電路。此時(shí)，第二電源線的電位Vc(i)滿足下式(29)是必要的。此外，在公式(29)中，Vpd指從光電轉(zhuǎn)換器件257讀出的信號(hào)的電位，Vth254指晶體管254的閾值電壓。
Vc≥(Vpd+Vth254)…(29)相同情況，電源線259的電位Vdd滿足下式(30)是必要的。另外，在公式(30)中，Vth257指晶體管257的閾值電壓。
Vdd≥(Vb+Vth257)…(30)此外，在晶體管254、255、256和257為n-溝道型的情況下，滿足上述公式(29)和(30)。此處，當(dāng)晶體管254、255、256和257為p-溝道型的情況下，滿足下式(31)和(32)。
Vc≤(Vpd-|Vth254|)…(31)Vdd≤(Vb-|Vth257|)…(32)然后，將簡(jiǎn)單描述配置在第i列和第j行的像素713的電路和在第i列的周邊的偏壓電路714的操作。
首先，在像素713，開關(guān)251被轉(zhuǎn)向接通。然后，其它不同的開關(guān)被轉(zhuǎn)向關(guān)斷。然后，第二電源線的電位Vc(i)和晶體管254、255的柵電極電位變得相同。結(jié)果，晶體管254、255轉(zhuǎn)向接通。
同樣情況，在偏壓電路714，開關(guān)258被轉(zhuǎn)向接通。然后，電源線259的電源電位Vdd和晶體管256、257的柵電極電位變得相同。結(jié)果，晶體管256、257轉(zhuǎn)向接通。
然后，開關(guān)252被轉(zhuǎn)向接通。此時(shí)，開關(guān)251、258為接通，并且其它不同的開關(guān)保持為關(guān)斷。此時(shí)，從光電器件257讀出的信號(hào)的電位表示為Vpd。
隨后，在像素713，開關(guān)251被轉(zhuǎn)向關(guān)斷。然后，晶體管254的漏極電位被減少。然后，晶體管254的柵極和源極間電壓變得等于晶體管254的閾值電壓，并且晶體管254轉(zhuǎn)向關(guān)斷。此時(shí)，晶體管254的漏極電位成為Vpd+Vth254?？傊?，它意味著將晶體管254的閾值電壓Vth254加到被輸入信號(hào)的電位Vpd的操作被執(zhí)行。此外，晶體管254轉(zhuǎn)向關(guān)斷后，開關(guān)252由接通轉(zhuǎn)向關(guān)斷為好。
同樣地，在偏壓電路714，開關(guān)258被轉(zhuǎn)向關(guān)斷。然后，晶體管257的漏極電位被減少。然后，晶體管257的柵極和源極間電壓變得等于晶體管257的閾值電壓，并且晶體管257轉(zhuǎn)向關(guān)斷。此時(shí)，晶體管257的漏極電位成為Vb+Vth257。總之，它意味著將晶體管257的閾值電壓Vth257加到被輸入信號(hào)的電位Vb的操作被執(zhí)行。
然后，開關(guān)250被轉(zhuǎn)向接通。然后，其它不同的開關(guān)轉(zhuǎn)向關(guān)斷。然后，晶體管255的源區(qū)的電位成為輸出電位V輸出，且輸出電位V輸出通過開關(guān)250被輸出到信號(hào)線S(i)，作為被光電轉(zhuǎn)換器件257讀出的信號(hào)。
隨后，開關(guān)253被轉(zhuǎn)向接通且其它不同的開關(guān)均轉(zhuǎn)向關(guān)斷。然后，光電轉(zhuǎn)換器件257被初始化。更詳細(xì)地，為了實(shí)現(xiàn)這樣一種情形，即光電轉(zhuǎn)換器件257的n-溝道一側(cè)端子的電位變得與電源線258的電位相同，如此安排是為了使被光電轉(zhuǎn)換器件257保持的電荷通過開關(guān)254在電源線V(i)方向流過。此后，上述操作被重復(fù)。
如上所述，本發(fā)明提供一種使用整流型器件的電路，其中當(dāng)在該器件兩端的電極施加電位差時(shí)，僅在單一方向產(chǎn)生電流。其次，本發(fā)明利用了一個(gè)事實(shí)，即當(dāng)信號(hào)電壓被輸入到整流型器件的一個(gè)端子時(shí)，另一端子的電位成為只被整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢弧?br> 總之，即使在整流型器件間出現(xiàn)閾值電壓的變化，整流型器件總能提供一個(gè)只被整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢?。本發(fā)明能夠提供一種電路，其中整流型器件間閾值電壓的變化的影響可通過使用整流型器件被抑制。其次，對(duì)應(yīng)于抑制整流型器件間閾值電壓變化的影響，能夠提供一種電路，其中晶體管間閾值電壓變化的影響被抑制。
對(duì)于本發(fā)明，可將實(shí)施例模式1～3任意組合。
(實(shí)施例模式4)在本實(shí)施例模式中，將利用圖14A～17描述不同于實(shí)施例模式2和3的應(yīng)用本發(fā)明的電路的實(shí)例。
在圖14A中，參考數(shù)字310是一種在圖1A、1B和2A所示的源跟隨電路中添加開關(guān)421、422的結(jié)構(gòu)。由于源跟隨電路310的電路結(jié)構(gòu)和操作與圖1A、1B和2A相同，本實(shí)施例模式省略對(duì)其的描述。
源跟隨電路310的操作可被大致分為置位操作和輸出操作被描述。此外，置位操作指用于將預(yù)定電荷提供給整流型器件的操作，并對(duì)應(yīng)于圖1A所示的操作。并且輸出操作指用于輸入輸入電位V輸入和用于取出輸出電位V輸出的操作，且對(duì)應(yīng)于圖1B和2A所示的操作。
在源跟隨電路310中，一個(gè)端子a對(duì)應(yīng)于輸入端，而另一個(gè)端子b對(duì)應(yīng)于輸出端。然后，開關(guān)415、416由從端子c輸入的信號(hào)控制。開關(guān)421、422由從端子d輸入的信號(hào)控制。
此外，圖1A～B和2A所示的電路被應(yīng)用到本實(shí)施例模式，但是也可使用圖2B和圖7A和7B所示的電路。
其次，當(dāng)設(shè)計(jì)具有源跟隨電路310的電路時(shí)，如圖14B所示，配置至少兩個(gè)源跟隨電路315、316為好。其次，源跟隨電路315、316中，一個(gè)執(zhí)行置位操作另一個(gè)執(zhí)行輸出操作為好。通過這種做法，由于可同時(shí)作兩件事情，并且操作沒有任何浪費(fèi)，而且不必浪費(fèi)時(shí)間，因此可以執(zhí)行電路的高速操作。
例如，當(dāng)利用源跟隨電路設(shè)計(jì)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，相對(duì)于每個(gè)信號(hào)線配置至少兩個(gè)源跟隨電路為好。并且，當(dāng)利用源跟隨電路設(shè)計(jì)掃描線驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，相對(duì)于每個(gè)掃描線配置至少兩個(gè)源跟隨電路為好。而且當(dāng)利用源跟隨電路設(shè)計(jì)像素時(shí)，相對(duì)于每個(gè)像素配置至少兩個(gè)源跟隨電路為好。
并且在圖14B中，參考數(shù)字311～314代表開關(guān)。當(dāng)開關(guān)311、312為接通時(shí)，開關(guān)313、314轉(zhuǎn)向關(guān)斷。當(dāng)開關(guān)311、312為關(guān)斷時(shí)，開關(guān)313、314轉(zhuǎn)向接通。通過這種做法，兩個(gè)源跟隨電路315、316中，被安排一個(gè)執(zhí)行置位操作，另一個(gè)執(zhí)行輸出操作。此外，不配置開關(guān)311～314的情況下，兩個(gè)源跟隨電路315、316可通過控制源跟隨電路310具有的開關(guān)421、422而被控制。
并且在本實(shí)施例模式中，虛線包圍的部分315、316對(duì)應(yīng)于源跟隨電路，但是本發(fā)明不限于此，圖8～11B等所示的差動(dòng)放大器和運(yùn)算放大器也可被應(yīng)用于部分315、316。
其次，在本實(shí)施例模式中，將利用圖15～17描述一種信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)和操作，其中相對(duì)于每個(gè)信號(hào)線至少兩個(gè)源跟隨電路被配置。
圖15表示信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，且信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路具有移位寄存器321、第一閂鎖電路322、第二閂鎖電路323、D/A轉(zhuǎn)換電路324以及信號(hào)放大器電路325。
此外，當(dāng)?shù)谝婚V鎖電路322和第二閂鎖電路323為能存儲(chǔ)模擬數(shù)據(jù)的電路的情況下，有許多可以省略D/A轉(zhuǎn)換電路324的情況。并且在被輸出到信號(hào)線的數(shù)據(jù)是二進(jìn)制的情況下，即數(shù)字量，有許多可以省略D/A轉(zhuǎn)換電路324的情況。并且有一種在D/A轉(zhuǎn)換電路324中建立伽馬補(bǔ)償電路的情況。正如所描述的，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路不限于圖17。
簡(jiǎn)單描述操作，移位寄存器321利用多個(gè)觸發(fā)器電路(FF)等構(gòu)成，時(shí)鐘信號(hào)(S-CLK)、起動(dòng)脈沖(SP)和時(shí)鐘反相信號(hào)(S-CLKb)被施加到這些觸發(fā)器電路。根據(jù)這些信號(hào)的計(jì)時(shí)，取樣脈沖被順序輸出。
從移位寄存器321輸出的取樣脈沖被輸入到第一閂鎖電路322。視頻信號(hào)被輸入到第一閂鎖電路322，根據(jù)被輸入的取樣脈沖計(jì)時(shí)，視頻信號(hào)被存儲(chǔ)在每一列。
在第一閂鎖電路322中，直到最后一列完成視頻信號(hào)的存儲(chǔ)時(shí)，在水平回掃期，閂鎖脈沖(閂鎖脈沖)被輸入到第二閂鎖電路323，且存儲(chǔ)在第一閂鎖電路322中的視頻信號(hào)被同時(shí)傳輸?shù)降诙V鎖電路323。此后，存儲(chǔ)在第二閂鎖電路323中的視頻信號(hào)，其中的一行，被同時(shí)輸入到D/A轉(zhuǎn)換電路324。然后，一個(gè)從D/A轉(zhuǎn)換電路324輸入的信號(hào)被輸入到信號(hào)放大器電路325。
在存儲(chǔ)在第二閂鎖電路323中的視頻信號(hào)被輸入到D/A轉(zhuǎn)換電路324期間，在移位寄存器321中，取樣脈沖被再次輸出。此后，重復(fù)這一操作。
然后，將利用圖16描述在從第i列到第(i+2)列的三條信號(hào)線的周邊的信號(hào)放大器電路325的結(jié)構(gòu)。
信號(hào)放大器電路325相對(duì)于每一列具有兩個(gè)源跟隨電路315、316。源跟隨電路315、316分別具有端子a～d四個(gè)端子。端子a對(duì)應(yīng)于源跟隨電路315、316的輸入端，而端子b對(duì)應(yīng)于源跟隨電路315、316的輸出端。并且開關(guān)415、416由從端子c輸入的信號(hào)控制，而開關(guān)421、422由從端子d輸入的信號(hào)控制。
并且在圖16所示的信號(hào)放大器電路325中，在置位用信號(hào)線326和源跟隨電路315、316間，由327、328表示的邏輯運(yùn)算器(反相器)被配置。然后，從置位用掃描線327輸出的信號(hào)，或從上述邏輯運(yùn)算器的輸出端輸出的信號(hào)被輸入到端子c和d。
然后，將利用圖17描述在源跟隨電路315、316中，從置位用信號(hào)線326所表示的信號(hào)線輸出的信號(hào)和通過端子c～e被輸入到各開關(guān)的信號(hào)。
此外，當(dāng)輸入高信號(hào)時(shí)，通過端子c和d輸入信號(hào)的開關(guān)被轉(zhuǎn)向接通，而當(dāng)輸入低信號(hào)時(shí)，它轉(zhuǎn)向關(guān)斷。
然后，一個(gè)如圖17所示的信號(hào)被從置位用信號(hào)線326輸入。然后，從置位用信號(hào)線326輸出的信號(hào)被原樣輸入到源跟隨電路315中的端子c。從反相器327的輸出端輸出的信號(hào)被輸入到端子d。通過這種做法，在源跟隨電路315中，可能控制使得置位操作和輸出操作中的一種操作被執(zhí)行。
同樣，從反相器328的輸出端輸出的信號(hào)被輸入到源跟隨電路316中的端子c。從置位用信號(hào)線326輸出的信號(hào)被原樣輸入到端子d。通過這種做法，在源跟隨電路316中，可能控制使得置位操作和輸出操作中的一種操作被實(shí)行。
如上所述，本發(fā)明提供一種使用整流型器件的電路，當(dāng)在該器件兩端的電極施加電位差時(shí)，通過該器件電流僅在單一方向流動(dòng)。其次，本發(fā)明利用了這樣一個(gè)事實(shí)，即當(dāng)信號(hào)電壓被輸入到整流型器件的一個(gè)端子時(shí)，另一端子的電位成為只被整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢弧?br> 總之，即使在整流型器件間出現(xiàn)閾值電壓的變化，整流型器件總能提供一個(gè)只被整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢?。本發(fā)明能夠提供一種電路，其中整流型器件間閾值電壓的變化的影響可通過使用整流型器件被抑制。其次，相應(yīng)于抑制整流型器件間閾值電壓變化的影響，能夠提供一種電路，其中晶體管間閾值電壓變化的影響被抑制。
此外，有許多多個(gè)像素被連接到該信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)信號(hào)線的尖端的情形。有許多像素為能夠通過從信號(hào)線輸入的電壓改變狀態(tài)的像素的情形。作為實(shí)例，可列舉LCD和有機(jī)EL等。除此之外，能夠連接各種不同結(jié)構(gòu)的像素。
此外，能夠?qū)⒈緦?shí)施例模式與實(shí)施例模式1～4任意組合。
(實(shí)施例模式5)作為使用本發(fā)明的電路的電子裝置，攝像機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器(頭置顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置(汽車音響、音頻元件等)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲裝置、便攜式信息端子(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、便攜式電話、便攜式游戲機(jī)或電子圖書等)、具有記錄媒介的圖象再現(xiàn)裝置(具體地，再現(xiàn)記錄媒介如數(shù)字多用途視盤(DVD)等，并具有用于顯示圖象的顯示器的裝置)等可被列舉。這些電子裝置的具體例子將在圖18A～18H中描述。
圖18A表示光發(fā)射裝置，它包括外殼3001、支撐臺(tái)3002、顯示部分3003、揚(yáng)聲器部分3004、視頻輸入端子3005等。本發(fā)明可被用于包含顯示部分3003的電路。并且通過本發(fā)明，圖18A所示的光發(fā)射裝置被完成。由于光發(fā)射裝置為自發(fā)光型，因此不需要背光，并能夠形成比液晶顯示器薄的顯示部分。此外，光發(fā)射裝置包含所有信息顯示用顯示裝置，如個(gè)人計(jì)算機(jī)用、TV廣播接收用、廣告顯示用等顯示裝置。
圖18B表示數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)，它包含主體3101、顯示部分3102、圖象接收部分3103、操作鍵3104、外部連接端口3105、快門3106等。本發(fā)明可用于包含顯示部分3102的電路。并且通過本發(fā)明，圖18B所示的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)被完成。
圖18C表示筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)，它包含主體3201、外殼3202、顯示部分3203、鍵盤3204、外部連接端口3205、指針式鼠標(biāo)3206等。本發(fā)明可被用于包含顯示部分3203的電路。并且通過本發(fā)明，圖18C所示的光發(fā)射器件被完成。
圖18D表示移動(dòng)計(jì)算機(jī)，它包含主體3301、顯示部分3302、開關(guān)3303、操作鍵3304、紅外接口3305等。本發(fā)明可被用于包含顯示部分3302的電路。并且通過本發(fā)明，圖18D所示的移動(dòng)計(jì)算機(jī)被完成。
圖18E表示一個(gè)具有記錄媒介的便攜式圖象再現(xiàn)裝置(具體地，DVD再現(xiàn)裝置)，它包含主體3401、外殼3402、顯示部分A3403、顯示部分B3404、記錄媒介(DVD等)讀出部分3405、操作鍵3406、揚(yáng)聲器部分3407。顯示部分A3403主要顯示圖象信息，而顯示部分B3404主要顯示字符信息，并且本發(fā)明可被用于包含顯示部分A、B3403、3404的電路。此外，具有記錄媒介地圖象再現(xiàn)裝置包含家用游戲機(jī)等。并且通過本發(fā)明，圖18E所示的DVD再現(xiàn)裝置被完成。
圖18F表示護(hù)目鏡型顯示器(頭置顯示器)，它包括主體3501、顯示部分3502和鏡臂部分3503。本發(fā)明可被用于包含顯示部分3502的電路。并且通過本發(fā)明，圖18F所示的護(hù)目鏡式顯示器被完成。
圖18G表示攝像機(jī)，它包括主體3601、顯示部分3602、外殼3603、外部連接端口3604、遙控接收部分3605、圖象接收部分3606、電池3607、聲音輸入部分3608、操作鍵3609等。本發(fā)明可被用于包含顯示部分3602的電路。并且通過本發(fā)明，圖18G所示的攝像機(jī)被完成。
圖18H表示便攜式電話，它包括主體3701、外殼3702、顯示部分3703、聲音輸入部分3704、聲音輸出部分3705、操作鍵3706、外部連接端口3707、天線3708等。本發(fā)明可被用于包含顯示部分3703的電路。此外，通過在黑色背景上顯示白色字符，可能抑制便攜式電話的電流消耗。并且，通過本發(fā)明，圖18H所示的便攜式電話被完成。
此外，如果將來光發(fā)射材料的發(fā)光亮度變高，利用透鏡等通過擴(kuò)大和投影光，將包含輸出圖象信息的光用于前投式或后投式投影儀成為可能。
并且，有許多情況，即上述電子裝置顯示通過電子通信線路如因特網(wǎng)和CATV(電纜TV)等公布的信息，而且特別地，顯示移動(dòng)圖象信息的機(jī)會(huì)增加了。由于光發(fā)射材料的響應(yīng)速度非常高，光發(fā)射裝置用于移動(dòng)圖象顯示是所希望的。
并且，由于對(duì)于光發(fā)射裝置，發(fā)射光的部分消耗能量，因此盡可能多的減少發(fā)光部分來顯示圖象信息是理想的。因此，在光發(fā)射裝置被用于主要處理字符信息的顯示部分如便攜式電話和音頻再現(xiàn)裝置的情況下，理想的是這樣驅(qū)動(dòng)，使得字符信息在光發(fā)射部分形成，而背景為非發(fā)光部分。
如上所描述的，本發(fā)明的可應(yīng)用范圍相當(dāng)廣泛，它可能將其用于各個(gè)領(lǐng)域的電子裝置中。并且實(shí)施例模式1～4所示的任何結(jié)構(gòu)的電路可被用于本實(shí)施例模式的電子裝置中。
本發(fā)明提供一種使用整流型器件的電路，當(dāng)在該器件兩端的電極施加電位差時(shí)，該器件僅在單一方向產(chǎn)生電流。其次，本發(fā)明利用了這樣一個(gè)事實(shí)，即當(dāng)信號(hào)電壓被輸入到整流型器件的一個(gè)端子時(shí)，另一端子的電位成為只被整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢弧?br> 總之，即使在整流型器件間出現(xiàn)閾值電壓的改變，整流型器件總能提供一個(gè)只被整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢?。本發(fā)明，通過使用上述整流型器件，能夠提供一種電路，其中整流型器件間閾值電壓的變化可被抑制。其次，相應(yīng)于抑制整流型器件間閾值電壓變化的影響，能夠提供一種電路，其中晶體管間閾值電壓變化的影響被抑制。
權(quán)利要求
1.一種電路，用于在從輸入端輸入的輸入電位基礎(chǔ)上通過輸出端輸出輸出電位，該電路包含晶體管；具有第一和第二電極的整流型器件，輸入電位被輸入到整流型器件的第一電極；第一開關(guān)，用于將電源電位輸入到第二電極，并用于將第二電極的電位與第一電位會(huì)聚；以及第二開關(guān)，當(dāng)?shù)谝浑娢槐惠斎氲骄w管的柵電極時(shí)，用于從晶體管的源極輸出輸出電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中晶體管為n-溝道型，并且電源電位Vdd、輸入電位V輸入和晶體管的閾值電壓Vth滿足關(guān)系Vdd≥(V輸入+Vth)，而第一電位V1滿足關(guān)系V1＝V輸入+Vth。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中晶體管為p-溝道型，并且電源電位Vdd、輸入電位V輸入和晶體管的閾值電壓Vth滿足關(guān)系Vdd≤(V輸入-|Vth|)，而第一電位V1滿足關(guān)系V1＝V輸入-|Vth|。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中整流型器件為二極管或晶體管。
5.一種電路，用于在從輸入端輸入的輸入電位的基礎(chǔ)上通過輸出端輸出輸出電位，該電路包含具有第一和第二電極的第一和第二整流型器件；被串聯(lián)連接的第一和第二晶體管；第一開關(guān)，用于輸入第一電源電位到第一整流型器件的第二電極，和用于將第一整流型器件的第二電極的電位和第一電位會(huì)聚；以及第二開關(guān)，用于輸入第二電源電位到第二整流型器件的第二電極，和用于將第二整流型器件的第二電極的電位和第二電位會(huì)聚；其中，輸入電位被輸入到第一整流型器件的第一電極，并且偏壓電位被輸入到第二整流型器件的第二電極，以及當(dāng)?shù)谝浑娢槐惠斎氲降谝痪w管的柵電極以及第二電位被輸入到第二晶體管的柵電極時(shí)，輸出電位被從第一晶體管的源極輸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的電路，其中第一和第二晶體管為n-溝道型，并且第一電源電位Vdd1、輸入電位V輸入和第一晶體管的閾值電壓Vth1滿足關(guān)系Vdd1≥(V輸入+Vth1)，并且第二電源電位Vdd2、偏壓電位Vb和第二晶體管的閾值電壓Vth2滿足關(guān)系Vdd2≥(Vb+Vth2)，并且第一電位V1滿足關(guān)系V1＝V輸入+Vth1而第二電位V2滿足關(guān)系V2＝Vb+Vth2。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的電路，其中第一和第二晶體管為p-溝道型，并且第一電源電位Vdd1、輸入電位V輸入和第一晶體管的閾值電壓Vth1滿足關(guān)系Vdd1≤(V輸入-|Vth1|)，并且第二電源電位Vdd2、偏壓電位Vb和第二晶體管的閾值電壓Vth2滿足關(guān)系Vdd2≤(Vb-|Vth2|)，并且第一電位V1滿足關(guān)系V1＝V輸入-|Vth1|，而第二電位V2滿足關(guān)系V2＝Vb-|Vth2|。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的電路，其中第一和第二整流型器件為二極管或晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中輸入電位為從光電轉(zhuǎn)換器件提供的信號(hào)的電位。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，它構(gòu)成源跟隨電路、差動(dòng)放大器、運(yùn)算放大器和放大器電路中選擇的一種電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求5的電路，其中輸入電位為從光電轉(zhuǎn)換器件提供的信號(hào)的電位。
12.根據(jù)權(quán)利要求5的電路，它構(gòu)成源跟隨電路、差動(dòng)放大器、運(yùn)算放大器和放大器電路中選擇的一種電路。
全文摘要
對(duì)于晶體管，由于制造工藝和所使用基片的不同出現(xiàn)柵極絕緣膜的變化以及由此在溝道形成區(qū)結(jié)晶狀態(tài)的變化等因素是部分一致的，因此產(chǎn)生晶體管的閾值電壓和遷移率的變化。本發(fā)明提供一種使用整流型器件的電路，其中當(dāng)在該器件兩端的電極施加電位差時(shí)，僅在單一方向產(chǎn)生電流。其次，本發(fā)明提供一種電路，它利用了一個(gè)事實(shí)，即當(dāng)信號(hào)電壓被輸入到整流型器件的一個(gè)端子時(shí)，另一端子的電位成為只被整流型器件的閾值電壓補(bǔ)償?shù)碾娢弧?br> 文檔編號(hào)H02M7/538GK1433143SQ0310079
公開日2003年7月30日 申請(qǐng)日期2003年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月17日
發(fā)明者木村肇, 渡邊康子 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所