一種oled顯示面板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種OLED顯示面板，包括基板；復(fù)合在所述基板上的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層；復(fù)合在所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上的陽極層；復(fù)合在所述陽極層上的空穴注入層；復(fù)合在所述空穴注入層上的空穴傳輸層；復(fù)合在所述空穴傳輸層上的有機(jī)發(fā)光層；復(fù)合在所述有機(jī)發(fā)光層上的電子傳輸層；和復(fù)合在所述電子傳輸層上的陰極層。本實(shí)用新型在基板和陽極層之間引入了金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層，增加了與陽極之間的導(dǎo)電性能，使得其電阻分布更均勻，發(fā)光也更均勻。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用逐點(diǎn)計(jì)算法，發(fā)光均勻度可以達(dá)到0.87以上，普通OLED均勻度只有0.8左右。
【專利說明】
一種OLED顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于光學(xué)顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示面板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在觸摸屏顯示面板中，OLED(有機(jī)發(fā)光二極管，Organic Light-Emitting D1de，OLED))作為一種全新的顯示技術(shù)，生產(chǎn)成本只有普通顯示技術(shù)TFT IXD的三到四成左右，并且通電之后就會(huì)自己發(fā)光，可以省掉燈管的重量體積及耗電量(燈管耗電量幾乎占整個(gè)液晶屏幕的一半)，不僅讓產(chǎn)品厚度只剩兩厘米左右，操作電壓更低到2至10伏特，加上OLED的反應(yīng)時(shí)間(小于I Oms)及色彩都比TFT IXD出色，OLED更有可彎曲的特性，讓它的應(yīng)用范圍極廣。
[0003]然而，對于目前的大面積OLED顯示面板，由于垂直水平電阻分布不均，故施加電流時(shí)OLED顯示面板的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域有所差異，導(dǎo)致現(xiàn)有的OLED顯示面板存在明顯發(fā)光不均勻的缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種OLED顯示面板，本實(shí)用新型中的OLED顯示面板發(fā)光均勻。
[0005]本實(shí)用新型提供一種OLED顯示面板，包括基板；
[0006]復(fù)合在所述基板上的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層；
[0007]復(fù)合在所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上的陽極層；
[0008]復(fù)合在所述陽極層上的空穴注入層；
[0009]復(fù)合在所述空穴注入層上的空穴傳輸層；
[0010]復(fù)合在所述空穴傳輸層上的有機(jī)發(fā)光層；
[0011]復(fù)合在所述有機(jī)發(fā)光層上的電子傳輸層；
[0012]和復(fù)合在所述電子傳輸層上的陰極層。
[0013]優(yōu)選的，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層的厚度為0.1?50μηι。
[0014]優(yōu)選的，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層中網(wǎng)格形狀為正方形、長方形、菱形、三角形或六邊形。
[0015]優(yōu)選的，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層中網(wǎng)格的面積為(1.6 X 13?40 X 103)nm2。
[0016]優(yōu)選的，所述正方形的邊長為40?200nm。
[0017]優(yōu)選的，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層為納米銀金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層。
[0018]優(yōu)選的，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層為納米銅金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層。
[0019]本實(shí)用新型提供了一種OLED顯示面板，包括基板;復(fù)合在所述基板上的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層;復(fù)合在所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上的陽極層;復(fù)合在所述陽極層上的空穴注入層;復(fù)合在所述空穴注入層上的空穴傳輸層;復(fù)合在所述空穴傳輸層上的有機(jī)發(fā)光層;復(fù)合在所述有機(jī)發(fā)光層上的電子傳輸層;和復(fù)合在所述電子傳輸層上的陰極層。本實(shí)用新型在基板和陽極層之間引入了金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層，增加了與陽極之間的導(dǎo)電性能，使得其電阻分布更均勻，發(fā)光也更均勻。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用逐點(diǎn)計(jì)算法，發(fā)光均勻度可以達(dá)到0.87以上，普通OLED均勻度只有0.8左右。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0021 ]圖1為本實(shí)用新型中OLED顯不面板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0022]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1中使用的結(jié)構(gòu)滾筒的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1得到的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0025]本實(shí)用新型提供了一種OLED發(fā)光面板，包括基板；
[0026]復(fù)合在所述基板上的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層；
[0027]復(fù)合在所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上的陽極層；
[0028]復(fù)合在所述陽極層上的空穴注入層；
[0029]復(fù)合在所述空穴注入層上的空穴傳輸層；
[0030]復(fù)合在所述空穴傳輸層上的有機(jī)發(fā)光層；
[0031]復(fù)合在所述有機(jī)發(fā)光層上的電子傳輸層；
[0032]和復(fù)合在所述電子傳輸層上的陰極層。
[0033]本實(shí)用新型提供的OLED顯示面板發(fā)光更均勻。
[0034]參見圖1，圖1為本實(shí)用新型中OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)用新型中，所述基板優(yōu)選為玻璃基板，采用本領(lǐng)域常用材質(zhì)的玻璃基板即可，本實(shí)用新型對此沒有特殊的限制。
[0035]在本實(shí)用新型中，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層的厚度優(yōu)選為0.1?50μηι，更優(yōu)選為I?45μm，最優(yōu)選為5?40μπι，具體的，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，可以是15μπι或20μπι;所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層中網(wǎng)格的形狀優(yōu)選為正方形、長方形、菱形、三角形或六邊形，所述網(wǎng)格的面積優(yōu)選為(I.6 X 13?40 X 103)nm2，更優(yōu)選為(5.0X 13?35 X 103)nm2，最優(yōu)選為(10.0 X 13?30X 103)nm2，具體的，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，可以是14.4X 103nm2、22.5 X 13Mi2或10 X1W ；如，網(wǎng)格形狀為正方形時(shí)，網(wǎng)格的邊長優(yōu)選為40?200nm，更優(yōu)選為50?180醒，最優(yōu)選為80?150nm。具體的，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，正方形邊長可以是10nm、120nm或150nm。傳統(tǒng)的OLED陽極為具有透明半導(dǎo)體特征的ITO材料，在通電的情況下，平面整體電勢有差異，當(dāng)加上導(dǎo)電金屬網(wǎng)格后，由于有較好的導(dǎo)電性，平面各部分間的電勢更加均勻，從而得到均勻的發(fā)光效果。
[0036]本實(shí)用新型中，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層優(yōu)選由包括以下重量份數(shù)的組分制成，環(huán)氧丙烯酸脂:50?85份;稀釋劑:5?15份;固化劑:I?8份;光引發(fā)劑:3?20份，納米金屬:55?80份。
[0037]在本實(shí)用新型中，所述環(huán)氧丙烯酸脂的重量份數(shù)優(yōu)選為55?80份，更優(yōu)選為60?75份，最優(yōu)選為65?70份;所述環(huán)氧丙烯酸脂的數(shù)均分子量優(yōu)選為5000?20000，更優(yōu)選為6000?18000，最優(yōu)選為8000?15000;所述環(huán)氧丙烯酸脂的粘度優(yōu)選為3000?5000cps，更優(yōu)選為3500?4500cps。所述稀釋劑優(yōu)選包括環(huán)氧丙烷;所述稀釋劑的重量份數(shù)優(yōu)選為7?14份，更優(yōu)選為8?13份，最優(yōu)選為9?12份;所述固化劑優(yōu)選包括三乙醇胺;所述固化劑的重量份數(shù)優(yōu)選為2?7份，更優(yōu)選為3?6份，最優(yōu)選為4?5份;所述光引發(fā)劑優(yōu)選包括2,4,6(三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦;所述光引發(fā)劑的重量份數(shù)優(yōu)選為5?18份，更優(yōu)選為7?16份，最優(yōu)選為8?15份;所述納米金屬優(yōu)選包括納米金屬線或納米金屬微粒，更優(yōu)選包括納米銀線、納米銅線、納米銅粉和納米銀粉中的一種或幾種，所述納米金屬線的直徑優(yōu)選為20?50nm，更優(yōu)選為25?45nm，最優(yōu)選為30?40nm;所述納米金屬微粒的粒徑優(yōu)選為20?50nm，更優(yōu)選為25?45nm，最優(yōu)選為30?40nm。
[0038]在本實(shí)用新型中，所述陽極層的材質(zhì)優(yōu)選包括氧化銦錫;所述陽極層的厚度優(yōu)選為10?200μηι，更優(yōu)選為20?180μηι，最優(yōu)選為50?150μηι。所述空穴注入層的材質(zhì)優(yōu)選為螢光染料化合物，更優(yōu)選包括Alq(羥基喹啉鋁)、Znq(羥基喹啉鋅)；所述空穴注入層的厚度優(yōu)選為10?200μηι，更優(yōu)選為20?180μηι，最優(yōu)選為50?150μηι。所述空穴傳輸層的材質(zhì)優(yōu)選為芳香胺螢光化合物，更優(yōu)選包括ITD和/或TDATA;所述空穴傳輸層的厚度優(yōu)選為10?200μπι，更優(yōu)選為20?180μπι，最優(yōu)選為50?150μπι。所述有機(jī)發(fā)光層的材質(zhì)優(yōu)選包括DPVBi;所述有機(jī)發(fā)光層的厚度優(yōu)選為10?200μηι，更優(yōu)選為20?180μηι，最優(yōu)選為50?150μηι。所述電子傳輸層的材質(zhì)優(yōu)選包括OXD和/或BND;所述電子傳輸層的厚度優(yōu)選為10?200μπι，更優(yōu)選為20?180μπι，最優(yōu)選為50?150μπι。所述陰極層的材質(zhì)優(yōu)選包括銀和/或鎂;所述陰極層的厚度優(yōu)選為10?200μπι，更優(yōu)選為20?180μπι，最優(yōu)選為50?150μπι。
[0039]本實(shí)用新型還提供了一種OLED顯示面板的制備方法，包括以下步驟；
[0040]Α)將納米金屬漿料涂布在基板表面并固化，得到復(fù)合有金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層的基板；
[0041]B)在所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層表面依次制備陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，得到OLED顯示面板。
[0042]本實(shí)用新型優(yōu)選將附著有納米金屬漿料的滾筒在基板上滾動(dòng)，得到涂布有網(wǎng)格狀金屬漿料的基板，將涂布有網(wǎng)格狀金屬漿料的基板進(jìn)行紫外光固化，得到復(fù)合有金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層的基板。
[0043]在本實(shí)用新型中，所述納米金屬漿料的組成與上述技術(shù)方案中金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層的制備原料一致，在此不再贅述。所述滾筒優(yōu)選為具有網(wǎng)格凸起結(jié)構(gòu)的滾筒，也可以是帶有條紋凸起結(jié)構(gòu)的滾筒，如帶有橫條凸起結(jié)構(gòu)的滾筒，在滾動(dòng)過基板一遍后，在基板上形成橫條結(jié)構(gòu)的金屬漿料，固化后將基板旋轉(zhuǎn)90°，再滾動(dòng)一遍，即形成正方形網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的金屬漿料，再進(jìn)行固化，即得到正方形網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層。
[0044]本實(shí)用新型中，所述采用滾筒涂布納米金屬楽料的速度優(yōu)選為0.5?2m/min，更優(yōu)選為lm/min;所述納米金屬楽料之間的間隙優(yōu)選為1_。
[0045]本實(shí)用新型優(yōu)選把涂布有網(wǎng)格狀金屬漿料的基板經(jīng)過流平平整后，利用UV燈(紫外光燈)進(jìn)行光固化，所述紫外光的照射強(qiáng)度優(yōu)選為800?1200W/cm2，更優(yōu)選為900?1100ff/cm2，最優(yōu)選為1000W/cm2 ；所述光固化的時(shí)間優(yōu)選為5?20s，更優(yōu)選為8?15s，最優(yōu)選為10?12s0
[0046]完成納米金屬漿料的固化后，本實(shí)用新型優(yōu)選將涂布有納米金屬網(wǎng)格漿料的基板進(jìn)行烘烤，得到復(fù)合有金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層的基板，所述烘烤的時(shí)間優(yōu)選為I?20s，更優(yōu)選為5?15s，最優(yōu)選為10?12s;所述烘烤的溫度優(yōu)選為100?150°C，更優(yōu)選為120?140 °C。
[0047]本實(shí)用新型優(yōu)選采用化學(xué)氣相沉積或蒸鍍的方式，在金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上平整的沉積陽極材料，形成陽極層，所述陽極材料與上述技術(shù)方案中陽極層的材料一致，在此不再贅述。在本實(shí)用新型中，所述蒸鍍的基本壓力優(yōu)選為I?10Pa，更優(yōu)選為2?8Pa，最優(yōu)選為3?7Pa;所述蒸鍍的工作壓力優(yōu)選為5?20pa，更優(yōu)選為10?15Pa;所述蒸鍍的加熱溫度優(yōu)選為1000?1200°C，更優(yōu)選為1050?1150°C ;所述蒸鍍的時(shí)間優(yōu)選為20?35min，最優(yōu)選為25?30mino
[0048]本實(shí)用新型優(yōu)選采用蒸鍍的方法在陽極層上依次制備空穴注入層，空穴傳輸層，有機(jī)發(fā)光層，電子傳輸層以及陰極層，所述空穴注入層，空穴傳輸層，有機(jī)發(fā)光層，電子傳輸層以及陰極層的制備原料與上述技術(shù)方案中空穴注入層，空穴傳輸層，有機(jī)發(fā)光層，電子傳輸層以及陰極層的材質(zhì)一致，在此不再贅述。在本實(shí)用新型中，所述蒸鍍的基本壓力優(yōu)選為I?1Pa，更優(yōu)選為2?8Pa，最優(yōu)選為3?7Pa;所述蒸鍍的工作壓力優(yōu)選為5?20pa，更優(yōu)選為10?15Pa;所述蒸鍍的加熱溫度優(yōu)選為300?500°C，更優(yōu)選為350?450°C ;所述蒸鍍的時(shí)間優(yōu)選為20?40min，最優(yōu)選為25?35min。
[0049]本實(shí)用新型按照逐點(diǎn)計(jì)算法測試了本實(shí)用新型中OLED顯示面板的發(fā)光均勻性，結(jié)果表明，本實(shí)用新型中的OLED顯示面板的發(fā)光均勻度達(dá)到0.87以上。
[0050]本實(shí)用新型提供了一種OLED顯示面板，包括基板;復(fù)合在所述基板上的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層;復(fù)合在所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上的陽極層;復(fù)合在所述陽極層上的空穴注入層;復(fù)合在所述空穴注入層上的空穴傳輸層;復(fù)合在所述空穴傳輸層上的有機(jī)發(fā)光層;復(fù)合在所述有機(jī)發(fā)光層上的電子傳輸層;和復(fù)合在所述電子傳輸層上的陰極層。本實(shí)用新型在基板和陽極層之間引入了金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層，增加了與陽極之間的導(dǎo)電性能，使得其電阻分布更均勻，發(fā)光也更均勻。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用逐點(diǎn)計(jì)算法，發(fā)光均勻度可以達(dá)到0.87以上，普通OLED均勻度只有0.8左右。
[0051]為了進(jìn)一步說明本實(shí)用新型，以下結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型提供的一種OLED顯示面板進(jìn)行詳細(xì)描述，但不能將其理解為對本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限定。
[0052]實(shí)施例1
[0053]按照以下重量份配比配制納米金屬漿料:
[0054]環(huán)氧丙烯酸脂:80份;環(huán)氧丙烷:10份;三乙醇胺:1.5份;2，4，6(三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦:1O份，納米銀線:70份。
[0055]SI，以玻璃基板作為涂布面，利用輥輪帶動(dòng)進(jìn)行平面移動(dòng)，移動(dòng)速度為lm/min;
[0056]S2，輥輪帶動(dòng)玻璃基板移動(dòng)后利用表面帶有橫向條紋凸起的滾筒進(jìn)行同步滾動(dòng)(參見圖2，圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1中使用的結(jié)構(gòu)滾筒的結(jié)構(gòu)示意圖)，將納米金屬漿料橫向均勾涂布到玻璃基板上，其中，納米金屬楽料之間的間隙為Imm;
[0057]S3，納米金屬漿料涂布在玻璃基板上經(jīng)過流平平整后，利用UV燈進(jìn)行光固化，UV燈的面光線的照度為1000ff/cm2，固化時(shí)間為10秒；
[0058]S4，將上述橫向涂布并固化后的玻璃基板旋轉(zhuǎn)90°后重新由輥輪帶動(dòng)再次經(jīng)過帶有表面結(jié)構(gòu)的滾筒進(jìn)行縱向涂布并固化，UV燈的面光線的照度為lOOOW/cm2，固化時(shí)間為10秒；
[0059]S5，將上述完成縱橫涂布后形成正方形金屬網(wǎng)格的玻璃基板輸送進(jìn)烘箱內(nèi)進(jìn)行烘烤10s，烘烤溫度為120°C，得到采用濕法涂布工藝在玻璃基板上鍍上的一層納米金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層，導(dǎo)電層厚度20μπι;網(wǎng)格橫截面形狀為正方形，正方形邊長100nm。如圖3所示，圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1得到的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0060]S6，利用化學(xué)氣相沉積的方式，在金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上平整沉積陽極材料，所選材料為氧化銦錫;化學(xué)氣相沉積條件:基本壓力5Pa，工作壓力15Pa，加熱溫度1200°C，沉積時(shí)間30mino
[0061 ] S7，最后在陽極材料上依次制備空穴注入層，空穴傳輸層，有機(jī)發(fā)光層，電子傳輸層以及陰極，該OLED顯示面板即制造完成?？昭ㄗ⑷雽硬捎肁lq，厚度為15μπι;空穴傳輸層的材料為TPD，厚度為15μπι;有機(jī)發(fā)光層材料為DPVBi，厚度為20μπι;電子傳輸層材料為OXD，厚度為ΙΟμπι;空穴注入層，空穴傳輸層，有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層均采用蒸鍍的方式鍍膜，陰極層材料為銀，厚度為5μπι。蒸鍍條件:基本壓力7Pa，工作壓力1Pa，加熱溫度400 V，蒸鍍時(shí)間30min。
[0062]經(jīng)測試，本實(shí)施例中OLED顯示面板的發(fā)光均勻性為0.9。
[0063]實(shí)施例2
[0064]按照以下重量份配比配制納米金屬漿料:
[0065]環(huán)氧丙烯酸脂:80份;環(huán)氧丙烷:10份;三乙醇胺:2份；2，4，6(三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦:1O份，納米銀線:60份。
[0066]SI，以玻璃基板作為涂布面，利用輥輪帶動(dòng)進(jìn)行平面移動(dòng)，移動(dòng)速度為lm/min;
[0067]S2，輥輪帶動(dòng)玻璃基板移動(dòng)后利用表面帶有橫向條紋凸起的滾筒進(jìn)行同步滾動(dòng)，將納米金屬漿料橫向均勻涂布到玻璃基板上，其中，納米金屬漿料之間的間隙為Imm;
[0068]S3，納米金屬漿料涂布在玻璃基板上經(jīng)過流平平整后，利用UV燈進(jìn)行光固化，UV燈的面光線的照度為1000ff/cm2，固化時(shí)間為10秒；
[0069]S4，將上述橫向涂布并固化后的玻璃基板旋轉(zhuǎn)90°后重新由輥輪帶動(dòng)再次經(jīng)過帶有表面結(jié)構(gòu)的滾筒進(jìn)行縱向涂布并固化，UV燈的面光線的照度為lOOOW/cm2，固化時(shí)間為10秒；
[0070]S5，將上述完成縱橫涂布后形成正方形金屬網(wǎng)格的玻璃基板輸送進(jìn)烘箱內(nèi)進(jìn)行烘烤10s，烘烤溫度為120°C，得到采用濕法涂布工藝在玻璃基板上鍍上的一層納米金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層，導(dǎo)電層厚度15μπι;網(wǎng)格橫截面形狀為正方形，正方形邊長150nm。
[0071]S6，利用化學(xué)氣相沉積的方式，在金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上平整沉積陽極材料，所選材料為氧化銦錫;化學(xué)氣相沉積條件:基本壓力2Pa，工作壓力5Pa，加熱溫度1000 V，沉積時(shí)間35min0
[0072]S7，最后在陽極材料上依次制備空穴注入層，空穴傳輸層，有機(jī)發(fā)光層，電子傳輸層以及陰極，該OLED顯示面板即制造完成?？昭ㄗ⑷雽硬捎肁lq，厚度為15μπι;空穴傳輸層的材料為TPD，厚度為15μπι;有機(jī)發(fā)光層材料為DPVBi，厚度為20μπι;電子傳輸層材料為OXD，厚度為ΙΟμπι;空穴注入層，空穴傳輸層，有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層均采用蒸鍍的方式鍍膜，陰極層材料為銀，厚度為5μπι。蒸鍍條件:基本壓力2Pa，工作壓力5Pa，加熱溫度300°C，蒸鍍時(shí)間40min。
[0073]經(jīng)測試，本實(shí)施例中OLED顯示面板的發(fā)光均勻性為0.87。
[0074]實(shí)施例3
[0075]按照以下重量份配比配制納米金屬漿料:
[0076]環(huán)氧丙烯酸脂:80份;環(huán)氧丙烷:10份;三乙醇胺:1.5份;2，4，6(三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦:1O份，納米銀線:70份。
[0077]SI，以玻璃基板作為涂布面，利用輥輪帶動(dòng)進(jìn)行平面移動(dòng)，移動(dòng)速度為lm/min;
[0078]S2，輥輪帶動(dòng)玻璃基板移動(dòng)后利用表面帶有橫向條紋凸起的滾筒進(jìn)行同步滾動(dòng)，將納米金屬漿料橫向均勻涂布到玻璃基板上，其中，納米金屬漿料之間的間隙為Imm;
[0079]S3，納米金屬漿料涂布在玻璃基板上經(jīng)過流平平整后，利用UV燈進(jìn)行光固化，UV燈的面光線的照度為1000ff/cm2，固化時(shí)間為10秒；
[0080]S4，將上述橫向涂布并固化后的玻璃基板旋轉(zhuǎn)90°后重新由輥輪帶動(dòng)再次經(jīng)過帶有表面結(jié)構(gòu)的滾筒進(jìn)行縱向涂布并固化，UV燈的面光線的照度為lOOOW/cm2，固化時(shí)間為10秒；
[0081]S5，將上述完成縱橫涂布后形成正方形金屬網(wǎng)格的玻璃基板輸送進(jìn)烘箱內(nèi)進(jìn)行烘烤10s，烘烤溫度為120°C，得到采用濕法涂布工藝在玻璃基板上鍍上的一層納米金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層，導(dǎo)電層厚度20μπι;網(wǎng)格橫截面形狀為正方形，正方形邊長120nm。
[0082]S6，利用化學(xué)氣相沉積的方式，在金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上平整沉積陽極材料，所選材料為氧化銦錫;化學(xué)氣相沉積條件:基本壓力1Pa，工作壓力20Pa，加熱溫度1100 V，沉積時(shí)間20mino
[0083]S7，最后在陽極材料上依次制備空穴注入層，空穴傳輸層，有機(jī)發(fā)光層，電子傳輸層以及陰極，該OLED顯示面板即制造完成。空穴注入層采用Alq，厚度為15μπι;空穴傳輸層的材料為TPD，厚度為15μπι;有機(jī)發(fā)光層材料為DPVBi，厚度為20μπι;電子傳輸層材料為OXD，厚度為ΙΟμπι;空穴注入層，空穴傳輸層，有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層均采用蒸鍍的方式鍍膜，陰極層材料為銀，厚度為5μπι。蒸鍍條件:基本壓力I OPa，工作壓力20Pa，加熱溫度500 °C，蒸鍍時(shí)間20min。
[0084]經(jīng)測試，本實(shí)施例中OLED顯示面板的發(fā)光均勻性為0.89。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED顯示面板，包括基板； 復(fù)合在所述基板上的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層； 復(fù)合在所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層上的陽極層； 復(fù)合在所述陽極層上的空穴注入層； 復(fù)合在所述空穴注入層上的空穴傳輸層； 復(fù)合在所述空穴傳輸層上的有機(jī)發(fā)光層； 復(fù)合在所述有機(jī)發(fā)光層上的電子傳輸層； 和復(fù)合在所述電子傳輸層上的陰極層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層的厚度為0.I?50μπι。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層中網(wǎng)格形狀為正方形、長方形、菱形、三角形或六邊形。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層中網(wǎng)格的面積為(1.6X103?40X 103)nm2。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述正方形的邊長為40?200nm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層為納米銀金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層為納米銅金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層。
【文檔編號】H01L27/32GK205621736SQ201620406689
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年5月5日
【發(fā)明人】朱文峰
【申請人】東莞市納利光學(xué)材料有限公司