一種太陽能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于光伏設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能是目前國內(nèi)外大力發(fā)展的一種新能源，它利用太陽能電池吸收太陽能，將其轉(zhuǎn)換為電能，具有非常大的潛力和前途來替代傳統(tǒng)能源。在各種太陽能電池中，硅基太陽能電池占到了市場總份額的90%，然而，較高的生產(chǎn)成本和低效率一直是困擾硅基電池發(fā)展的因素，因此，提高太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率和降低生產(chǎn)成本是限制業(yè)界面對(duì)的一個(gè)巨大挑戰(zhàn)。
[0003]當(dāng)太陽光照射到電池表面時(shí)，一部分光子照射到表面金屬電極上而被反射掉，這部分是不可避免的，而另一部分光子照射到電池的硅基體上，其中一些被吸收，另一些會(huì)因絨面光滑平整而反射損失掉，因此，一種提高電池轉(zhuǎn)換效率的方法就是改善太陽能電池的絨面結(jié)構(gòu)，以減少入射光的反射損失。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，RIE(Reactive 1n Etching，反應(yīng)離子刻蝕)技術(shù)能夠通過改變電池絨面結(jié)構(gòu)，降低對(duì)電池的入射光損失來提高電池的轉(zhuǎn)換效率，然而，利用該技術(shù)制備的絨面結(jié)構(gòu)孔坑比較淺，容易在生產(chǎn)的過程中被磨損或腐蝕掉，減反射效果不佳。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種太陽能電池，增大了表面的凹坑深度，能夠增強(qiáng)對(duì)太陽光的吸收，減少因電池絨面表面光滑平整而使反射光損失，增加入射光在電池里面的光程，提高反射次數(shù)，從而提高電池的短路電流和開路電壓，提高了轉(zhuǎn)換效率。
[0006]本實(shí)用新型提供的一種太陽能電池，包括:
[0007]多晶硅片；
[0008]所述多晶硅片的上表面設(shè)置有具有第一凹坑深度的第一擴(kuò)散層；
[0009]所述第一擴(kuò)散層的上表面設(shè)置有刻蝕層；
[0010]所述刻蝕層的上表面設(shè)置有具有第二凹坑深度的第二擴(kuò)散層，所述第二凹坑深度大于所述第一凹坑深度。
[0011]優(yōu)選的，在上述太陽能電池中，所述第二擴(kuò)散層的上表面設(shè)置有雙層氮化硅膜。
[0012]優(yōu)選的，在上述太陽能電池中，所述雙層氮化硅膜的上表面設(shè)置有正電極。
[0013]優(yōu)選的，在上述太陽能電池中，所述多晶硅片的背面設(shè)置有背電極。
[0014]優(yōu)選的，在上述太陽能電池中，所述多晶硅片的背面還設(shè)置有背電場。
[0015]優(yōu)選的，在上述太陽能電池中，所述多晶硅片和所述背電場之間還設(shè)置有P+層。
[0016]本實(shí)用新型提供的上述太陽能電池，由于所述多晶硅片的上表面設(shè)置有具有第一凹坑深度的第一擴(kuò)散層，所述第一擴(kuò)散層的上表面設(shè)置有刻蝕層，所述刻蝕層的上表面設(shè)置有具有第二凹坑深度的第二擴(kuò)散層，所述第二凹坑深度大于所述第一凹坑深度，因此能夠增加最終形成的絨面的凹坑深度，增強(qiáng)對(duì)太陽光的吸收，減少因電池絨面表面光滑平整而使反射光損失，增加入射光在電池里面的光程，提高反射次數(shù)，從而提高電池的短路電流和開路電壓，提高了轉(zhuǎn)換效率。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為本申請實(shí)施例提供的一種太陽能電池的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]本實(shí)用新型的核心思想在于提供一種太陽能電池，增大了表面的凹坑深度，增強(qiáng)對(duì)太陽光的吸收，減少因電池絨面表面光滑平整而使反射光損失，增加入射光在電池里面的光程，提高反射次數(shù)，從而提高電池的短路電流和開路電壓，提高了轉(zhuǎn)換效率。
[0020]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0021]本申請實(shí)施例提供的一種太陽能電池如圖1所示，圖1為本申請實(shí)施例提供的一種太陽能電池的示意圖。該太陽能電池包括:
[0022]多晶硅片I，這里選取的多晶硅片I首先要經(jīng)過清洗，保證其具有清潔的表面，才能進(jìn)行后續(xù)的步驟；
[0023]所述多晶硅片的上表面設(shè)置有具有第一凹坑深度的第一擴(kuò)散層2，該第一擴(kuò)散層2是在第一次擴(kuò)散之后還要經(jīng)歷一個(gè)刻蝕過程，使其表面具有第一凹坑深度，為之后的第二擴(kuò)散層的形成打好基礎(chǔ)，該實(shí)施例中，第一擴(kuò)散層的方阻范圍一般在40歐姆至50歐姆之間，該部分是本實(shí)施例相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的太陽能電池的區(qū)別，利用第一次擴(kuò)散形成所述第一擴(kuò)散層2，該第一擴(kuò)散層2的表面本身就具有一定的凹凸程度，再經(jīng)過第一次刻蝕之后又能提高這種凹凸程度，以增強(qiáng)對(duì)太陽光的吸收，減少因電池絨面表面光滑平整而使反射光損失，增加入射光在電池里面的光程，提高反射次數(shù)；
[0024]所述第一擴(kuò)散層的上表面設(shè)置有刻蝕層3，該刻蝕層3是經(jīng)過反應(yīng)離子刻蝕(RIE)形成的，在該RIE工藝之后，需要進(jìn)行清洗，修復(fù)絨面；
[0025]所述刻蝕層3的上表面設(shè)置有具有第二凹坑深度的第二擴(kuò)散層4，所述第二凹坑深度大于所述第一凹坑深度，該第二擴(kuò)散層4的方阻范圍可以在70歐姆至80歐姆之間，由于利用第一擴(kuò)散層形成的凹坑做基礎(chǔ)，因此該第二擴(kuò)散層4相對(duì)于之前的技術(shù)中的擴(kuò)散層具有更深的凹坑，從而增強(qiáng)對(duì)光子的吸收，加深光子的反射路徑。
[0026]通過上述描述可知，本申請實(shí)施例提供的上述太陽能電池的絨面孔坑更深，能夠增強(qiáng)對(duì)太陽光的吸收，減少因電池絨面表面光滑平整而使反射光損失，增加入射光在電池里面的光程，提高反射次數(shù)，從而提高電池的短路電流和開路電壓，從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。
[0027]繼續(xù)參考圖1，在上述太陽能電池中，所述第二擴(kuò)散層4的上表面可以設(shè)置有雙層氮化硅膜5，這樣就能夠更充分的利用照射在表面的太陽光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，需要說明的是，設(shè)置該雙層氮化硅膜5僅僅是上述太陽能電池的一個(gè)優(yōu)選方案，實(shí)際上，上述太陽能電池也可以采用其他方案，而不利用該方案，也同樣能在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)；
[0028]而且，所述雙層氮化硅膜5的上表面設(shè)置有正電極6，可以采用常規(guī)的沉積或?yàn)R射工藝制作該正電極6，此處并不做任何限制；
[0029]進(jìn)一步的，作為優(yōu)選實(shí)施例，所述多晶硅片的背面設(shè)置有背電極(圖中未示出)，而且，可選的，所述多晶硅片I的背面還設(shè)置有背電場7，利用該背電場7能夠更加充分的利用太陽光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，提高轉(zhuǎn)換效率。
[0030]另外，所述多晶硅片I和所述背電場7之間還設(shè)置有P+層8，這種P+層8是在所述多晶硅片I的制作過程中同時(shí)制作的，采用常規(guī)工藝制成，在此不再贅述。
[0031]上述實(shí)施例提供的太陽能電池，在RIE電池的基礎(chǔ)上，能夠把電池絨面孔坑做的更深，增加對(duì)光子的吸收，加深光子的反射路徑，兼容性強(qiáng)，適合大規(guī)模生產(chǎn)。
[0032]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種太陽能電池，其特征在于，包括: 多晶娃片； 所述多晶硅片的上表面設(shè)置有具有第一凹坑深度的第一擴(kuò)散層； 所述第一擴(kuò)散層的上表面設(shè)置有刻蝕層； 所述刻蝕層的上表面設(shè)置有具有第二凹坑深度的第二擴(kuò)散層，所述第二凹坑深度大于所述第一凹坑深度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二擴(kuò)散層的上表面設(shè)置有雙層氮化娃膜。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述雙層氮化硅膜的上表面設(shè)置有正電極。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述多晶硅片的背面設(shè)置有背電極。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池，其特征在于，所述多晶硅片的背面還設(shè)置有背電場。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，所述多晶硅片和所述背電場之間還設(shè)置有P+層。
【專利摘要】本申請公開了一種太陽能電池，包括：多晶硅片；所述多晶硅片的上表面設(shè)置有具有第一凹坑深度的第一擴(kuò)散層；所述第一擴(kuò)散層的上表面設(shè)置有刻蝕層；所述刻蝕層的上表面設(shè)置有具有第二凹坑深度的第二擴(kuò)散層，所述第二凹坑深度大于所述第一凹坑深度。本申請?zhí)峁┑纳鲜鎏柲茈姵?，由于設(shè)置有兩個(gè)擴(kuò)散層，增大了表面的凹坑深度，能夠增強(qiáng)對(duì)太陽光的吸收，減少因電池絨面表面光滑平整而使反射光損失，增加入射光在電池里面的光程，提高反射次數(shù)，從而提高電池的短路電流和開路電壓，提高了轉(zhuǎn)換效率。
【IPC分類】H01L31/0236
【公開號(hào)】CN205211767
【申請?zhí)枴緾N201521095400
【發(fā)明人】王成, 蔣方丹, 金井升, 金浩
【申請人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年12月23日