Led正裝芯片的高功率密度封裝模組的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體照明器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及LED正裝芯片的高功率密度封裝模組。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，LED封裝技術(shù)得到了長足的進(jìn)步，大功率LED封裝器件也逐漸推廣應(yīng)用于各種普通照明和特殊照明應(yīng)用領(lǐng)域。目前LED封裝器件的功率可達(dá)到千瓦級，但功率密度相對較低。這還不能滿足眾多工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏裙廨敵龅男枨蟆?br>[0003]CN 201410291560.7提出了一種LED倒裝芯片的大功率集成封裝結(jié)構(gòu)，LED倒裝芯片焊接在正負(fù)極導(dǎo)電板間隔排布的封裝基板上，倒裝芯片的P型和N型電極橫跨正、負(fù)導(dǎo)電板，并分別與對應(yīng)導(dǎo)電板電氣連接，實(shí)現(xiàn)了大功率的封裝模組。但是該封裝結(jié)構(gòu)中，倒裝芯片的兩個電極必須準(zhǔn)確對準(zhǔn)相應(yīng)導(dǎo)電板，而芯片本身的尺寸非常小，因此該發(fā)明的封裝精度要求很高，操作比較困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種可靠性好的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，以實(shí)現(xiàn)十千瓦級的大功率LED器件封裝。
[0005]本實(shí)用新型提供的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其封裝基板表面為正、負(fù)極導(dǎo)電板交替排布的橫截面，LED正裝芯片的兩側(cè)P極和N極分別連接到相鄰的兩個正、負(fù)極導(dǎo)電板上，而所有正、負(fù)極導(dǎo)電板則分別與對應(yīng)的驅(qū)動電源的正、負(fù)接口相連。
[0006]本實(shí)用新型中，所述封裝模組包含至少I組正、負(fù)極導(dǎo)電板，相鄰導(dǎo)電板之間有用于電氣絕緣的導(dǎo)熱絕緣層；所述導(dǎo)電板為具有高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬板材或者為導(dǎo)電的非金屬板材，厚度在I mm以上。
[0007]本實(shí)用新型中，所述LED正裝芯片底部通過焊料或?qū)崮z或共晶焊粘結(jié)在相鄰的正、負(fù)導(dǎo)電板之間，每組正、負(fù)導(dǎo)電板上可以并聯(lián)有若干個LED正裝芯片；相同極性的導(dǎo)電板可以并聯(lián)或串聯(lián)形成模組的電輸出端。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組的正視圖。
[0009]圖2為本實(shí)用新型的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組的俯視圖。
[0010]圖3為本實(shí)用新型的負(fù)極單焊盤垂直芯片的封裝模組的正視圖。
[0011]圖4為本實(shí)用新型的負(fù)極單焊盤垂直芯片的封裝模組的俯視圖。
[0012]圖5為本實(shí)用新型的負(fù)極雙焊盤垂直芯片的封裝模組的正視圖。
[0013]圖6為本實(shí)用新型的負(fù)極雙焊盤垂直芯片的封裝模組的俯視圖。
[0014]圖中標(biāo)號:1一正極導(dǎo)電板；2—絕緣Jj父；3一負(fù)極導(dǎo)電板；4一LED芯片；5—芯片N型電極；6—芯片P型電極；7—金線；8—導(dǎo)熱膠；9一導(dǎo)電膠。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。所描述的實(shí)施例僅為本實(shí)用新型的部分實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例而未作出創(chuàng)造性成果的其他所有實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0016]實(shí)施例1:本實(shí)用新型的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其結(jié)構(gòu)如圖1和圖2所示。封裝基板由兩組正極導(dǎo)電板I和負(fù)極導(dǎo)電板3交替排列構(gòu)成。導(dǎo)電板厚度為2 _，長度為20 _。相鄰導(dǎo)電板之間采用絕緣膠2進(jìn)行電氣絕緣。封裝模組中包含十個功率為10 W的紫外LED正裝芯片4，分為兩排。芯片底部用導(dǎo)熱膠8粘結(jié)在封裝基板上，芯片的N型電極5和P型電極6分別通過金線7與負(fù)極導(dǎo)電板3和正極導(dǎo)電板I進(jìn)行電連接。兩組導(dǎo)電板中，相同極性的導(dǎo)電板并聯(lián)，并連接到對應(yīng)的電源接線端。
[0017]實(shí)施例2:本實(shí)用新型的負(fù)極單焊盤垂直芯片的高功率密度封裝模組，其結(jié)構(gòu)如圖3和圖4所示。封裝基板由一個正極導(dǎo)電板I和兩個負(fù)極導(dǎo)電板3交替排列構(gòu)成。正極導(dǎo)電板厚度為5 _，負(fù)極導(dǎo)電板厚度為I _，長度均為20 _。相鄰導(dǎo)電板之間采用絕緣膠2進(jìn)行電氣絕緣。封裝模組中包含十個功率為10 W的紫外LED正裝芯片4，分為兩排。芯片底部的P型電極6用導(dǎo)電焊料9焊接在正極導(dǎo)電板I上，芯片的N型電極5通過金線7與相鄰負(fù)極導(dǎo)電板3連接。兩個負(fù)極導(dǎo)電板并聯(lián)。
[0018]實(shí)施例3:本實(shí)用新型的負(fù)極雙焊盤垂直芯片的高功率密度封裝模組，其結(jié)構(gòu)如圖5和圖6所示。封裝基板由兩個正極導(dǎo)電板I和三個負(fù)極導(dǎo)電板3交替排列構(gòu)成。正極導(dǎo)電板厚度為3 mm，負(fù)極導(dǎo)電板厚度為I mm，長度均為20 mm。相鄰導(dǎo)電板之間采用絕緣膠2進(jìn)行電氣絕緣。封裝模組中包含十個功率為10 W的紫外LED正裝芯片4，分為兩行排列。芯片底部的P型電極6用導(dǎo)電焊料9焊接在正極導(dǎo)電板I上，芯片頂部兩側(cè)的N型電極5通過金線7與相鄰負(fù)極導(dǎo)電板3連接。相同極性的導(dǎo)電板并聯(lián)，并連接到對應(yīng)的電源接線端。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其特征在于:封裝基板表面為正、負(fù)極導(dǎo)電板交替排布的橫截面，LED正裝芯片的兩側(cè)P極和N極分別連接到相鄰的兩個正、負(fù)極導(dǎo)電板上，而所有正、負(fù)極導(dǎo)電板則分別與對應(yīng)的驅(qū)動電源的正、負(fù)接口相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其特征在于:包含至少I組正、負(fù)極導(dǎo)電板，相鄰導(dǎo)電板之間有用于電氣絕緣的導(dǎo)熱絕緣層；所述導(dǎo)電板為具有高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬板材或者為導(dǎo)電的非金屬板材，厚度在I mm以上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其特征在于:所述LED正裝芯片底部通過焊料或?qū)崮z或共晶焊粘結(jié)在相鄰的正、負(fù)導(dǎo)電板之間，每組正、負(fù)導(dǎo)電板上并聯(lián)有若干個LED正裝芯片；相同極性的導(dǎo)電板并聯(lián)或串聯(lián)形成模組的電輸出端。
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體照明器件技術(shù)領(lǐng)域，具體為LED正裝芯片的高功率密度封裝模組。本封裝模組的封裝基板表面為正、負(fù)極導(dǎo)電板交替排布的橫截面，LED正裝芯片的兩側(cè)P極和N極分別連接到相鄰的兩個正、負(fù)極導(dǎo)電板上，而所有正、負(fù)極導(dǎo)電板則分別與對應(yīng)的驅(qū)動電源的正、負(fù)接口相連；相鄰導(dǎo)電板之間有導(dǎo)熱絕緣層；所述導(dǎo)電板為具有高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬板材或者為導(dǎo)電的非金屬板材，厚度在1mm以上；所述LED正裝芯片底部通過焊料或?qū)崮z或共晶焊粘結(jié)在相鄰的正、負(fù)導(dǎo)電板之間，每組正負(fù)導(dǎo)電板上可以并聯(lián)若干個LED正裝芯片；相同極性的導(dǎo)電板可以并聯(lián)或串聯(lián)形成模組的電輸出端。
【IPC分類】H01L33/62, H01L25/075
【公開號】CN205122582
【申請?zhí)枴緾N201520825587
【發(fā)明人】張善端, 韓秋漪, 荊忠
【申請人】復(fù)旦大學(xué), 上海邁芯光電科技有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年10月25日