一種新結(jié)構(gòu)pq型磁芯的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及磁芯技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯。
【背景技術(shù)】
[0002]為了增加電磁體的磁感應(yīng)強(qiáng)度，在電感線圈的磁路中設(shè)置的導(dǎo)磁物質(zhì)體稱(chēng)為磁芯。客戶原使用的PQ26磁芯由于電子元器件工作直流電流的不斷加大，導(dǎo)致其直流疊加特性已無(wú)法滿足整機(jī)的需要，需要改進(jìn)。傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)上PQ26磁芯已不能滿足現(xiàn)在電器的裝配需求。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有PQ26磁芯的俯視圖，包括磁芯底板2、磁芯芯柱1及分設(shè)在磁芯芯柱1兩側(cè)的磁芯邊腿3，所述磁芯芯柱1的上下邊緣凸出磁芯底板2的范圍，所述磁芯底板2為帶折點(diǎn)的向內(nèi)扇形，扇形邊延伸與磁芯芯柱1相交連接，所述兩側(cè)磁芯邊腿3相對(duì)應(yīng)內(nèi)壁的距離b為16mm，所述磁芯邊腿3的外壁長(zhǎng)度d為19mm。所述磁芯底板2的折點(diǎn)直接的距離e為7mm，所述磁芯芯柱1凸出磁芯底板2部分的橫向距離f為5.5mm。
[0004]如圖2所示，現(xiàn)有PQ26磁芯的剖面示意圖，所述兩側(cè)的磁芯邊腿3的外壁之間的距離a為26.5mm所述磁芯芯柱1的截面直徑c為12mm。
[0005]通過(guò)分析，要想提高磁芯的輸出功率，需要從磁芯邊腿的磁通面積、磁芯芯柱的磁通面積及磁芯底板的磁通面積這三方面著手進(jìn)行改進(jìn)，并且磁芯整體的體積不能過(guò)大，防止不能在現(xiàn)有的預(yù)裝空間里進(jìn)行安裝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明目的:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，申請(qǐng)人經(jīng)過(guò)多次實(shí)踐改進(jìn)，設(shè)計(jì)了一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，同時(shí)增加了磁芯邊腿的磁通面積、磁芯芯柱的磁通面積及磁芯底板的磁通面積。
[0007]技術(shù)方案:為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為:一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，包括磁芯底板、磁芯芯柱及分設(shè)在磁芯芯柱兩側(cè)的磁芯邊腿，所述磁芯芯柱的上下邊緣凸出磁芯底板的范圍，所述磁芯底板為帶折點(diǎn)的向內(nèi)扇形，扇形邊延伸與磁芯芯柱相交連接。
[0008]本實(shí)用新型的一個(gè)目的為增加磁芯邊腿的磁通面積，采用的技術(shù)改進(jìn)方案為:所述兩側(cè)的磁芯邊腿的外壁之間的距離a為27.8mm，所述兩側(cè)磁芯邊腿相對(duì)應(yīng)內(nèi)壁的距離b為16.5mm，所述磁芯邊腿的外壁長(zhǎng)度d為19.5mm。
[0009]本實(shí)用新型的又一個(gè)目的為增加磁芯芯柱的磁通面積，采用的技術(shù)改進(jìn)方案為:加粗原有的磁芯芯柱，即將所述磁芯芯柱的截面直徑c增加為12.3mm。
[0010]本實(shí)用新型的還一個(gè)目的為增加磁芯底板的磁通面積，采用的技術(shù)改進(jìn)方案為:所述磁芯底板的折點(diǎn)之間的距離e增加為4mm，所述磁芯芯柱凸出磁芯底板部分的橫向距離f縮小為2.5mm。
[0011]有益效果:本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是:
[0012]本實(shí)用新型同時(shí)增加了磁芯邊腿的磁通面積、磁芯芯柱的磁通面積及磁芯底板的磁通面積，能夠耐受電子元器件更高的工作直流電流，使用壽命得到進(jìn)一步延長(zhǎng)。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為現(xiàn)有PQ26磁芯的俯視圖。
[0014]圖2為現(xiàn)有PQ26磁芯的剖面示意圖。
[0015]圖3為本實(shí)用新型一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯的俯視圖。
[0016]圖4為本實(shí)用新型一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面通過(guò)一個(gè)最佳實(shí)施例，對(duì)本技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。
[0018]如圖3所示，一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，包括磁芯底板2、磁芯芯柱1及分設(shè)在磁芯芯柱1兩側(cè)的磁芯邊腿3，所述磁芯芯柱1的上下邊緣凸出磁芯底板2的范圍，所述磁芯底板2為帶折點(diǎn)的向內(nèi)扇形，扇形邊延伸與磁芯芯柱1相交連接。所述兩側(cè)的磁芯邊腿3的外壁之間的距離a為27.8mm，所述兩側(cè)磁芯邊腿3相對(duì)應(yīng)內(nèi)壁的距離b為16.5mm，所述磁芯邊腿3的外壁長(zhǎng)度d為19.5mm。所述磁芯底板2的折點(diǎn)之間的距離e為4mm，所述磁芯芯柱1凸出磁芯底板2部分的橫向距離f為2.5mm
[0019]如圖4所示，所述磁芯芯柱1的截面直徑c為12.3mm。并且磁芯芯柱1兩側(cè)的磁芯邊腿3呈對(duì)稱(chēng)分布。
[0020]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出:對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，包括磁芯底板(2)、磁芯芯柱⑴及分設(shè)在磁芯芯柱⑴兩側(cè)的磁芯邊腿(3)，所述磁芯芯柱(I)的上下邊緣凸出磁芯底板(2)的范圍，所述磁芯底板(2)為帶折點(diǎn)的向內(nèi)扇形，扇形邊延伸與磁芯芯柱(I)相交連接，其特征在于:所述兩側(cè)的磁芯邊腿(3)的外壁之間的距離a為27.8mm，所述兩側(cè)磁芯邊腿(3)相對(duì)應(yīng)內(nèi)壁的距離b為16.5mm，所述磁芯邊腿(3)的外壁長(zhǎng)度d為19.5mm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，其特征在于:所述磁芯芯柱(I)的截面直徑c為12.3mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，其特征在于:所述磁芯底板(2)的折點(diǎn)之間的距離e為4mm，所述磁芯芯柱(I)凸出磁芯底板(2)部分的橫向距離f為2.5mm。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新結(jié)構(gòu)PQ型磁芯，包括磁芯底板、磁芯芯柱及分設(shè)在磁芯芯柱兩側(cè)的磁芯邊腿，所述磁芯芯柱的上下邊緣凸出磁芯底板的范圍，所述磁芯底板為帶折點(diǎn)的向內(nèi)扇形，扇形邊延伸與磁芯芯柱相交連接。所述兩側(cè)的磁芯邊腿的外壁之間的距離a為27.8mm，所述兩側(cè)磁芯邊腿相對(duì)應(yīng)內(nèi)壁的距離b為16.5mm，所述磁芯邊腿的外壁長(zhǎng)度d為19.5mm。本實(shí)用新型同時(shí)增加了磁芯邊腿的磁通面積、磁芯芯柱的磁通面積及磁芯底板的磁通面積，能夠耐受電子元器件更高的工作直流電流，使用壽命得到進(jìn)一步延長(zhǎng)。
【IPC分類(lèi)】H01F27/24, H01F27/26
【公開(kāi)號(hào)】CN204991375
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520417628
【發(fā)明人】李前軍, 顏茂山, 杜興龍, 王亮, 袁翔, 季長(zhǎng)貴, 馬鑫圣, 劉廣澤, 校榮升
【申請(qǐng)人】泰州茂翔電子器材有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月20日
【申請(qǐng)日】2015年6月16日