用于激光器同軸封裝的新型底座的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于激光器同軸封裝的新型底座，屬于光通信領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的TO封裝底座如圖3所示，由于管腳為分立式引線，在管腳和器件內(nèi)部金絲鍵合均會(huì)引入寄生電感，寄生電感帶來(lái)濾波效應(yīng)導(dǎo)致器件帶寬下降。由于采用該底座不可避免的帶來(lái)阻抗失配，引起高頻信號(hào)的衰減，因此，該底座不適用于高頻傳輸。
[0003]因此有必要設(shè)計(jì)一種用于激光器同軸封裝的新型底座，以克服上述問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，提供了一種可實(shí)現(xiàn)高頻傳輸?shù)挠糜诩す馄魍S封裝的新型底座。
[0005]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]本實(shí)用新型提供一種用于激光器同軸封裝的新型底座，包括器件管體、電路基板以及電路，所述電路基板固定于所述器件管體上，并由上至下貫穿于所述器件管體，所述電路基板和所述器件管體采用同軸封裝，所述電路設(shè)于所述電路基板上，所述器件管體采用鐵鎳鈷合金制成，所述電路基板采用氮化鋁制成，所述電路具有四個(gè)管腳，四個(gè)管腳采用金手指的排列方式，其分別為探測(cè)器陽(yáng)極管腳、探測(cè)器陰極管腳以及兩個(gè)高速信號(hào)輸入管腳。
[0007]進(jìn)一步地，所述器件管體與所述電路基板之間通過(guò)玻璃絕緣子固定。
[0008]進(jìn)一步地，所述電路包含匹配電阻和共面波導(dǎo)線。
[0009]進(jìn)一步地，所述器件管體的表面為鍍金層。
[0010]進(jìn)一步地，所述器件管體的鍍金層的厚度不小于0.3 μπι。
[0011]進(jìn)一步地，所述電路采用蒸鍍的方式設(shè)置于所述電路基板上。
[0012]進(jìn)一步地，所述器件管體采用機(jī)械沖壓成型。
[0013]本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0014]所述用于激光器同軸封裝的新型底座，包括器件管體、電路基板以及電路，所述電路基板固定于所述器件管體上，并由上至下貫穿于所述器件管體，采用同軸封裝，同現(xiàn)有的工藝平臺(tái)相結(jié)合，降低了成本，同時(shí)可將各種匹配電阻集成到電路中，從而提高了該底座的高頻傳輸性能。
【附圖說(shuō)明】
[0015]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0016]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的用于激光器同軸封裝的新型底座的立體圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的用于激光器同軸封裝的新型底座的側(cè)視圖；
[0018]圖3為現(xiàn)有的傳統(tǒng)TO封裝底座的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0020]如圖1至圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種用于激光器同軸封裝的新型底座，包括器件管體A、電路基板B以及電路C，所述電路基板B固定于所述器件管體A上，并由上至下貫穿于所述器件管體A，兩者采用同軸封裝。所述電路C設(shè)于所述電路基板B上。
[0021]如圖1至圖2，所述器件管體A采用鐵鎳鈷合金制成，所述器件管體A采用機(jī)械沖壓成型，其外形尺寸和常規(guī)同軸封裝底座一致，所述器件管體A的表面為鍍金層，所述器件管體A的鍍金層的厚度不小于0.3 μ m。所述器件管體A與所述電路基板B之間通過(guò)玻璃絕緣子固定在一起。
[0022]如圖1至圖2，所述電路基板B采用氮化鋁制成，以該材料做基板的高速電路有很好的尚頻特性。
[0023]如圖1至圖2，所述電路C具有四個(gè)管腳，四個(gè)管腳采用金手指的排列方式，其分別為探測(cè)器陽(yáng)極管腳Cl、探測(cè)器陰極管腳C2以及兩個(gè)高速信號(hào)輸入管腳(C3，C4)。所述電路C的反向鍍金層為接地區(qū)域。所述電路C采用鈦(Ti)、鉑(Pt)以及金(Au)材料制成。具體的，電路C材料為Ti (0.2um) /Pt (0.2um) /Au (0.5um)。電路C中的黑色區(qū)域表面為焊料層，材料為Au:Sn。所述電路C含匹配電阻和共面波導(dǎo)線。所述電路C采用蒸鍍的方式設(shè)置于所述電路基板B上。
[0024]所述用于激光器同軸封裝的新型底座采用同軸封裝，同現(xiàn)有的工藝平臺(tái)相結(jié)合，降低成本，將匹配電阻集成到電路C中，可以提高該底座的高頻傳輸性能。
[0025]所述電路C的四個(gè)管腳采取金手指排列方式，簡(jiǎn)化了工藝流程，普通底座需4根管腳玻璃高溫?zé)Y(jié)，本實(shí)用新型則簡(jiǎn)化為一個(gè)。
[0026]激光二極管的陰極與電路基板B通過(guò)共晶焊接相連，激光二極管的陽(yáng)極通過(guò)金絲鍵合至電路。該鍵合線可控制在10um內(nèi)，當(dāng)激光器二極管金絲的寄生電感超過(guò)0.3nH，頻率響應(yīng)將會(huì)顯著下降，影響高頻傳輸性能。而本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種用于激光器同軸封裝的新型底座引入的寄生電感不超過(guò)0.1nH，在性能上有一定的優(yōu)勢(shì)。
[0027]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種用于激光器同軸封裝的新型底座的管腳排列方式利于光路耦合，比常規(guī)同軸封裝的器件更方便。
[0028]根據(jù)不同的傳輸速率(10Gb/s，25Gb/s)，可以在電路中集成不同的匹配電阻和傳輸線，滿足不同的激光器驅(qū)動(dòng)電路的需求。
[0029]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于激光器同軸封裝的新型底座，其特征在于，包括器件管體、電路基板以及電路，所述電路基板固定于所述器件管體上，并由上至下貫穿于所述器件管體，所述電路基板和所述器件管體采用同軸封裝，所述電路設(shè)于所述電路基板上，所述器件管體采用鐵鎳鈷合金制成，所述電路基板采用氮化鋁制成，所述電路具有四個(gè)管腳，四個(gè)管腳采用金手指的排列方式，其分別為探測(cè)器陽(yáng)極管腳、探測(cè)器陰極管腳以及兩個(gè)高速信號(hào)輸入管腳。2.如權(quán)利要求1所述的用于激光器同軸封裝的新型底座，其特征在于:所述器件管體與所述電路基板之間通過(guò)玻璃絕緣子固定。3.如權(quán)利要求1所述的用于激光器同軸封裝的新型底座，其特征在于:所述電路包含匹配電阻和共面波導(dǎo)線。4.如權(quán)利要求1所述的用于激光器同軸封裝的新型底座，其特征在于:所述器件管體的表面為鍍金層。5.如權(quán)利要求4所述的用于激光器同軸封裝的新型底座，其特征在于:所述器件管體的鍍金層的厚度不小于0.3 μπι。6.如權(quán)利要求1所述的用于激光器同軸封裝的新型底座，其特征在于:所述電路采用蒸鍍的方式設(shè)置于所述電路基板上。7.如權(quán)利要求1所述的用于激光器同軸封裝的新型底座，其特征在于:所述器件管體采用機(jī)械沖壓成型。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于激光器同軸封裝的新型底座，包括器件管體、電路基板以及電路，所述電路基板固定于所述器件管體上，并由上至下貫穿于所述器件管體，所述電路基板和所述器件管體采用同軸封裝，所述電路設(shè)于所述電路基板上，所述器件管體采用鐵鎳鈷合金制成，所述電路基板采用氮化鋁制成，所述電路具有四個(gè)管腳，四個(gè)管腳采用金手指的排列方式，其分別為探測(cè)器陽(yáng)極管腳、探測(cè)器陰極管腳以及兩個(gè)高速信號(hào)輸入管腳。所述用于激光器同軸封裝的新型底座采用同軸封裝，同現(xiàn)有的工藝平臺(tái)相結(jié)合，降低了成本，同時(shí)可將各種匹配電阻集成到電路中，從而提高了該底座的高頻傳輸性能。
【IPC分類】H01S5/022
【公開號(hào)】CN204696445
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520056923
【發(fā)明人】王迪, 毛奇, 莘雪成
【申請(qǐng)人】武漢電信器件有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年1月28日