一種用于單片清洗設(shè)備的防止晶片背面污染的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種用于單片清洗設(shè)備的防止晶片背面污染的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前的單片清洗設(shè)備主要是通過在高速旋轉(zhuǎn)的晶片表面上噴射清洗液來達到清洗的目的。在清洗過程中，晶片受到安裝在圓形卡盤主體上的多個夾持部件夾持，夾持部件夾持著晶片以進行高速旋轉(zhuǎn)?？墒?，如果晶片的旋轉(zhuǎn)速度過低，晶片正面的清洗液將會從晶片邊緣處浸潤至晶片的背面；而如果晶片的旋轉(zhuǎn)速度過高，晶片正面的清洗液將會以較高的速度甩向清洗腔側(cè)壁，與清洗腔側(cè)壁發(fā)生撞擊，并反濺到晶片的正面和背面。晶片正面回濺的清洗液可以通過超純水沖洗清洗掉，但晶片背面回濺的清洗液卻很難清除。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)一般在夾持晶片的卡盤上安裝有可噴射潔凈氣體(如氮氣)的裝置，通過在工藝過程中噴射出一定流量、一定壓力的潔凈氣體覆蓋晶片的背面，以阻止清洗液附著到晶片背面。
[0004]請參閱圖1，圖1是現(xiàn)有的一種設(shè)于卡盤上面的氮氣蓋的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，氮氣蓋I同心設(shè)于卡盤(圖略)上面，用作向晶片的背面噴射氮氣。目前的現(xiàn)狀是沿氮氣蓋I上表面圓周設(shè)有若干通氣孔2，工藝過程中，通氣孔2向晶片背面噴射超純氮氣來保護晶片背面不受污染。工藝開始前，設(shè)于卡盤上的夾持部件是打開狀態(tài)，機械手送晶片放在夾持部件上，機械手退出后，夾持部件夾緊晶片開始工藝，工藝時，夾持部件帶著晶片旋轉(zhuǎn)。工藝結(jié)束后，夾持部件和晶片停止運動，夾持部件打開，機械手從晶片下面取片。
[0005]在上述現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中，由于要保證機械手從晶片下面取片，所以夾持部件與卡盤及氮氣蓋之間需要有一定的高度以保證機械手的進出。這樣就會使得卡盤上面氮氣蓋I的通氣孔2離晶片背面較遠。同時，在現(xiàn)有的卡盤結(jié)構(gòu)中，從氮氣蓋噴射出的氮氣僅能保證在圍繞晶片背面邊緣處形成一圈垂直的氮氣保護層，如果有污染物越過此保護層，則該氮氣保護層將喪失對晶片背面的保護作用。況且，晶片在高速旋轉(zhuǎn)的過程中，清洗液甩出晶片表面后，打在清洗腔側(cè)壁上，重新飛濺到晶片背面的沖擊力很大，很容易越過此垂直的氮氣保護層而污染晶片背面。
[0006]因此，目前的防止晶片背面污染的裝置不能很好地保護晶片背面不受污染，有待設(shè)計一種新結(jié)構(gòu)裝置，以解決晶片背面污染的問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0007]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種用于單片清洗設(shè)備的防止晶片背面污染的裝置，通過在氮氣蓋上表面中部設(shè)置帶有一圈出氣孔的氣體噴射機構(gòu)，使從出氣孔噴射出的氣體形成與晶片背面邊緣相交的一圈倒傘形氣體保護層，能很好地保護晶片背面不受到回濺清洗液的污染。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案如下:
[0009]一種用于單片清洗設(shè)備的防止晶片背面污染的裝置，包括同心設(shè)于旋轉(zhuǎn)卡盤上面的氮氣蓋，所述氮氣蓋的上表面中部凸出設(shè)有一氣體噴射機構(gòu)，環(huán)繞所述氣體噴射機構(gòu)側(cè)面均勻設(shè)有多個出氣孔，所述出氣孔按輻射狀朝向位于其上方的晶片背面的邊緣方向成一定上傾角度設(shè)置，以使從所述出氣孔噴射出的氣體形成與所述晶片背面邊緣相交的一圈倒傘形氣體保護層。
[0010]優(yōu)選地，所述氣體噴射機構(gòu)設(shè)有沿所述出氣孔向內(nèi)延伸的氣道，所述氣道連接至所述卡盤內(nèi)的氣管。
[0011]優(yōu)選地，所述氣體噴射機構(gòu)設(shè)有空腔，所述氣道向所述空腔引出，并連接至所述卡盤內(nèi)的氣管。
[0012]優(yōu)選地，所述空腔在所述氣體噴射機構(gòu)上下表面貫通。
[0013]優(yōu)選地，所述空腔上端口設(shè)有透光材料。
[0014]優(yōu)選地，所述出氣孔環(huán)繞所述氣體噴射機構(gòu)側(cè)面均勻等高設(shè)置。
[0015]優(yōu)選地，所述氣體噴射機構(gòu)為圓柱形。
[0016]優(yōu)選地，所述出氣孔的出氣方向引線與所述晶片背面相交，其交點距離所述晶片邊緣5mm以內(nèi)。
[0017]優(yōu)選地，所述氮氣蓋的上表面中心設(shè)有臺階孔，所述氣體噴射機構(gòu)下端通過所述臺階孔與所述氮氣蓋固接。
[0018]優(yōu)選地，所述出氣孔用于噴射惰性氣體。
[0019]從上述技術(shù)方案可以看出，本實用新型通過在氮氣蓋上表面中部設(shè)置帶有一圈出氣孔的氣體噴射機構(gòu)，既可不影響機械手取放晶片，又可使從出氣孔噴射出的氣體以一定的傾斜角度噴射到晶片的邊緣處，形成與晶片背面邊緣相交的一圈倒傘形氣體保護層，這樣可保證晶片整個背面都得到氣體的保護，并增強了阻擋回濺清洗液的能力，可有效避免工藝時晶片在高速旋轉(zhuǎn)的過程中，清洗液甩出晶片表面后，打在清洗腔側(cè)壁上，重新飛濺到晶片背面所造成的二次污染。
【附圖說明】
[0020]圖1是現(xiàn)有的一種設(shè)于卡盤上面的氮氣蓋的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本實用新型一種用于單片清洗設(shè)備的防止晶片背面污染的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3是本實用新型的氣體噴射機構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4是本實用新型的氣體噴射機構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖5是本實用新型的氮氣蓋的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖，對本實用新型的【具體實施方式】作進一步的詳細說明。
[0026]需要說明的是，在下述的【具體實施方式】中，在詳述本實用新型的實施方式時，為了清楚地表示本實用新型的結(jié)構(gòu)以便于說明，特對附圖中的結(jié)構(gòu)不依照一般比例繪圖，并進行了局部放大、變形及簡化處理，因此，應(yīng)避免以此作為對本實用新型的限定來加以理解。
[0027]在現(xiàn)有的防止晶片背面污染的裝置結(jié)構(gòu)中，由于要保證機械手從晶片下面取片，所以夾持部件與卡盤及氮氣蓋之間需要有一定的高度，以保證機械手的進出。這樣就會使得卡盤上面氮氣蓋的通氣孔離晶片背面較遠。同時，在現(xiàn)有的卡盤結(jié)構(gòu)中，從氮氣蓋噴射出的氮氣僅能保證在圍繞晶片背面邊緣處形成一圈垂直的氮氣保護層，如果有污染物越過此保護層，則該氮氣保護層將喪失對晶片背面的保護作用。況且，晶片在高速旋轉(zhuǎn)的過程中，清洗液甩出晶片表面后，打在清洗腔側(cè)壁上，重新飛濺到晶片背面的沖擊力很大，很容易越過此垂直的氮氣保護層而污染晶片背面。
[0028]為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不能很好地保護晶片背面不受污染的缺陷，本實用新型設(shè)計了一種新的用于單片清洗設(shè)備的防止晶片背面污染的裝置，通過在氮氣蓋上表面中部設(shè)置帶有一圈出氣孔的氣體噴射機構(gòu)，使從出氣孔噴射出的氣體形成與晶片背面邊緣相交的一圈倒傘形氣體保護層，能很好地保護晶片背面不受到回濺清洗液的污染。
[0029]在以下本實用新型的【具體實施方式】中，請參閱圖2，圖2是本實用新型一種用于單片清洗設(shè)備的防止晶片背面污染的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實用新型的一種防止晶片背面污染的裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體單片清洗設(shè)備中。本實用新型的裝置包括同心設(shè)于半導(dǎo)體單片清洗設(shè)備清洗腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)卡盤上面的氮氣蓋3。氮氣蓋3可通過若干螺栓孔5與其下方的卡盤之間采用螺栓進行連接。在氮氣蓋3的上表面中部位置裝有一個氣體噴射機構(gòu)4。氣體噴射機構(gòu)4凸出于氮氣蓋3的上表面設(shè)置，但與上方晶片之間需保持一定的間隙。例如，可將氣體