Oled玻璃基板制程設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種OLED玻璃基板制程設(shè)備，尤其是一種OLED玻璃基板制程中通入保護(hù)氣體的制程設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在OLED玻璃基板的加工制程中，常常會利用加熱器對反應(yīng)腔室內(nèi)進(jìn)行加熱，以達(dá)到制程所需的溫度要求，然而加熱器在對腔室內(nèi)部進(jìn)行加熱的同時會受氧濃度的影響，氧濃度過高，加熱器會被氧化，其加熱性能會受到影響，而且使用壽命也會縮短。因此，通常會在腔室21內(nèi)通入保護(hù)氣體(如N2或稀有氣體等)，圖1所示，OLED玻璃基板20置于腔室21內(nèi)，減小腔室21內(nèi)氧氣的濃度，保護(hù)加熱器22不被氧化，延長加熱器22的使用壽命。但是，保護(hù)氣體(如N2或稀有氣體等)是在常溫下直接通入高溫腔室21中的，會對腔室21的實(shí)際溫度的穩(wěn)定和均勻性都會有影響，從而影響OLED玻璃基板的TTP及電性等特性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠改善低溫N2在高溫制程中對溫度和均勻性的影響，同時提高加熱器的使用壽命的OLED玻璃基板制程設(shè)備。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)效果，本實(shí)用新型公開了一種OLED玻璃基板制程設(shè)備，包括一第一腔室，所述第一腔室上設(shè)有一用以向所述第一腔室內(nèi)通入保護(hù)氣體的第一氣體通道，所述第一腔室內(nèi)設(shè)有一第二腔室，所述第二腔室上設(shè)有一用以向所述第二腔室內(nèi)通入保護(hù)氣體的第二氣體通道，所述第一腔室與所述第二腔室之間形成一中間層，所述中間層內(nèi)設(shè)有一加熱器。
[0005]本實(shí)用新型進(jìn)一步的改進(jìn)在于，所述中間層內(nèi)還設(shè)有一用以過濾所述保護(hù)氣體的過濾器，用于去除循環(huán)加熱過程中產(chǎn)生的顆粒雜質(zhì)。
[0006]本實(shí)用新型進(jìn)一步的改進(jìn)在于，所述保護(hù)氣體為N2或稀有氣體，減小腔室內(nèi)氧氣的密度，避免加熱器被氧氣氧化，影響加熱效果。
[0007]本實(shí)用新型由于采用了以上技術(shù)方案，使其具有以下有益效果是:在第一腔室內(nèi)增設(shè)第二腔室，將加熱器設(shè)于第一腔室與第二腔室間的中間層內(nèi)，使得保護(hù)氣體(如N2)在中間層內(nèi)循環(huán)加熱后再進(jìn)入第二腔室進(jìn)行工藝制作，改善了常溫保護(hù)氣體(如N2)進(jìn)入高溫腔室中后對腔室內(nèi)溫度和均勻性的影響。
【附圖說明】
[0008]圖1是傳統(tǒng)OLED玻璃基板制程設(shè)備的不意圖。
[0009]圖2是本實(shí)用新型OLED玻璃基板制程設(shè)備的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖以及【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0011]參閱圖2所示，本實(shí)用新型公開了一種OLED玻璃基板制程設(shè)備，包括一第一腔室11，第一腔室上11開設(shè)有一用以向第一腔室11內(nèi)通入保護(hù)氣體(N2或稀有氣體)的第一氣體通道110，常溫的保護(hù)氣體自該第一氣體通道110通入，第一腔室11內(nèi)設(shè)有一第二腔室12，OLED玻璃基板10設(shè)于該第二腔室12內(nèi)，第二腔室12上開設(shè)有一用以向第二腔室12內(nèi)通入保護(hù)氣體(N2或稀有氣體)的第二氣體通道120，第一腔室11與第二腔室12之間形成一中間層13，中間層13內(nèi)設(shè)有一加熱器14和一過濾器15，提供加熱器14提供設(shè)備內(nèi)溫度，向加熱器14所處的中間層13內(nèi)通入保護(hù)氣體(N2或稀有氣體)，減小中間層13內(nèi)的氧氣密度，從而達(dá)到避免加熱器14被氧化而影響其加熱效果的目的。同時，通過設(shè)置的中間層13，使得N2或稀有氣體等保護(hù)氣體通過加熱器14在中間層13內(nèi)進(jìn)行循環(huán)加熱，以確保后續(xù)進(jìn)入第二腔室12內(nèi)接觸OLED玻璃基板的保護(hù)氣體具有穩(wěn)定的溫度，改善了常溫保護(hù)氣體進(jìn)入高溫腔室中后對腔室內(nèi)溫度和均勻性的影響。并且保護(hù)氣體在進(jìn)入第二腔室12前還經(jīng)過過濾器15，去除N2循環(huán)加熱過程中產(chǎn)生的顆粒雜質(zhì)，有益于提高OLED玻璃基板的出品質(zhì)量。
[0012]本實(shí)用新型高溫?zé)酦2制程設(shè)備在使用時，將常溫保護(hù)氣體(N2或稀有氣體)自第一氣體通道I1通入第一腔室上11與第二腔室12間的中間層13，加熱器14加熱使得保護(hù)氣體在中間層13內(nèi)循環(huán)加熱，并且通過過濾器15過濾保護(hù)氣體去除循環(huán)加熱過程中產(chǎn)生的顆粒雜質(zhì)，最后經(jīng)加熱過濾后的保護(hù)氣體通過第二氣體通道120進(jìn)入到第二腔室12中進(jìn)行OLED玻璃基板工藝制作，改善了常溫保護(hù)氣體進(jìn)入高溫制程中后對設(shè)備內(nèi)溫度和均勻性的影響。
[0013]以上結(jié)合附圖實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根據(jù)上述說明對本實(shí)用新型做出種種變化例。因而，實(shí)施例中的某些細(xì)節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對本實(shí)用新型的限定，本實(shí)用新型將以所附權(quán)利要求書界定的范圍作為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED玻璃基板制程設(shè)備，其特征在于:所述設(shè)備包括一第一腔室，所述第一腔室上設(shè)有一用以向所述第一腔室內(nèi)通入保護(hù)氣體的第一氣體通道，所述第一腔室內(nèi)設(shè)有一第二腔室，所述第二腔室上設(shè)有一用以向所述第二腔室內(nèi)通入保護(hù)氣體的第二氣體通道，所述第一腔室與所述第二腔室之間形成一中間層，所述中間層內(nèi)設(shè)有一加熱器。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED玻璃基板制程設(shè)備，其特征在于:所述中間層內(nèi)還設(shè)有一用以過濾所述保護(hù)氣體的過濾器。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED玻璃基板制程設(shè)備，其特征在于:所述保護(hù)氣體為N2或稀有氣體。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種OLED玻璃基板制程設(shè)備，包括一第一腔室，所述第一腔室上設(shè)有一用以向所述第一腔室內(nèi)通入保護(hù)氣體的第一氣體通道，所述第一腔室內(nèi)設(shè)有一第二腔室，所述第二腔室上設(shè)有一用以向所述第二腔室內(nèi)通入保護(hù)氣體的第二氣體通道，所述第一腔室與所述第二腔室之間形成一中間層，所述中間層內(nèi)設(shè)有一加熱器。本實(shí)用新型的一種OLED玻璃基板制程設(shè)備通過在第一腔室內(nèi)增設(shè)第二腔室，將加熱器設(shè)于第一腔室與第二腔室間的中間層內(nèi)，使得保護(hù)氣體在中間層內(nèi)循環(huán)加熱后再進(jìn)入第二腔室進(jìn)行工藝制作，改善了常溫保護(hù)氣體進(jìn)入高溫腔室中后對腔室內(nèi)溫度和均勻性的影響。
【IPC分類】H01L51-56
【公開號】CN204538091
【申請?zhí)枴緾N201520253541
【發(fā)明人】劉沖, 彭思君, 徐平
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年4月22日