新型led覆晶芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及LED照明技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型LED覆晶芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]LED產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點。通常LED高功率產(chǎn)品輸入功率絕大部分會轉(zhuǎn)換為熱能，一般而言，LED發(fā)光時所產(chǎn)生的熱能若無法導(dǎo)出，將會使LED結(jié)面溫度過高，影響產(chǎn)品生命周期、發(fā)光效率及穩(wěn)定性等。目前覆晶式LED封裝結(jié)構(gòu)的散熱途徑，主要是藉由LED電極導(dǎo)線傳導(dǎo)至系統(tǒng)電路板導(dǎo)出，能夠較好的實現(xiàn)導(dǎo)熱散熱性會K。
[0003]一般的，對覆晶芯片均需要進行蝕刻以及包覆處理，通常的蝕刻方式為一次性對薄膜層蝕刻預(yù)定厚度，造成均勻很差，并且不一定蝕刻到基板；包覆處理時，芯片側(cè)面包覆因制程設(shè)備極限問題造成包覆困難，易產(chǎn)生孔洞使用錫膏與銀膠固晶因材料滲透造成漏電的問題，并且鍍膜厚度，越厚鍍膜時間越長，尤其側(cè)壁鍍膜速率與上層鍍膜速率不一致，易造成上層厚度與側(cè)面厚度差距很大，使整個LED覆晶芯片的性能大大折扣。有鑒于此，有必要對上述的LED覆晶芯片的制造方法進行進一步的改進。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供一種新型LED覆晶芯片，能夠保證薄膜蝕刻的均勻性，芯片的側(cè)面及頂部鍍膜的厚度一致性好，LED覆晶芯片的制造效率高、電性能較佳。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的另一技術(shù)方案為:提供一種新型LED覆晶芯片，包括芯片本體，所述芯片本體包括基板層、第一絕緣層、透明導(dǎo)電層、DBR反射層、金屬反射層、電極層以及薄膜絕緣層；所述電極層、第一絕緣層、金屬反射層、DBR反射層、透明導(dǎo)電層以及基板層由上至下順序設(shè)置；所述芯片本體一側(cè)設(shè)置有蝕刻槽位，所述蝕刻槽位位于電極層、第一絕緣層、透明導(dǎo)電層、DBR反射層以及金屬反射層上形成臺階狀，所述蝕刻槽的底部分為覆蓋部與切割部，靠近蝕刻槽的所述透明導(dǎo)電層、DBR反射層與金屬反射層的端部與蝕刻槽的側(cè)壁及底部覆蓋部均覆蓋有連成一體的薄膜絕緣層。
[0006]本實用新型的有益效果在于:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)中的芯片側(cè)面包覆因制程設(shè)備極限問題造成包覆困難，易產(chǎn)生孔洞使用錫膏與銀膠固晶因材料滲透造成漏電的問題，本實用新型提供了一種新型LED覆晶芯片，包括基板層、第一絕緣層、透明導(dǎo)電層、DBR反射層、金屬反射層、電極層以及薄膜絕緣層，該薄膜絕緣層對基材板進行覆膜處理，以保護各層端部結(jié)構(gòu)，并且在基板層預(yù)留有切割部，該切割部不覆蓋薄膜，切割芯片時因有未鍍膜距離，不會因切割碰觸鍍膜層而破裂，便于切割，提高芯片的電性能。另外，本方案還具有生產(chǎn)效率高，適合工業(yè)生產(chǎn)的優(yōu)點。
【附圖說明】
[0007]圖1為本實用新型的新型LED覆晶芯片的制造方法的流程圖；
[0008]圖2為本實用新型的新型LED覆晶芯片的分層示意圖；
[0009]圖3為本實用新型的新型LED覆晶芯片的結(jié)構(gòu)圖。
[0010]標號說明:
[0011]1、基板層； 2、第一絕緣層； 3、透明導(dǎo)電層；
[0012]4、DBR反射層；5、金屬反射層； 6、薄膜絕緣層；
[0013]7、電極層； 8、切割部。
【具體實施方式】
[0014]為詳細說明本實用新型的技術(shù)內(nèi)容、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配合附圖予以說明。
[0015]本實用新型最關(guān)鍵的構(gòu)思在于:本方案靠近蝕刻槽的所述透明導(dǎo)電層、DBR反射層與金屬反射層的端部覆蓋薄膜絕緣層，該薄膜絕緣層對基材板進行覆膜處理，以保護各層端部結(jié)構(gòu)，并且在基板層預(yù)留有切割部，該切割部不覆蓋薄膜，切割芯片時因有未鍍膜距離，不會因切割碰觸鍍膜層而破裂，便于切割，提高芯片的電性能。
[0016]請參照圖1，一種新型LED覆晶芯片的制造方法，包括如下步驟:
[0017]S01、準備一基材板，并在基材板上預(yù)設(shè)蝕刻位置；
[0018]S02、根據(jù)蝕刻位置第一次對基材板進行蝕刻處理，在蝕刻掉預(yù)設(shè)厚度后停止蝕刻操處理，在基材板上形成凹槽；
[0019]S03、根據(jù)基材上的凹陷部進行二次蝕刻處理，具體為，先對凹槽的側(cè)壁進行預(yù)設(shè)厚度的蝕刻處理形成臺階狀后，然后對凹槽的底部進行修正蝕刻處理，使預(yù)設(shè)厚度與修正蝕刻厚度之和為標準蝕刻厚度；
[0020]S04、對基材板進行覆膜處理，在凹槽底部中間設(shè)覆蓋部以及切割部后，將薄膜覆蓋于基板頂部、凹槽側(cè)壁以及凹槽底部的覆蓋部上；
[0021]S05、對基材板進行切割處理，以凹槽底部的切割部的中心線為切割線對基材板進行切割處理。
[0022]從上述描述可知，本實用新型的有益效果在于:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)中的芯片側(cè)面包覆因制程設(shè)備極限問題造成包覆困難，易產(chǎn)生孔洞使用錫膏與銀膠固晶因材料滲透造成漏電的問題，本實用新型提供了一種新型LED覆晶芯片的制造方法，主要采用兩次蝕刻處理，具體為:根據(jù)蝕刻位置第一次對基材板進行蝕刻處理，在蝕刻掉預(yù)設(shè)厚度后停止蝕刻操處理，在基材板上形成凹槽；根據(jù)基材上的凹陷部進行二次蝕刻處理，具體為，先對凹槽的側(cè)壁進行預(yù)設(shè)厚度的蝕刻處理形成臺階狀后，然后對凹槽的底部進行修正蝕刻處理，使預(yù)設(shè)厚度與修正蝕刻厚度之和為標準蝕刻厚度，能夠提高蝕刻精度，保證薄膜蝕刻的均勻性；還采用對基材板進行覆膜處理，并預(yù)留有切割部不覆蓋薄膜，切割芯片時因有未鍍膜距離，不會因切割碰觸鍍膜層而破裂，便于切割，提高芯片的電性能。
[0023]作為一實施例，所述步驟S02中“第一次對基材板進行蝕刻處理”的蝕刻深度為5um-6um。應(yīng)該指出上述的深度只是一種實施方式，并不局限