半導(dǎo)體封裝體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)，特別是半導(dǎo)體封裝體。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的發(fā)展，消費(fèi)者對電子產(chǎn)品的期待日趨小型化。相應(yīng)的，半導(dǎo)體封裝體的尺寸也需縮減。無芯片底座型封裝體即順應(yīng)這一需求產(chǎn)生。
[0003]對于無芯片底座型封裝體而言，芯片直接固定于引腳上。而支撐芯片的引腳部分通常是經(jīng)過半蝕刻處理的，相應(yīng)的支撐力變?nèi)?。在打線機(jī)進(jìn)行打線作業(yè)時(shí)，引腳極易發(fā)生晃動而導(dǎo)致其上附接的焊墊變形，進(jìn)而影響產(chǎn)品的質(zhì)量。對于小尺寸的封裝體而言，焊墊的變形甚至可能引起短路，導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。
[0004]因而，現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝體需進(jìn)一步改進(jìn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的之一在于提供一半導(dǎo)體封裝體，其可增加引腳的支撐力而不影響產(chǎn)品的尺寸。
[0006]本實(shí)用新型的一實(shí)施例提供一半導(dǎo)體封裝體，其是無芯片座型封裝體，包含若干引腳及芯片。該若干引腳中的至少一引腳具有半蝕刻部分。芯片具有設(shè)有集成電路單元的上表面及與該上表面相對的下表面，該下表面貼有非導(dǎo)電膠膜且該膠膜用于將該芯片固定于該若干引腳上，其中該膠膜向下包覆該至少一引腳各側(cè)面，且向下包覆長度大于該至少一引腳的半蝕刻部分厚度的1/4但不超過該引腳底面。
[0007]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該向下包覆長度大于該至少一引腳的半蝕刻部分厚度的1/3。而在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，該向下包覆長度大于該至少一引腳的半蝕刻部分厚度的1/2。該膠膜可向上包覆該芯片至少一側(cè)面，且向上包覆長度大于該芯片厚度的1/3但小于該芯片厚度的4/5。該半導(dǎo)體封裝體是單邊尺寸不大于5_小尺寸封裝體。該若干引腳中每一者的底面附接球形焊墊。該膠膜向下包覆該至少一引腳各側(cè)面是經(jīng)由粘附操作得到，其中該粘附操作溫度為100°C至150°C，壓力為IN至5N，時(shí)間為300至700ms。
[0008]根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例，獲取該芯片進(jìn)一步包含將該膠膜貼至包含該芯片在內(nèi)的晶圓下表面，及以芯片單元為單位切割該晶圓以得到該芯片。
[0009]本實(shí)用新型的半導(dǎo)體封裝體的膠膜向下包覆引腳的各側(cè)面，加強(qiáng)引腳的支撐力，降低受外力作用時(shí)的影響，從而有效保證封裝產(chǎn)品的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0010]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的剖面示意圖。
[0011]圖2所示是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]為更好的理解本實(shí)用新型的精神，以下結(jié)合本實(shí)用新型的部分優(yōu)選實(shí)施例對其作進(jìn)一步說明。
[0013]對無芯片座型的封裝體而言，如果引腳經(jīng)過半蝕刻，其對芯片的承托力必然降低。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的半導(dǎo)體封裝體可解決引腳承托力降低所帶來的一系列問題，其特別適用單邊尺寸不大于5mm小尺寸封裝體，如或等。
[0014]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體10的剖面示意圖。
[0015]如圖1所示，該半導(dǎo)體封裝體10是一無芯片座型封裝體，其包含若干引腳20、芯片30，及遮蔽該引腳20和芯片30的塑封殼體40。盡管在其它實(shí)施例中，引腳20中至少一者具有半蝕刻部分22，圖1中所有引腳20具有半蝕刻部分22。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的，“半蝕刻”僅是一種蝕刻處理，并不意味著必須蝕刻一半的厚度。在其它實(shí)施例中，未經(jīng)蝕刻處理的引腳20同樣適用。芯片30具有設(shè)有集成電路單元(未示出)的上表面32及與該上表面32相對的下表面34，該下表面34貼有非導(dǎo)電膠膜12并藉由該膠膜12將該芯片30固定于該若干引腳20上。芯片30上的集成電路單元藉由導(dǎo)線14與各引腳20連接。各引腳20的底面24可進(jìn)一步附接焊墊(未圖示)，如球形焊墊，從而進(jìn)一步將芯片20連接至外部電路(未圖示)。膠膜12向下包覆至少一引腳20(本實(shí)施例中為所有引腳20)各側(cè)面26 (僅示出一個(gè)側(cè)面)，且向下包覆長度dl大于引腳20的半蝕刻部分22厚度的1/2但不超過該引腳20的底面24。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，該向下包覆長度dl可大于引腳20的半蝕刻部分22厚度的1/3 ;而在其它實(shí)施例中，該向下包覆長度dl大于該引腳20的半蝕刻部分22厚度的1/4即可。
[0016]本實(shí)用新型實(shí)施例通過使膠膜12包覆引腳20，引腳20與芯片30之間的咬合能力得以加強(qiáng)。承托芯片30的部分的截面積加大，從而可達(dá)到減輕打線機(jī)打線帶來的晃動，避免發(fā)生焊墊，特別是球形焊墊的變形。
[0017]本實(shí)用新型一實(shí)施例提供了制造無芯片座型封裝體10的方法。該方法包含:獲取一芯片30，該芯片30具有設(shè)有集成電路單元的上表面32及與該上表面32相對的下表面34，該下表面34貼有厚度為4080um的非導(dǎo)電膠膜12 ;藉由該膠膜12將該芯片30的下表面34粘附至若干引腳20上，使得該膠膜12向下包覆該若干引腳20中的至少一引腳各側(cè)面，該至少一引腳20具有半蝕刻部分22，且向下包覆長度dl大于該引腳20的半蝕刻部分22厚度的1/4但不超過該引腳20的底面24 ;以及使用導(dǎo)線14連接該芯片30上的集成電路單元與該若干引腳20。
[0018]獲取該芯片30可進(jìn)一步包含將膠膜12貼至包含該芯片30在內(nèi)的晶圓下表面(未圖示)，及以芯片單元為單位切割該晶圓以得到該芯片30。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所了解的，不同的封裝廠使用的膠膜12根據(jù)其實(shí)際的生產(chǎn)環(huán)境不同。故膠膜12并無固定的選擇，較佳的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可選擇其所熟悉的可流動性較好的型號。此外，該方法還可包含附接焊墊，如附接球形焊墊至每一引腳20的底面24從而可使得該芯片30與外部電路連接。
[0019]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，為使該膠膜12向下包覆引腳20的各側(cè)面26，可選擇粘附操作溫度為100°C至150°C，壓力為IN至5N，時(shí)間為300至700ms。
[0020]圖2所示是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體10的剖面示意圖。
[0021]類似的，如圖2所示，該半導(dǎo)體封裝體10是一無芯片座型封裝體，其包含若干引腳20、芯片30，及遮蔽該引腳20和芯片30的塑封殼體40。膠膜12向下包覆引腳20各側(cè)面26(僅示出一個(gè)側(cè)面)，且向下包覆長度dl大于引腳20的半蝕刻部分22厚度的1/3但不超過該引腳20的底面24。同時(shí)，在本實(shí)施例中，膠膜12可向上包覆該芯片30的至少一側(cè)面36，且向上包覆長度d2大于該芯片30厚度的1/3但小于該芯片30厚度的4/5。
[0022]本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實(shí)用新型的教示及揭示而作種種不背離本實(shí)用新型精神的替換及修飾。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實(shí)用新型的替換及修飾，并為本專利申請權(quán)利要求書所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體封裝體，其是無芯片座型封裝體，包含: 若干引腳，該若干引腳中的至少一引腳具有半蝕刻部分；及 芯片，具有設(shè)有集成電路單元的上表面及與該上表面相對的下表面，該下表面貼有非導(dǎo)電膠膜且該膠膜用于將該芯片固定于該若干引腳上； 其特征在于該膠膜向下包覆該至少一引腳各側(cè)面，且向下包覆長度大于該至少一引腳的半蝕刻部分厚度的1/4但不超過該引腳底面。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其特征在于該向下包覆長度大于該至少一引腳的半蝕刻部分厚度的1/3。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其特征在于該向下包覆長度大于該至少一引腳的半蝕刻部分厚度的1/2。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其特征在于該膠膜向上包覆該芯片至少一側(cè)面且向上包覆長度大于該芯片厚度的1/3但小于該芯片厚度的4/5。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其特征在于該無芯片座型封裝體是單邊尺寸不大于5_的小尺寸封裝體。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其特征在于該若干引腳中每一者的底面附接球形焊墊。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其特征在于該膠膜向下包覆該至少一引腳各側(cè)面是經(jīng)由粘附操作得到，其中該粘附操作溫度為100°c至150°C，壓力為IN至5N，時(shí)間為.300 至 700ms ο
【專利摘要】本實(shí)用新型是關(guān)于半導(dǎo)體封裝體。根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，一無芯片座型封裝體包含若干引腳及芯片。該若干引腳中的至少一引腳具有半蝕刻部分。芯片具有設(shè)有集成電路單元的上表面及與該上表面相對的下表面，該下表面貼有非導(dǎo)電膠膜且該膠膜用于將該芯片固定于該若干引腳上。其中該膠膜向下包覆該至少一引腳各側(cè)面，且向下包覆長度大于該至少一引腳的半蝕刻部分厚度的1/4但不超過該引腳底面。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體封裝體使得膠膜向下包覆引腳的各側(cè)面，可加強(qiáng)引腳的支撐力，降低受外力作用時(shí)的影響，從而保證封裝產(chǎn)品的質(zhì)量。
【IPC分類】H01L23-495
【公開號】CN204464270
【申請?zhí)枴緾N201420836083
【發(fā)明人】李文顯
【申請人】日月光封裝測試(上海)有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2014年12月19日