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共模濾波器的制造方法

文檔序號(hào):8755338閱讀:238來(lái)源:國(guó)知局
共模濾波器的制造方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
[0001]【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本實(shí)用新型涉及一種共模濾波器的磁芯結(jié)構(gòu)。
[0003]【【背景技術(shù)】】
[0004]與本實(shí)用新型相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù),參閱公開(kāi)號(hào)為US20140097928的美國(guó)公開(kāi)專(zhuān)利,該專(zhuān)利揭示了一種共模濾波器,其包括一工字型磁芯及纏繞在磁芯上的漆包線(xiàn),所述漆包線(xiàn)纏繞在磁芯上的部分包括緊密部及位于兩緊密部之間的稀疏部,這樣設(shè)計(jì)改善產(chǎn)品的電磁性能達(dá)到特定值,然而這樣的設(shè)計(jì)緊密部的漆包線(xiàn)容易滑向稀疏部,從而導(dǎo)致產(chǎn)品電磁性能降低,高頻信號(hào)不穩(wěn)定。
[0005]如前所述,迫切需要提供一種新的共模濾波器來(lái)改善這樣的問(wèn)題。
[0006]【【實(shí)用新型內(nèi)容】】
[0007]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種穩(wěn)定漆包線(xiàn)疏密布置的共模濾波器。
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供的一種技術(shù)方案為:一種共模濾波器,其包括磁芯及直接纏繞在磁芯上的漆包線(xiàn),所述磁芯包括中心體及位于中心體兩端的第一法蘭部和第二法蘭部,所述中心體上設(shè)有至少一個(gè)凸臺(tái),所述漆包線(xiàn)從凸臺(tái)的一側(cè)繞至凸臺(tái)的另一側(cè),所述漆包線(xiàn)繞至凸臺(tái)處時(shí)支撐于凸臺(tái),所述漆包線(xiàn)的排布包括緊密部與稀疏部,所述緊密部位于凸臺(tái)的兩側(cè),所述稀疏部位于凸臺(tái)處。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的磁芯上設(shè)置凸臺(tái)既可以在繞線(xiàn)時(shí)作為支撐點(diǎn),又穩(wěn)定的將漆包線(xiàn)纏繞在磁芯上的緊密部和稀疏部分開(kāi)。
[0010]【【附圖說(shuō)明】】
[0011]圖1是本實(shí)用新型共模濾波器的立體圖。
[0012]圖2是圖1所示本實(shí)用新型共模濾波器另一角度的立體圖。
[0013]圖3是本實(shí)用新型共模濾波器的分解圖。
[0014]【【具體實(shí)施方式】】
[0015]請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖3所示,符合本實(shí)用新型的一種共模濾波器100,其包括一“工”字型磁芯10及直接纏繞在磁芯10上的漆包線(xiàn)20,所述該磁芯10為N1-Zn材質(zhì),故漆包線(xiàn)20可直接纏繞在上面。所述磁芯10包括中心體11及位于中心體11兩端的第一法蘭部12、第二法蘭部13及設(shè)置于中心體上的若干凸臺(tái)14,本實(shí)施例設(shè)計(jì)了兩對(duì)凸臺(tái)14,但根據(jù)情況不同時(shí)可以設(shè)置若干對(duì)凸臺(tái)14。
[0016]所述中心體11設(shè)有位于第一、第二法蘭部12、13同一側(cè)的第一側(cè)110及與第一側(cè)110相反的第二側(cè)111,所述第一、第二側(cè)110、111分別設(shè)有一對(duì)凸臺(tái)14。所述本實(shí)施例凸臺(tái)14為三角形,每個(gè)三角形的其中一個(gè)角向內(nèi)相對(duì)設(shè)置,且一個(gè)三角形的一條斜邊與另一三角形的一條斜邊相對(duì)且平行。所述漆包線(xiàn)20包括第一漆包線(xiàn)21和第二漆包線(xiàn)22,所述第一漆包線(xiàn)21為初級(jí)線(xiàn)圈,第二漆包線(xiàn)22為次級(jí)線(xiàn)圈。所述第一、第二漆包線(xiàn)21、22同時(shí)纏繞在中心體11上且一圈緊挨著一圈繞至凸臺(tái)14處,再繞至第一側(cè)110的兩個(gè)凸臺(tái)14之間,從一個(gè)凸臺(tái)14的一側(cè)繞至另一凸臺(tái)14的另一側(cè)繼續(xù)纏繞,這樣纏繞在中心體11上的漆包線(xiàn)20形成了緊密部201與稀疏部202,所述緊密部201位于凸臺(tái)14的兩側(cè),所述稀疏部202位于緊密部201之間且位于凸臺(tái)14處。將漆包線(xiàn)20這樣疏密排布改善了產(chǎn)品的電磁性能,高頻插入回波信號(hào)穩(wěn)定,從而達(dá)到需要的特定值。而凸臺(tái)14的設(shè)計(jì)則穩(wěn)定了這種疏密排布的格局,使得漆包線(xiàn)20不容易從緊密部201滑至稀疏部202,且在繞線(xiàn)的同時(shí)也作為一個(gè)支撐點(diǎn),方便繞線(xiàn)。所述位于稀疏部202兩側(cè)的緊密部201寬度相等,這樣高頻信號(hào)更加穩(wěn)定。所述第一法蘭部12設(shè)有第一電極端子120和第二電極端子121,所述第二法蘭部13設(shè)有第三電極端子130和第四電極端子131。所述第一漆包線(xiàn)21的一端與第一電極端子120相連,另一端與第四電極端子131相連。所述第二漆包線(xiàn)22的一端與第二電極端子121相連,另一端與第三電極端子130相連。所述同一法蘭部的兩電極端子之間設(shè)有凹槽15。所述當(dāng)漆包線(xiàn)20纏繞時(shí),從第三、第四電極端子130、131往第一、第二電極端子方向看,第一、第二漆包線(xiàn)沿順時(shí)針?lè)较蚶p繞。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種共模濾波器,其包括磁芯及直接纏繞在磁芯上的漆包線(xiàn),所述磁芯包括中心體及位于中心體兩端的第一法蘭部和第二法蘭部,其特征在于:所述中心體上設(shè)有至少一個(gè)凸臺(tái),所述漆包線(xiàn)從凸臺(tái)的一側(cè)繞至凸臺(tái)的另一側(cè),所述漆包線(xiàn)繞至凸臺(tái)處時(shí)支撐于凸臺(tái),所述漆包線(xiàn)的排布包括緊密部與稀疏部,所述緊密部位于凸臺(tái)的兩側(cè),所述稀疏部位于凸臺(tái)處。
2.如權(quán)利要求1所述的共模濾波器,其特征在于:所述凸臺(tái)設(shè)有一對(duì)并間隔設(shè)置,所述漆包線(xiàn)至兩凸臺(tái)之間繞過(guò)。
3.如權(quán)利要求1所述的共模濾波器,其特征在于:所述中心體包括第一側(cè)及與第一側(cè)相反的第二側(cè),所述凸臺(tái)分別設(shè)于第一側(cè)和第二側(cè)上。
4.如權(quán)利要求2所述的共模濾波器,其特征在于:所述一對(duì)凸臺(tái)為三角形,每個(gè)三角形的一個(gè)角向內(nèi)相對(duì)設(shè)置,一個(gè)三角形的一條斜邊與另一三角形的一條斜邊相對(duì)且平行。
5.如權(quán)利要求1所述的共模濾波器,其特征在于:所述位于凸臺(tái)兩側(cè)的緊密部寬度一致。
6.如權(quán)利要求1所述的共模濾波器,其特征在于:所述漆包線(xiàn)包括第一漆包線(xiàn)和第二漆包線(xiàn),第一、第二漆包線(xiàn)同時(shí)纏繞在中心體上且一圈緊挨著一圈繞至凸臺(tái)處。
7.如權(quán)利要求6所述的共模濾波器,其特征在于:所述第一法蘭部設(shè)有第一電極端子和第二電極端子,所述第二法蘭部設(shè)有第三電極端子和第四電極端子,所述第一漆包線(xiàn)的一端與第一電極端子相連,另一端與第四電極端子相連,所述第二漆包線(xiàn)的一端與第二電極端子相連,另一端與第三電極端子相連。
8.如權(quán)利要求7所述的共模濾波器,其特征在于:所述同一法蘭部的兩個(gè)電極端子之間設(shè)有凹槽。
9.如權(quán)利要求6所述的共模濾波器,其特征在于:所述第一漆包線(xiàn)為初級(jí)線(xiàn)圈,所述第二漆包線(xiàn)為次級(jí)線(xiàn)圈。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)提供了一種共模濾波器,其包括磁芯及直接纏繞在磁芯上的漆包線(xiàn),所述磁芯包括中心體及位于中心體兩端的第一法蘭部和第二法蘭部,其特征在于:所述中心體上設(shè)有至少一個(gè)凸臺(tái),所述漆包線(xiàn)從凸臺(tái)的一側(cè)繞至凸臺(tái)的另一側(cè),所述漆包線(xiàn)繞至凸臺(tái)處時(shí)支撐于凸臺(tái),所述漆包線(xiàn)的排布包括緊密部與稀疏部,所述緊密部位于凸臺(tái)的兩側(cè),所述稀疏部位于凸臺(tái)處。
【IPC分類(lèi)】H01F27-28, H01F27-30, H01F17-04, H01F27-24
【公開(kāi)號(hào)】CN204463976
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420647482
【發(fā)明人】許志清, 徐才岡, 闞言俊, 魯智
【申請(qǐng)人】富士康(昆山)電腦接插件有限公司, 鴻騰精密科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月8日
【申請(qǐng)日】2014年11月3日
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