用于電觸頭表面鍍層的添加材料及電觸頭制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于電觸頭表面鍍層的添加材料及電觸頭制造方法。所述添加材料是由Sb摻雜SnO2、Sn摻雜In2O3、CsWO3組成的混合氧化物粉體；所述電觸頭制造方法：在該添加材料中加入適量分散劑，以純水為介質(zhì)球磨得到懸浮液；然后將懸浮液加入到含銀的電鍍液中，將金屬電觸頭基體在上述復(fù)合電鍍液中鍍上一層銀?氧化物表面鍍層。采用本發(fā)明制得的電觸頭(片)具有較高的打弧(較好的抗電弧侵蝕)和溫升的抑制能力(抑制溫升)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
用于電觸頭表面鍍層的添加材料及電觸頭制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及材料和器件領(lǐng)域，具體涉及一種用于電觸頭表面鍍層的添加材料及電觸頭制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電觸頭是電器開(kāi)關(guān)、儀器儀表等的接觸元件，主要負(fù)擔(dān)著接通、斷開(kāi)電路及負(fù)載電流的任務(wù)，它的性能直接影響著開(kāi)關(guān)電器的可靠運(yùn)行。目前使用最多的電觸頭材料是銀基復(fù)合材料，其中有銀-氧化鎘、銀-氧化錫等復(fù)合材料。銀-氧化鎘復(fù)合材料制作的電觸頭在使用過(guò)程中會(huì)揮發(fā)出對(duì)人體有害的鎘蒸汽，不符合綠色環(huán)保的發(fā)展要求。銀-氧化錫電觸頭有兩種(類(lèi))制作方法，一種是采用粉末冶金法、合金內(nèi)氧化法制作電觸頭整體，該法存在材料成型加工難度大、生產(chǎn)工藝復(fù)雜、制造成本偏高。另一種(類(lèi))是采用電鍍工藝在電觸頭基體表面制備一層含有氧化錫的銀-氧化錫層，將其作為電觸頭的接觸面，如中國(guó)專(zhuān)利2008103026756。該法雖然可以克服第一種方法存在的缺陷，但在實(shí)踐中，一方面還存在絕緣的氧化錫粉體難以引入到銀層中，而且難以均勻分布；另一方面，經(jīng)檢測(cè)銀-氧化錫鍍層在反復(fù)開(kāi)關(guān)的過(guò)程中，對(duì)打弧(電弧侵蝕)和溫升的抑制能力不足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提供一種用于電觸頭表面鍍層的添加材料及電觸頭制造方法。所述添加材料是由Sb摻雜SnO2、Sn摻雜In2O3、CsWO3組成的混合氧化物粉體，混合氧化物粉體粒度5nm-100nm，其中Sb摻雜SnO2的占比為5-20wt%，Sn摻雜In2O3的占比為5-20wt% ,CsTO3的占比為60-90wt%。在該添加材料中加入占比0.2-1.5wt%的分散劑，以純水為球磨介質(zhì)，球磨得到混合氧化物粉體顆粒占比為5-35wt%的懸浮液;然后將懸浮液加入到含銀的電鍍液中，得到復(fù)合電鍍液，復(fù)合電鍍液中混合氧化物粉體顆粒的含量為
0.5g/L-20g/L，采用現(xiàn)有電鍍工藝將金屬電觸頭基體在上述復(fù)合電鍍液中鍍上一層表面鍍層(銀-氧化物鍍層)，鍍層厚度根據(jù)現(xiàn)有資料確定，即可制得成品電觸頭。依據(jù)實(shí)際情況，在金屬電觸頭基體與銀-氧化物鍍層之間可以加鍍中間鍍層。
[0004]本發(fā)明可以獲得如下效果:由于Sb摻雜SnO2和Sn摻雜In2O3粉體都是弱導(dǎo)電的材料，常用于抗靜電涂料等；而鎢酸銫(CsWO3)是近幾年才被發(fā)現(xiàn)的新型隔熱材料，具有較佳的導(dǎo)電性能;結(jié)合三種氧化物粉體的優(yōu)良特性，提高了電觸頭表面鍍層打弧(抗電弧侵蝕)和溫升的抑制能力(抑制溫升)。
【具體實(shí)施方式】
[0005]實(shí)施例1:
[0006]以中心粒度(D50)為67nm的Sb摻雜SnO2粉體、26nm的Sn摻雜In2O3粉體和89nm的CsTO3粉體為原料;Sb摻雜SnO2粉體含量x = 0.05，Sn摻雜In2O3粉體含量y = 0.2，CsWO3粉體含量Z = 0.75 ;粉體總質(zhì)量為200g，加入0.2%的A40分散劑，1800g的純水，懸浮液固含量為10%,球磨4h獲得懸浮液。電鍍液中氧化物粉體的含量為2g/L。鍍液成份:氰化銀鉀80g/L，焦磷酸鉀70g/L，氰化鉀46g/L。電鍍工藝參數(shù):鍍液溫度30°C，電流1.5A/dm2，控制電鍍所得的復(fù)合層厚度為50μπι。經(jīng)檢測(cè)，制成后的電觸片，通過(guò)額定電流16A，額定電壓250V，通斷次數(shù)大于50000次，溫升低于9°C。
[0007]實(shí)施例2:
[0008]以中心粒度(D50)為67nm的Sb摻雜SnO2粉體、26nm的Sn摻雜In2O3粉體和89nm的CsTO3粉體為原料。Sb摻雜SnO2粉體含量x = 0.2，Sn摻雜In2O3粉體含量y = 0.05，CsWO3粉體含量z = 0.75 ;粉體總質(zhì)量為200g，加入1.5 %的BYK分散劑，1400g的純水，懸浮液固含量為30%，球磨7h獲得懸浮液。電鍍液中氧化物粉體的含量為17g/L。鍍液成份:氰化銀鉀80g/L，焦磷酸鉀70g/L，氰化鉀46g/L。電鍍工藝參數(shù):鍍液溫度30°C，電流1.5A/dm2，控制電鍍所得的復(fù)合層厚度為68μπι。經(jīng)檢測(cè)，制成后的電觸頭，通過(guò)額定電流16A，額定電壓250V，通斷次數(shù)大于50000次，溫升低于12 °C。
[0009]實(shí)施例3:
[0010]以中心粒度(D50)為67nm的Sb摻雜SnO2粉體、26nm的Sn摻雜In2O3粉體和89nm的CsTO3粉體為原料;Sb摻雜SnO2粉體含量x = 0.05，Sn摻雜In2O3粉體含量y = 0.05，CsWO3粉體含量z = 0.9；粉體總質(zhì)量為200g，加入0.5 %的A40分散劑，1800g的純水，懸浮液固含量為10%,球磨4h獲得懸浮液。電鍍液中氧化物粉體的含量為2g/L。鍍液成份:氰化銀鉀80g/L，焦磷酸鉀70g/L，氰化鉀46g/L。電鍍工藝參數(shù):鍍液溫度30°C，電流1.5A/dm2，控制電鍍所得的復(fù)合層厚度為50μπι。經(jīng)檢測(cè)，制成后的電觸頭，通過(guò)額定電流16A，額定電壓250V，通斷次數(shù)大于50000次，溫升低于12 °C。
[0011]實(shí)施例4:
[0012]以中心粒度(D50)為67nm的Sb摻雜SnO2粉體、26nm的Sn摻雜In2O3粉體和89nm的CsTO3粉體為原料。Sb摻雜SnO2粉體含量x = 0.2，Sn摻雜In2O3粉體含量y = 0.2，CsWO3粉體含量z = 0.6 ;粉體總質(zhì)量為200g，加入1.0 %的BYK分散劑，1400g的純水，懸浮液固含量為30%，球磨7h獲得懸浮液。電鍍液中氧化物粉體的含量為17g/L。鍍液成份:氰化銀鉀80g/L，焦磷酸鉀70g/L，氰化鉀46g/L。電鍍工藝參數(shù):鍍液溫度30°C，電流1.5A/dm2，控制電鍍所得的復(fù)合層厚度為68μπι。經(jīng)檢測(cè)，制成后的電觸片，通過(guò)額定電流16A，額定電壓250V，通斷次數(shù)大于50000次，溫升低于10°C。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于電觸頭表面鍍層的添加材料，所述添加材料是由Sb摻雜Sn02、Sn摻雜Ιη2θ3、CsW03組成的混合氧化物粉體，混合氧化物粉體粒度5nm-100nm，其中Sb摻雜Sn02的占比為5-20wt%, Sn摻雜 In2O3 的占比為5_20wt %，CsffO3 的占比為60_90wt %。2.—種電觸頭，所述電觸頭主要由金屬基體與電鍍?cè)诮饘倩w外表面的鍍層材料組成，其特征在于:所述鍍層材料至少含有Sb摻雜Sn02、Sn摻雜In2O3XsWO3組成的混合氧化物粉體，混合氧化物粉體粒度5nm-100nm，其中Sb摻雜SnO2的占比為5_20wt %，Sn摻雜In2O3的占比為5-20wt %，CsWO3的占比為60-90wt %。3.一種電觸頭的制造方法，所述方法包括: (1)在權(quán)利要求1所述的添加材料中加入占比0.2-1.5wt %的分散劑，以純水為球磨介質(zhì)，球磨得到混合氧化物粉體顆粒占比為5-35wt%的懸浮液;然后將懸浮液加入到含銀的電鍍液中，得到復(fù)合電鍍液，復(fù)合電鍍液中混合氧化物粉體顆粒的含量為0.5g/L-20g/L ； (2)將金屬電觸頭基體在上述復(fù)合電鍍液中電鍍。
【文檔編號(hào)】H01H11/04GK106057506SQ201610571251
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年7月19日
【發(fā)明人】楊玲, 許積文, 張小文, 劉建, 劉建一, 劉建平
【申請(qǐng)人】桂林電子科技大學(xué)