一種hit太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法。該方法首先選取合適的晶體硅基底，對(duì)基底進(jìn)行超聲清洗，并進(jìn)行基底表面的絨面制備；在基底上面和側(cè)面沉積前表面本征氫化非晶硅層并前表面摻雜非晶硅薄膜層；在基底的前表面非晶硅薄膜層之上，濺射沉積前表面透明導(dǎo)電薄膜層；在基底背面沉積背面本征氫化非晶硅層并摻雜背面非晶硅薄膜層；在基底的背面非晶硅薄膜層之上，濺射沉積背面透明導(dǎo)電薄膜層；在基底前表面和背面的透明導(dǎo)電薄膜層上，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電漿料形成柵極電極；采用高速激光掃描系統(tǒng)在HIT太陽(yáng)能電池邊緣區(qū)域，掃描刻劃出邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)，從而完成邊緣漏電隔離。本發(fā)明隔離方法簡(jiǎn)單、可靠。
【專利說(shuō)明】
一種HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，特別涉及一種HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]自進(jìn)入本世紀(jì)以來(lái)，太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)成為世界上增長(zhǎng)最快的產(chǎn)業(yè)之一，在各類太陽(yáng)能電池中，晶體硅太陽(yáng)能電池占據(jù)著將近80%的市場(chǎng)份額。晶體硅太陽(yáng)能電池利用p-n結(jié)的光生伏特效應(yīng)實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換，將吸收到的太陽(yáng)光轉(zhuǎn)換為電能，并為負(fù)載供電。在太陽(yáng)能電池中起到關(guān)鍵作用的主要是在太陽(yáng)能電池制備過(guò)程中所形成的P-n結(jié)結(jié)構(gòu)，具有一定禁帶寬度的半導(dǎo)體材料在收到太陽(yáng)光的輻射之后，能量超過(guò)半導(dǎo)體禁帶寬度的光子會(huì)在半導(dǎo)體體內(nèi)激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對(duì)，產(chǎn)生的電子空穴對(duì)被P-n結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)分離，產(chǎn)生光生電流和光生電動(dòng)勢(shì)，通過(guò)外部電路為負(fù)載供電。
[0003]目前限制光伏產(chǎn)業(yè)繼續(xù)發(fā)展的一個(gè)制約因素就是太陽(yáng)能電池的成本和轉(zhuǎn)換效率。居高不下的高成本和相對(duì)的低效率是限制產(chǎn)業(yè)繼續(xù)發(fā)展的一個(gè)瓶頸。隨著市場(chǎng)對(duì)于企業(yè)產(chǎn)品的準(zhǔn)入門檻已經(jīng)提高到多晶硅效率不低于18 %，單晶硅效率不低于20 %，如此高的效率要求促使企業(yè)尋找更加高效的產(chǎn)品制備路徑。
[0004]HIT太陽(yáng)電池，作為晶體硅和非晶硅的完美結(jié)合產(chǎn)品，其效率高，實(shí)驗(yàn)室最高效率已經(jīng)突破25%，達(dá)到25.6%。工藝流程相對(duì)簡(jiǎn)單，具有相較于晶體硅太陽(yáng)電池更好的溫度特性，由于全部工藝制程是在低溫250攝氏度以下完成，不會(huì)對(duì)硅基底造成損傷，更加不會(huì)出現(xiàn)翹曲現(xiàn)象。由于其特殊的單晶硅非晶硅疊層結(jié)構(gòu)，其光譜吸收范圍相對(duì)較廣，可以更多的利用太陽(yáng)光譜。
[0005]由于其所具有的以上如此多的特性，使得關(guān)于其的研發(fā)也是如火如荼，很多企業(yè)及研發(fā)機(jī)構(gòu)都投入到更高效率和穩(wěn)定性的HIT太陽(yáng)電池研發(fā)制造。
[0006]在HIT太陽(yáng)電池的制備過(guò)程中，由于需要經(jīng)過(guò)多次正反兩面的鍍膜工藝，在最終的電池成片由于鍍膜工藝以及設(shè)備的穩(wěn)定性問(wèn)題，鍍膜期間容易出現(xiàn)“繞鍍”現(xiàn)象。意即鍍膜面繞過(guò)基底側(cè)面完成另外一面的濺鍍，最終導(dǎo)致電池邊緣出現(xiàn)漏電現(xiàn)象，轉(zhuǎn)換效率底下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題，提供一種HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，通過(guò)采用激光刻劃邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)的方法實(shí)現(xiàn)高效HIT太陽(yáng)能電池的邊緣漏電隔離。
[0008]為了解決以上提出的問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0009]—種HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，該方法具體步驟如下:
[0010]步驟S1:選取合適的晶體硅基底，對(duì)基底進(jìn)行超聲清洗，并進(jìn)行基底表面的絨面制備；
[0011]步驟S2:在基底上面和側(cè)面上沉積前表面本征氫化非晶硅層作為首層，并摻雜前表面非晶硅薄膜層作為疊層；
[0012]步驟S3:在基底的疊層即前表面非晶硅薄膜層之上，濺射沉積前表面透明導(dǎo)電薄膜層；
[0013]步驟S4:在基底背面沉積背面本征氫化非晶硅層作為首層，并摻雜背面非晶硅薄膜層作為疊層；
[0014]步驟S5:在基底背面的疊層即背面非晶硅薄膜層之上，濺射沉積背面透明導(dǎo)電薄膜層；
[0015]步驟S6:在基底的前表面透明導(dǎo)電薄膜層和背面透明導(dǎo)電薄膜層上，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電漿料分別形成前表面柵極電極和背面柵極電極，得到HIT太陽(yáng)能電池；
[0016]步驟S7:采用高速激光掃描系統(tǒng)在HIT太陽(yáng)能電池邊緣區(qū)域，掃描刻劃出邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)，從而完成邊緣漏電隔離。
[0017]所述高速激光掃描系統(tǒng)采用皮秒激光器，功率范圍為10-100W，激光脈沖頻率為1ΚΗζ-300ΚΗζ，掃描速度為1000mm/s-10000mm/s，刻劃次數(shù)為1_10次；聚焦形成光斑的大小為 1um-1OOum。
[0018]所述HIT太陽(yáng)能電池上邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)距離邊緣的距離為0.1-lmm，邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)的深度為10-100nm。
[0019]所述步驟SI中，晶體硅基底采用N型單晶硅基底或P型晶體硅基底，其厚度為80um-200umo
[0020]所述步驟S2和步驟S4中，前表面本征氫化非晶硅層和背面本征氫化非晶硅層的厚度均為5nm-20nm，前表面非晶娃薄膜層和背面非晶娃薄膜層的厚度均為20nm-200nm。
[0021]所述步驟S3和步驟S5中，前表面透明導(dǎo)電薄膜層和背面透明導(dǎo)電薄膜層的厚度為 1nm-1OOnm。
[0022]所述高速激光掃描系統(tǒng)還包括擴(kuò)束鏡、振鏡掃描組件和三維移動(dòng)平臺(tái)，HIT太陽(yáng)能電池水平設(shè)置在三維移動(dòng)平臺(tái)上；由皮秒激光器發(fā)射一束激光光束，所述激光光束依次經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡和振鏡掃描組件擴(kuò)散聚焦后形成聚焦光束，聚焦光束在HIT太陽(yáng)能電池表面形成光斑，照射在HIT太陽(yáng)能電池的邊緣區(qū)域，并掃描刻劃出邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)。
[0023]—種HIT太陽(yáng)能電池，該太陽(yáng)能電池包括基底、前表面本征氫化非晶硅層、前表面非晶硅薄膜層、前表面透明導(dǎo)電薄膜層、背面本征氫化非晶硅層、背面非晶硅膜層、背面透明導(dǎo)電膜層、背面柵極電極和前表面柵極電極；
[0024]其中，基底為矩形結(jié)構(gòu)，其上面和側(cè)面上依次設(shè)置有前表面本征氫化非晶硅層、前表面非晶硅薄膜層和前表面透明導(dǎo)電薄膜層，背面上依次設(shè)置有背面本征氫化非晶硅層、背面非晶硅膜層和背面透明導(dǎo)電膜層，在前表面透明導(dǎo)電薄膜層和背面透明導(dǎo)電膜層上還分別設(shè)置有前表面柵極電極和背面柵極電極；太陽(yáng)能電池上的邊緣區(qū)域由前至后還加工有邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于:
[0026]1、本發(fā)明中HIT太陽(yáng)能電池相較于傳統(tǒng)晶體硅太陽(yáng)能電池而言，由于需要經(jīng)過(guò)多次薄膜沉積過(guò)程，其漏電現(xiàn)象不能單純依靠傳統(tǒng)濕化學(xué)腐蝕方法實(shí)現(xiàn)，通過(guò)采用激光刻劃邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)的方法可以實(shí)現(xiàn)高效HIT太陽(yáng)能電池的邊緣漏電隔離，其方法簡(jiǎn)單、可靠，便于企業(yè)生產(chǎn)線的大批量生產(chǎn)和良品率的控制，即企業(yè)生產(chǎn)線僅需集成一臺(tái)激光器產(chǎn)品既可實(shí)現(xiàn)。
[0027]2、本發(fā)明采用皮秒激光器實(shí)現(xiàn)HIT太陽(yáng)電池邊緣隔離的方法，能夠克服工業(yè)化納秒固體或光纖激光器由于其自身脈寬的限制，避免在HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離工藝中造成過(guò)大的熱損傷及熱熔融現(xiàn)象，從而減少給HIT太陽(yáng)能電池的邊緣隔離中造成致命的傷害。
【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1為本發(fā)明HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法的原理示意圖。
[0029]圖2為本發(fā)明HIT太陽(yáng)能電池的截面示意圖。
[0030]圖3為本發(fā)明中高速激光掃描系統(tǒng)的組成示意圖。
[0031]附圖標(biāo)記說(shuō)明:1_基底；2_前表面本征氫化非晶硅層；3_前表面非晶硅薄膜層；4-前表面透明導(dǎo)電膜層；5_背面本征氫化非晶硅層；6_背面非晶硅薄膜層；7_背面透明導(dǎo)電膜層；8_背面柵極電極；9_前表面柵極電極；110-激光器；111_擴(kuò)束鏡；112-振鏡掃描組件；113-聚焦光束；120-待加工工件；130-XYZ三維移動(dòng)平臺(tái)。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0033]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。
[0034]本發(fā)明提供的一種HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，該方法采用激光開(kāi)槽的方法在HIT太陽(yáng)能電池上，沿著電池邊緣區(qū)域刻劃出一條封閉的具有一定深度的槽狀結(jié)構(gòu)，此槽狀結(jié)構(gòu)完成電池的邊緣漏電隔離，正負(fù)電極之間的電學(xué)絕緣，獲得理想轉(zhuǎn)換效率輸出。
[0035]參閱圖1所示，該方法具體步驟如下:
[0036]步驟S1:選取N型單晶娃基底1，進(jìn)彳丁超聲清洗，并米用常規(guī)NaoH溶液制域方法進(jìn)行基底I表面的絨面制備，從而降低基底I表面的反射率，從而增加其光譜吸收。
[0037]所述的基底I不僅可以米用N型單晶娃基底，也可以米用P型晶體娃基底，其厚度為 80um-200um。
[0038]所述清洗主要采用半導(dǎo)體行業(yè)普遍采用的RCA清洗工藝，去除基底I表面的顆粒物、有機(jī)物及金屬雜質(zhì)。
[0039]所述制絨工藝針對(duì)選擇基底I (單晶/多晶)的不同，一般采用堿制絨和酸制絨這兩種方式進(jìn)行，制絨完成基底I的表面反射率在8% -20%之間。
[0040]步驟S2:采用PECVD (即等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積)方法在基底I上面和兩個(gè)側(cè)面上，沉積本征氫化非晶硅層作為首層記為前表面本征氫化非晶硅層2，并摻雜P型非晶硅薄膜層作為疊層記為前表面非晶硅薄膜層3。
[0041]所采用的PECVD優(yōu)選板式PECVD，首層前表面本征氫化非晶硅層2的厚度為5nm-20nm，疊加摻雜P型的前表面非晶硅薄膜層3的厚度為20nm-200nmo
[0042]步驟S3:采用磁控濺射方法在基底I的疊層即前表面非晶硅薄膜層3之上，濺射沉積透明導(dǎo)電薄膜層記為前表面透明導(dǎo)電膜層4。
[0043]所派射沉積的前表面透明導(dǎo)電薄膜層4的厚度為10nm-100nm。
[0044]步驟S4:采用PECVD方法在基底I背面，沉積本征氫化非晶硅層作為首層記為背面本征氫化非晶硅層5，并摻雜N型非晶硅薄膜層作為疊層記為背面非晶硅薄膜層6。
[0045]所采用的PECVD優(yōu)選板式PECVD，背面本征氫化非晶硅層5的厚度為5nm_20nm，疊加摻雜N型的背面非晶娃膜層6的厚度為20nm-200nm。
[0046]步驟S5:采用磁控濺射方法在基底I背面的疊層即背面非晶硅薄膜層6之上，濺射透明導(dǎo)電薄膜層記為背面透明導(dǎo)電膜層7。
[0047]所濺射沉積的背面透明導(dǎo)電薄膜層7的厚度為10nm-100nm。
[0048]步驟S6:采用絲網(wǎng)印刷方法在基底I的前表面透明導(dǎo)電薄膜層4和背面透明導(dǎo)電薄膜層7上，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電漿料分別形成前表面柵極電極9和背面柵極電極8，從而得到HIT太陽(yáng)能電池。
[0049]所述絲網(wǎng)印刷漿料優(yōu)選導(dǎo)電Ag漿或?qū)щ婁X漿。
[0050]所述絲網(wǎng)印刷柵極電極圖形根據(jù)電池表面方阻及電學(xué)特性合理調(diào)整，完成最大化的光學(xué)利用和電學(xué)輸出。
[0051]步驟S7:采用高速激光掃描系統(tǒng)在HIT太陽(yáng)能電池邊緣區(qū)域，掃描刻劃出封閉且具有一定深度的槽狀結(jié)構(gòu)記為邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)(圖上未顯示)，完成最終的邊緣漏電隔離。
[0052]所述HIT太陽(yáng)能電池上邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)距離邊緣的距離為0.1-lmm，邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)的深度為10-100nm。
[0053]如附圖2所示，一種HIT太陽(yáng)能電池包括基底1、前表面本征氫化非晶硅層2、前表面非晶硅薄膜層3、前表面透明導(dǎo)電薄膜層4、背面本征氫化非晶硅層5、背面非晶硅膜層6、背面透明導(dǎo)電膜層7、背面柵極電極8和前表面柵極電極9。
[0054]其中，基底I為矩形結(jié)構(gòu)，其上面和側(cè)面上依次設(shè)置有前表面本征氫化非晶硅層
2、前表面非晶硅薄膜層3和前表面透明導(dǎo)電薄膜層4，背面上依次設(shè)置有背面本征氫化非晶硅層5、背面非晶硅膜層6和背面透明導(dǎo)電膜層7，在前表面透明導(dǎo)電薄膜層4和背面透明導(dǎo)電膜層7上還分別設(shè)置有前表面柵極電極9和背面柵極電極8。
[0055]HIT太陽(yáng)能電池上的邊緣區(qū)域由前至后還加工有邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)。
[0056]如附圖3所示，所述高速激光掃描系統(tǒng)包括激光器110、擴(kuò)束鏡111、振鏡掃描組件112和三維移動(dòng)平臺(tái)130，其中擴(kuò)束鏡111采用2-8X擴(kuò)束鏡，激光器110、擴(kuò)束鏡111、振鏡掃描組件112水平設(shè)置在同一直線上，三維移動(dòng)平臺(tái)130設(shè)置在振鏡掃描組件112的正下方。
[0057]待加工工件120 (即HIT太陽(yáng)能電池)水平設(shè)置在三維移動(dòng)平臺(tái)130上，由激光器110發(fā)射一束激光光束，所述激光光束依次經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡111和振鏡掃描組件112擴(kuò)散聚焦后形成聚焦光束113，聚焦光束113在待加工工件120表面形成微米級(jí)光斑，照射在待加工工件120的邊緣區(qū)域，并掃描刻劃出閉合槽狀結(jié)構(gòu)，從而完成HIT太陽(yáng)能電池的邊緣漏電隔離，三維移動(dòng)平臺(tái)130帶動(dòng)待加工工件120進(jìn)行三維移動(dòng)。
[0058]上述中，激光器110采用皮秒激光器，功率范圍為10-100W，激光脈沖頻率為1ΚΗζ-300ΚΗζ，掃描速度為 1000mm/s-10000mm/s，刻劃次數(shù)為 1-10 次。
[0059]上述中，聚焦形成光斑的大小為10um-100um。
[0060]上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，其特征在于:該方法具體步驟如下: 步驟S1:選取合適的晶體娃基底，對(duì)基底進(jìn)彳丁超聲清洗，并進(jìn)彳丁基底表面的域面制備； 步驟S2:在基底上面和側(cè)面上沉積前表面本征氫化非晶硅層作為首層，并摻雜前表面非晶硅薄膜層作為疊層； 步驟S3:在基底的疊層即前表面非晶硅薄膜層之上，濺射沉積前表面透明導(dǎo)電薄膜層； 步驟S4:在基底背面沉積背面本征氫化非晶硅層作為首層，并摻雜背面非晶硅薄膜層作為疊層； 步驟S5:在基底背面的疊層即背面非晶硅薄膜層之上，濺射沉積背面透明導(dǎo)電薄膜層； 步驟S6:在基底的前表面透明導(dǎo)電薄膜層和背面透明導(dǎo)電薄膜層上，進(jìn)行絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電漿料分別形成前表面柵極電極和背面柵極電極，得到HIT太陽(yáng)能電池； 步驟S7:采用高速激光掃描系統(tǒng)在HIT太陽(yáng)能電池邊緣區(qū)域，掃描刻劃出邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)，從而完成邊緣漏電隔離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，其特征在于:所述高速激光掃描系統(tǒng)采用皮秒激光器，功率范圍為10-100W，激光脈沖頻率為1ΚΗζ-300ΚΗζ，掃描速度為1000mm/s-10000mm/s，刻劃次數(shù)為1_10次；聚焦形成光斑的大小為10um-100um。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，其特征在于:所述HIT太陽(yáng)能電池上邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)距離邊緣的距離為0.1-lmm，邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)的深度為1-1OOnm04.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，其特征在于:所述步驟SI中，晶體硅基底采用N型單晶硅基底或P型晶體硅基底，其厚度為80um-200um。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，其特征在于:所述步驟S2和步驟S4中，前表面本征氫化非晶硅層和背面本征氫化非晶硅層的厚度均為5nm-20nm，前表面非晶娃薄膜層和背面非晶娃薄膜層的厚度均為20nm-200nm。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，其特征在于:所述步驟S3和步驟S5中，前表面透明導(dǎo)電薄膜層和背面透明導(dǎo)電薄膜層的厚度為10nm-100nm。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的HIT太陽(yáng)能電池邊緣隔離的方法，其特征在于:所述高速激光掃描系統(tǒng)還包括擴(kuò)束鏡、振鏡掃描組件和三維移動(dòng)平臺(tái)，HIT太陽(yáng)能電池水平設(shè)置在三維移動(dòng)平臺(tái)上；由皮秒激光器發(fā)射一束激光光束，所述激光光束依次經(jīng)過(guò)擴(kuò)束鏡和振鏡掃描組件擴(kuò)散聚焦后形成聚焦光束，聚焦光束在HIT太陽(yáng)能電池表面形成光斑，照射在HIT太陽(yáng)能電池的邊緣區(qū)域，并掃描刻劃出邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)。8.一種HIT太陽(yáng)能電池，其特征在于:該太陽(yáng)能電池包括基底、前表面本征氫化非晶硅層、前表面非晶硅薄膜層、前表面透明導(dǎo)電薄膜層、背面本征氫化非晶硅層、背面非晶硅膜層、背面透明導(dǎo)電膜層、背面柵極電極和前表面柵極電極； 其中，基底為矩形結(jié)構(gòu)，其上面和側(cè)面上依次設(shè)置有前表面本征氫化非晶硅層、前表面非晶硅薄膜層和前表面透明導(dǎo)電薄膜層，背面上依次設(shè)置有背面本征氫化非晶硅層、背面非晶硅膜層和背面透明導(dǎo)電膜層，在前表面透明導(dǎo)電薄膜層和背面透明導(dǎo)電膜層上還分別設(shè)置有前表面柵極電極和背面柵極電極；太陽(yáng)能電池上的邊緣區(qū)域由前至后還加工有邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L31/20GK105990471SQ201510059984
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月4日
【發(fā)明人】鄭付成, 王振華, 黃東海, 謝建, 高云峰
【申請(qǐng)人】大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司