陣列天線裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列天線裝置，具備：直線形狀的供電線路，其設(shè)于基板的第一面；多個(gè)天線元件，其設(shè)于第一面，沿著供電線路以規(guī)定的間隔配置，并與供電線路電磁場性地耦合；導(dǎo)體板，其設(shè)于基板的與第一面不同的第二面，是相對于供電線路及天線元件的地線，多個(gè)天線元件包含：第一天線元件，其具有以第一頻率共振的形狀；第二天線元件，其具有以與第一頻率不同的第二頻率共振的形狀。
【專利說明】
陣列天線裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及一種放射電波的陣列天線裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]作為用于無線通信或無線測位的陣列天線裝置，有例如具有微波傳輸帶結(jié)構(gòu)的陣列天線裝置。
[0003]例如，專利文獻(xiàn)I中公開有一種微波傳輸帶陣列天線裝置，其沿著直線狀的供電線路，具備多個(gè)矩形狀的天線元件。在此，多個(gè)矩形狀的天線元件分別在相對于供電線路傾斜的方向與供電線路連接。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:(日本)專利第3306592號公報(bào)
[0007]—般而言，在陣列天線裝置中，需要抑制放射電波的不必要的輻射(旁瓣sidelobe)。為了抑制旁瓣，對構(gòu)成陣列天線裝置的各天線元件的振幅進(jìn)行加權(quán)，調(diào)整多個(gè)天線元件的振幅分布。例如，多個(gè)天線元件中，使中心附近的天線元件的放射量增大，隨著從中心到端部，使天線元件的放射量變小。例如，為了將旁瓣相對于期望的放射方向的電波抑制在20dB以上，需要將端部一方的天線元件的放射量相對于從全部天線元件放射的放射量整體調(diào)整成I?2%左右較低的放射量。以下，作為相對于從全部天線元件放射的放射量整體的比例，以百分比表示放射量。
[0008]但是，上述專利文獻(xiàn)I的現(xiàn)有技術(shù)中，為了將天線元件的放射量降低至I?2%左右，必須將矩形狀的天線元件的寬度設(shè)為50μπι以下。但是，在通常的基板加工中的圖案蝕刻精度下，難以將天線元件的寬度設(shè)為50μπι以下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的非限定的實(shí)施例提供一種陣列天線裝置，其能通過調(diào)整天線元件的共振頻率來調(diào)整放射量，從而抑制放射電波的旁瓣。
[0010]本發(fā)明一方式的陣列天線裝置具備:直線形狀的供電線路，其設(shè)于基板的第一面；多個(gè)天線元件，其設(shè)于所述第一面，沿著所述供電線路以規(guī)定的間隔配置，并與所述供電線路電磁場性地耦合，所述多個(gè)天線元件包含:第一天線元件，其具有以第一頻率共振的形狀;第二天線元件，其具有以與所述第一頻率不同的第二頻率共振的形狀。
[0011]這些概括的且特定的方式也可以通過系統(tǒng)、裝置及方法的任意組合而實(shí)現(xiàn)。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一方式，通過調(diào)整天線元件的共振頻率，可以調(diào)整放射量并抑制放射電波的旁瓣。
【附圖說明】
[0013]圖1是表示配置多個(gè)通常的陣列天線裝置的結(jié)構(gòu)的一例的圖；
[0014]圖2是表示供電線路和天線元件的間隔、放射量的關(guān)系的圖；
[0015]圖3(A)、(B)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的陣列天線裝置的一例的圖；
[0016]圖4是表示天線元件的半徑和天線元件的共振頻率的關(guān)系的圖；
[0017]圖5是表示天線元件的半徑和天線元件的放射量的關(guān)系的圖；
[0018]圖6(A)、(B)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的陣列天線裝置的另一例的圖；
[0019]圖7是表示天線元件的切口部的寬度和天線元件的共振頻率的關(guān)系的圖；
[0020]圖8是表示天線元件的切口部的寬度和天線元件的放射量的關(guān)系的圖；
[0021]圖9是表示天線元件的寬度和天線元件的共振頻率的關(guān)系的圖；
[0022]圖10是表示天線元件的寬度和天線元件的放射量的關(guān)系的圖；
[0023]圖11(A)、(B)是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的陣列天線裝置的一例的圖；
[0024]圖12(A)、(B)是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的陣列天線裝置的另一例的圖。
[0025]符號說明
[0026]1、1’、7、7’、10、10’ 陣列天線裝置
[0027]2、20 基板
[0028]3,30供電線路
[0029]4導(dǎo)體板
[0030]5a?5n、5，a?5，d、50a?50n、50，a?50，n 天線兀件
[0031]6、60輸入端子
【具體實(shí)施方式】
[0032](完成本發(fā)明的經(jīng)過)
[0033]首先，對完成本發(fā)明的經(jīng)過進(jìn)行說明。
[0034]圖1表示配置多個(gè)通常的陣列天線裝置10的結(jié)構(gòu)的一例。圖1所示的陣列天線裝置10具有供電線路30、多個(gè)天線元件50a?50η及輸入端子60。圖1表示具有與陣列天線裝置10相同結(jié)構(gòu)的陣列天線裝置10’從陣列天線裝置10離開間隔Dp并設(shè)于基板20的一面的例子。
[0035]基板20是例如雙面覆銅基板。供電線路30構(gòu)成形成于基板20的另一面的導(dǎo)體板(未圖示)和微波傳輸帶線路，并通過具有成為規(guī)定的特性阻抗那樣的線路寬度的銅箔圖案等形成。
[0036]各天線元件50a?50η是局部具有切口的環(huán)形狀的元件，沿著供電線路30以一定間隔配置。更詳細(xì)而言，天線元件50a?50η以各天線元件50a?50η的環(huán)形狀的中心沿著供電線路30為一定間隔的方式配置。另外，各天線元件50a?50η具有寬度W。
[0037]另外，天線元件50a?50η分別與供電線路30離開間隔S’而設(shè)置，并與供電線路30電磁場性地親合。供電線路30通過與天線元件50a?50η的電磁場性的親合(電磁親合)，向天線元件50a?50η供給電流。通過調(diào)整各天線元件50a?50η和供電線路30的間隔S’，可控制各天線元件50a?50η的放射量。
[0038]調(diào)整各天線元件50a?50η的環(huán)形狀，使各天線元件50a?50η以期望的頻率共振。例如，在期望的頻率為放射電波的頻率即79GHz的情況下，將各天線元件50a?50η的內(nèi)周側(cè)的半徑Rn設(shè)為約0.48mm。
[0039]圖1所示那樣的陣列天線裝置10通過調(diào)整供電線路30和各天線元件50a?50η的間隔S ’來控制放射量，而得到成為期望的福射圖案(bearn pa11ern)的放射電波。
[0040]圖2是表示供電線路30和各天線元件50a?50η的間隔S’與放射量的關(guān)系的圖。圖2的橫軸表示供電線路30和各天線元件50a?50η的間隔S’，縱軸表示放射量。
[0041 ]如圖2所示，間隔S ’越大，放射量越小，間隔S ’成為0.5mm左右時(shí)，放射量成為2 %以下。
[0042]另一方面，在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，為了抑制由于兩個(gè)陣列天線裝置10及10’的放射電波干擾而產(chǎn)生的柵瓣(grating lobe)，需要將供電線路30和供電線路30’的間隔Dp設(shè)為放射電波的波長的半波長左右。
[0043]例如，在放射電波的頻率為79GHz的的情況下，半波長成為約1.9mm。即，在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，在放射79GHz的頻率的電波的情況下，需要將間隔Dp設(shè)為約1.9mm。
[0044]如上述中說明，在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，在放射79GHz的頻率的電波的情況下，需要將間隔Dp設(shè)為約1.9mm，將天線元件50a?50η的半徑設(shè)為約0.48mm。在該情況下，例如，為了將天線元件50a的放射量抑制在2%以下，若將天線元件50a和供電線路30的間隔S’設(shè)為0.5mm左右，則在天線元件的寬度W為0.1mm的情況下，天線元件50a和陣列天線裝置10’的供電線路30 ’的間隔S”成為0.24mm。即，在該結(jié)構(gòu)中，若將天線元件50a的放射量抑制在2%以下，則與天線元件50a和供電線路30的耦合相比，天線元件50a和供電線路30’的耦合一方變強(qiáng)。
[0045]另一方面，與天線元件50a和供電線路30的親合相比，為了進(jìn)一步抑制天線元件50a和供電線路30’的耦合，若將間隔S’設(shè)為0.3mm以下，則如圖2所示，難以將天線元件的放射量設(shè)為4%以下。
[0046]在此，著眼于以使天線元件的共振頻率偏離期望的頻率的方式設(shè)計(jì)天線元件的形狀，由此，可調(diào)整天線元件的放射量，并完成本發(fā)明。
[0047](實(shí)施方式I)
[0048]以下，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式I。此外，以下說明的各實(shí)施方式為一例，本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式。
[0049]圖3表示本發(fā)明實(shí)施方式I的陣列天線裝置I的一例。圖3(A)是陣列天線裝置I的平面圖，圖3(B)是圖3(A)的(B)-(B)的剖面圖。
[0050]圖3所示的陣列天線裝置I具有:基板2、供電線路3、導(dǎo)體板4、多個(gè)天線元件5a?5n、輸入端子6。
[0051]基板2為例如雙面覆銅基板。供電線路3在基板2的一面通過銅箔圖案等而形成。導(dǎo)體板4形成于基板2中形成有供電線路3的面的相反面上且是相對于供電線路3及天線元件5a?5n的地線。供電線路3和導(dǎo)體板4構(gòu)成微波傳輸帶線路。
[0052]輸入端子6是陣列天線裝置I的供電點(diǎn)。從輸入端子6供電的電流在供電線路3中流過并從供電線路3供給至天線元件5a?5n。
[0053]各天線元件5a?5n沿著供電線路3以一定間隔D配置于形成有供電線路3的基板2的面上。各天線元件5a?5n是在圓環(huán)的一部分具有切口的環(huán)形狀的元件。更詳細(xì)而言，天線元件5a?5n以各天線元件5a?5n的環(huán)形狀的中心沿著供電線路3成一定間隔D的方式配置。
[0054]另外，各天線元件5a?5n的外周長度是天線元件5a?5n的共振頻率的約I個(gè)波長。即，天線元件5a?5n的半徑根據(jù)共振頻率不同而不同。
[0055]各天線元件5a?5n具有切口，該切口具有圓環(huán)的圓周方向的寬度G。切口設(shè)于連結(jié)天線元件的中心和切口的大致中央的直線與供電線路3構(gòu)成的角成為45°的位置。
[0056]此外，各天線元件5a?5η具有的切口位置不限定于此。
[0057]各天線元件5a?5η從供電線路3離開間隔S而設(shè)置，并與供電線路3電磁場性地耦合。供電線路3通過與天線元件5a?5η的電磁場親合，而向天線元件5a?5η供給電流。通過調(diào)整各天線元件5a?5η和供電線路3的間隔S，可控制各天線元件5a?5η的放射量。
[0058]天線元件5a?5η的從各自的中心到內(nèi)周的半徑為Ra?Rn。根據(jù)各天線元件50a?50η的環(huán)形狀的半徑，決定各天線元件共振的頻率。
[0059]本實(shí)施方式中，陣列天線裝置I以使設(shè)于接近輸入端子6的位置的天線元件5a?5d的放射量比設(shè)于遠(yuǎn)離輸入端子6的位置的天線元件5n的放射量更低的方式調(diào)整，而放射抑制了旁瓣的成為期望的輻射圖案的電波。以下，對天線元件5a?5d的放射量的調(diào)整方法進(jìn)行說明。
[0060]天線元件5a?5n中，設(shè)于比天線元件5d更遠(yuǎn)離輸入端子6的位置的天線元件5n(以下，記載為第一天線元件)的形狀以共振頻率成為放射電波的頻率(以下，記載為第一頻率)的方式調(diào)整。另一方面，設(shè)于接近輸入端子6的位置的各天線元件5a?5d(以下，記載為第二天線元件)的形狀以共振頻率成為與第一頻率偏差A(yù)f的頻率(以下，記載為第二頻率)的方式調(diào)整。
[0061 ]具體而言，如圖3所示，使第二天線元件的半徑(即，天線元件5a?5d的半徑Ra?Rd)比第一天線元件的半徑(S卩，天線元件5n的半徑Rn)小。由此，第二頻率比第一頻率高Af(>0)o
[0062]通過該結(jié)構(gòu)，將第二天線元件的放射量調(diào)整成2%以下較低的放射量。以下，以第二天線元件中的天線元件5a為例，對天線元件5a的半徑Ra和放射量的關(guān)系進(jìn)行說明。
[0063]圖4表示天線元件5a的半徑Ra和天線元件5a的共振頻率的關(guān)系。圖4的橫軸表示半徑Ra，縱軸表示共振頻率。如圖4所示，天線元件5a的共振頻率可以通過調(diào)整天線元件5a的半徑Ra而改變。
[0064]圖5表示天線元件5a的半徑Ra和天線元件5a的放射量的關(guān)系。圖5的橫軸與圖4同樣表示半徑Ra，縱軸表示放射量。圖5所示的放射量是，以從輸入端子6供給用于放射79GHz的電波的電流，且最大的放射量成為7.7%左右的方式調(diào)整供電線路3和天線元件5a的間隔S時(shí)的、相對于各半徑的放射量。
[0065]如圖4及圖5所示，可以通過調(diào)整天線元件5a的半徑Ra且改變共振頻率而調(diào)整天線元件5a的放射量。例如，可以如圖5所示將半徑設(shè)為0.45mm以下，由此，得到約2 %以下較低的放射量。
[0066]天線元件5b?5d也與天線元件5a同樣，通過調(diào)整半徑，可以得到較低的放射量。
[0067]如上述中進(jìn)行的說明，通過使第二天線元件的半徑比第一天線元件的半徑小，可以改變第二天線元件的共振頻率而調(diào)整成較低的放射量。通過該結(jié)構(gòu)，圖3所示的陣列天線裝置I可以放射抑制了旁瓣的期望的輻射圖案的電波。
[0068]此外，圖3所示的結(jié)構(gòu)中，天線元件5a?5d為相同的形狀，但天線元件5a?5d也可以為分別不同的共振頻率即不同的半徑。
[0069]另外，即使通過圖4所示那樣將半徑調(diào)整成0.53mm以上，也可以得到約2%以下較低的放射量。以下，對增大第二天線元件的半徑的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0070]圖6表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的陣列天線裝置I’的另一例。圖6(A)是陣列天線裝置I’的平面圖，圖6(B)是圖6(A)的(B)-(B)的剖面圖。
[0071]此外，圖6中，對與圖3共同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注與圖3相同的符號并省略其詳細(xì)的說明。圖6所示的陣列天線裝置I’中，天線元件5’a?5’d與圖3的天線元件5a?5d不同。
[0072]各天線元件5’ a?5 ’ d與圖3所示的天線元件5a?5d同樣，為在圓環(huán)的一部分具有切口的環(huán)形狀，設(shè)置的位置也與天線元件5a?5d同樣。天線元件5 ’ a?5 ’ d的半徑Ra ’?Rd ’與天線兀件5a?5d的半徑Ra?Rd不同。
[0073]各天線元件5’a?5’d是陣列天線裝置I’中的第二天線元件。在圖6所示的結(jié)構(gòu)中，第二天線元件的半徑比第一天線元件的半徑(即，天線元件5n的半徑Rn)大。即，在圖6所示的結(jié)構(gòu)中，第二頻率比第一頻率低Af(>0 )。
[0074]圖6所示的結(jié)構(gòu)中，通過使第二天線元件的半徑比第一天線元件的半徑大，可以改變第二天線元件的共振頻率，調(diào)整成較低的放射量。通過該結(jié)構(gòu)，圖6所示的陣列天線裝置I’可以放射抑制了旁瓣的期望的輻射圖案的電波。
[0075]此外，在上述說明的實(shí)施方式I中，對通過調(diào)整天線元件的半徑改變共振頻率而調(diào)整放射量的情況進(jìn)行了說明。本實(shí)施方式中，即使通過調(diào)整天線元件的半徑以外的尺寸，也可以改變共振頻率，并可以調(diào)整天線元件的放射量。
[0076](變形I)
[0077]圖7表示天線元件的切口的寬度G(圓環(huán)的圓周方向的長度)和天線元件的共振頻率的關(guān)系。圖7的橫軸表示天線元件的切口的寬度G，縱軸表示共振頻率。如圖7所示，天線元件的共振頻率可以通過調(diào)整天線元件的切口的寬度G而改變。
[0078]圖8表示天線元件的切口的寬度G和天線元件的放射量的關(guān)系。圖8的橫軸與圖7同樣，表示天線元件的切口的寬度G，縱軸表示天線元件的放射量。
[0079]如圖7及圖8所示，通過調(diào)整天線元件的切口的寬度G并改變共振頻率，可以調(diào)整天線元件的放射量。因此，代替上述的天線元件的半徑的調(diào)整，通過調(diào)整天線元件的切口的寬度G，也可以得到同樣的效果。另外，通過調(diào)整上述的天線元件的半徑，并且也調(diào)整天線元件的切口的寬度G，均可以提高設(shè)計(jì)自由度。
[0080](變形2)
[0081]圖9表示天線元件的圓環(huán)的半徑方向的寬度W和天線元件的共振頻率的關(guān)系。圖9的橫軸表示固定從天線元件的中心到內(nèi)周的長度(半徑)時(shí)的天線元件的寬度W，縱軸表示天線元件的共振頻率。如圖9所示，天線元件的共振頻率可以通過調(diào)整天線元件的寬度而改變。
[0082]圖10表示天線元件的寬度W和天線元件的放射量的關(guān)系。圖10的橫軸表示與圖9的橫軸同樣的天線元件的寬度W，縱軸表示天線元件的放射量。
[0083]如圖9及圖10所示，通過調(diào)整天線元件的寬度W并改變共振頻率，可以調(diào)整天線元件的放射量。因此，代替上述的天線元件的半徑的調(diào)整或天線元件的切口的寬度G的調(diào)整，通過調(diào)整天線元件的寬度W，也可以得到同樣的效果。另外，通過調(diào)整上述的天線元件的半徑或/及天線元件的切口的寬度G，并且也調(diào)整天線元件的寬度W，均可以提高設(shè)計(jì)自由度。
[0084]以上，在本實(shí)施方式中，通過調(diào)整具有切口的環(huán)形狀的天線元件中的天線元件的半徑、切口的圓周方向的寬度或天線元件的半徑方向的寬度并改變共振頻率，可以調(diào)整放射量而得到較低的放射量。另外，本實(shí)施方式中，也可以調(diào)整天線元件的半徑、天線元件的切口的圓周方向的寬度及天線元件的半徑方向的寬度中的兩項(xiàng)以上。通過組合兩項(xiàng)以上進(jìn)行調(diào)整，提高天線元件的設(shè)計(jì)的自由度。
[0085]另外，本實(shí)施方式中，為了得到2%左右以下較低的放射量，以共振頻率成為與期望的頻率不同的頻率的方式，調(diào)整天線元件的形狀。從調(diào)整了形狀的天線元件放射的電波的放射量較低，因此，從調(diào)整了形狀的天線元件放射的電波對于從陣列天線裝置整體放射的電波的貢獻(xiàn)較小。因此，即使以共振頻率成為與期望的頻率不同的頻率的方式調(diào)整天線元件的形狀，從調(diào)整了形狀的天線元件放射的電波對從陣列天線裝置整體放射的電波的頻率特性造成的影響也較小。
[0086](實(shí)施方式2)
[0087]在實(shí)施方式I中，說明了設(shè)置共振頻率比放射電波的頻率高Af的天線元件或共振頻率比放射電波的頻率低Af的天線元件的任一項(xiàng)的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施方式2中，采用設(shè)置共振頻率比放射電波的頻率高Af的天線元件和低Λ ’ f的天線元件這雙方的結(jié)構(gòu)。
[0088]圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的陣列天線裝置7的結(jié)構(gòu)的一例的圖。圖1l(A)是陣列天線裝置7的平面圖，圖1l(B)是圖1l(A)的(B)-(B)中的剖面圖。
[0089]對與圖3相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注與圖3相同的符號并省略其詳細(xì)的說明。圖11所示的陣列天線裝置7中，設(shè)于接近輸入端子6的位置的4個(gè)天線元件5a、5’b、5c、5’d與圖3及圖6不同。
[0090 ]以下，將比放射電波的頻率(第一頻率)高Af的頻率作為比第二頻率、將比放射電波的頻率(第一頻率)低A’f的頻率作為第三頻率，且將以第二頻率共振的天線元件作為第二天線元件、將以第三頻率共振的天線元件作為第三天線元件進(jìn)行說明。在此，第一頻率為第二頻率及第三頻率之間的頻率，第一頻率和第二頻率的差的絕對值A(chǔ)f可以與第一頻率和第三頻率的差的絕對值Λ，f大致相等。
[0091]即，本實(shí)施方式中，比天線元件5n的半徑Rn小的半徑的天線元件5a及天線元件5c為第二天線元件，比天線元件5n的半徑Rn大的半徑的天線元件5’b及5’d為第三天線元件。
[0092]圖11所示的陣列天線裝置7中，在接近輸入端子6的位置交替地設(shè)置第二天線元件和第三天線元件。
[0093]第二天線元件及第三天線元件的放射量以如實(shí)施方式I中說明那樣變低的方式被調(diào)整。即，圖11所示的陣列天線裝置7與實(shí)施方式I的圖3及圖6所示的陣列天線裝置同樣，可以放射抑制了旁瓣的期望的輻射圖案的電波。
[0094]另外，陣列天線裝置7包含:以比放射電波的頻率(第一頻率)高Af的頻率(第二頻率)共振的第二天線元件和比放射電波的頻率低Λ’f的頻率(第三頻率)共振的第三天線元件。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第二天線元件和第三天線元件的頻率特性相互抵消，因此，可以進(jìn)一步使從第二天線元件和第三天線元件放射的電波對從陣列天線裝置整體放射的電波的頻率特性造成的影響變小。
[0095]此外，圖11所示的陣列天線裝置7中，在接近輸入端子6的位置交替設(shè)置第二天線元件和第三天線元件，但本實(shí)施方式并不限定于此。
[0096]圖12表示本發(fā)明實(shí)施方式2的陣列天線裝置7’的另一例。圖12(A)是陣列天線裝置7’的平面圖，圖12(B)是圖12(A)的(B)-(B)的剖面圖。
[0097]對與圖3相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注與圖3相同的符號并省略其詳細(xì)的說明。圖12所示的陣列天線裝置7’中，設(shè)于接近輸入端子6的位置的4個(gè)天線元件5a、5b、5’c、5’d與圖3及圖6及圖11不同。
[0098]具體而言，在圖11所示的陣列天線裝置7中，在接近輸入端子6的位置交替設(shè)置第二天線元件和第三天線元件。在圖12所示的陣列天線裝置7’中，在接近輸入端子6的位置設(shè)置兩個(gè)第二天線元件(天線元件5a及5b)，在比天線元件5b更遠(yuǎn)離輸入端子6的位置設(shè)置兩個(gè)第三天線元件(天線元件5’c及5’d)。
[0099]圖12所示的陣列天線裝置7’與圖11所示的陣列天線裝置7同樣，可以放射抑制了旁瓣的期望的輻射圖案的電波。另外，陣列天線裝置7’與圖11所示的陣列天線裝置7同樣，可以進(jìn)一步使從第二天線元件和第三天線元件放射的電波對從陣列天線裝置整體放射的電波的頻率特性造成的影響變小。
[0100]此外，本實(shí)施方式中，說明了配置半徑不同的天線元件的情況，但本發(fā)明不限定于此。例如，也可以如實(shí)施方式I的變形I中說明那樣，配置切口的寬度G較大的天線元件和較小的天線元件?；蛞部梢匀鐚?shí)施方式I的變形2中說明那樣，配置天線元件的寬度W較大的天線元件和較小的天線元件。
[0101]另外，在上述說明的各實(shí)施方式中，說明了改變設(shè)于接近輸入端子的位置的4個(gè)天線元件的共振頻率的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不限定于此。對于設(shè)于任意位置的天線元件均可以應(yīng)用本發(fā)明，并調(diào)整天線元件的放射量。
[0102]另外，在上述說明的各實(shí)施方式中，天線元件設(shè)為具有切口的環(huán)形狀，但本發(fā)明不限定于此。只要是可以與供電線路電磁場性地耦合且調(diào)整共振頻率的天線元件，即使是任意形狀的天線元件，均可以應(yīng)用本發(fā)明并調(diào)整天線元件的放射量。
[0103]本發(fā)明的陣列天線裝置可以用于車載用雷達(dá)裝置等。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列天線裝置，具備: 直線形狀的供電線路，其設(shè)于基板的第一面； 多個(gè)天線元件，其設(shè)于所述第一面，沿著所述供電線路以規(guī)定的間隔配置，并與所述供電線路電磁場性地耦合， 所述多個(gè)天線元件包含: 第一天線元件，其具有以第一頻率共振的形狀； 第二天線元件，其具有以與所述第一頻率不同的第二頻率共振的形狀。2.如權(quán)利要求1所述的陣列天線裝置，其中， 所述第一頻率為所述多個(gè)天線元件放射的電波的頻率。3.如權(quán)利要求1所述的陣列天線裝置，其中， 所述第一天線元件及所述第二天線元件分別通過在圓環(huán)的一部分設(shè)置切口而形成， 所述第一天線元件的半徑與所述第二天線元件的半徑不同。4.如權(quán)利要求1所述的陣列天線裝置，其中， 所述第一天線元件及所述第二天線元件分別通過在圓環(huán)的一部分設(shè)置切口而形成， 所述第一天線元件的切口尺寸與所述第二天線元件的切口尺寸不同。5.如權(quán)利要求1所述的陣列天線裝置，其中， 所述第一天線元件及所述第二天線元件分別通過在圓環(huán)的一部分設(shè)置切口而形成， 所述第一天線元件的半徑方向的寬度與所述第二天線元件的半徑方向的寬度不同。6.如權(quán)利要求1所述的陣列天線裝置，其中， 所述第二天線元件設(shè)置于要求從所述多個(gè)天線元件放射的放射量整體的2%以下的放射量的位置。7.如權(quán)利要求1所述的陣列天線裝置，其中， 所述多個(gè)天線元件從接近所述供電點(diǎn)的位置起，按照所述第二天線元件、所述第一天線元件的順序設(shè)置。8.如權(quán)利要求1所述的陣列天線裝置，其中， 所述多個(gè)天線元件還包含第三天線元件，該第三天線元件具有以與所述第一頻率及所述第二頻率不同的第三頻率共振的形狀， 所述第一頻率為所述第二頻率及所述第三頻率之間的頻率， 所述第一頻率和所述第二頻率的差的絕對值與所述第一頻率和所述第三頻率的差的絕對值大致相等。9.如權(quán)利要求8所述的陣列天線裝置，其中， 所述第二天線元件和所述第三天線元件沿著所述供電線路交替設(shè)置。10.如權(quán)利要求8所述的陣列天線裝置，其中， 所述第二天線元件的數(shù)量和所述第三天線元件的數(shù)量相同。
【文檔編號】H01Q21/06GK105896103SQ201510869350
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2015年12月2日
【發(fā)明人】佐藤潤二, 鹽崎亮佑
【申請人】松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社