一種散射層的制備方法、有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種散射層的制備方法、有機(jī)發(fā)光二極管，散射層的制備方法包括在基底上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板；在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料；完成沉積具有第一折射率的材料后，去掉掩膜板，從而在基底上形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)；在若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)之間沉積具有第二折射率值的材料，形成平坦層，其中，所述平坦層用于將若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)平坦化，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，其中第二折射率值大于第一折射率值。本發(fā)明的制備方法具有制備過(guò)程簡(jiǎn)單、成本低，通過(guò)控制突起結(jié)構(gòu)的形狀、數(shù)量等可控因素即可以實(shí)現(xiàn)對(duì)散射層的散射效果的精準(zhǔn)控制等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】
_種散射層的制備方法、有機(jī)發(fā)光二極管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種散射層的制備方法，以及應(yīng)用由該方法制備的散射層的有機(jī)發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(英文全稱:0rganicLight-Emitting D1de，簡(jiǎn)稱:0LED)是一種具有自發(fā)光特性的顯示技術(shù)，其采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。由于OLED具有高對(duì)比度、廣視角、低功耗、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、輕薄柔性等特點(diǎn)，其正在逐步替代薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)，是目前受到最多關(guān)注的技術(shù)之一。
[0003]但是，光在OLED器件中傳播時(shí)，不可避免地會(huì)形成等離子模式、波導(dǎo)模式和襯底模式等多種模式。這些模式都會(huì)導(dǎo)致OLED器件發(fā)出的光不能高效率的耦合到空氣中，即限制了OLED的出光效率。在上述這些模式中，波導(dǎo)模式是限制OLED的出光率的主要阻礙因素。
[0004]為了減少波導(dǎo)模式的產(chǎn)生，通常采用兩種方法:一種方法是利用光子晶體來(lái)減少波導(dǎo)模式，即在ITO表面進(jìn)行離子束刻蝕，形成有序結(jié)構(gòu)，與相鄰的有機(jī)材料層形成二維的光子晶體，但這種方法的制作過(guò)程復(fù)雜、造價(jià)昂貴，或者在ITO和玻璃基底之間，用納米壓印的辦法制作一層光子晶體，，由于不同的光子晶體周期需要制作不同尺度的壓印模板，使得其制造成本大大提高。另一種方法是增加散射層，在ITO和有機(jī)材料之間，利用光刻法制作一層低折射率的S12網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的散射層，其制作出的散射層雖然可以減少波導(dǎo)模式，但制程復(fù)雜、各有機(jī)層呈波浪式堆疊導(dǎo)致的難于控制各自的制程參數(shù);或者在ITO和玻璃基底之間制作一層摻雜不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)和大小的低折射率顆?；驓馀莸纳⑸鋵樱捎陬w粒間差異較大，使得散射的效果很難控制。
[0005]因此，有必要提供一種散射層的制備方法，以及應(yīng)用由該方法制備的散射層的有機(jī)發(fā)光二極管，使得散射層的制備過(guò)程簡(jiǎn)單化、制作成本降低，同時(shí)可以批量生產(chǎn)具有散射效果高度可控的散射層;應(yīng)用本方法制備的散射層的有機(jī)發(fā)光二極管中，因散射層的存在使得原本發(fā)生全反射的光出射，從而減少波導(dǎo)模式的出現(xiàn)，增加OLED的出光率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種散射層的制備方法，以及應(yīng)用由該方法制備的散射層的有機(jī)發(fā)光二極管;本發(fā)明提供的方法解決了現(xiàn)有的減少波導(dǎo)模式產(chǎn)生的方法中所帶來(lái)的制作過(guò)程復(fù)雜、散射效果難以控制以及制作成本高昂等問(wèn)題；同時(shí)，應(yīng)用由該方法制備的散射層的有機(jī)發(fā)光二極管可以大大減少波導(dǎo)模式的產(chǎn)生，增加了有機(jī)發(fā)光二極管的出光率。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供一種散射層的制備方法，其包括:
[0008]在基底上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板；
[0009]在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料；
[0010]完成沉積具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，從而在基底上形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)；[0011 ]在若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)之間沉積具有第二折射率值的材料，形成平坦層，所述平坦層用于將若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)平坦化，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，其中第二折射率值大于第一折射率值。
[0012]在本發(fā)明所述的散射層的制備方法中，在基底上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板的方法包括:
[0013]在基底上采用開(kāi)放式掩膜板，通過(guò)真空蒸鍍或者物理氣相沉積法制備具有與開(kāi)放式掩膜板的圖案相同的鋁膜；
[0014]對(duì)制備出的鋁膜進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化，并洗去氧化生成的氧化鋁，形成具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁膜；
[0015]將具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁膜進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，直至將凹槽下方的鋁全部氧化形成孔洞結(jié)構(gòu)為止。
[0016]在本發(fā)明所述的散射層的制備方法中，在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料的步驟中，采用的沉積方法包括:真空蒸鍍、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積或者脈沖激光沉積。
[0017]在本發(fā)明所述的散射層的制備方法中，所述的突起結(jié)構(gòu)包括:半球型突起結(jié)構(gòu)或者柱狀突起結(jié)構(gòu)。
[0018]在本發(fā)明所述的散射層的制備方法中，具有第一折射率值的材料包括:硅-玻璃鍵合結(jié)構(gòu)材料、二氧化娃和氣凝膠中的一種或者多種。
[0019]在本發(fā)明所述的散射層的制備方法中，具有第二折射率值的材料包括氮化硅、氧化銦錫和砸化鋅中的一種或者多種。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例還提供另外一種散射層的制備方法，其包括:
[0021]在鋁箔上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，并將掩膜板轉(zhuǎn)移至基底上；
[0022]在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料；
[0023]完成沉積具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，從而在基底上形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)；
[0024]在若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)之間沉積具有第二折射率值的材料，形成平坦層，所述平坦層用于將若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)平坦化，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，其中第二折射率值大于第一折射率值。
[0025]在本發(fā)明所述的另外一種散射層的制備方法中，在鋁箔上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板的步驟包括:
[0026]對(duì)鋁箔進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化，直至鋁箔中的鋁不再被氧化，洗去氧化生成的氧化鋁，在鋁箔上形成具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽；
[0027]將具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁箔進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，直至凹槽下方的鋁氧化形成規(guī)則的孔道結(jié)構(gòu)；
[0028]依次洗去具有孔道結(jié)構(gòu)的鋁箔中剩余的鋁和孔道結(jié)構(gòu)底部的氧化鋁，從而形成具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板。
[0029]在本發(fā)明所述的另外一種散射層的制備方法中，所述突起結(jié)構(gòu)包括:半球型突起結(jié)構(gòu)或者柱狀突起結(jié)構(gòu)。
[0030]本發(fā)明又提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，其包括陰極、有機(jī)材料層、ITO陽(yáng)極和基底，所述有機(jī)發(fā)光二極管還包括上述任意一種方法制備的散射層，所述散射層置于ITO陽(yáng)極與基底之間;或者所述散射層置于所述陰極的一側(cè)上。
[0031]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的一種散射層的制備方法，通過(guò)在基底上直接制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板或者在鋁箔上先制備該掩膜板，再將該掩膜板轉(zhuǎn)移至基底上，然后在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料，形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)，再用具有第二折射率值的材料將突起結(jié)構(gòu)平坦化，形成平坦層，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，該方法制備散射層的過(guò)程簡(jiǎn)單，成本低，通過(guò)控制突起結(jié)構(gòu)的形狀、數(shù)量等可控因素，即可以實(shí)現(xiàn)對(duì)散射層的散射效果的精準(zhǔn)控制，同時(shí)，采用該方法可以批量的生產(chǎn)具有相同內(nèi)部結(jié)構(gòu)的散射層，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，因散射層內(nèi)部結(jié)構(gòu)隨機(jī)而導(dǎo)致制備出的每個(gè)散射層的散射效果不同的問(wèn)題；另外，也可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求來(lái)制作具有不同內(nèi)部結(jié)構(gòu)的散射層，從而獲得不同散射效果。
[0032]同時(shí)，本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管，其應(yīng)用了本發(fā)明提供的散射層制備方法制備出的散射層，通過(guò)將該散射層設(shè)置在ITO陽(yáng)極與基底之間，或者置于所述陰極的一側(cè)上，可以大大減少光在有機(jī)發(fā)光二極管中傳播時(shí)產(chǎn)生的波導(dǎo)模式，將原本在波導(dǎo)模式中的光透射出去，從而增加了有機(jī)發(fā)光二極管的出光率。
【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1為本發(fā)明的一種散射層的制備方法的第一優(yōu)選實(shí)施例的流程圖；
[0034]圖2為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，掩膜板的制備方法的流程圖；
[0035]圖3為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，開(kāi)放式掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖4為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的子鋁膜的截面示意圖；
[0037]圖5a為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，子掩膜板的俯視不意圖；
[0038]圖5b為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，子掩膜板中孔洞結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖；
[0039]圖6為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，在子掩膜板對(duì)應(yīng)的基底上形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0040]圖7為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，在基底上制備出的散射層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041 ]圖8為本發(fā)明的一種散射層的制備方法的第二優(yōu)選實(shí)施例的流程圖；
[0042]圖9為本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例中，掩膜板的制備方法的流程圖；
[0043]圖10為本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例中，鋁箔表面形成的若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的截面示意圖；
[0044]圖11為本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例中，在鋁箔上形成的孔道結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖；
[0045]圖12為現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管中產(chǎn)生波導(dǎo)模式的光路圖；
[0046]圖13為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管中散射層的光路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0047]請(qǐng)參照?qǐng)D式，其中相同的組件符號(hào)代表相同的組件。以下的說(shuō)明是基于所例示的本發(fā)明具體實(shí)施例，其不應(yīng)被視為限制本發(fā)明未在此詳述的其它具體實(shí)施例。
[0048]請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為本發(fā)明的一種散射層的制備方法的第一優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。該制備方法包括:
[0049]步驟SlOl、在基底上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板；
[0050]步驟S102、在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料；
[0051]步驟S103、完成沉積具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，從而在基底上形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)；
[0052]步驟S104、在若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)之間沉積具有第二折射率值的材料，形成平坦層，所述平坦層用于將若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)平坦化，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，其中第二折射率值大于第一折射率值。
[0053]下面詳細(xì)說(shuō)明本優(yōu)選實(shí)施例中散射層的制備方法的各步驟的具體過(guò)程。
[0054]在步驟SlOl中，在基底上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，具體制備掩膜板的方法請(qǐng)參見(jiàn)圖2，圖2為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例中，掩膜板的制備方法的流程圖。
[0055]該制備掩膜板的方法包括:
[0056]步驟S201、在基底上采用開(kāi)放式掩膜板，通過(guò)真空蒸鍍或者物理氣相沉積法制備具有與開(kāi)放式掩膜板的圖案相同的鋁膜；
[0057]步驟S202、對(duì)制備出的鋁膜進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化，并洗去氧化生成的氧化鋁，形成具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁膜；
[0058]步驟S203、將具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁膜進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，直至將凹槽下方的鋁全部氧化形成孔洞結(jié)構(gòu)為止。
[0059]在步驟S201中，采用的開(kāi)放式掩膜板的結(jié)構(gòu)如圖3所示，圖3為本優(yōu)選實(shí)施例中開(kāi)放式掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖，開(kāi)放式掩膜板30包括遮擋部31和開(kāi)口部32，將開(kāi)放式掩膜板30放置在基底上，采用真空蒸鍍或者物理氣相沉積法將金屬鋁通過(guò)開(kāi)口部32沉積在基底上，而遮擋部31遮擋的基底上將不會(huì)有金屬鋁沉積，從而在基底上形成與開(kāi)放式掩膜板30具有相同圖案的鋁膜，該鋁膜包括多個(gè)相互獨(dú)立的子鋁膜，在本優(yōu)選實(shí)施例中，子鋁膜的個(gè)數(shù)與開(kāi)口部32的開(kāi)口個(gè)數(shù)相同，即子鋁膜的個(gè)數(shù)為9個(gè)。
[0060]在基底上沉積鋁膜時(shí)，可以將鋁膜的厚度控制在2至10微米之間，在其他的實(shí)施例中，鋁膜的厚度可以小于2微米或者大于10微米。在本優(yōu)選實(shí)施例中，圖3所示的開(kāi)放式掩膜板的結(jié)構(gòu)僅僅起到示范說(shuō)明的作用，不能用于限制本發(fā)明，在其他的實(shí)施例中，也可以采用具有其他圖案的開(kāi)放式掩膜板，在此不做具體的限定。
[0061]在大面積成膜時(shí)，為了消除相鄰層間的應(yīng)力差，可以在步驟S201之后對(duì)鋁膜進(jìn)行退火處理，由于退火過(guò)程屬于現(xiàn)有技術(shù)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)公知常識(shí)即可完成對(duì)鋁膜進(jìn)行退火處理，在此不對(duì)退火過(guò)程做具體詳述。
[0062]在步驟S202中，采用草酸溶液對(duì)鋁膜進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化，金屬鋁的表面被迅速氧化出一層氧化鋁，此時(shí)鋁膜將由未氧化的金屬鋁層和氧化生成的氧化鋁層兩部分構(gòu)成，由于氧化鋁層的表面凹凸不平，導(dǎo)致凹下去的地方電流大，草酸溶液對(duì)其氧化速度大，而凸出的地方電流小，草酸溶液對(duì)其氧化的速度小，從而出現(xiàn)凹下去的地方將不斷的進(jìn)行橫向和縱向的擴(kuò)張，從而形成凹槽，而凸出的地方將形成凹槽的側(cè)壁，通過(guò)控制第一次陽(yáng)極氧化的時(shí)間，可以得到具有凹槽的鋁膜，其中，該凹槽的下半部分延伸至未氧化的金屬鋁層中，且呈現(xiàn)規(guī)則的六方密堆積結(jié)構(gòu)，而凹槽的上半部分處于新生成的氧化鋁層中。需要說(shuō)明的是，上述的橫向和縱向分別指平行于鋁膜表面和垂直于鋁膜表面的方向。
[0063]采用氫氧化鈉溶液將生成的氧化鋁洗去，從而形成具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁膜，如圖4所示，圖4為本優(yōu)選實(shí)施例中，形成的具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的子鋁膜的截面示意圖，在基底41表面上的子鋁膜42中，出現(xiàn)了若干個(gè)凹槽43，且凹槽43呈六方密堆積結(jié)構(gòu)，可以理解的是，在整個(gè)基板41上，會(huì)有9個(gè)如圖4所示的具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的子鋁膜。
[0064]在每個(gè)子鋁膜上形成的六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的數(shù)量很多，可能會(huì)有成千上萬(wàn)個(gè)凹槽，在宏觀上無(wú)法分辨出凹槽，但在微觀上，這些大量的凹槽將呈現(xiàn)局部有序排列，比如在10個(gè)凹槽這樣的范圍內(nèi)，凹槽將呈現(xiàn)規(guī)則排列。
[0065]在步驟S203中，采用草酸溶液對(duì)具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁膜進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，由于金屬鋁本身的氧化機(jī)制，導(dǎo)致凹槽下方的金屬鋁的氧化速度比其他地方的鋁氧化速度快，因此凹槽下方的鋁將不斷被氧化成氧化鋁，并且生成的氧化鋁將向凹槽的四周進(jìn)行擴(kuò)散，從而將凹槽下方的鋁全部氧化后，形成一個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)，此時(shí)完成了在基底上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板的過(guò)程，且該孔洞結(jié)構(gòu)具有六方密堆積結(jié)構(gòu)。根據(jù)前面的敘述，可以很容易理解的是，在本優(yōu)選實(shí)施例中，掩膜板將包括9個(gè)子掩膜板，且每個(gè)子掩膜板都與一個(gè)子招膜相對(duì)應(yīng)。
[0066]請(qǐng)參見(jiàn)圖5a和圖5b，圖5a為本優(yōu)選實(shí)施例中，子掩膜板的俯視示意圖，圖5b為本優(yōu)選實(shí)施例中，子掩膜板中孔洞結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。從圖5a中可以看出，子掩膜板上出現(xiàn)了若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)51，孔洞結(jié)構(gòu)51的四周為氧化鋁52。
[0067]對(duì)于本優(yōu)選實(shí)施例，在制備掩膜板的過(guò)程中，對(duì)鋁膜進(jìn)行了兩次陽(yáng)極氧化來(lái)形成具有孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，在其他的實(shí)施例中，也可以采用一次陽(yáng)極氧化、三次陽(yáng)極氧化或者更多次陽(yáng)極氧化來(lái)形成具有孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，在此不做具體的限定。
[0068]在本優(yōu)選實(shí)施例中，步驟SlOI中的基底可以為玻璃基底，當(dāng)然在其他的實(shí)施例中，也可以為其他材料的基底，在此不做具體限定。
[0069]在步驟S102中，采用化學(xué)氣相沉積法在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料。在其他的實(shí)施例中，沉積具有第一折射率值的材料的沉積方法還可以為真空蒸鍍、物理氣相沉積法或者脈沖激光沉積法等其他方法，在此不做具體的限定。
[0070]在本優(yōu)選實(shí)施例中，第一折射率值需小于等于1.5，優(yōu)選地，具有第一折射率值的材料為二氧化硅，在其他的實(shí)施例中，該材料也可以為硅-玻璃鍵合結(jié)構(gòu)或者氣凝膠，也可以為上述材料的幾種組合，在此不做具體限制。
[0071]在步驟S103中，在沉積完二氧化硅材料后，采用氫氧化鈉溶液洗去掩膜板，去掉掩膜板后，在基底41上就會(huì)出現(xiàn)若干個(gè)二氧化硅突起結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參見(jiàn)圖6，圖6為本優(yōu)選實(shí)施例中，在子掩膜板對(duì)應(yīng)的基底上形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)的示意圖，在本實(shí)施例中，由于在步驟S102中設(shè)置沉積的二氧化硅的量較多，使得本優(yōu)選實(shí)施例中的突起結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)為柱狀結(jié)構(gòu)，如圖6中的二氧化硅突起結(jié)構(gòu)61所示。在其他的實(shí)施例中，可以通過(guò)減少沉積的二氧化硅的量，從而在基底41上形成半球型突起結(jié)構(gòu)，對(duì)于制備半球型突起結(jié)構(gòu)的具體操作過(guò)程，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容以及公知常識(shí)，可以很容易地制作出來(lái)，在此不做具體詳述。
[0072]在步驟S104中，采用化學(xué)氣相沉積法在若干個(gè)二氧化硅突起結(jié)構(gòu)61之間沉積具有第二折射率值的材料，形成平坦層，其中，第二折射率值大于第一折射率值。在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二折射率值大于等于1.8，具有第二折射率值的材料可以優(yōu)選為氧化銦錫。通過(guò)沉積氧化銦錫平坦層將若干個(gè)二氧化硅突起結(jié)構(gòu)61平坦化，從而在基底上形成由二氧化硅突起結(jié)構(gòu)和氧化銦錫平坦層組成的散射層。如圖7所示，圖7為本優(yōu)選實(shí)施例中，在基底上制備出的散射層的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，散射層包括二氧化硅突起結(jié)構(gòu)61和氧化銦錫平坦層71。
[0073]在本優(yōu)選實(shí)施例中，由于采用有機(jī)發(fā)光二極管的電極材料，即氧化銦錫作為平坦層71的材料，使得該散射層既具備了散射光線的作用，又可以用來(lái)充當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管的電極，從而降低制作有機(jī)發(fā)光二極管的成本。當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，平坦層71的材料也可以為砸化鋅或者氮化硅，也可以為上述幾種材料的組合，在此不做具體限定。
[0074]本優(yōu)選實(shí)施例提供的散射層的制備方法，通過(guò)在基底上直接制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，然后在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料，再用具有第二折射率值的材料將突起結(jié)構(gòu)平坦化，形成平坦層，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，該方法制備散射層的過(guò)程簡(jiǎn)單，成本低，通過(guò)控制突起結(jié)構(gòu)的形狀、數(shù)量等可控因素，即可以實(shí)現(xiàn)對(duì)散射層的散射效果的精準(zhǔn)控制，同時(shí)，采用該方法可以批量的生產(chǎn)具有相同內(nèi)部結(jié)構(gòu)的散射層，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，因散射層內(nèi)部結(jié)構(gòu)隨機(jī)而導(dǎo)致制備出的每個(gè)散射層的散射效果不同的問(wèn)題；另外，也可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求來(lái)制作不同有序的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的散射層，從而獲得不同的散射效果。
[0075]請(qǐng)參照?qǐng)D8，圖8為本發(fā)明的一種散射層的制備方法的第二優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。本優(yōu)選實(shí)施例的散射層的制備方法包括:
[0076]步驟S801、在鋁箔上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，并將掩膜板轉(zhuǎn)移至基底上；
[0077]步驟S802、在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料；
[0078]步驟S803、完成沉積具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，從而在基底上形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)；
[0079]步驟S804、在若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)之間沉積具有第二折射率值的材料，形成平坦層，所述平坦層用于將若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)平坦化，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，其中第二折射率值大于第一折射率值。
[0080]下面將詳細(xì)地描述本優(yōu)選實(shí)施例中散射層的制備方法的具體過(guò)程。
[0081]在步驟S801中，采用厚度為2mm的鋁箔作為制作具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板的材料。在本步驟中，具體制作掩摸板的方法如圖9所示，圖9為本優(yōu)選實(shí)施例中，掩膜板的制備方法的流程圖。
[0082]掩摸板的具體制備過(guò)程包括:
[0083]步驟S901、對(duì)鋁箔進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化，直至鋁箔中的鋁不再被氧化，洗去氧化生成的氧化鋁，在鋁箔上形成具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽；
[0084]步驟S902、將具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁箔進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，直至凹槽下方的鋁氧化形成規(guī)則的孔道結(jié)構(gòu)；
[0085]步驟S903、依次洗去具有孔道結(jié)構(gòu)的鋁箔中剩余的鋁和孔道結(jié)構(gòu)底部的氧化鋁，從而形成具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板。
[0086]在步驟S901中，采用草酸溶液對(duì)鋁箔進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化過(guò)程中，金屬鋁的表面被迅速氧化出一層氧化鋁，此時(shí)鋁膜將由未氧化的金屬鋁層和氧化生成的氧化鋁層兩部分構(gòu)成，由于氧化鋁層的表面凹凸不平，導(dǎo)致凹下去的地方電流大，草酸溶液對(duì)其氧化速度大，而凸出的地方電流小，草酸溶液對(duì)其氧化的速度小，從而出現(xiàn)凹下去的地方將不斷的進(jìn)行橫向和縱向的擴(kuò)張，從而形成凹槽，而凸出的地方將形成凹槽的側(cè)壁，通過(guò)控制第一次陽(yáng)極氧化的時(shí)間，可以得到具有凹槽的鋁膜，其中，該凹槽的下半部分延伸至未氧化的金屬鋁層中，且呈現(xiàn)規(guī)則的六方密堆積結(jié)構(gòu)，而凹槽的上半部分處于新生成的氧化鋁層中。需要說(shuō)明的是，上述的橫向和縱向分別指平行于鋁膜表面和垂直于鋁膜表面的方向。
[0087]隨著金屬鋁逐漸被氧化成氧化鋁，生成的氧化鋁將在金屬鋁箔表面形成較厚的保護(hù)膜，從而阻止內(nèi)部的金屬鋁進(jìn)一步地被草酸溶液氧化，這樣就使得金屬鋁被氧化到一定程度后，將停止氧化，此過(guò)程為金屬鋁箔的完全氧化過(guò)程。
[0088]完成金屬鋁箔的完全氧化過(guò)程后，采用氫氧化鈉溶液將生成的氧化鋁洗掉，從而形成具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁箔，如圖10所示，圖10為本優(yōu)選實(shí)施例中，鋁箔表面形成的若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的截面示意圖，從圖中可以看出，在鋁箔1001表面形成了一系列的凹槽1002，且凹槽1002呈六方密堆積結(jié)構(gòu)。形成若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的原理在本說(shuō)明書(shū)前面部分已經(jīng)介紹，在此不做贅述。
[0089]在步驟S902中，采用草酸溶液對(duì)具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁箔1001進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，由于金屬鋁本身的氧化機(jī)制，導(dǎo)致凹槽下方的金屬鋁的氧化速度比其他地方的鋁氧化速度快，因此凹槽下方的金屬鋁將不斷被氧化成氧化鋁，并且生成的氧化鋁將向凹槽的四周進(jìn)行擴(kuò)散，直至將凹槽下方的鋁氧化形成規(guī)則的孔道結(jié)構(gòu)為止，如圖11所示，圖11為本優(yōu)選實(shí)施例中，在鋁箔上形成的孔道結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖，此時(shí)鋁箔包括三部分，一部分是剩余的金屬鋁箔1001，一部分是氧化形成的氧化鋁1101，還有一部分是孔道結(jié)構(gòu)1102，可以理解的是，在孔道結(jié)構(gòu)1102的底部為氧化鋁，其中孔道結(jié)構(gòu)1102的底部為孔道結(jié)構(gòu)1102與金屬鋁箔1001相接觸的地方。
[0090]在步驟S903中，采用氯化銅溶液將剩余的金屬鋁箔1001洗掉，再用磷酸溶液將孔道結(jié)構(gòu)1102的底部的氧化鋁洗去，從而使得孔道結(jié)構(gòu)1102成為通透的孔洞結(jié)構(gòu)，即形成了具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板。
[0091]對(duì)于本優(yōu)選實(shí)施例，在制備掩膜板的過(guò)程中，對(duì)鋁箔進(jìn)行了兩次陽(yáng)極氧化來(lái)形成具有孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，在其他的實(shí)施例中，也可以采用一次陽(yáng)極氧化、三次陽(yáng)極氧化或者更多次陽(yáng)極氧化來(lái)形成具有孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，在此不做具體的限定。
[0092]將制備好的掩膜板轉(zhuǎn)移至基底上，在本優(yōu)選實(shí)施例中，基底可以為玻璃基底，或者是制作有機(jī)發(fā)光二極管的陰極電極材料，若基底為玻璃基底，則可以將由本優(yōu)選實(shí)施例中的方法制備的散射層用于有機(jī)發(fā)光二極管的底發(fā)射器件中；若基底為制作有機(jī)發(fā)光二極管的陰極電極材料時(shí)，例如金屬薄膜上，則可以將由本優(yōu)選實(shí)施例中的方法制備的散射層用于有機(jī)發(fā)光二極管的頂發(fā)射器件中。當(dāng)然基底不限于上述兩種，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的情況來(lái)選擇基底的種類，在此不做具體限定。
[0093]在步驟S802中，將掩膜板轉(zhuǎn)移至基底上后，采用化學(xué)氣相沉積法在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料。在其他的實(shí)施例中，沉積具有第一折射率值的材料的沉積方法還可以為真空蒸鍍、物理氣相沉積法或者脈沖激光沉積法等其他方法，在此不做具體的限定。
[0094]在本優(yōu)選實(shí)施例中，第一折射率值需小于等于1.5，優(yōu)選地，具有第一折射率值的材料為二氧化硅，在其他的實(shí)施例中，該材料也可以為硅-玻璃鍵合結(jié)構(gòu)或者氣凝膠，也可以為上述材料的幾種組合，在此不做具體限制。
[0095]在步驟S803中，在沉積完二氧化硅材料后，采用氫氧化鈉溶液洗去掩膜板，去掉掩膜板后，在基底上就會(huì)出現(xiàn)若干個(gè)二氧化硅突起結(jié)構(gòu)，具體結(jié)構(gòu)請(qǐng)參見(jiàn)圖6所示，由于在步驟S802中設(shè)置沉積的二氧化硅的量較多，使得本優(yōu)選實(shí)施例中的突起結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)為柱狀結(jié)構(gòu)。在其他的實(shí)施例中，可以減少沉積的二氧化硅的量，從而在基底上形成半球型突起結(jié)構(gòu)，對(duì)于制備半球型突起結(jié)構(gòu)的具體操作過(guò)程，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容以及公知常識(shí)，可以很容易地制作出來(lái)，在此不做具體詳述。
[0096]在步驟S804中，采用化學(xué)氣相沉積法在若干個(gè)二氧化硅突起結(jié)構(gòu)之間沉積具有第二折射率值的材料，形成平坦層，其中，第二折射率值大于第一折射率值。在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二折射率值大于等于1.8，具有第二折射率值的材料可以優(yōu)選為氧化銦錫。通過(guò)沉積氧化銦錫平坦層將若干個(gè)二氧化硅突起結(jié)構(gòu)平坦化，從而在基底上形成由二氧化硅突起結(jié)構(gòu)和氧化銦錫平坦層組成的散射層。
[0097]在本優(yōu)選實(shí)施例中，由于采用有機(jī)發(fā)光二極管的電極材料，即氧化銦錫作為平坦層的材料，使得該散射層既具備了散射光線的作用，又可以用來(lái)充當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管的電極，從而降低制作有機(jī)發(fā)光二極管的成本。當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，平坦層的材料也可以為砸化鋅或者氮化硅，也可以為上述幾種材料的組合，在此不做具體限定。
[0098]本優(yōu)選實(shí)施例提供的散射層的制備方法，通過(guò)在鋁箔上先制備具有孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，再將該掩膜板轉(zhuǎn)移至基底上，然后在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料，再用具有第二折射率值的材料將突起結(jié)構(gòu)平坦化，形成平坦層，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，該方法制備散射層的過(guò)程簡(jiǎn)單，成本低，同時(shí)，通過(guò)控制突起結(jié)構(gòu)的形狀、數(shù)量等可控因素即可以實(shí)現(xiàn)對(duì)散射層的散射效果的精準(zhǔn)控制，另外，也可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求來(lái)制作不同內(nèi)部結(jié)構(gòu)的散射層，從而獲得具有不同散射效果。
[0099]本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，對(duì)于底發(fā)射的有機(jī)發(fā)光二極管而言，有機(jī)發(fā)光二極管從上至下依次包括陰極、有機(jī)材料層、ITO陽(yáng)極、散射層和基底，而對(duì)于頂發(fā)射的有機(jī)發(fā)光二極管而言，有機(jī)發(fā)光二極管從上至下依次包括散射層、陰極、有機(jī)材料層、ITO陽(yáng)極和基底，其中，從上至下的方向只是用來(lái)描述各種部件之間的層疊位置先后關(guān)系。
[0100]本優(yōu)選實(shí)施例中，將針對(duì)底發(fā)射的有機(jī)發(fā)光二極管進(jìn)行詳細(xì)的解釋說(shuō)明，其中，有機(jī)發(fā)光二極管所采用的散射層是通過(guò)本發(fā)明的散射層的制備方法的第一優(yōu)選實(shí)施例中的方法制備出來(lái)的。
[0101]有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光原理以及發(fā)光的過(guò)程屬于現(xiàn)有的技術(shù)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)公知常識(shí)就可以了解到該項(xiàng)技術(shù)，為了說(shuō)明書(shū)的簡(jiǎn)潔性，在此將不再對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光原理以及發(fā)光過(guò)程進(jìn)行敘述。
[0102]下面將詳細(xì)地說(shuō)明，在有機(jī)發(fā)光二極管中的ITO陽(yáng)極與基底之間設(shè)置散射層后，如何實(shí)現(xiàn)減少波導(dǎo)模式，進(jìn)而提高有機(jī)發(fā)光二極管的出光率的。
[0103]本優(yōu)選實(shí)施例中的散射層包括有序的具有第一折射率值的突起結(jié)構(gòu)和具有第二折射率值的平坦層，其中第一折射率值的突起結(jié)構(gòu)的材料為二氧化硅，具有第二折射率值的平坦層材料為氧化銀錫，可以理解的是，在本優(yōu)選實(shí)施例中的散射層采用了有機(jī)發(fā)光二極管的電極材料，即氧化銦錫材料，使得散射層與ITO陽(yáng)極電極融合為一體，這樣做可以降低制作有機(jī)發(fā)光二極管的成本，同時(shí)可以減少有機(jī)發(fā)光二極管的內(nèi)部層數(shù)，從而降低有機(jī)發(fā)光二極管的厚度。
[0104]請(qǐng)參見(jiàn)圖12，圖12為現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管中產(chǎn)生波導(dǎo)模式的光路圖。對(duì)于現(xiàn)有的底發(fā)射的有機(jī)發(fā)光二極管而言，ITO陽(yáng)極1201與玻璃基底1202直接接觸，當(dāng)來(lái)自有機(jī)材料層發(fā)出的光入射到ITO陽(yáng)極1201后，由于ITO陽(yáng)極1201的折射率要比玻璃基底1202的折射率值大，使得一部分光將在ITO陽(yáng)極1201與玻璃基底1202的交界面處發(fā)生全反射現(xiàn)象，可以參照?qǐng)D12中的B光線的光路圖，B光線將會(huì)在ITO陽(yáng)極1201中進(jìn)行來(lái)回的全反射過(guò)程，使得B光線無(wú)法從ITO陽(yáng)極1201中出射，對(duì)于B光線的這種情況我們稱之為波導(dǎo)模式，S卩ITO陽(yáng)極1201對(duì)于B光線而言相當(dāng)于一個(gè)波導(dǎo)器件，使得B光線在ITO陽(yáng)極1201中來(lái)回的全反射傳輸。而對(duì)于A光線而言，由于A光線的入射角小于ITO陽(yáng)極1201與玻璃基底1202的全反射臨界角，所以A光線將發(fā)生折射現(xiàn)象，從ITO陽(yáng)極1201折射到玻璃基底1202中，從而從有機(jī)發(fā)光二極管的玻璃基底1202中出射?，F(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管中由于部分光線發(fā)生全反射而無(wú)法出射，使得其出光率大大降低。
[0105]而在本優(yōu)選實(shí)施例中，將在ITO陽(yáng)極與玻璃基底之間設(shè)置了散射層，優(yōu)選地，將ITO陽(yáng)極與散射層合為一體，即在制作散射層時(shí)采用ITO材料作為平坦層。請(qǐng)參見(jiàn)圖13，圖13為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管中散射層的光路圖。
[0106]當(dāng)來(lái)自有機(jī)材料層發(fā)出的光入射到散射層1301后，由于散射層1301的折射率要比玻璃基底1302的折射率值大，使得一部分光將在散射層1301與玻璃基底1302的交界面處發(fā)生全反射現(xiàn)象，如圖中的B光線所示，當(dāng)B光線在散射層1301內(nèi)發(fā)生兩次全反射后，B光線將入射到散射層1301中的二氧化硅突起結(jié)構(gòu)的側(cè)面上，由于二氧化硅突起結(jié)構(gòu)的折射率值小于氧化銦錫，且B光線入射到二氧化硅突起結(jié)構(gòu)上的入射角小于全反射的臨界角，因此B光線將在二氧化硅突起結(jié)構(gòu)的表面發(fā)生折射現(xiàn)象，即改變了B光線的傳播方向，進(jìn)而使得B光線可以從玻璃基底1302中出射，從而減少了有機(jī)發(fā)光二極管中波導(dǎo)模式的產(chǎn)生，因此，本優(yōu)選實(shí)施例中的有機(jī)發(fā)光二極管的出光率比現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管的出光率要高。
[0107]對(duì)于頂發(fā)射的有機(jī)發(fā)光二極管中采用散射層實(shí)現(xiàn)減少波導(dǎo)模式的原理與底發(fā)射的情況相同，在本優(yōu)選實(shí)施例中將不在贅述。
[0108]綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種散射層的制備方法，其特征在于，所述方法包括: 在基底上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板； 在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料； 完成沉積具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，從而在基底上形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)； 在若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)之間沉積具有第二折射率值的材料，形成平坦層，所述平坦層用于將若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)平坦化，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，其中第二折射率值大于第一折射率值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散射層的制備方法，其特征在于，在基底上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板的方法包括: 在基底上采用開(kāi)放式掩膜板，通過(guò)真空蒸鍍或者物理氣相沉積法制備具有與開(kāi)放式掩膜板的圖案相同的鋁膜； 對(duì)制備出的鋁膜進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化，并洗去氧化生成的氧化鋁，形成具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁膜； 將具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁膜進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，直至將凹槽下方的鋁全部氧化形成孔洞結(jié)構(gòu)為止。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散射層的制備方法，其特征在于，在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料的步驟中，采用的沉積方法包括:真空蒸鍍、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積或者脈沖激光沉積。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散射層的制備方法，其特征在于，所述的突起結(jié)構(gòu)包括:半球型突起結(jié)構(gòu)或者柱狀突起結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散射層的制備方法，其特征在于，具有第一折射率值的材料包括:娃-玻璃鍵合結(jié)構(gòu)材料、二氧化娃和氣凝膠中的一種或多種。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散射層的制備方法，其特征在于，具有第二折射率值的材料包括氮化硅、氧化銦錫和砸化鋅中的一種或多種。7.一種散射層的制備方法，其特征在于，所述方法包括: 在鋁箔上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板，并將掩膜板轉(zhuǎn)移至基底上； 在掩膜板的孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積具有第一折射率值的材料； 完成沉積具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，從而在基底上形成若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)； 在若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)之間沉積具有第二折射率值的材料，形成平坦層，所述平坦層用于將若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)平坦化，從而在基底上制備出由若干個(gè)突起結(jié)構(gòu)和平坦層組成的散射層，其中第二折射率值大于第一折射率值。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的散射層的制備方法，其特征在于，在鋁箔上制備具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板的步驟包括: 對(duì)鋁箔進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化，直至鋁箔中的鋁不再被氧化，洗去氧化生成的氧化鋁，在鋁箔上形成具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽； 將具有若干個(gè)六方密堆積結(jié)構(gòu)的凹槽的鋁箔進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，直至凹槽下方的鋁氧化形成規(guī)則的孔道結(jié)構(gòu)； 依次洗去具有孔道結(jié)構(gòu)的鋁箔中剩余的鋁和孔道結(jié)構(gòu)底部的氧化鋁，從而形成具有若干個(gè)孔洞結(jié)構(gòu)的掩膜板。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的散射層的制備方法，其特征在于，所述突起結(jié)構(gòu)包括:半球型突起結(jié)構(gòu)或者柱狀突起結(jié)構(gòu)。10.—種有機(jī)發(fā)光二極管，包括陰極、有機(jī)材料層、ITO陽(yáng)極和基底，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管還包括權(quán)利要求1至權(quán)利要求9中任意一種方法制備的散射層，所述散射層置于ITO陽(yáng)極與基底之間；或者所述散射層置于所述陰極的一側(cè)上。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK105870358SQ201610216452
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年4月8日
【發(fā)明人】武志勇, 徐亮
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司