一種薄膜晶體管、陣列基板及制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、陣列基板及制作方法。其中，薄膜晶體管包括柵極和半導(dǎo)體層；所述半導(dǎo)體層包括：非晶硅圖形和多晶硅圖形；所述非晶硅圖形的一部分嵌入但不貫通所述多晶硅圖形，且位于所述多晶硅圖形遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)。本發(fā)明的非晶硅圖形一部分內(nèi)嵌式在多晶硅圖形，相比于現(xiàn)有的多晶硅/非晶硅的雙層結(jié)構(gòu)，可以繼承非晶硅圖形與多晶硅圖形各自的優(yōu)點，但缺點不再彼此作用。此外，非晶硅圖形內(nèi)嵌式在多晶硅圖形的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可以降低非晶硅圖形與多晶硅圖形的接觸面積，從而減少界面態(tài)缺陷。
【專利說明】
一種薄膜晶體管、陣列基板及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種薄膜晶體管、陣列基板及制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，對薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的電子迀移率要求越來越高，傳統(tǒng)的只由非晶硅材料制成的半導(dǎo)體層，在電子迀移率上已不能滿足性能需求(半導(dǎo)體層的電子迀移率偏低會導(dǎo)致薄膜晶體管的開態(tài)電流1ff也隨之偏低)。而目前的解決方法是，使用多晶硅/非晶硅的雙層結(jié)構(gòu)的作為半導(dǎo)體層，其中，多晶硅層在開態(tài)下具有足夠高的電子迀移率，以彌補(bǔ)非晶硅層的不足。
[0003]但是多晶硅層會增大薄膜晶體管的漏電流，導(dǎo)致了薄膜晶體管的關(guān)態(tài)電流1ff也會隨之變高。現(xiàn)有技術(shù)的雙層結(jié)構(gòu)會將非晶硅層的低電子迀移率以及多晶硅層的高漏電流的問題彼此作用，使得薄膜晶體管不一定能夠在提升1n開態(tài)電流的同時，降低1ff關(guān)態(tài)電流。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的是提升薄膜晶體管的開態(tài)電流1n，同時又能降低薄膜晶體管的關(guān)態(tài)電流1ff。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管，包括柵極和半導(dǎo)體層，其中所述半導(dǎo)體層包括:
[0006]非晶硅圖形和多晶硅圖形；
[0007]所述非晶硅圖形的一部分嵌入但不貫通所述多晶硅圖形，且位于所述多晶硅圖形遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)。
[0008]可選地，所述非晶硅圖形為多個，每一非晶硅圖形的一部分嵌入但不貫通所述多晶硅圖形，且位于所述多晶硅圖形遠(yuǎn)離與所述柵極的一側(cè)。
[0009 ]可選地，所述多晶娃圖形為p-S i材料，所述非晶娃圖形為a-S i材料。
[0010]可選地，所述薄膜晶體管還包括:
[0011]源極、漏極、第一歐姆接觸圖形和第二歐姆接觸圖形；
[0012]其中，所述源極通過所述第一歐姆接觸圖形與所述半導(dǎo)體層接觸，所述漏極通過所述第二歐姆接觸圖形與所述半導(dǎo)體層接觸。
[0013]此外，本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括上述薄膜晶體管。
[0014]另一方面，本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括形成柵極和半導(dǎo)體層，其中形成所述半導(dǎo)體層包括:
[0015]形成非晶硅圖形和多晶硅圖形，所述非晶硅圖形的一部分嵌入所述多晶硅圖形，且位于所述多晶硅圖形遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)。
[0016]可選地，所述制作方法具體包括:
[0017]在襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層；
[0018]在形成有所述柵極和柵絕緣層的襯底基板上，形成具有凹槽結(jié)構(gòu)的多晶硅圖形，所述凹槽結(jié)構(gòu)的深度小于所述多晶硅圖形的厚度；
[0019]在形成有所述多晶硅圖形的襯底基板上，形成非晶硅圖形，所述非晶硅圖形的一部分填充所述多晶硅圖形上的凹槽結(jié)構(gòu)。
[0020]可選地，所述形成具有凹槽結(jié)構(gòu)的多晶硅圖形包括:
[0021]在形成有所述柵極和柵絕緣層的襯底基板上依次沉積多晶硅層和金屬層；
[0022]在所述金屬層上涂覆光刻膠，利用掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源極和漏極的圖形，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)源極和漏極之間的區(qū)域；
[0023]對光刻膠未保留區(qū)域的金屬層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕；
[0024]對光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠進(jìn)行灰化，對光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層進(jìn)行刻蝕形成源極和漏極。
[0025]可選地，在沉積所述金屬層前，在形成有所述多晶硅圖形的襯底基板上，沉積歐姆接觸層；
[0026]其中，對光刻膠未保留區(qū)域的金屬層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕的過程中，以及對光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層進(jìn)行刻蝕的過程中，還刻蝕所述歐姆接觸層;所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)第一歐姆接觸圖形以及第二歐姆接觸圖形;所述源極通過所述第一歐姆接觸圖形與所述多晶硅圖形接觸，所述漏極通過所述第二歐姆接觸圖形與所述多晶硅圖形接觸。
[0027]可選地，所述制作方法具體包括:
[0028]在襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層；
[0029]在形成有所述柵極和柵絕緣層的襯底基板上，形成第一多晶硅圖形；
[0030]在形成有所述第一多晶硅圖形的襯底基板上，形成非晶硅圖形；
[0031]對所述非晶硅圖形內(nèi)的部分區(qū)域進(jìn)行晶化處理，使該部分區(qū)域?qū)?yīng)的非晶硅圖形轉(zhuǎn)換為第二多晶硅圖形。
[0032]可選地，所述制作方法具體包括:
[0033]在襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層；
[0034]在形成有所述柵極和柵絕緣層的襯底基板上，形成非晶硅圖形；
[0035]對所述非晶硅圖形內(nèi)的部分區(qū)域進(jìn)行晶化處理，得到多晶硅圖形。
[0036]可選地，所述制作方法具體包括:
[0037]在襯底基板上形成非晶硅圖形；
[0038]在形成有所述非晶硅圖形的襯底基板上，形成多晶硅圖形，其中所述多晶硅圖形覆蓋所述非晶硅圖形；
[0039]在形成有所述多晶硅圖形的襯底基板上，依次形成柵絕緣層和柵極。
[0040]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0041]本發(fā)明的非晶硅圖形一部分內(nèi)嵌式在多晶硅圖形，相比于現(xiàn)有的多晶硅/非晶硅的雙層結(jié)構(gòu)，可以繼承非晶硅圖形與多晶硅圖形各自的優(yōu)點，但缺點不再彼此作用。此外，非晶硅圖形內(nèi)嵌式在多晶硅圖形的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可以降低非晶硅圖形與多晶硅圖形的接觸面積，從而減少界面態(tài)缺陷。
【附圖說明】
[0042]圖1為本發(fā)明的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖2為本發(fā)明的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖3A-圖3C為本發(fā)明的制作方法中實現(xiàn)方式一的流程意圖；其中，圖3B1-圖3B4是圖3B的具體實現(xiàn)流程圖；
[0045]圖4A-圖4E為本發(fā)明的制作方法中實現(xiàn)方式二的流程意圖；
[0046]圖5A-圖5C為本發(fā)明的制作方法中實現(xiàn)方式三的流程意圖；
[0047]圖6A-圖6D為本發(fā)明的制作方法中實現(xiàn)方式四的流程意圖。
【具體實施方式】
[0048]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0049]針對現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種解決方案。
[0050]—方面，本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管，包括柵極和半導(dǎo)體層。
[0051]其中，如圖1所示，半導(dǎo)體層包括:多晶硅圖形12和非晶硅圖形13，非晶硅圖形13的至少一部分嵌入但不貫通多晶硅圖形12中，且位于多晶硅圖形12遠(yuǎn)離柵極G的一側(cè)。作為示例性介紹，在實際應(yīng)用中，本實施例的多晶娃圖形可以是P-Si材料，而非晶娃圖形可以是α-ε? 材料。作為優(yōu)選方案，本實施例的非晶硅圖形 13 與多晶硅圖形 12 可以構(gòu)成同一平面，保證圖層結(jié)構(gòu)的平整性，但非晶硅圖形13不能多晶硅圖形12完全包含。
[0052]當(dāng)然需要給予說明的是，圖1僅是以底柵型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)行示例性介紹。作為其他可行方案，本實施例的薄膜晶體管也可以是頂柵結(jié)構(gòu)，但非晶硅圖形同樣位于多晶硅圖形遠(yuǎn)離柵極的一側(cè)。由于原理相同，不在本實施例中舉例贅述。此外，本實施例的非晶硅圖形可以為多個，每一非晶硅圖形的一部分嵌入但不貫通多晶硅圖形，且位于該多晶硅圖形遠(yuǎn)離柵極的一側(cè)。
[0053]在本實施例中，當(dāng)薄膜晶體管處于開態(tài)時，柵極施加正電壓，電子被吸引到溝道下部多晶硅圖形上，溝道兩端及下部多晶硅圖形以提供高電子迀移率，從而提升開態(tài)電流1n。當(dāng)薄膜晶體管處于關(guān)態(tài)時，柵極施加負(fù)電壓，載流子集中在非晶硅圖形上，通過溝道中央上部非晶硅圖形以降低關(guān)態(tài)電流1ff，相比于現(xiàn)有的多晶硅/非晶硅的雙層結(jié)構(gòu)，本實施例的內(nèi)嵌式結(jié)構(gòu)設(shè)計繼承了非晶硅圖形與多晶硅圖形各自的優(yōu)點，但缺點不再彼此作用。此外，由于非晶硅圖形與多晶硅圖形的接觸面積得到了降低，因此減少界面態(tài)缺陷。
[0054]具體地，參考圖1，本實施例的薄膜晶體管還進(jìn)一步包括有:
[0055]源極S、漏極D、第一歐姆接觸圖形14和第二歐姆接觸圖形15;
[0056]其中，源極S通過第一歐姆接觸圖形14與半導(dǎo)體層接觸(第一歐姆接觸圖形14可以只接觸多晶硅圖形12，或者同時接觸多晶硅圖形12和非晶硅圖形13)，漏極D通過第二歐姆接觸圖形15與半導(dǎo)體層接觸(第二歐姆接觸圖形15同樣可以只接觸多晶硅圖形12，或者同時接觸多晶硅圖形12和非晶硅圖形13)。這里需要給予說明的是，本實施例的第一歐姆接觸圖形14與第二歐姆接觸圖形15可以是由一個歐姆接觸層刻蝕得到的。
[0057]以上是本實施例薄膜晶體管的介紹，需要指出的是，本發(fā)明僅涉及對半導(dǎo)體層的改進(jìn)，其他薄膜晶體管的圖形均為現(xiàn)有技術(shù)，并不能夠限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0058]另一方面，本發(fā)明的另一實施例還提供一種包括有上述薄膜晶體管的陣列基板。參考圖2所示的結(jié)構(gòu)，本實施例的陣列基板在圖1基礎(chǔ)之上，還進(jìn)一步包括用于與漏極D連接的像素電極21?；诒景l(fā)明的薄膜晶體管的設(shè)計，本實施例的陣列基板能夠保證顯示畫面的穩(wěn)定顯不。
[0059]對應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種針對上述薄膜晶體管的制作方法，包括形成柵極和半導(dǎo)體層的步驟。形成的所述半導(dǎo)體層的步驟包括:
[0060]形成非晶娃圖形和多晶娃圖形。其中，非晶娃圖形的一部分嵌入但不貫通多晶娃圖形，且位于所述多晶硅圖形遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)。
[0061]顯然，本實施例的制作方法與本發(fā)明的薄膜晶體管相對應(yīng)，因此均能夠?qū)崿F(xiàn)相同的技術(shù)效果。
[0062]下面結(jié)合幾個實現(xiàn)方式對本實施例的制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0063]實現(xiàn)方式一
[0064]本實現(xiàn)方式一以制作底柵型的薄膜晶體管為例，制作流程包括如下步驟:
[0065]步驟S31，如圖3A所示，在襯底基板31上依次形成柵極G和柵絕緣層32;
[0066]步驟S32，如圖3B所示，在形成有柵極G和柵絕緣層32的襯底基板31上，形成具有凹槽結(jié)構(gòu)的多晶硅圖形33，其中凹槽結(jié)構(gòu)(即圖3B中橢圓形虛線區(qū)域)的凹陷的深度小于多晶硅圖形33的厚度；
[0067]步驟S33，如圖3C所示，在形成有多晶硅圖形33的襯底基板上31，形成非晶硅圖形34，非晶硅圖形34的一部分填充多晶硅圖形33上的凹槽結(jié)構(gòu)。
[0068]當(dāng)然，在實際應(yīng)用中，多晶硅圖形33上的凹槽結(jié)構(gòu)需要使用掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕而成。為不增加制作成本，在具體制作步驟中，本實現(xiàn)方式一可以復(fù)用現(xiàn)有的其他圖形的掩膜板來對多晶硅圖形33進(jìn)行刻蝕。
[0069]其中，即上述步驟32詳細(xì)過程包括:
[0070]步驟321，參考圖3B1，在形成有柵極G和柵絕緣層32的襯底基板上31依次沉積多晶娃層A、歐姆接觸層B和金屬層C;
[0071 ]步驟S322，參考圖3B2，在金屬層C上涂覆光刻膠，利用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域D1、光刻膠部分保留區(qū)域D2和光刻膠未保留區(qū)域(S卩Dl和D2未能覆蓋的區(qū)域)，其中光刻膠完全保留區(qū)域Dl下方的金屬層C在后續(xù)刻蝕過程中分別作為源極和漏極的圖形，光刻膠完全保留區(qū)域Dl下方的歐姆接觸層B，在后續(xù)刻蝕過程中分別作為第一歐姆接觸圖形、第二歐姆接觸圖形，光刻膠部分保留區(qū)域D2對應(yīng)源極和漏極之間的區(qū)域；
[0072]步驟S323，參考圖3B3，對光刻膠未保留區(qū)域的金屬層C、歐姆接觸層B以及多晶硅層A進(jìn)行刻蝕，本步驟使得多晶硅層A上形成凹槽結(jié)構(gòu)。
[0073]步驟S324，參考圖3B4，對光刻膠部分保留區(qū)域D2的光刻膠進(jìn)行灰化，對光刻膠部分保留區(qū)域D2的金屬層C和歐姆接觸層B進(jìn)行刻蝕，使該金屬層C形成源極S和漏極D;并使歐姆接觸層B形成第一歐姆接觸圖形33和第二第一歐姆接觸圖形34。在本步驟完成后，可剝離剩下的光刻膠。
[0074]實現(xiàn)方式二
[0075]本實現(xiàn)方式二同樣以制作底柵型的薄膜晶體管為例，制作流程包括如下步驟:
[0076]步驟S41，如圖4A所示，在襯底基板41上依次形成柵極G和柵絕緣層42;
[0077]步驟S42，如圖4B所示，在形成有柵極G和柵絕緣層42的襯底基板41上，形成第一多晶娃圖形43 ；
[0078]步驟S43，如圖4C所示，在形成有第一多晶硅圖形43的襯底基板上，形成非晶硅圖形44;
[0079]步驟S44，如圖4D所示，對非晶硅圖形44內(nèi)的部分區(qū)域進(jìn)行晶化處理，使該部分區(qū)域?qū)?yīng)的非晶硅圖形轉(zhuǎn)換為第二多晶硅圖形43';
[0080]在步驟S44完成之后，如圖4E所示，依次形成源極S、漏極D、第一歐姆接觸圖形45以及第二歐姆接觸圖形46。
[0081]通過對比實現(xiàn)方式一和實現(xiàn)方式二可以知道，實現(xiàn)方式二不需要再使用構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕。
[0082]實現(xiàn)方式三
[0083]本實現(xiàn)方式三同樣以制作底柵型的薄膜晶體管為例，制作流程包括如下步驟:
[0084]步驟S51，如圖5A所示，在襯底基板51上依次形成柵極G和柵絕緣層52;
[0085]步驟S52，如圖5B所示，在形成有柵極G和柵絕緣層52的襯底基板51上，形成非晶硅圖形53;
[0086]步驟S53，如圖5C所示，對非晶硅圖形53內(nèi)的部分區(qū)域進(jìn)行晶化處理，得到多晶硅圖形54。
[0087]在步驟S53完成之后，依次形成源極、漏極、第一歐姆接觸圖形以及第二歐姆接觸圖形，由于本實現(xiàn)方式三未涉及到上述圖形制作工藝的改動，因此不在進(jìn)行贅述。
[0088]相比于實現(xiàn)方式二，實現(xiàn)方式三的制作工藝更為簡單，通過晶化處理，直接在一層非晶硅圖形上形成多晶硅圖形。
[0089]實現(xiàn)方式四
[0090]不同于上述本實現(xiàn)方式一至實現(xiàn)方式三，本實現(xiàn)方式四以制作頂柵型的薄膜晶體管為例，制作流程包括如下步驟:
[0091 ] 步驟S61，如圖6A所示，在襯底基板61上形成非晶硅圖形62;
[0092]步驟S62，如圖6B所示，在形成有非晶硅圖形62的襯底基板上61，形成多晶硅圖形63，其中該多晶硅圖形63覆蓋非晶硅圖形62;
[0093]步驟S63，如圖6C所示，在形成有多晶硅圖形63的襯底基板61上，依次形成柵絕緣層64和柵極G。
[0094]當(dāng)然，參考圖6D，在實際應(yīng)用中，本實現(xiàn)方式四在步驟S62執(zhí)行完成后，還包括制作源極S、漏極D、第一歐姆接觸圖形65和第二歐姆接觸圖形66的步驟，由于本發(fā)明并沒有對上述這些功能圖形進(jìn)行改進(jìn)，因此不在舉例贅述。
[0095]作為優(yōu)選方案，在本實現(xiàn)方式四中，非晶硅圖形62和柵極G可共用同一個掩膜板制作，從而降低了薄膜晶體管的制作成本。
[0096]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜晶體管，包括柵極和半導(dǎo)體層，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括: 非晶娃圖形和多晶娃圖形； 所述非晶硅圖形的一部分嵌入但不貫通所述多晶硅圖形，且位于所述多晶硅圖形遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述非晶硅圖形為多個，每一非晶硅圖形的一部分嵌入但不貫通所述多晶硅圖形，且位于所述多晶硅圖形遠(yuǎn)離與所述柵極的一側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述多晶硅圖形為ρ-Si材料，所述非晶娃圖形為a_Si材料。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括: 源極、漏極、第一歐姆接觸圖形和第二歐姆接觸圖形； 其中，所述源極通過所述第一歐姆接觸圖形與所述半導(dǎo)體層接觸，所述漏極通過所述第二歐姆接觸圖形與所述半導(dǎo)體層接觸。5.—種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3中任一項所述的薄膜晶體管。6.一種薄膜晶體管的制作方法，包括形成柵極和半導(dǎo)體層，其特征在于，形成所述半導(dǎo)體層包括: 形成非晶硅圖形和多晶硅圖形，所述非晶硅圖形的一部分嵌入所述多晶硅圖形，且位于所述多晶硅圖形遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括: 在襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層； 在形成有所述柵極和柵絕緣層的襯底基板上，形成具有凹槽結(jié)構(gòu)的多晶硅圖形，所述凹槽結(jié)構(gòu)的深度小于所述多晶硅圖形的厚度； 在形成有所述多晶硅圖形的襯底基板上，形成非晶硅圖形，所述非晶硅圖形的一部分填充所述多晶硅圖形上的凹槽結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述形成具有凹槽結(jié)構(gòu)的多晶硅圖形包括: 在形成有所述柵極和柵絕緣層的襯底基板上依次沉積多晶硅層和金屬層； 在所述金屬層上涂覆光刻膠，利用掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源極和漏極的圖形，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)源極和漏極之間的區(qū)域； 對光刻膠未保留區(qū)域的金屬層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕； 對光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠進(jìn)行灰化，對光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層進(jìn)行刻蝕形成源極和漏極。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于， 在沉積所述金屬層前，在形成有所述多晶硅圖形的襯底基板上，沉積歐姆接觸層； 其中，對光刻膠未保留區(qū)域的金屬層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕的過程中，以及對光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層進(jìn)行刻蝕的過程中，還刻蝕所述歐姆接觸層;所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)第一歐姆接觸圖形以及第二歐姆接觸圖形;所述源極通過所述第一歐姆接觸圖形與所述多晶硅圖形接觸，所述漏極通過所述第二歐姆接觸圖形與所述多晶硅圖形接觸。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于， 所述制作方法具體包括: 在襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層； 在形成有所述柵極和柵絕緣層的襯底基板上，形成第一多晶硅圖形； 在形成有所述第一多晶硅圖形的襯底基板上，形成非晶硅圖形； 對所述非晶硅圖形內(nèi)的部分區(qū)域進(jìn)行晶化處理，使該部分區(qū)域?qū)?yīng)的非晶硅圖形轉(zhuǎn)換為第二多晶硅圖形。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于， 所述制作方法具體包括: 在襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層； 在形成有所述柵極和柵絕緣層的襯底基板上，形成非晶硅圖形； 對所述非晶硅圖形內(nèi)的部分區(qū)域進(jìn)行晶化處理，得到多晶硅圖形。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于， 所述制作方法具體包括: 在襯底基板上形成非晶硅圖形； 在形成有所述非晶硅圖形的襯底基板上，形成多晶硅圖形，其中所述多晶硅圖形覆蓋所述非晶硅圖形； 在形成有所述多晶硅圖形的襯底基板上，依次形成柵絕緣層和柵極。
【文檔編號】H01L27/12GK105826398SQ201610424194
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年6月15日
【發(fā)明人】孫雪菲, 張斌, 何曉龍, 曹占鋒, 李正亮, 薛建設(shè)
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司