一種ldmos的器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種LDMOS的器件及其制造方法，通過(guò)取消漏端與柵極之間的STI結(jié)構(gòu)，因此可極大降低Rdson，同時(shí)通過(guò)在漏端與柵極之間制備一金屬層進(jìn)而可有效調(diào)節(jié)漏電場(chǎng)，從而有效提高BV。本發(fā)明可在有效提高BV的同時(shí)還降低了Rdson，進(jìn)而極大的提升了器件性能。
【專利說(shuō)明】
一種LDMOS的器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備領(lǐng)域，確切的說(shuō)，涉及一種LDMOS的器件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)與傳統(tǒng)的晶體管相比，在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、開(kāi)關(guān)性能、散熱性能以及減少級(jí)數(shù)等方面優(yōu)勢(shì)很明顯，同時(shí)LDMOS也更容易與CMOS工藝兼容而被廣泛采用。
[0003]LDMOS具備如下優(yōu)點(diǎn):LDM0S能經(jīng)受住高于雙極型晶體管3倍的駐波比，能在較高的反射功率下運(yùn)行而沒(méi)有破壞LDMOS設(shè)備；同時(shí)LDMOS設(shè)備較能承受輸入信號(hào)的過(guò)激勵(lì)和適合發(fā)射射頻信號(hào)。LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號(hào)放大且失真較小。LDMOS管有一個(gè)低且無(wú)變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化。這種主要特性允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管二倍的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負(fù)數(shù)，因此可以防止熱耗散的影響。
[0004]在LDMOS器件中，擊穿電壓(breakdown voltage，以下簡(jiǎn)稱BV)是衡量其器件性能的一個(gè)很重要的指標(biāo)。目前為了增強(qiáng)常規(guī)LDMOS器件的擊穿電壓，一般是采用延長(zhǎng)STI頂部開(kāi)口的長(zhǎng)度FX來(lái)實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。但是增加STI的長(zhǎng)度FX之后，Rdson (導(dǎo)通電阻)會(huì)迅速增加；同時(shí)，常規(guī)LDMOS的漂移區(qū)(Drift)需要與柵極形成交疊，這會(huì)增大Rdson，限制了 LDMOS的開(kāi)關(guān)速度。
[0005]因此，如何增強(qiáng)BV的同時(shí)降低Rdson，為本領(lǐng)域技術(shù)人員致力研究的方向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種LDMOS的器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，在降低Rdson的同時(shí)，還可提高BV，進(jìn)而極大的提高了器件的整體性能。
[0007]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:
[0008]—種LDMOS器件，其中，所述LDMOS器件包括一襯底，所述襯底內(nèi)形成有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括體區(qū)和漂移區(qū)，所述襯底之上設(shè)置有柵極，且所述柵極分別與所述體區(qū)和所述漂移區(qū)形成交疊；
[0009]位于所述體區(qū)中靠近所述柵極的一側(cè)設(shè)置有源端，且該體區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)設(shè)置有接觸區(qū)，所述漂移區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)設(shè)置有漏端；
[0010]所述柵極靠近所述漏端的部分上表面和側(cè)壁上，以及位于所述柵極與漏端之間的襯底的上表面均覆蓋有一 SAB層，且該SAB層的上表面覆蓋有一金屬層；
[0011]位于所述漏端與所述柵極之間的金屬層通過(guò)一電連接結(jié)構(gòu)與所述源端互聯(lián)。
[0012]上述的LDMOS器件，其中，所述漏端與所述柵極之間的襯底內(nèi)沒(méi)有形成STI結(jié)構(gòu)。
[0013]上述的LDMOS器件，其中，所述源端與所述接觸區(qū)通過(guò)一 STI結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離。
[0014]上述的LDMOS器件，其中，所述柵極與所述襯底之間設(shè)置有一柵氧化層，且所述柵極的側(cè)壁覆蓋有側(cè)墻。
[0015]上述的LDMOS器件，其中，所述SAB層為氧化層，且該SAB層的厚度大于所述柵氧化層的厚度。
[0016]上述的LDMOS器件，其中，所述金屬層為Co、Ti或Ni中的一種。
[0017]上述的LDMOS器件，其中，所述金屬層的上表面還覆蓋有一層TiN。
[0018]上述的LDMOS器件，其中，所述接觸區(qū)、源端、漏端和柵極暴露的上表面形成有一層金屬硅化物層。
[0019]種LDMOS器件的制備方法，其中，包括如下步驟:
[0020]提供一待制備的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括一襯底，所述襯底內(nèi)形成有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括體區(qū)和漂移區(qū)，所述柵極與所述體區(qū)和所述漂移區(qū)形成交疊；
[0021]位于所述體區(qū)中靠近所述柵極的一側(cè)設(shè)置有源端，且該體區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)設(shè)置有接觸區(qū)；所述漂移區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)形成有漏端，所述漏端與所述柵極之間的襯底內(nèi)沒(méi)有形成STI結(jié)構(gòu)；
[0022]制備一 SAB層將所述柵極靠近所述漏端的部分上表面和側(cè)壁以及位于所述柵極與漏端之間的襯底的上表面進(jìn)行覆蓋；
[0023]沉積一層金屬層并進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)工藝，在所述接觸區(qū)、源端、漏端的上表面以及柵極的部分上表面形成一層金屬硅化物，之后去除部分所述金屬層，并保留位于所述SAB層上方的金屬層；
[0024]沉積介質(zhì)層并刻蝕形成接觸孔，以暴露出所述源端以及柵極與所述漏端之間的金屬層，進(jìn)行金屬填充完成互聯(lián)工藝。
[0025]上述的LDMOS器件的制備方法，其中，所述漏端與所述柵極之間的襯底內(nèi)沒(méi)有形成STI結(jié)構(gòu)。
[0026]上述的LDMOS器件的制備方法，其中，所述源端與所述接觸區(qū)通過(guò)STI結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離。
[0027]上述的LDMOS器件的制備方法，其中，所述金屬層為Co、Ti或Ni中的一種。
[0028]上述的LDMOS器件的制備方法，其中，在沉積所述金屬層后，繼續(xù)于所述金屬層上表面沉積一層TiN層，以避免所述金屬層氧化。
[0029]上述的LDMOS器件的制備方法，其中，所述柵極與所述襯底之間設(shè)置有一柵氧化層。
[0030]上述的LDMOS器件的制備方法，其中，所述SAB層為氧化層，且該SAB層的厚度大于所述柵氧化層的厚度。
[0031]本發(fā)明通過(guò)取消漏端與柵極之間的STI結(jié)構(gòu)，因此可極大降低Rdson，同時(shí)，靠近漏端的金屬層與漏端的硅可形成電容，進(jìn)而可調(diào)節(jié)漏端的電場(chǎng)，從而有利于有效提高BV;同時(shí)由于源端的metal向漏端延伸，因此也可達(dá)到調(diào)節(jié)漏端電場(chǎng)的目的，亦可實(shí)現(xiàn)提高BV的技術(shù)效果。進(jìn)一步的，由于SAB層的厚度要遠(yuǎn)大于柵氧化層的厚度，BV較高，所以金屬層可與源端6表面的金屬娃化物層通過(guò)接觸孔進(jìn)行互聯(lián)，fource O電位，更可有效的調(diào)節(jié)漏端的電場(chǎng)。同時(shí)，本發(fā)明中的金屬層亦可fIaoting設(shè)置。
【附圖說(shuō)明】
[0032]通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。
[0033]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的LDMOS器件采用增加STI開(kāi)口寬度來(lái)增大BV的示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明提供的一種LDMOS器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖3?7本發(fā)明提供的一種制備LDMOS器件的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說(shuō)明:
[0037]本發(fā)明提供了一種LDMOS器件，參照?qǐng)D2所示，具體包括:襯底1，本發(fā)明在該實(shí)施例選用P型硅襯底(P-sub)，但是并不局限該實(shí)施方式。在襯底I之上定義有有源區(qū)，該有源區(qū)包括體區(qū)(Body) 2和漂移區(qū)(Drift) 3，在襯底I之上設(shè)置有柵極9，該柵極9與襯底I之間還設(shè)置有一層?xùn)叛趸瘜?0，且該柵極9兩側(cè)還覆蓋有側(cè)墻8 ;該柵極8與體區(qū)2和漂移區(qū)3同時(shí)形成交疊。
[0038]位于體區(qū)2中并靠近柵極9的一側(cè)設(shè)置有源端(source) 6，且該源端6的一側(cè)還形成有一 LDD摻雜區(qū)7;體區(qū)2遠(yuǎn)離柵極9的一側(cè)設(shè)置有接觸區(qū)(pick up) 4;漂移區(qū)3遠(yuǎn)離柵極9的一側(cè)設(shè)置有漏端(drain) 12。接觸區(qū)4和源端6通過(guò)第一 STI結(jié)構(gòu)5進(jìn)行隔離，漂移區(qū)3遠(yuǎn)離柵極9的一側(cè)設(shè)置有第二 STI結(jié)構(gòu)13。進(jìn)一步的，漏端12與柵極9之間的襯底I內(nèi)沒(méi)有形成任何STI結(jié)構(gòu)。
[0039]柵極9靠近漏端12的部分上表面和側(cè)壁以及位于柵極9與漏端12之間的襯底I的上表面覆蓋有一 SAB層14，且該SAB層14的上表面覆蓋有一金屬層15。在本發(fā)明的實(shí)施例中，該SAB層14為氧化層，且該SAB層的厚度要遠(yuǎn)大于柵氧化層10的厚度；金屬層15的材質(zhì)為Co(鈷)、Ti(鈦)或Ni(鎳)中的一種，在本發(fā)明中，該金屬層優(yōu)選為Co ;在該金屬層15的上表面還覆蓋有一層TiN (氮化硅)層(圖示未予以標(biāo)示)，該TiN層與金屬層共同組成一聚合物層，進(jìn)而可避免金屬層15產(chǎn)生氧化。
[0040]在接觸區(qū)4、源端6、漏端12和柵極9暴露的上表面形成有一層金屬娃化物層16，該金屬硅化物層16為采用自對(duì)準(zhǔn)工藝所制備形成。位于漏端12與所述柵極9之間的金屬層15通過(guò)一電連接結(jié)構(gòu)與源端6互聯(lián)，具體的為:位于漏端12與柵極9之間的金屬層15的上方及源端6的上方各形成有一接觸孔17，并通過(guò)源端金屬(source metal)結(jié)構(gòu)18進(jìn)行互聯(lián)。
[0041]由于本發(fā)明所提供的LDMOS器件具備以上結(jié)構(gòu)，通過(guò)取消漏端12與柵極之間的STI結(jié)構(gòu)，因此可極大降低Rdson，提高LDMOS的開(kāi)關(guān)速度；同時(shí)，靠近漏端12的金屬層15與漏端12的硅可形成電容，進(jìn)而可調(diào)節(jié)漏端12的電場(chǎng)，從而有利于有效提高BV ;同時(shí)由于源端6的metal向漏端延伸，因此也可達(dá)到調(diào)節(jié)漏端12電場(chǎng)的目的，亦可實(shí)現(xiàn)提高BV的技術(shù)效果。進(jìn)一步的，由于SAB氧化層的厚度要遠(yuǎn)大于柵氧化層10的厚度，因此導(dǎo)致BV較高，所以當(dāng)金屬層15與源端6通過(guò)接觸孔進(jìn)行互聯(lián)，fource O電位，更可有效的調(diào)節(jié)漏端的電場(chǎng)。本發(fā)明中的金屬層15亦可floating設(shè)置，即根據(jù)需求來(lái)選擇是否給予金屬層15電位，進(jìn)而調(diào)節(jié)漏端電場(chǎng)。
[0042]同時(shí)本發(fā)明還提供了一種制備上述LDMOS器件的方法，如圖3?7所示，具體包括如下步驟:
[0043]步驟S1:首先提供一待制備的半導(dǎo)體器件，如圖3所示，該半導(dǎo)體器件包括襯底1，本發(fā)明在該實(shí)施例選用P型硅襯底(P-sub)，但是并不局限該實(shí)施方式。在襯底I之上定義有有源區(qū)(active area)，該有源區(qū)包括體區(qū)(Body)2和漂移區(qū)(Drift) 3，在襯底I之上設(shè)置有柵極9，該柵極與襯底I之間還設(shè)置有一層?xùn)叛趸瘜?0，且該柵極9兩側(cè)還覆蓋有側(cè)墻8 ;該柵極9與體區(qū)2和漂移區(qū)3同時(shí)形成交疊。
[0044]位于體區(qū)2中并靠近柵極9的一側(cè)設(shè)置有源端(source) 6，且該源端6的一側(cè)還形成有一 LDD摻雜區(qū)7，在此需要說(shuō)明的是，該LDD摻雜區(qū)可根據(jù)工藝需求來(lái)進(jìn)行選擇是否進(jìn)行LDD摻雜所形成，在實(shí)際應(yīng)用中也可以不進(jìn)行LDD摻雜形成該LDD摻雜區(qū)，對(duì)本發(fā)明之發(fā)明點(diǎn)并不影響。體區(qū)2遠(yuǎn)離柵極9的一側(cè)設(shè)置有接觸區(qū)4 ;漂移區(qū)3遠(yuǎn)離柵極9的一側(cè)設(shè)置有漏端12。接觸區(qū)4和源端6通過(guò)第一 STI結(jié)構(gòu)5進(jìn)行隔離，漂移區(qū)3遠(yuǎn)離柵極9的一側(cè)設(shè)置有第二 STI結(jié)構(gòu)13。進(jìn)一步的，漏端12與柵極9之間的襯底I內(nèi)沒(méi)有形成任何STI結(jié)構(gòu)。制備以上結(jié)構(gòu)所采用的技術(shù)方案均采用現(xiàn)有技術(shù)所慣用的工藝流程，因此具體相關(guān)流程在此不予贅述。
[0045]步驟S2:制備一 SAB層14將柵極9靠近漏端12的部分上表面和側(cè)壁以及位于柵極9與漏端12之間的襯底I的上表面進(jìn)行覆蓋，形成圖4所示結(jié)構(gòu)。具體的步驟如下:1、首先沉積一層SAB層將器件的表面完全進(jìn)行覆蓋，優(yōu)選的，該SAB層為氧化層。在沉積SAB層時(shí)，需要控制沉積的反應(yīng)條件進(jìn)而控制沉積的SAB層厚度要大于柵氧化層10的厚度；2、在SAB層的上表面涂覆一層光刻膠，然后借助一具有曝光圖案的掩膜板進(jìn)行曝光、顯影工藝，進(jìn)而在光刻膠中形成開(kāi)口圖案；3、然后以剩余的光刻膠為刻蝕掩膜向下進(jìn)行干法刻蝕，將位于光刻膠開(kāi)口下方的SAB層進(jìn)行去除；4、最后移除剩余光刻膠，并最終形成圖5所示結(jié)構(gòu)。
[0046]步驟S3:沉積一層金屬層15并進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)工藝，在接觸區(qū)4、源端6、漏端12以及柵極9暴露的上表面形成金屬硅化物16，去除之后所述金屬層，并保留位于SAB層上方的金屬層。具體步驟如下:
[0047]步驟S3-1:首先沉積一層金屬層15將完成步驟S2之后的器件表面完全覆蓋。在本發(fā)明中，該金屬層的材質(zhì)為為Co、Ti或Ni中的一種，進(jìn)一步優(yōu)選的，該金屬層的材質(zhì)為Co(鈷)。同時(shí)，在沉積該金屬層15之后，還可在金屬層15上表面再沉積一層TiN(氮化鈦，圖中未予以表示)，進(jìn)而形成金屬層與TiN的聚合物，可有效避免下方的金屬層15由于暴露在空氣中進(jìn)而容易被氧化，如圖5所示。
[0048]步驟S3-2:進(jìn)行快速退火處理(RTA)，使得沉積的金屬層15與接觸的多晶硅產(chǎn)生反應(yīng)，進(jìn)而在在接觸區(qū)4、源端6、漏端12的上表面以及柵極9暴露的上表面形成金屬硅化物16。最后再采用光刻和刻蝕工藝去除多余的金屬層15，并移除剩余的光刻膠，形成圖6所示結(jié)構(gòu)。在此需要說(shuō)明的是，在此步驟中的進(jìn)行光刻中的曝光工藝時(shí)，可選用與步驟S2中所采用的掩膜板，由于剩余的金屬層15是位于SAB層14的上方，故選用同一掩膜板可減小掩膜板的設(shè)計(jì)成本，并簡(jiǎn)化了工藝步驟。
[0049]步驟S4:沉積介質(zhì)層后(圖中未予以標(biāo)示)，刻蝕該介質(zhì)層形成接觸孔，進(jìn)而暴露出源端12以及柵極9與漏端12之間的金屬層15，在位于柵極9與漏端12之間的金屬層15的上方以及源端6的上方各制備一接觸孔17，在接觸孔內(nèi)填充金屬(例如銅)之后再制備一源端金屬(source metal) 18進(jìn)行互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)源端6與金屬層15的電性連接。形成的結(jié)構(gòu)如圖7所示。
[0050]綜上所述，由于本發(fā)明采用了以上技術(shù)方案，通過(guò)取消漏端與柵極之間的STI結(jié)構(gòu)，因此可極大降低Rdson，進(jìn)而提高了 LDMOS的開(kāi)關(guān)速度；同時(shí)通過(guò)在漏端與柵極之間制備一金屬層進(jìn)而可有效調(diào)節(jié)漏電場(chǎng)，從而有效提高BV。本發(fā)明不僅可以提高BV，還可以有效降低了 Rdson，進(jìn)而全面提升了器件性能，同時(shí)制程變動(dòng)小，可實(shí)現(xiàn)性較強(qiáng)，成本較低。
[0051]以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括一襯底，所述襯底內(nèi)形成有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括體區(qū)和漂移區(qū)，所述襯底之上設(shè)置有柵極，且所述柵極分別與所述體區(qū)和所述漂移區(qū)形成交疊； 位于所述體區(qū)中靠近所述柵極的一側(cè)設(shè)置有源端，且該體區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)設(shè)置有接觸區(qū)，所述漂移區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)設(shè)置有漏端； 所述柵極靠近所述漏端的部分上表面和側(cè)壁上，以及位于所述柵極與漏端之間的襯底的上表面均覆蓋有一 SAB層，且該SAB層的上表面覆蓋有一金屬層； 位于所述漏端與所述柵極之間的金屬層通過(guò)一電連接結(jié)構(gòu)與所述源端互聯(lián)。2.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述漏端與所述柵極之間的襯底內(nèi)沒(méi)有形成STI結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述源端與所述接觸區(qū)通過(guò)一STI結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離。4.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述柵極與所述襯底之間設(shè)置有一柵氧化層，且所述柵極的側(cè)壁覆蓋有側(cè)墻。5.如權(quán)利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于，所述SAB層為氧化層，且該SAB層的厚度大于所述柵氧化層的厚度。6.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述金屬層為Co、Ti或Ni中的一種。7.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述金屬層的上表面還覆蓋有一層TiN08.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述接觸區(qū)、源端、漏端和柵極暴露的上表面形成有一層金屬硅化物層。9.一種LDMOS器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供一待制備的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括一襯底，所述襯底內(nèi)形成有有源區(qū)，所述有源區(qū)包括體區(qū)和漂移區(qū)，所述柵極與所述體區(qū)和所述漂移區(qū)形成交疊； 位于所述體區(qū)中靠近所述柵極的一側(cè)設(shè)置有源端，且該體區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)設(shè)置有接觸區(qū)；所述漂移區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)形成有漏端，所述漏端與所述柵極之間的襯底內(nèi)沒(méi)有形成STI結(jié)構(gòu)； 制備一 SAB層將所述柵極靠近所述漏端的部分上表面和側(cè)壁以及位于所述柵極與漏端之間的襯底的上表面進(jìn)行覆蓋； 沉積一層金屬層并進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)工藝，在所述接觸區(qū)、源端、漏端的上表面以及柵極的部分上表面形成一層金屬硅化物，之后去除部分所述金屬層，并保留位于所述SAB層上方的金屬層； 沉積介質(zhì)層并刻蝕形成接觸孔，以暴露出所述源端以及柵極與所述漏端之間的金屬層，進(jìn)行金屬填充完成互聯(lián)工藝。10.如權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于，所述漏端與所述柵極之間的襯底內(nèi)沒(méi)有形成STI結(jié)構(gòu)。11.如權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于，所述源端與所述接觸區(qū)通過(guò)STI結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離。12.如權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于，所述金屬層為Co、Ti或Ni中的一種。13.如權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于，在沉積所述金屬層后，繼續(xù)于所述金屬層上表面沉積一層TiN層，以避免所述金屬層氧化。14.如權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于，所述柵極與所述襯底之間設(shè)置有一柵氧化層。15.如權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于，所述SAB層為氧化層，且該SAB層的厚度大于所述柵氧化層的厚度。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK105826373SQ201510005958
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2015年1月6日
【發(fā)明人】宋慧芳
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司