薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。所述薄膜晶體管包括：基板、設(shè)置于所述基板上且經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層、設(shè)置于所述第一金屬氧化物薄膜層上且未經(jīng)過(guò)退火處理的第二金屬氧化物薄膜層以及設(shè)置于所述第二金屬氧化物薄膜層上的源電極和漏電極。解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產(chǎn)生肖特基電阻，導(dǎo)致薄膜晶體管穩(wěn)定性下降的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]金屬氧化物薄膜晶體管是當(dāng)前薄膜晶體管領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，例如銦鎵鋅氧化物IGZO薄膜晶體管。
[0003]金屬氧化物薄膜晶體管通常包括基板、設(shè)于基板上的金屬氧化物薄膜(有源層)和漏源極(漏電極和源電極)。在金屬氧化物薄膜晶體管中，氧空位是載流子的主要來(lái)源，但過(guò)多的氧空位會(huì)導(dǎo)致金屬氧化物薄膜內(nèi)部缺陷態(tài)增多，進(jìn)而影響載流子密度、迀移率和半導(dǎo)體的可靠性。為了解決氧空位造成的金屬氧化物薄膜內(nèi)部缺陷態(tài)增多的問(wèn)題，常用的手段是對(duì)金屬氧化物薄膜進(jìn)行退火處理。但在退火處理過(guò)的金屬氧化物薄膜上制備漏源極后，漏源極的金屬原子很容易與金屬氧化物薄膜中的氧形成接觸氧化，發(fā)生肖特基(schottky)接觸，產(chǎn)生肖特基電阻，肖特基電阻會(huì)導(dǎo)致金屬氧化物薄膜晶體管開(kāi)態(tài)電流不足、亞閾值擺幅過(guò)大等問(wèn)題，導(dǎo)致薄膜晶體管穩(wěn)定性下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決退火處理的金屬氧化物薄膜與漏源極接觸產(chǎn)生肖特基電阻，影響顯示品質(zhì)的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及薄膜晶體管制作方法。所述技術(shù)方案如下:
[0005]第一方面，提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括:基板、設(shè)置于所述基板上且經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層、設(shè)置于所述第一金屬氧化物薄膜層上且未經(jīng)過(guò)退火處理的第二金屬氧化物薄膜層以及設(shè)置于所述第二金屬氧化物薄膜層上的源電極和漏電極。
[0006]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層和所述第二金屬氧化物薄膜層均為銦鎵鋅氧化物IGZO薄膜層。
[0007]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層的厚度為500-900埃。
[0008]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層的退火溫度為300-500度，退火氣氛為空氣、氧氣或N2O，退火時(shí)間為0.5-2小時(shí)。
[0009]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二金屬氧化物薄膜層的厚度為200-1000埃。
[0010]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二金屬氧化物薄膜層為表面經(jīng)過(guò)氫等離子處理或氫摻雜處理的金屬氧化物薄膜層，所述表面為所述第二金屬氧化物薄膜層朝向所述源電極和漏電極的一面。
[0011]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述薄膜晶體管還包括:柵極和柵絕緣層；所述柵極和所述柵絕緣層依次設(shè)置在所述基板與所述第一金屬氧化物薄膜層之間；或者，所述柵絕緣層和所述柵極依次設(shè)置在所述源電極和漏電極之上。
[0012]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述柵絕緣層包括與所述柵極接觸的SiNx層，與所述第一金屬氧化物薄膜層或所述第二金屬氧化物薄膜層接觸的S1y層，以及設(shè)置在所述SiNx層和所述S1y層之間的S1N層，X和y均為正數(shù)。
[0013]第二方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括第一方面任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。
[0014]第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第二方面所述的陣列基板。
[0015]第四方面，提供一種薄膜晶體管制作方法，所述方法包括:
[0016]提供一基板；
[0017]在所述基板上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對(duì)所述第一金屬氧化物薄膜層進(jìn)行退火處理；
[0018]在所述第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層；
[0019]在所述第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。
[0020]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層和第二金屬氧化物薄膜層均為IGZO薄膜層。
[0021]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一金屬氧化物薄膜層的厚度為500-900埃。
[0022]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述對(duì)所述第一金屬氧化物薄膜層進(jìn)行退火處理，包括:
[0023]在300-500度的退火溫度下，在空氣、氧氣或N2O中對(duì)所述第一金屬氧化物薄膜層退火0.5-2小時(shí)。
[0024]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二金屬氧化物薄膜層的厚度為200-1000埃。
[0025]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述方法還包括:
[0026]對(duì)所述第二金屬氧化物薄膜層進(jìn)行表面氫等離子處理或氫摻雜處理。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0028]本發(fā)明的薄膜晶體管包括經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過(guò)多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內(nèi)部缺陷態(tài)減少，在第一金屬氧化物薄膜層上設(shè)置有未經(jīng)過(guò)退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導(dǎo)率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達(dá)到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術(shù)效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產(chǎn)生肖特基電阻，導(dǎo)致薄膜晶體管穩(wěn)定性下降的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0029]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管制作方法的流程圖；
[0034]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管制作方法的流程圖；
[0035]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管制作方法的流程圖；
[0040]圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖14是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0045]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖1，薄膜晶體管包括:基板100、設(shè)置于基板100上且經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層101、設(shè)置于第一金屬氧化物薄膜層101上且未經(jīng)過(guò)退火處理的第二金屬氧化物薄膜層102以及設(shè)置于第二金屬氧化物薄膜層102上的源電極103和漏電極104。
[0046]本發(fā)明的薄膜晶體管包括經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層101，退火處理消除了金屬氧化物中過(guò)多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層101作為有源層內(nèi)部缺陷態(tài)減少，在第一金屬氧化物薄膜層101上設(shè)置有未經(jīng)過(guò)退火的第二金屬氧化物薄膜層102，使得第二金屬氧化物薄膜層102具有氧含量低、氧空位多、電導(dǎo)率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層102作為第一金屬氧化物薄膜層101與漏源極層之間的緩沖層，達(dá)到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層101之間接觸電阻的技術(shù)效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產(chǎn)生肖特基電阻，影響顯示品質(zhì)的問(wèn)題。
[0047]其中，基板100可以是玻璃基板。源電極103和漏電極104可以是Al(鋁)、Cu(銅)、Mo(鉬)、Cr(絡(luò))、Ti(鈦)等電極。
[0048]其中，第一金屬氧化物薄膜層101和第二金屬氧化物薄膜層102可以為IGZO(銦鎵鋅氧化物)薄膜層。當(dāng)然，該第一金屬氧化物薄膜層101和第二金屬氧化物薄膜層102還可以為IZO(銦鋅氧化物)等其他金屬氧化物薄膜層。
[0049]在本發(fā)明實(shí)施例中，第一金屬氧化物薄膜層101的厚度可以為500-900埃。優(yōu)選地，第一金屬氧化物薄膜層101的厚度為700埃，采用上述優(yōu)選值可以避免第一金屬氧化物薄膜層101厚度過(guò)大，導(dǎo)致薄膜晶體管整體尺寸大的問(wèn)題;厚度過(guò)小，對(duì)刻蝕等工藝要求較高，且容易被刻穿的問(wèn)題。
[0050]在本發(fā)明實(shí)施例中，第一金屬氧化物薄膜層101的退火溫度可以為300-500度，退火氣氛可以為空氣、氧氣或犯0( —氧化二氮)，退火時(shí)間可以為0.5-2小時(shí)。優(yōu)選地，退火溫度可以為260-320度，退火時(shí)間可以為I小時(shí)，采用上述優(yōu)選值可以避免退火溫度過(guò)低或時(shí)間過(guò)短，不能達(dá)到消除金屬氧化物中過(guò)多的氧空位的效果，同時(shí)可以避免溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，破壞薄膜結(jié)構(gòu)的問(wèn)題。
[0051 ]在本發(fā)明實(shí)施例中，第二金屬氧化物薄膜層102的厚度可以為200-1000埃。優(yōu)選地，第二金屬氧化物薄膜層102的厚度為500埃，采用上述優(yōu)選值可以避免第二金屬氧化物薄膜層102厚度過(guò)大，導(dǎo)致薄膜晶體管整體尺寸大的問(wèn)題;第二金屬氧化物薄膜層102厚度過(guò)小，又不能起到緩沖層的效果的問(wèn)題。
[0052]在本發(fā)明實(shí)施例中，第二金屬氧化物薄膜層102為表面經(jīng)過(guò)氫等離子(Plasma)處理或氫摻雜處理的金屬氧化物薄膜層，第二金屬氧化物薄膜層102的表面為第二金屬氧化物薄膜層102朝向源電極103和漏電極104的一面。第二金屬氧化物薄膜層102表面經(jīng)過(guò)氫Plasma處理或摻雜處理，可以進(jìn)一步降低與漏源極接觸表面的含氧量，另外，可以提高第二金屬氧化物薄膜層102的致密性，有利于后續(xù)刻蝕工藝的進(jìn)行。
[0053]圖2顯示了一種底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，如圖2所示，柵極105和柵絕緣層106依次設(shè)置在基板100與第一金屬氧化物薄膜層101之間。而圖3顯示了一種頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，如圖3所示，柵絕緣層106和柵極105依次設(shè)置在源電極103和漏電極104之上。
[0054]在圖2和圖3提供的薄膜晶體管中，柵絕緣層106包括與柵極105接觸的SiNx層，與第一金屬氧化物薄膜層101或第二金屬氧化物薄膜層102接觸的S1y層，設(shè)置在SiNx層和S1y層之間的S1N層，X和y均為正數(shù)。SiNx層與柵極105接觸，保證整個(gè)柵絕緣層106的致密性，S1y與金屬氧化物接觸(在底柵結(jié)構(gòu)中接觸第一金屬氧化物薄膜層101，在頂柵結(jié)構(gòu)中接觸第二金屬氧化物薄膜層102)，防止金屬氧化物與SiNx的氫(沉積SiNx的過(guò)程中需要用到氫氣)接觸，中間設(shè)置S1N層增加SiNx層和S1y層的結(jié)合力。
[0055]其中，柵極105可以是Al、Cu、Mo、Cr、Ti等電極。
[0056]如圖2或3所示，該薄膜晶體管還可以包括鈍化層107或其他常見(jiàn)膜層。其中，鈍化層的材質(zhì)通常為氮化硅或者氧化硅。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括圖1?3所示出的薄膜晶體管。
[0058]本發(fā)明的薄膜晶體管包括經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過(guò)多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內(nèi)部缺陷態(tài)減少，在第一金屬氧化物薄膜層上設(shè)置有未經(jīng)過(guò)退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導(dǎo)率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達(dá)到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術(shù)效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產(chǎn)生肖特基電阻，影響顯示品質(zhì)的問(wèn)題。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述陣列基板。
[0060]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0061]本發(fā)明的薄膜晶體管包括經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過(guò)多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內(nèi)部缺陷態(tài)減少，在第一金屬氧化物薄膜層上設(shè)置有未經(jīng)過(guò)退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導(dǎo)率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達(dá)到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術(shù)效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產(chǎn)生肖特基電阻，影響顯示品質(zhì)的問(wèn)題。
[0062]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管制作方法的流程圖，該方法用于制作圖1至圖3所示的陣列基板，參見(jiàn)圖4，方法包括:
[0063]步驟401:提供一基板。
[0064]步驟402:在基板上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對(duì)第一金屬氧化物薄膜層進(jìn)行退火處理。
[0065]步驟403:在第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層。
[0066]步驟404:在第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。
[0067]本發(fā)明的制成的薄膜晶體管包括經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過(guò)多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內(nèi)部缺陷態(tài)減少，在第一金屬氧化物薄膜層上形成有未經(jīng)過(guò)退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導(dǎo)率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達(dá)到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術(shù)效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產(chǎn)生肖特基電阻，導(dǎo)致薄膜晶體管穩(wěn)定性下降的問(wèn)題。
[0068]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管制作方法的流程圖，該方法用于制作圖2所示的陣列基板，參見(jiàn)圖5，方法包括:
[0069]步驟501:提供一基板。
[0070]步驟502:在基板上依次形成柵極和柵絕緣層。
[0071]其中，形成柵絕緣層可以包括:分別形成與柵極接觸的SiNx層，與第一金屬氧化物薄膜層或第二金屬氧化物薄膜層接觸的S1y層，設(shè)置在SiNx層和S1y層之間的S1N層，X和y均為正數(shù)。SiNx層與柵極接觸，保證整個(gè)柵絕緣層的致密性，S1y層與金屬氧化物接觸(在底柵結(jié)構(gòu)中接觸第一金屬氧化物薄膜層，在頂柵結(jié)構(gòu)中接觸第二金屬氧化物薄膜層)，防止金屬氧化物與SiNx的氫(沉積SiNx的過(guò)程中需要用到氫氣)接觸，中間設(shè)置S1N層增加SiNx層和S1y層的結(jié)合力。
[0072]如圖6所示，在基板100上依次形成柵極105和柵絕緣層106。
[0073]步驟503:在柵絕緣層上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對(duì)第一金屬氧化物薄膜層進(jìn)行退火處理。
[0074]如圖7所示，在柵絕緣層106上形成第一金屬氧化物薄膜層101。
[0075]在本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)第一金屬氧化物薄膜層進(jìn)行退火處理，包括:
[0076]在300-500度的退火溫度下，在空氣、氧氣或N2O中對(duì)第一金屬氧化物薄膜層退火
0.5-2小時(shí)。
[0077]步驟504:在第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層。
[0078]其中，第一金屬氧化物薄膜層和第二金屬氧化物薄膜層可以為IGZO薄膜層。
[0079]在本發(fā)明實(shí)施例中，第一金屬氧化物薄膜層的厚度可以為500-900埃。
[0080]在本發(fā)明實(shí)施例中，第二金屬氧化物薄膜層的厚度可以為200-1000埃。
[0081]如圖8所示，在第一金屬氧化物薄膜層101上形成第二金屬氧化物薄膜層102。
[0082]步驟505:對(duì)第二金屬氧化物薄膜層進(jìn)行表面氫Plasma處理或氫摻雜處理，第二金屬氧化物薄膜層的表面為第二金屬氧化物薄膜層朝向源電極和漏電極的一面。
[0083]由于第二金屬氧化物薄膜層的厚度較厚，可以采用兩步制作第二金屬氧化物薄膜層，即先制作一層金屬氧化物薄膜層，然后再制作一層金屬氧化物薄膜層，并在第二層金屬氧化物薄膜層的表面進(jìn)行氫Plasma處理或氫摻雜處理。
[0084]步驟506:在第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。
[0085]如圖9所示，在第二金屬氧化物薄膜層102上形成源電極103和漏電極104。
[0086]步驟507:在源電極和漏電極上形成鈍化層。
[0087]在源電極103和漏電極104上形成鈍化層107，結(jié)構(gòu)如圖2所示。
[0088]本發(fā)明的制成的薄膜晶體管包括經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過(guò)多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內(nèi)部缺陷態(tài)減少，在第一金屬氧化物薄膜層上形成有未經(jīng)過(guò)退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導(dǎo)率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達(dá)到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術(shù)效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產(chǎn)生肖特基電阻，導(dǎo)致薄膜晶體管穩(wěn)定性下降的問(wèn)題。
[0089]圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管制作方法的流程圖，該方法用于制作圖3所示的陣列基板，參見(jiàn)圖10，方法包括:
[0090]步驟601:提供一基板。
[0091 ]步驟602:在基板上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對(duì)第一金屬氧化物薄膜層進(jìn)行退火處理。
[0092]如圖11所示，在基板100上形成第一金屬氧化物薄膜層101。
[0093]在本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)第一金屬氧化物薄膜層進(jìn)行退火處理，包括:
[0094]在300-500度的退火溫度下，在空氣、氧氣或N2O中對(duì)第一金屬氧化物薄膜層退火
0.5-2小時(shí)。
[0095]步驟603:在第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層。
[0096]其中，第一金屬氧化物薄膜層和第二金屬氧化物薄膜層可以為IGZO薄膜層。
[0097]在本發(fā)明實(shí)施例中，第一金屬氧化物薄膜層的厚度可以為500-900埃。
[0098]在本發(fā)明實(shí)施例中，第二金屬氧化物薄膜層的厚度可以為200-1000埃。
[0099]如圖12所示，在第一金屬氧化物薄膜層101上形成第二金屬氧化物薄膜層102。
[0100]步驟604:對(duì)第二金屬氧化物薄膜層進(jìn)行表面氫Plasma處理或氫摻雜處理，第二金屬氧化物薄膜層的表面為第二金屬氧化物薄膜層朝向源電極和漏電極的一面。
[0101]步驟605:在第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。
[0102]如圖13所示，在第二金屬氧化物薄膜層102上形成源電極103和漏電極104。
[0103]步驟606:在基板上依次形成柵絕緣層和柵極。
[0104]其中，形成柵絕緣層可以包括:分別形成與柵極接觸的SiNx層，與第一金屬氧化物薄膜層或第二金屬氧化物薄膜層接觸的S1y層，設(shè)置在SiNx層和S1y層之間的S1N層，X和y均為正數(shù)。SiNx層與柵極接觸，保證整個(gè)柵絕緣層的致密性，S1y層與金屬氧化物接觸(在底柵結(jié)構(gòu)中接觸第一金屬氧化物薄膜層，在頂柵結(jié)構(gòu)中接觸第二金屬氧化物薄膜層)，防止金屬氧化物與SiNx的氫(沉積SiNx的過(guò)程中需要用到氫氣)接觸，中間設(shè)置S1N層增加SiNx層和S1y層的結(jié)合力。
[0105]如圖14所示，在源電極103和漏電極104上依次形成柵絕緣層106和柵極105。
[0106]步驟607:在柵極上形成鈍化層。
[0107]在柵絕緣層106上形成鈍化層107，結(jié)構(gòu)如圖3所示。
[0108]本發(fā)明的制成的薄膜晶體管包括經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層，退火處理消除了金屬氧化物中過(guò)多的氧空位，使得第一金屬氧化物薄膜層作為有源層內(nèi)部缺陷態(tài)減少，在第一金屬氧化物薄膜層上形成有未經(jīng)過(guò)退火的第二金屬氧化物薄膜層，使得第二金屬氧化物薄膜層具有氧含量低、氧空位多、電導(dǎo)率高的特性，第二金屬氧化物薄膜層作為第一金屬氧化物薄膜層與漏源極層之間的緩沖層，達(dá)到了減小漏源極與第一金屬氧化物薄膜層之間接觸電阻的技術(shù)效果，解決了退火處理的金屬氧化物與漏源極接觸產(chǎn)生肖特基電阻，導(dǎo)致薄膜晶體管穩(wěn)定性下降的問(wèn)題。
[0109]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括:基板、設(shè)置于所述基板上且經(jīng)過(guò)退火處理的第一金屬氧化物薄膜層、設(shè)置于所述第一金屬氧化物薄膜層上且未經(jīng)過(guò)退火處理的第二金屬氧化物薄膜層以及設(shè)置于所述第二金屬氧化物薄膜層上的源電極和漏電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層和所述第二金屬氧化物薄膜層均為銦鎵鋅氧化物薄膜層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層的厚度為 500-900埃。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層的退火溫度為300-500度，退火氣氛為空氣、氧氣或N2O，退火時(shí)間為0.5-2小時(shí)。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二金屬氧化物薄膜層的厚度為 200-1000埃。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二金屬氧化物薄膜層為表面經(jīng)過(guò)氫等離子處理或氫摻雜處理的金屬氧化物薄膜層，所述表面為所述第二金屬氧化物薄膜層朝向所述源電極和漏電極的一面。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括:柵極和柵絕緣層;所述柵極和所述柵絕緣層依次設(shè)置在所述基板與所述第一金屬氧化物薄膜層之間；或者，所述柵絕緣層和所述柵極依次設(shè)置在所述源電極和漏電極之上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵絕緣層包括與所述柵極接觸的SiNx層，與所述第一金屬氧化物薄膜層或所述第二金屬氧化物薄膜層接觸的S1y層，以及設(shè)置在所述SiNx層和所述S1y層之間的S1N層，X和y均為正數(shù)。9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求9所述的陣列基板。11.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一基板； 在所述基板上形成第一金屬氧化物薄膜層，并對(duì)所述第一金屬氧化物薄膜層進(jìn)行退火處理； 在所述第一金屬氧化物薄膜層上形成第二金屬氧化物薄膜層； 在所述第二金屬氧化物薄膜層上形成源電極和漏電極。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層和第二金屬氧化物薄膜層均為IGZO薄膜層。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一金屬氧化物薄膜層的厚度為500-900埃。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述第一金屬氧化物薄膜層進(jìn)行退火處理，包括: 在300-500度的退火溫度下，在空氣、氧氣或N2O中對(duì)所述第一金屬氧化物薄膜層退火0.5-2小時(shí)。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二金屬氧化物薄膜層的厚度為200-1000埃。16.根據(jù)權(quán)利要求11-15任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 對(duì)所述第二金屬氧化物薄膜層進(jìn)行表面氫等離子處理或氫摻雜處理。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK105826250SQ201610327597
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月17日
【發(fā)明人】黎午升, 曹占鋒
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司