[0102] 請參閱圖21，除去所述第一光刻膠層510。
[0103] 具體地，采用化等離子體等氣體對第一光刻膠層510進行轟擊W除去第一柵極絕 緣層400上的第一光刻膠層510。
[0104] 請參閱圖2 J，在所述第一柵極絕緣層400上形成第二柵極絕緣層600。
[0105] 具體地，通過等離子化學氣相沉積工藝在第一柵極絕緣層上形成第二柵極絕緣 層。例如，沉積溫度一般控制在500°C W下。又如，第二柵極絕緣層的厚度為20~60nm。又如， 第二柵極絕緣層的厚度為30~50nm。又如，第二柵極絕緣層的厚度為40~45nm。需要說明的 是，第二柵極絕緣層的厚度需要根據(jù)具體的情況進行選擇，例如，根據(jù)薄膜晶體管中柵極絕 緣層所需要達到的介電系數(shù)調整第二柵極絕緣層的厚度。
[0106] 請參閱圖2K，在第二柵極絕緣層600上形成柵極700。
[0107] 具體地，采用瓣射等方法在柵極絕緣層600上沉積柵極金屬層，通過構圖工藝，使 柵極金屬層形成偽柵極700。例如，柵極金屬層的材料為鋼、侶、銘、銅、侶儀合金及鋼鶴合金 等金屬或合金，又如，使用上述幾種材料的組合。在本實施例中，柵極700的厚度為100-800nm，當然，柵極700的厚度也可根據(jù)具體工藝需要選擇合適的厚度。
[0108] 請參閱圖化，W柵極700為掩膜，對多晶娃層310進行重滲雜離子注入工藝，形成源 區(qū)311及漏區(qū)312。
[0109] 例如，W柵極700為掩膜，對柵極700兩側的多晶娃層310區(qū)域進行重滲雜離子注入 工藝，形成源極重滲雜區(qū)311及漏極重滲雜區(qū)312。在本實施例中采用具有質量分析儀的離 子注入方式，采用含憐元素，如WP曲/此的混合氣體作為注入介質。如WP曲/此的混合氣體 為注入介質，例如，P出與此的比例為1 %~30%;注入能量范圍為20~llOKeV，更優(yōu)選的能量 范圍為50~70KeV;注入劑量范圍為1 X l〇u~1 X l〇i7atoms/cm3,優(yōu)選地，注入劑量范圍為5 X 1〇14~5 X I〇i5atoms/cm3。
[0110] 請參閱圖2M，在柵極700的上方形成層間絕緣層800及源極910和漏極920,使源極 910與源極重滲雜區(qū)311連接，使漏極920與漏極重滲雜區(qū)312連接，得到具有開關薄膜晶體 管ST及驅動薄膜晶體管DT的薄膜晶體管。
[0111] 具體地，其采用如下步驟實現(xiàn)：
[0112] 在柵極700上方形成層間絕緣層800。
[0113] 在第一柵極絕緣層400、第二柵極絕緣層500及層間絕緣層800上形成過孔。
[0114] 在所述過孔內形成源極910和漏極920,使源極910與源極重滲雜區(qū)311連接，使漏 極920與漏極重滲雜區(qū)312連接，得到具有開關薄膜晶體管ST及驅動薄膜晶體管DT的薄膜晶 體管。
[0115] 本實施例中，采用磁控瓣射等常用的成膜方式在過孔內W及層間絕緣層上形成金 屬膜，然后對金屬膜進行光刻及濕法刻蝕等操作形成源極和漏極。
[0116] 另外，本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管，包括上述任一方法制備得到的薄膜晶體管。 例如，一種薄膜晶體管，其采用上述任一方法制備得到。
[0117] W上所述實施例的各技術特征可W進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實 施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要運些技術特征的組合不存 在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
[0118] W上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并 不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來 說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可W做出若干變形和改進，運些都屬于本發(fā)明的保護 范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應W所附權利要求為準。
【主權項】
1. 一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 在基板上依次形成半導體層及第一柵極絕緣層； 在所述第一柵極絕緣層上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括第一光刻膠層及第二 光刻膠層，所述第一光刻膠層對應所述半導體層中待形成驅動薄膜晶體管的區(qū)域，所述第 二光刻膠層對應所述半導體層中待形成開關薄膜晶體管的區(qū)域，所述第一光刻膠層的厚度 大于所述第二光刻膠層的厚度； 以所述光刻膠圖案為掩模，對所述半導體層及所述第一柵極絕緣層進行第一次刻蝕處 理，以除去所述半導體層及所述第一柵極絕緣層上未被光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域； 除去所述第二光刻膠層； 對所述第一柵極絕緣層進行第二次刻蝕處理，以除去至少部分所述第一柵極絕緣層未 被第一光刻膠層覆蓋的區(qū)域的厚度； 除去所述第一光刻膠層； 在所述第一柵極絕緣層上形成第二柵極絕緣層； 在所述第二柵極絕緣層上形成柵極。2. 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述基板上依次形成 半導體層及第一柵極絕緣層，具體包括如下步驟： 在基板上依次形成緩沖層及非晶硅層； 將所述非晶硅層轉化為多晶硅層，得到所述半導體層； 在所述半導體層上形成第一柵極絕緣層。3. 根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，將所述非晶硅層轉化為 多晶硅層后，還包括:對所述多晶硅層進行溝道摻雜。4. 根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，采用等離子體化學氣相 沉積法在所述基板的表面形成所述緩沖層及所述非晶硅層。5. 根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，采用準分子激光退火的 方法將所述非晶硅層轉化為所述多晶硅層。6. 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述第一柵極絕緣層 上形成光刻膠圖案，具體包括如下步驟： 在所述第一柵極絕緣層上形成光刻膠薄膜，采用半色調掩模板對所述光刻膠薄膜進行 曝光和顯影，形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括第一光刻膠層和第二光刻膠層，其中， 所述第一光刻膠層對應所述半導體層的圖案中待形成驅動薄膜晶體管的區(qū)域，所述第二光 刻膠層對應所述半導體層的圖案中待形成開關薄膜晶體管的區(qū)域。7. 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，通過灰化處理除去所述 第二光刻膠層。8. 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕技術除去 所述第一光刻膠層。9. 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述第二柵極絕緣層 上形成柵極之后，還包括如下步驟： 以所述柵極作為掩膜，對所述半導體層進行離子注入，形成源極重摻雜區(qū)及漏極重摻 雜區(qū)； 在所述柵極上方形成層間絕緣層； 在所述第一柵極絕緣層、所述第二柵極絕緣層及所述層間絕緣層上形成過孔； 在所述過孔內形成源極和漏極，并使所述源極與所述源極重摻雜區(qū)連接，所述漏極與 所述漏極重摻雜區(qū)連接。10. -種薄膜晶體管，其特征在于，其采用權利要求1~9中任一方法制備。
【專利摘要】一種薄膜晶體管的制備方法，包括如下步驟：在基板上依次形成半導體層及第一柵極絕緣層；在第一柵極絕緣層上形成光刻膠圖案，光刻膠圖案包括第一光刻膠層及第二光刻膠層，第一光刻膠層的厚度大于第二光刻膠層的厚度；以光刻膠圖案為掩模，對半導體層及第一柵極絕緣層進行第一次刻蝕處理；除去第二光刻膠層；對第一柵極絕緣層進行第二次刻蝕處理，以除去至少部分第一柵極絕緣層未被第一光刻膠層覆蓋的區(qū)域的厚度；除去第一光刻膠層；在第一柵極絕緣層上形成第二柵極絕緣層；在第二柵極絕緣層上形成柵極。上述薄膜晶體管的制備方法，增加了驅動薄膜晶體管的亞閾值擺幅，提高了AMOLED的驅動性能。
【IPC分類】H01L21/336, H01L29/423, H01L29/786
【公開號】CN105702743
【申請?zhí)枴緾N201610129011
【發(fā)明人】張家朝, 任思雨, 蘇君海, 李建華
【申請人】信利（惠州）智能顯示有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2016年3月7日