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具有套設(shè)在基層第一過(guò)孔上的第二過(guò)孔的層結(jié)構(gòu)制備方法

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具有套設(shè)在基層第一過(guò)孔上的第二過(guò)孔的層結(jié)構(gòu)制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種具有套設(shè)在基層第一過(guò)孔上的第二過(guò)孔的層結(jié)構(gòu)制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1為一種現(xiàn)有顯示面板的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,該陣列基板包括柵極10、柵極絕緣層11、有源層12、源極13、漏極14、鈍化層15、公共電極16、層間絕緣層17和像素電極18;其中,所述柵極10、柵極絕緣層11、有源層12、源極13和漏極14構(gòu)成一個(gè)薄膜晶體管;鈍化層15設(shè)置在該薄膜晶體管的上方,以形成一個(gè)平坦表面(即鈍化層15的上表面),所述公共電極16形成在該平坦表面上,且在所述公共電極16上形成有一個(gè)層間絕緣層17,該層間絕緣層17用以使所述公共電極16與形成在層間絕緣層17上方的像素電極18之間不相連接。
[0003]在上述圖1所示陣列基板的結(jié)構(gòu)中,由于像素電極18需要與薄膜晶體管的漏極14連接,因此,在形成鈍化層15的工藝過(guò)程中,需要在與漏極14對(duì)應(yīng)的區(qū)域需要形成一個(gè)過(guò)孔,以使漏極14能夠暴露出來(lái);并且在之后依次形成公共電極16、層間絕緣層17的過(guò)程中,也需要在該與漏極14對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成一個(gè)過(guò)孔,且該過(guò)孔必須套設(shè)在所述鈍化層15中的過(guò)孔上,以使在制備像素電極18時(shí),所述漏極14的部分區(qū)域仍維持暴露狀態(tài)。
[0004]以形成公共電極16的工藝過(guò)程為例,首先在鈍化層15上沉積一層電極材料,如ITO等;其次,在所述電極材料上涂覆一層光刻膠21,如圖2所示;而后,通過(guò)曝光、顯影和刻蝕等工序形成公共電極16的圖形,且在該過(guò)程中,把與鈍化層15中的過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域的電極材料刻蝕掉,形成一個(gè)套設(shè)在鈍化層15中過(guò)孔上的過(guò)孔(即套孔)。但由于曝光過(guò)程中工藝波動(dòng)等原因,鈍化層15中的過(guò)孔中的光刻膠21較厚,經(jīng)顯影后容易產(chǎn)生光刻膠21殘留,參看圖3和圖4,圖3所示為曝光顯影后的正常形成的圖案,圖4所示為鈍化層的過(guò)孔中有光刻膠殘留的圖案。所示光刻膠21殘留在后續(xù)的刻蝕工藝中會(huì)導(dǎo)致被殘留光刻膠21覆蓋的區(qū)域的電極材料無(wú)法被刻蝕掉,該區(qū)域的電極材料會(huì)與薄膜晶體管的漏極短接,最終也會(huì)與像素電極短接,從而會(huì)導(dǎo)致顯示不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一,提出了一種具有套設(shè)在基層第一過(guò)孔上的第二過(guò)孔的層結(jié)構(gòu)制備方法,其可以避免因工藝波動(dòng)而出現(xiàn)光刻膠殘留,進(jìn)而導(dǎo)致各種短接不良的問(wèn)題,而且還可以省去刻蝕工藝,簡(jiǎn)化工藝步驟,降低成本。
[0006]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種具有套設(shè)在基層第一過(guò)孔上的第二過(guò)孔的層結(jié)構(gòu)制備方法,其包括:
[0007]在基層上涂覆負(fù)性光刻膠;
[0008]利用半色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光;且所述半色調(diào)掩模板的與所述基層的第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū)域,該完全透光區(qū)域的外側(cè)為將該完全透光區(qū)域環(huán)繞、且與該完全透光區(qū)域相接的半透光區(qū)域;
[0009]對(duì)所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行顯影;
[0010]在顯影后形成的圖形上形成一層材料;
[0011]剝離剩余的光刻膠。
[0012]其中,所述基層為陣列基板上的鈍化層;所述層結(jié)構(gòu)為公共電極層。
[0013]其中,所述半透光區(qū)域沿由內(nèi)向外的方向其透光率依次遞減。
[0014]其中,沿所述半透光區(qū)域的由內(nèi)向外的方向,所述半透光區(qū)域的透光率呈連續(xù)遞減。
[0015]其中,沿所述半透光區(qū)與的由內(nèi)向外的方向,所述半透光區(qū)與的透光率呈梯度遞減。
[0016]其中,所述半透光區(qū)域中各區(qū)域的透光率相同。
[0017]其中,在與所述基層的第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域所涂覆的光刻膠的厚度大于所述第一過(guò)孔的厚度。
[0018]其中,半色調(diào)掩模板的所述完全透光區(qū)域和所述半透光區(qū)域的相接線在基層上的投影位于所述第一過(guò)孔的底部孔徑和頂部孔徑之間。
[0019]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0020]本發(fā)明提供的具有套設(shè)在基層第一過(guò)孔上的第二過(guò)孔的層結(jié)構(gòu)制備方法,通過(guò)使用半色調(diào)掩模板在基層的第一過(guò)孔處曝光,使該基層的第一過(guò)孔處保留下來(lái)的光刻膠為“上寬下窄”結(jié)構(gòu),這樣在沉積所需形成的層結(jié)構(gòu)的材料后,只需剝離剩余的光刻膠,就可以在所述層結(jié)構(gòu)中形成將在基層的第一過(guò)孔處套設(shè)在內(nèi)部的第二過(guò)孔。與現(xiàn)有技術(shù)相比,可以避免因工藝波動(dòng)而出現(xiàn)光刻膠殘留,進(jìn)而導(dǎo)致各種短接不良的問(wèn)題,同時(shí),還無(wú)需進(jìn)行刻蝕工藝,簡(jiǎn)化了工藝步驟,可以降低成本。
【附圖說(shuō)明】
[0021]附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分,與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明,但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0022]圖1為一種現(xiàn)有顯示面板的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖2為在所述電極材料上涂覆一層光刻膠所形成的圖案的示意圖;
[0024]圖3為曝光顯影后的正常形成的圖案的示意圖;
[0025]圖4為鈍化層的過(guò)孔中有光刻膠殘留的圖案的示意圖;
[0026]圖5為本發(fā)明實(shí)施方式中形成具有套孔的層結(jié)構(gòu)的方法的流程圖;
[0027]圖6為在基層上涂覆一層負(fù)性光刻膠所形成的圖案的示意圖;
[0028]圖7為使用半色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光以及曝光顯影后保留下來(lái)的光刻膠的示意圖;
[0029]圖8為曝光顯影后保留下來(lái)的光刻膠的形狀呈梯度漸變的示意圖;
[0030]圖9為半色調(diào)掩模板的半透光區(qū)域中各處透光率相同時(shí)曝光顯影后保留下來(lái)的光刻膠的示意圖;
[0031]圖10為沉積一層所需形成的層結(jié)構(gòu)的材料后所形成的圖案的示意圖;
[0032]圖11為最終形成的層結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0033]其中,附圖標(biāo)記:
[0034]10:柵極;11:柵極絕緣層;12:有源層;13:源極;14:漏極;15:鈍化層;16:公共電極;17:層間絕緣層;18:像素電極;20:基層;21:光刻I父;22:層結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0035]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是,此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明,并不用于限制本發(fā)明。
[0036]本發(fā)明提供一種具有套設(shè)在基層第一過(guò)孔上的第二過(guò)孔的層結(jié)構(gòu)制備方法,并給出其實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中,如圖5所示,所述具有套設(shè)在基層第一過(guò)孔上的第二過(guò)孔的層結(jié)構(gòu)制備方法包括以下步驟SI?S5。
[0037]SI,在基層20上涂覆負(fù)性光刻膠21;如圖6所示。
[0038]具體地,在與所述基層20的第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域所涂覆的光刻膠21的厚度大于所述過(guò)孔的厚度。
[0039]而所述基層20可以為具有過(guò)孔的任意結(jié)構(gòu),如【背景技術(shù)】中所提到的陣列基板中的鈍化層。
[0040]S2,利用半色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光;且所述半色調(diào)掩模板的與所述基層20的第一過(guò)孔對(duì)
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