一些情況下，空穴傳輸電子阻擋層106在反向偏壓下可W抑制從陽極104向光活 性層108的電子注入，運是因為在陽極104的功函數(shù)與空穴傳輸電子阻擋層106的導(dǎo)帶能量 之間存在相當大的間隙。例如，陽極的功函數(shù)與空穴傳輸電子阻擋層的導(dǎo)帶能量之差的大 小可W為至少約〇.5eV、至少約leV、至少約1.5eV、至少約2eV、至少約2.5eV、至少約3eV、至 少約4eV、或至少約5eV。在一些情況下，陽極的功函數(shù)與空穴傳輸電子阻擋層的導(dǎo)帶能量之 差的大小在約〇.5eV至約leV、約0.5eV至約1.5eV、約0.5eV至約2eV、約0.5eV至約2.5eV、約 0.56￥至約36￥、約0.56￥至約46￥、約0.56￥至約56￥、約16￥至約26￥、約16￥至約2.56￥、約16￥ 至約3eV、約leV至約4eV、約leV至約5eV、約1.5eV至約2.5eV、約1.5eV至約3eV、約1.5eV至約 4eV、約1.5eV至約5eV、約2eV至約3eV、約2eV至約4eV、或約2eV至約5eV的范圍內(nèi)。
[0032] 在一些情況下，空穴傳輸電子阻擋層的導(dǎo)帶能量可W相對低。在某些情況下，空穴 傳輸電子阻擋層的導(dǎo)帶能量的大小為約3eV或更小、約2.5eV或更小、約2eV或更小、約1.5eV 或更小、約leV或更小、或約0.5eV或更小。在一些情況下，導(dǎo)帶能量的大小在約0.5eV至約 leV、約0.5eV 至約 1.5eV、約0.5eV 至約 2eV、約0.5eV 至約2.5eV、約0.5eV 至約 3eV、約 leV 至約 1.5eV、約leV至約2eV、約leV至約2.5eV、約leV至約3eV、約1.5eV至約2eV、約1.5eV至約 2.5eV、約1.5eV至約3eV、約2eV至約2.5eV、或約2.5eV至約3eV的范圍內(nèi)。
[0033] 在某些實施方案中，空穴傳輸(并且，在一些情況下，電子阻擋)層包含P型半導(dǎo)體 金屬氧化物。P型半導(dǎo)體金屬氧化物通常指空穴濃度比電子濃度高的金屬氧化物(例如，與 導(dǎo)帶相比費米能級更靠近價帶）。在一些實施方案中，P型半導(dǎo)體金屬氧化物是寬帶隙半導(dǎo) 體(例如，具有大于約lev、約1.5eV的帶隙的半導(dǎo)體）。在一個示例性實施方案中，P型半導(dǎo)體 金屬氧化物是氧化儀(NiOKNiO可W具有某些已經(jīng)被認為是有利的特性，例如空氣穩(wěn)定性 和/或光學(xué)透明性。例如，如圖2A所示，在小于塊體帶隙能量的入射光能量下，NiO層對于厚 的沉積層具有優(yōu)異的光學(xué)透明性。根據(jù)圖2A，對于NiO層，對于在約500nm至約2500nm的范圍 內(nèi)的波長，透射率大于85%。例如，在5(K)nm的波長下透射率大于85%，并且在1微米的波長 下透射率大于90%。在一些實施方案中，P型半導(dǎo)體金屬氧化物包含氧化銅(化0)。在某些情 況下，P型半導(dǎo)體金屬氧化物可W滲雜有一種或更多種滲雜劑。在一些情況下，P型半導(dǎo)體金 屬氧化物可W在通過溶液處理制造光探測器期間被沉積。在某些實施方案中，P型半導(dǎo)體金 屬氧化物層的厚度在約lOnm至約30加1、約lOnm至約50加1、約lOnm至約lOOnm、約30nm至約 50nm、約30nm至約lOOnm、或約50nm至約lOOnm的范圍內(nèi)。
[0034] 在一些實施方案中，光探測器100還可W包括設(shè)置在陽極104與空穴傳輸層106之 間的空穴提取層（圖1A未示出）。在一些情況下，空穴提取層可W增強空穴提取并且進一步 促進向陽極104傳輸空穴。在某些情況下，空穴提取層可W包含高水平η型材料。η型材料通 常指電子濃度比空穴濃度高的材料(例如，相比于價帶，費米能級更靠近導(dǎo)帶）。在一些情況 下，空穴提取層可W具有大的功函數(shù)(例如，基本上類似于陽極104的功函數(shù)的功函數(shù)）。對 于空穴提取層適合的材料的非限制性實例包括氧化鋼(Μο〇3)、氧化鶴(W化）、W及氧化饑 (V2〇5)。
[0035] 根據(jù)圖1A，光探測器100還可W包括設(shè)置成在遠離層106的側(cè)上的相鄰于光活性層 108的層110。在一些實施方案中，層110包含第二金屬氧化物(例如，第二金屬氧化物層）。在 某些情況下，第二金屬氧化物層可W是電子傳輸層。電子傳輸層通常指促進在裝置(例如， 光探測器)的兩個或更多個層之間的電子傳輸?shù)膶?。例如，在光探測器100在操作中時，電子 傳輸層110可W促進從光活性層108向陰極112的電子傳輸。在一些情況下，電子傳輸層110 可W促進從光活性層108傳輸電子，運是因為電子傳輸層110的導(dǎo)帶能量與光活性層108的 導(dǎo)帶能量基本上一致。例如，在某些情況下，光活性層的導(dǎo)帶能量與電子傳輸層的導(dǎo)帶能量 之差的大小可W為約leV或更小、約0.8eV或更小、約0.6eV或更小、約0.5eV或更小、約0.4eV 或更小、約0.3eV或更小、約0.25eV或更小、約0.2eV或更小、約0.15eV或更小、約0. leV或更 小、或約0.05eV或更小。在一些情況下，光活性層的導(dǎo)帶能量與電子傳輸層的導(dǎo)帶能量之差 的大小可W在約0. 〇5eV至約0. leV、約0.05eV至約0.2eV、約0.05eV至約0.3eV、約0.05eV至 約 0.4eV、約 0.05eV 至約 0.5eV、約 0.05eV 至約 leV、約 O.leV 至約 0.2eV、約 O.leV 至約 0.3eV、 約0. leV至約0.4eV、約0. leV至約0.5eV、約0. leV至約leV、約0.2eV至約0.3eV、約0.2eV至約 0.4eV、約0.2eV至約0.5eV、或約0.2eV至約leV的范圍內(nèi)。
[0036] 在一些實施方案中，電子傳輸層110可W促進向陰極112傳輸電子，運是因為電子 傳輸層的導(dǎo)帶能量與陰極的功函數(shù)基本上一致。例如，陰極的功函數(shù)與電子傳輸層的導(dǎo)電 能量之差的大小可W為約leV或更小、約0.8eV或更小、約0.6eV或更小、約0.5eV或更小、約 0.4eV或更小、約0.3eV或更小、約0.25eV或更小、約0.2eV或更小、約0.15eV或更小、約0. leV 或更小、或約〇.〇5eV或更小。在一些情況下，陰極的功函數(shù)與電子傳輸層的導(dǎo)帶能量之差的 大小可W在約0. 〇5eV至約0. leV、約0.05eV至約0.2eV、約0.05eV至約0.3eV、約0.05eV至約 0.46￥、約0.056￥至約0.56￥、約0.056￥至約16￥、約0.16￥至約0.26￥、約0.16￥至約0.36￥、約 0.16￥至約0.46￥、約0.16￥至約0.56￥、約0.16￥至約16￥、約0.26￥至約0.36￥、約0.26￥至約 0.4eV、約0.2eV至約0.5eV、或約0.2eV至約leV的范圍內(nèi)。
[0037] 在一些實施方案中，電子傳輸層可W具有相對高的電子遷移率。例如，電子傳輸層 可W具有至少約1〇Λπι2/(ν · S)、至少約l〇-7cm2/(V · S)、至少約l〇-6cm2/(V · S)、至少約1〇-5cm2/(V · S)、至少約l〇-4cm2/(V · S)、至少約l〇-3cm2/(V · S)、至少約l〇-2cm2/(V · S)、至少約 l〇-icm2/(V · S)、至少約lcm^(V · S)、或至少約10cm2/(V · S)的電子遷移率。
[0038] 在一些實施方案中，電子傳輸層還用作空穴阻擋層(例如，層110是電子傳輸空穴 阻擋層）?？昭ㄗ钃鯇油ǔＶ敢种圃谘b置(例如，光探測器)的兩個或更多個層之間的空穴傳 輸?shù)膶?。例如，在光探測器100在操作中時，電子傳輸空穴阻擋層110可W抑制從陰極112向 光活性層108的空穴注入。已經(jīng)認識到抑制從陰極向光活性層的空穴注入會是有利的，運是 因為抑制運樣的注入會減小暗電流。減小暗電流會有利地導(dǎo)致光探測器的探測率的增加。
[0039] 在一些情況下，電子傳輸空穴阻擋層110在反向偏壓下可W抑制從陰極112向光活 性層108的空穴注入，運是因為在陰極112的功函數(shù)與電子傳輸空穴阻擋層110的價帶能量 之間存在相當大的間隙。例如，陰極的功函數(shù)與電子傳輸空穴阻擋層的價帶能量之差的大 小可W為至少約〇.5eV、至少約leV、至少約1.5eV、至少約2eV、至少約2.5eV、至少約3eV、至 少約4eV、或至少約5eV。在一些情況下，陰極的功函數(shù)與電子傳輸空穴阻擋層的價帶能量之 差的大小在約〇.5eV至約leV、約0.5eV至約1.5eV、約0.5eV至約2eV、約0.5eV至約2.5eV、約 0.56￥至約36￥、約0.56￥至約46￥、約0.56￥至約56￥、約16￥至約26￥、約16￥至約2.56￥、約16￥ 至約3eV、約leV至約4eV、約leV至約5eV、約1.5eV至約2.5eV、約1.5eV至約3eV、約1.5eV至約 4eV、約1.5eV至約5eV、約2eV至約3eV、約2eV至約4eV、或約2eV至約5eV的范圍內(nèi)。
[0040] 在一些實施方案中，電子傳輸空穴阻擋層的價帶能量相對高。例如，電子傳輸空穴 阻擋層的價帶能量的大小可W為至少約5eV、至少約5.5eV、至少約6eV、至少約6.5eV、至少 約7eV、至少約7.5eV、至少約8eV、至少約9eV、或至少約lOeV。在一些情況下，價帶能量的大 小在約5eV至約6eV、約5eV至約7eV、約5eV至約8eV、約5eV至約9eV、約5eV至約lOeV、約6eV至 約7eV、約6eV至約8eV、約6eV至約9eV、約6eV至約lOeV、約7eV至約8eV、約7eV至約9eV、約7eV 至約lOeV、約8eV至約9eV、或約8eV至約lOeV的范圍內(nèi)。
[0041] 在一些實施方案中，電子傳輸(并且，在一些情況下，空穴阻擋)層包含η型半導(dǎo)體 金屬氧化物。η型半導(dǎo)體金屬氧化物通常