Zn。. sCd。. 2S。 陽025] 作為進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施例，所述（Axl/B/Ax2)。量子阱量子點(diǎn)納米結(jié)構(gòu)中，所述Axl 和/或所述Ax2為多層殼層結(jié)構(gòu)。更進(jìn)一步的，所述多層殼層結(jié)構(gòu)優(yōu)選具有漸變式能級(jí)結(jié) 構(gòu)，具體的，所述漸變式能級(jí)結(jié)構(gòu)為：相對(duì)于所述B的寬帶，所述AxU所述Ax2的寬帶各自 由內(nèi)到外逐漸增大。此時(shí)，由于注入效率是和其勢(shì)壘的e指數(shù)成正相關(guān)，而假設(shè)U為注入 效率，則e〇(a+b)大于6技扭》相拉腳，因此，能及漸變的多層殼層結(jié)構(gòu)有利于載流子的注 入；同時(shí)，由于空穴的有效質(zhì)量比電子大，因此空穴波函數(shù)的局域性就比較強(qiáng)，所述漸變式 能級(jí)結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展空穴的波函數(shù)，進(jìn)一步減少俄歇復(fù)合，提高器件發(fā)光效率。此外，將所述 多層殼層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成漸變式能級(jí)結(jié)構(gòu)即進(jìn)行梯度能級(jí)設(shè)計(jì)，可W減少核、殼材料由于晶格 常數(shù)失配引起的層間應(yīng)力和缺陷，進(jìn)一步提高發(fā)光效勞，改善器件性能。作為一個(gè)具體實(shí) 施例，所述（Axl/B/Ax2)。量子阱結(jié)構(gòu)中，所述Axl和所述Ax2為多層殼層結(jié)構(gòu)，其中，所述 Axl 為 Zno.sCdo.2S/Zno.5Cdo.5S/Zno.2Cdo.sS/CdS，所述 B 為 CdSe,所述 Ax2 為 CdS/Zn〇.2Cd〇.sS/ Zno.5Cdo.5S/Zno.8Cdo.2S。 陽0%] 本發(fā)明實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層4的厚度5-200nm之間。
[0027] 本發(fā)明實(shí)施例所述頂電極6為陰極，所述頂電極6的材料選用和厚度設(shè)置不受限 審IJ，可采用常規(guī)陰極材料，并設(shè)置成常規(guī)厚度。
[0028] 本發(fā)明實(shí)施例提供的基于量子阱結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，二維結(jié)構(gòu)的阱狀量子 點(diǎn)可W有效地抑制俄歇復(fù)合幾率，尤其是高注入條件下無福射復(fù)合可W得到有效減少，由 此，一方面可W提高發(fā)光器件中激子的福射復(fù)合效率，從而提高量子點(diǎn)發(fā)光器件的性能；另 一方面，由于無福射復(fù)合減少，器件在工作下的熱效應(yīng)減弱，從而可W顯著改善量子點(diǎn)發(fā)光 器件的穩(wěn)定性。此外，本發(fā)明提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，能夠通過調(diào)節(jié)量子阱結(jié)構(gòu)的內(nèi)層核 的尺寸來精確調(diào)控發(fā)光峰位，從而可W在相對(duì)大尺寸的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中獲得高效率的藍(lán)光， 更適合低成本大規(guī)模的彩色器件制備。
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管可W通過下述方法制備獲得。
[0030] W及，本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，包括W下步 驟：
[0031] SOI.提供一底電極；
[0032] S02.將量子阱結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)溶解形成量子點(diǎn)溶液，將所述量子點(diǎn)溶液沉積在所述 底電極上，形成量子點(diǎn)發(fā)光層；
[0033] S03.在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積頂電極。
[0034] 具體的，上述步驟SOl中，所述底電極可W通過在襯底上沉積實(shí)現(xiàn)，所述沉積方法 不受限制，可W采用瓣射實(shí)現(xiàn)。
[0035] 上述步驟S02中，將量子阱結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)溶解形成量子點(diǎn)溶液，可根據(jù)所述量子 點(diǎn)的具體類型選擇不同極性的溶劑，使所述量子點(diǎn)充分分散、溶解。本發(fā)明實(shí)施例對(duì)用于溶 解量子點(diǎn)的溶劑的具體類型沒有明確規(guī)定，只需能夠溶解所述量子點(diǎn)即可。
[0036] 本發(fā)明實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)溶液的沉積，可W采用旋涂、打印或噴涂等溶液方法 制備實(shí)現(xiàn)。
[0037] 作為進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施例，在沉積所述量子點(diǎn)溶液形成所述量子點(diǎn)發(fā)光層之前，還 包括在所述底電極上沉積空穴注入層、空穴傳輸層中的至少一層，優(yōu)選的，在所述底電極上 依次沉積空穴注入層和空穴傳輸層。所述空穴注入層和/或空穴傳輸層的沉積方法不受限 審IJ，可采用本領(lǐng)域常規(guī)溶液加工方法沉積，如噴墨打印、旋涂、噴涂等。
[00測(cè)上述步驟S03中，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積頂電極的方法不受限制，可W采用 瓣射實(shí)現(xiàn)。
[0039] 作為進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施例，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積所述頂電極之前，還包括在 所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積電子傳輸層、電子注入層中的至少一層。所述空穴注入層和/或 空穴傳輸層的沉積方法不受限制，可采用本領(lǐng)域常規(guī)溶液加工方法沉積，如噴墨打印、旋 涂、噴涂等。優(yōu)選的，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積電子傳輸層。
[0040] 本發(fā)明實(shí)施例提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，將量子阱結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)溶解 形成量子點(diǎn)溶液后進(jìn)行沉積，方法簡(jiǎn)單可控，且各層結(jié)構(gòu)均可采用本領(lǐng)域成熟工藝進(jìn)行沉 積，易于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
[0041] W上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用W限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括依次層疊設(shè)置的底電極、量子點(diǎn)發(fā)光層和頂電極，其特 征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層中的量子點(diǎn)為（Axl/B/Ax2)n量子阱結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，其中，所述 Axl、B、Ax2分別表示三種半導(dǎo)體材料層，所述η為多1的自然數(shù)。2. 如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述Axl、Αχ2的帶隙寬度大 于所述Β的帶隙寬度，且所述Axl、Ax2的導(dǎo)帶高于所述Β的導(dǎo)帶，所述Axl、Ax2的價(jià)帶低于 所述Β的價(jià)帶。3. 如權(quán)利要求2所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述Axl、Β、Αχ2各自單獨(dú)為 II-VI族、III-V族、I-II-VI族半導(dǎo)體材料中的一種。4. 如權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述Axl、Ax2各自單獨(dú)為 ZnS、ZnSe、CdS、InP、GaP、CuInS、CuGaS半導(dǎo)體材料中的一種；和 / 或 所述B為CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、ZnTe、InP、GaP、CuInS、CuGaS半導(dǎo)體材料中的一種。5. 如權(quán)利要求1-4任一所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述Axl和/或所述 Ax2為多層殼層結(jié)構(gòu)。6. 如權(quán)利要求5所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述多層殼層結(jié)構(gòu)具有漸變 式能級(jí)結(jié)構(gòu)，所述漸變式能級(jí)結(jié)構(gòu)為：相對(duì)于所述B的寬帶，所述Axl、所述Ax2的寬帶各自 由內(nèi)到外逐漸增大。7. 如權(quán)利要求1-4任一所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述η的取值范圍為： 1彡η彡20〇8. 如權(quán)利要求1-4任一所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，還包括空穴注入層、空 穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層。9. 一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，包括以下步驟： 提供一底電極； 將量子阱結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)溶解形成量子點(diǎn)溶液，將所述量子點(diǎn)溶液沉積在所述底電極 上，形成量子點(diǎn)發(fā)光層； 在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積頂電極。10. 如權(quán)利要求9所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在制備所述量子 點(diǎn)發(fā)光層之前，還包括在所述底電極上沉積空穴注入層、空穴傳輸層中的至少一層；和/或 在沉積所述頂電極之前，還包括在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積電子傳輸層、電子注入層 中的至少一層。
【專利摘要】本發(fā)明適用于顯示技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種基于量子阱結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法。所述一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括依次層疊設(shè)置的底電極、量子點(diǎn)發(fā)光層和頂電極，所述量子點(diǎn)發(fā)光層中的量子點(diǎn)為(Ax1/B/Ax2)n量子阱結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，其中，所述Ax1、B、Ax2分別表示三種半導(dǎo)體材料層，所述n為≥1的自然數(shù)。
【IPC分類】H01L33/26, H01L33/00, H01L33/30, H01L33/06, H01L33/28
【公開號(hào)】CN105405941
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610013171
【發(fā)明人】錢磊, 曹蔚然, 楊一行
【申請(qǐng)人】Tcl集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2016年1月6日