干蝕刻，形成由至少一個(gè)溝道13a，13b構(gòu)成的非晶硅圖案包括:將第二緩沖層12的頂面上的非晶硅層完全蝕刻，將第一緩沖層11的頂面上的非晶硅層部分蝕刻，將第二緩沖層12的側(cè)面上的非晶硅層部分蝕刻，保留第一緩沖層11和第二緩沖層12相接處的部分非晶硅層13a，13b，其中保留的非晶硅層13a，13b為非晶硅圖案。經(jīng)上述蝕刻后保留的非晶硅層13a，13b為一個(gè)、兩個(gè)或者多個(gè)凸起的溝道13a，13b，一個(gè)、兩個(gè)或者多個(gè)凸起的溝道13a，13b構(gòu)成非晶硅圖案，溝道13a與溝道13b之間間隔設(shè)置。圖中僅示出兩個(gè)溝道13a，13b，應(yīng)理解實(shí)際制程中可以是多個(gè)溝道間隔設(shè)置構(gòu)成非晶硅圖案，且每一個(gè)溝道對(duì)應(yīng)于一個(gè)薄膜晶體管。在對(duì)非晶硅層13進(jìn)行干蝕刻，形成非晶硅圖案后，每一溝道13a，13b的線寬W均小于第二緩沖層12的厚度H。優(yōu)選地，每一溝道13a，13b的線寬W均小于I微米。
[0036]步驟S16:將緩沖層部分蝕刻。
[0037]在步驟S16中，請(qǐng)參閱圖7，圖7是步驟S16中將第二緩沖層完全蝕刻去除后的示意圖。將緩沖層部分蝕刻包括:將第二緩沖層12完全蝕刻去除。具體地，將溝道13a與溝道13b之間的第二緩沖層完全蝕刻去除。將第二緩沖層12完全蝕刻去除具體為:利用二氧化硅蝕刻液將第二緩沖層12除去。優(yōu)選地，二氧化硅蝕刻液為氫氟酸(NH4F/HF)。
[0038]步驟S17:將非晶硅圖案進(jìn)行處理使其中的非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑Ч鑸D案。
[0039]在步驟S17中，將非晶硅圖案進(jìn)行處理使其中的非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑Ч鑸D案具體為:將非晶硅圖案進(jìn)行固相結(jié)晶化處理使其中的非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑迗D案。
[0040]優(yōu)選地，在基板上形成第一緩沖層具體為:利用氣體氣相沉積法在基板上形成第一緩沖層；在第一緩沖層上形成第二緩沖層具體為:利用氣體氣相沉積法在第一緩沖層上形成第二緩沖層；在未被第二緩沖層覆蓋的第一緩沖層的頂面上、第二緩沖層的頂面以及第二緩沖層的側(cè)面上形成非晶硅層具體為:利用氣體氣相沉積法在未被第二緩沖層覆蓋的第一緩沖層的頂面上、第二緩沖層的頂面以及第二緩沖層的側(cè)面上形成非晶硅層。
[0041 ] 步驟S18:對(duì)溝道進(jìn)行摻雜。
[0042]步驟S19:在緩沖層和多晶娃圖案上形成棚■絕緣層。
[0043]在步驟S19中，請(qǐng)進(jìn)一步參閱圖8，圖8是在緩沖層和多晶娃圖案上形成棚■絕緣層的示意圖。在第一緩沖層11和多晶硅圖案13a、13b上形成柵絕緣層14。
[0044]步驟S20:在柵絕緣層上形成第一金屬層。
[0045]在步驟S20中，繼續(xù)參閱圖8，在柵絕緣層14上形成第一金屬層15。
[0046]優(yōu)選地，在步驟S20之后，還可以進(jìn)一步包括以下步驟:在第一金屬層上形成層間介質(zhì)層；在層間介質(zhì)層上形成第二金屬層。其中，柵絕緣層的材料優(yōu)選為二氧化硅(S12)與氮化硅(SiNx)的雙層結(jié)構(gòu)，上層為二氧化硅(S12)下層為氮化硅(SiNx)或者上層為氮化娃(SiNx)下層為二氧化娃(S12)。第一金屬層材料優(yōu)選為金屬鉬。第二金屬層材料優(yōu)選為鈦和鋁。在其他實(shí)施例中，第一金屬層和第二金屬層也可以為其他材料，優(yōu)選地，第一金屬層為柵極層，第二金屬層為漏源層。
[0047]本發(fā)明通過(guò)合理設(shè)計(jì)利用對(duì)緩沖層濕蝕刻再對(duì)非晶硅層直接干蝕刻，能夠使得制造的低溫多晶硅薄膜晶體管溝道尺寸較小，低溫多晶硅薄膜晶體管之間的線距較大，更利于低溫多晶硅薄膜晶體管的散熱，從而有利于制作低溫多晶硅薄膜晶體管電性更穩(wěn)定的LTPS顯示產(chǎn)品。
[0048]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 提供基板； 在基板上形成緩沖層； 對(duì)所述緩沖層進(jìn)行濕蝕刻； 在濕蝕刻后的所述緩沖層上形成非晶硅層； 對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行干蝕刻，形成由至少一個(gè)溝道構(gòu)成的非晶硅圖案； 將所述緩沖層部分蝕刻； 將所述非晶硅圖案進(jìn)行處理使其中的非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑Ч鑸D案； 對(duì)所述溝道進(jìn)行摻雜； 在所述緩沖層和所述多晶硅圖案上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成第一金屬層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上形成緩沖層包括: 在所述基板上形成第一緩沖層； 在所述第一緩沖層上形成第二緩沖層； 所述對(duì)所述緩沖層進(jìn)行濕蝕刻包括: 對(duì)所述第二緩沖層進(jìn)行濕蝕刻，蝕刻后所述第二緩沖層僅覆蓋所述第一緩沖層的部分區(qū)域，且所述第二緩沖層的側(cè)面與其底面的夾角小于90度； 所述在濕蝕刻后的所述緩沖層上形成非晶硅層包括: 在未被所述第二緩沖層覆蓋的所述第一緩沖層的頂面上、所述第二緩沖層的頂面以及所述第二緩沖層的側(cè)面上形成非晶硅層； 對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行干蝕刻，形成由至少一個(gè)溝道構(gòu)成的非晶硅圖案包括: 將所述第二緩沖層的頂面上的所述非晶硅層完全蝕刻，將所述第一緩沖層的頂面上的所述非晶硅層部分蝕刻，將所述第二緩沖層的側(cè)面上的所述非晶硅層部分蝕刻，保留所述第一緩沖層和所述第二緩沖層相接處的部分非晶硅層，其中保留的所述非晶硅層為所述非晶娃圖案； 所述將所述緩沖層部分蝕刻包括: 將所述第二緩沖層完全蝕刻去除。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述非晶硅圖案進(jìn)行處理使其中的非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑Ч鑸D案包括: 將所述非晶硅圖案進(jìn)行固相結(jié)晶化處理使其中的非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑Ч鑸D案。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述柵絕緣層上形成第一金屬層之后還包括: 在所述第一金屬層上形成層間介質(zhì)層； 在所述層間介質(zhì)層上形成第二金屬層。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第一緩沖層上形成第二緩沖層具體為: 在所述第一緩沖層上形成厚度為0.5-1.5微米的所述第二緩沖層。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一緩沖層為氮化硅，所述第二緩沖層為二氧化硅，所述將所述第二緩沖層完全蝕刻去除具體為: 利用二氧化硅蝕刻液將第二緩沖層除去。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述第二緩沖層進(jìn)行濕蝕刻，蝕刻后所述第二緩沖層僅覆蓋所述第一緩沖層的部分區(qū)域，且所述第二緩沖層的側(cè)面與其底面的夾角小于90度具體為: 對(duì)所述第二緩沖層進(jìn)行濕蝕刻，蝕刻后所述第二緩沖層僅覆蓋所述第一緩沖層的部分區(qū)域，且所述第二緩沖層的側(cè)面與其底面的夾角在60-70度之間。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述基板上形成第一緩沖層具體為: 利用氣體氣相沉積法在所述基板上形成所述第一緩沖層； 所述在所述第一緩沖層上形成第二緩沖層具體為: 利用氣體氣相沉積法在所述第一緩沖層上形成所述第二緩沖層； 在未被所述第二緩沖層覆蓋的所述第一緩沖層的頂面上、所述第二緩沖層的頂面以及所述第二緩沖層的側(cè)面上形成非晶硅層具體為: 利用氣體氣相沉積法在未被所述第二緩沖層覆蓋的所述第一緩沖層的頂面上、所述第二緩沖層的頂面以及所述第二緩沖層的側(cè)面上形成非晶硅層。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅蝕刻液為氫氟酸。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，多個(gè)溝道間隔設(shè)置構(gòu)成所述非晶硅圖案，在對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行干蝕刻，形成非晶硅圖案后，每一所述溝道的線寬均小于所述第二緩沖層的厚度。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法，該方法包括：提供基板；在基板上形成緩沖層；對(duì)緩沖層進(jìn)行濕蝕刻；在濕蝕刻后的緩沖層上形成非晶硅層；對(duì)非晶硅層進(jìn)行干蝕刻，形成由至少一個(gè)溝道構(gòu)成的非晶硅圖案；將緩沖層部分蝕刻；將非晶硅圖案進(jìn)行處理使其中的非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑Ч鑸D案；對(duì)溝道進(jìn)行摻雜；在緩沖層和多晶硅圖案上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成第一金屬層。通過(guò)上述方式，本發(fā)明能夠使低溫多晶硅薄膜晶體管的溝道寬度值明顯變小，薄膜晶體管之間的線距變大，更利于低溫多晶硅薄膜晶體管的散熱。
【IPC分類】H01L29/10, H01L29/66
【公開(kāi)號(hào)】CN105390534
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510713860
【發(fā)明人】孟林
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月9日
【申請(qǐng)日】2015年10月28日