室內(nèi)的氣體密度，使所述氣體密度大于烘烤處理腔室外室溫條件下的氣體密度，例如，向所述烘烤處理腔室內(nèi)通入N2、He、Ar或Ne，以增加所述烘烤處理腔室內(nèi)的氣體密度。
[0105]相應(yīng)的，提供一種烘烤處理裝置以進(jìn)行前烘處理，圖14為烘烤處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，所述烘烤處理裝置包括:烘烤處理腔室311 ;位于所述烘烤處理腔室311底部的底座316 ;位于所述烘烤處理腔室311內(nèi)的支撐盤(pán)313，用于承載基底300 ;導(dǎo)入管314，所述導(dǎo)入管314與烘烤處理腔室311相連接，用于向烘烤處理腔室311內(nèi)通入N2、He、Ar或Ne ;導(dǎo)出管315，所述導(dǎo)出管315與烘烤處理腔室311相連接；與所述導(dǎo)出管315相連接的泵312，當(dāng)烘烤處理腔室311內(nèi)氣體壓強(qiáng)過(guò)大時(shí)，使得泵312抽取烘烤處理腔室311內(nèi)的氣體；與所述導(dǎo)出管315相連接的第一閥門(mén)318，所述第一閥門(mén)318位于烘烤處理腔室311與泵312之間，當(dāng)需要用泵312抽取氣體時(shí)，將第一閥門(mén)318打開(kāi)；與烘烤處理腔室311相連接的壓力計(jì)317，所述壓力計(jì)317用于測(cè)量烘烤處理腔室311內(nèi)的壓強(qiáng)，所述壓力計(jì)317與導(dǎo)出管315相連接，且壓力計(jì)317位于腔室311和第一閥門(mén)318之間；與所述壓力計(jì)317相連接的第二閥門(mén)319，所述第二閥門(mén)319位于烘烤處理腔室311與壓力計(jì)317之間，當(dāng)需要測(cè)量烘烤處理腔室311內(nèi)壓強(qiáng)時(shí)，將所述第二閥門(mén)319打開(kāi)。
[0106]請(qǐng)參考圖15，對(duì)所述光刻膠膜305 (請(qǐng)參考圖13)進(jìn)行曝光處理以及顯影處理，形成光刻膠層307。
[0107]所述光刻膠層307定義出后續(xù)形成的再分布層的位置，填充區(qū)域的光刻膠膜305轉(zhuǎn)化為填充區(qū)域的光刻膠層307。
[0108]請(qǐng)參考圖16，提供烘烤處理腔室，所烘烤處理腔室內(nèi)的壓強(qiáng)大于烘烤處理腔室外的大氣壓強(qiáng)；在所述烘烤處理腔室內(nèi)，對(duì)所述光刻膠層307進(jìn)行后烘處理。
[0109]作為一個(gè)具體實(shí)施例，所述后烘處理的工藝參數(shù)為:烘烤溫度為100度至150度。
[0110]在所述后烘處理過(guò)程中，通孔303 (請(qǐng)參考圖11)內(nèi)的氣體體積具有膨脹的趨勢(shì)，即氣體區(qū)域306體積具有增加的趨勢(shì)，氣體區(qū)域306的氣體向填充區(qū)域的光刻膠層307產(chǎn)生向上的壓強(qiáng)作用323 ;然而，由于所述后烘處理在具有較高壓強(qiáng)的烘烤處理腔室內(nèi)進(jìn)行，所述烘烤處理腔室內(nèi)的氣體向填充區(qū)域的光刻膠層307產(chǎn)生向下的壓強(qiáng)作用322，所述向下的壓強(qiáng)作用322在一定程度上抵消向上的壓強(qiáng)作用323，阻止氣體區(qū)域306體積增加，當(dāng)向下的壓強(qiáng)作用322完全抵消向上的壓強(qiáng)作用323時(shí)，在后烘處理過(guò)程中，氣體區(qū)域306的體積保持不變，從而有效的防止填充區(qū)域的光刻膠層307厚度變薄或斷開(kāi)，使得填充區(qū)域的光刻膠層307具有良好的形貌。
[0111]獲得具有較高壓強(qiáng)的烘烤處理腔室的方法可參考前述獲得前烘處理的烘烤處理腔室的方法，在此不再贅述。
[0112]本實(shí)施例中，對(duì)光刻膠膜305(請(qǐng)參考圖13)進(jìn)行烘烤處理包括前烘處理和后烘處理，圖形化所述光刻膠膜305形成光刻膠層307的工藝步驟包括:前烘處理、曝光處理、顯影處理以及后烘處理。具體的，在形成光刻膠膜305后進(jìn)行前烘處理，在對(duì)光刻膠膜305進(jìn)行曝光處理和顯影處理后對(duì)光刻膠膜305進(jìn)行后烘處理，實(shí)際上所述后烘處理是對(duì)光刻膠層307進(jìn)行的。
[0113]在本實(shí)施例中，所述壓強(qiáng)差光刻工藝包括:采用旋轉(zhuǎn)涂覆工藝在所述金屬層表面形成光刻膠膜，所述光刻膠膜封閉所述通孔，且所述通孔內(nèi)具有氣體；提供烘烤處理腔室，所述烘烤處理腔室內(nèi)壓強(qiáng)大于烘烤處理腔室外的大氣壓強(qiáng)；在所述烘烤處理腔室內(nèi)，對(duì)所述光刻膠膜進(jìn)行烘烤處理；圖形化所述光刻膠膜形成光刻膠層。
[0114]請(qǐng)參考圖17，以所述光刻膠層307 (請(qǐng)參考圖16)為掩膜，刻蝕所述金屬層304 (請(qǐng)參考圖16)直至暴露出基底300表面，剩余的金屬層304為再分布層308 ;去除所述光刻膠層307 ;在所述再分布層308表面形成絕緣層309。
[0115]有關(guān)刻蝕工藝、去除光刻膠層307的工藝以及絕緣層309的形成工藝可參考前述實(shí)施例的說(shuō)明，在此不再贅述。
[0116]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底內(nèi)形成有通孔； 在所述基底表面、通孔底部和側(cè)壁表面形成金屬層； 提供光刻處理腔室，所述光刻處理腔室內(nèi)的壓強(qiáng)與光刻處理腔室外的壓強(qiáng)具有壓強(qiáng)差; 在所述光刻處理腔室內(nèi)，采用壓強(qiáng)差光刻工藝在部分金屬層表面形成光刻膠層，所述光刻膠層封閉所述通孔，且所述通孔內(nèi)具有氣體； 以所述光刻膠層為掩膜，刻蝕所述金屬層直至暴露出基底表面，剩余的金屬層為再分布層; 在形成所述再分布層后，去除所述光刻膠層。2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述光刻處理腔室包括旋轉(zhuǎn)涂覆腔室，且所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的壓強(qiáng)小于旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外的大氣壓強(qiáng)。3.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述壓強(qiáng)差光刻工藝包括:在所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)，采用旋轉(zhuǎn)涂覆工藝在金屬層表面形成光刻膠膜，所述光刻膠膜封閉所述通孔，所述通孔內(nèi)具有氣體；對(duì)所述光刻膠膜進(jìn)行烘烤處理；圖形化所述光刻膠膜形成光刻膠層。4.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，使所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的壓強(qiáng)小于旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外的大氣壓強(qiáng)的方法為:旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)溫度與旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外室溫相同，減小所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的氣體密度，使所述氣體密度小于旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外室溫條件下的氣體密度。5.如權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，抽取所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的氣體，減小所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的氣體密度。6.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，使所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的壓強(qiáng)小于旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外的大氣壓強(qiáng)的方法為:所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的氣體密度與旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外室溫條件下的氣體密度相同，降低所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的溫度，使旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的溫度小于旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外的室溫。7.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，使所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的壓強(qiáng)小于旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外的大氣壓強(qiáng)的方法為:減小所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的氣體密度，使所述氣體密度小于旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外室溫條件下的氣體密度，降低所述旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的溫度，使旋轉(zhuǎn)涂覆腔室內(nèi)的溫度小于旋轉(zhuǎn)涂覆腔室外的室溫。8.如權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述烘烤處理過(guò)程中，通孔內(nèi)的氣體體積膨脹。9.如權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述烘烤處理包括前烘處理和后烘處理。10.如權(quán)利要求9所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，圖形化所述光刻膠膜形成光刻膠層的工藝步驟包括:前烘處理、曝光處理、顯影處理以及后烘處理。11.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述光刻處理腔室包括烘烤處理腔室，且所述烘烤處理腔室內(nèi)的壓強(qiáng)大于烘烤處理腔室外的大氣壓強(qiáng)。12.如權(quán)利要求11所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述壓強(qiáng)差光刻工藝包括:采用旋轉(zhuǎn)涂覆工藝在所述金屬層表面形成光刻膠膜，所述光刻膠膜封閉所述通孔，且所述通孔內(nèi)具有氣體；在所述烘烤處理腔室內(nèi)，對(duì)所述光刻膠膜進(jìn)行烘烤處理；圖形化所述光刻膠膜形成光刻膠層。13.如權(quán)利要求11所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，使所述烘烤處理腔室內(nèi)的壓強(qiáng)大于烘烤處理腔室外的大氣壓強(qiáng)的方法為:增加所述烘烤處理腔室內(nèi)的氣體密度，使所述氣體密度大于烘烤處理腔室外室溫條件下的氣體密度。14.如權(quán)利要求13所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，向所述烘烤處理腔室內(nèi)通入N2、He、Ar或Ne，以增加所述烘烤處理腔室內(nèi)的氣體密度。15.如權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述烘烤處理包括前烘處理以及后烘處理。16.如權(quán)利要求15所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，圖形化所述光刻膠膜形成光刻膠層的工藝步驟包括:前烘處理、曝光處理、顯影處理以及硬烘處理。17.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料為Cu、A1、W 或 Ag。18.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝刻蝕所述金屬層。19.如權(quán)利要求18所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕液體包括硝酸、硫酸、雙氧水、氟化銨以及去離子水的混合溶液，其中，硝酸與混合溶液的質(zhì)量百分比小于10%，硫酸與混合溶液的質(zhì)量百分比小于5%，雙氧水與混合溶液的質(zhì)量百分比小于8%，氟化銨與混合溶液的質(zhì)量百分比小于5%。
【專(zhuān)利摘要】一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底，所述基底內(nèi)形成有通孔；在所述基底表面、通孔底部和側(cè)壁表面形成金屬層；提供光刻處理腔室，所述光刻處理腔室內(nèi)的壓強(qiáng)與光刻處理腔室外的壓強(qiáng)具有壓強(qiáng)差，在所述光刻處理腔室內(nèi)采用壓強(qiáng)差光刻工藝，在部分金屬層表面形成光刻膠層，所述光刻膠層封閉所述通孔，且所述通孔內(nèi)具有氣體；以所述光刻膠層為掩膜，刻蝕所述金屬層直至暴露出基底表面，剩余的金屬層為再分布層；去除所述光刻膠層。本發(fā)明提高形成的光刻膠層的質(zhì)量，避免光刻膠層的厚度過(guò)薄或斷裂，避免對(duì)通孔底部和側(cè)壁表面的金屬層造成不必要的刻蝕，提高形成的再分布層的質(zhì)量，從而提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可靠性及電學(xué)性能。
【IPC分類(lèi)】H01L21/768, H01L21/027
【公開(kāi)號(hào)】CN105374742
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410443233
【發(fā)明人】何作鵬, 丁敬秀
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2014年9月2日