層疊陶瓷電容器、包含其的層疊陶瓷電容器串及其安裝體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及層疊陶瓷電容器、包含其的層疊陶瓷電容器串、以及層疊陶瓷電容器 的安裝體。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為公開了實現(xiàn)抑制裂紋的產(chǎn)生的層疊陶瓷電容器的在先文獻(xiàn)，存在JP特開 2012-248581號公報（專利文獻(xiàn)1)。在專利文獻(xiàn)1所記載的層疊陶瓷電容器中，坯體包含： 隔著電介質(zhì)對置的第1內(nèi)部電極以及第2內(nèi)部電極被層疊的內(nèi)部電極層疊體（內(nèi)層部）、和 從層疊方向的兩側(cè)夾著內(nèi)部電極層疊體（內(nèi)層部）的第1電介質(zhì)層疊體（外層部）以及第 2電介質(zhì)層疊體（外層部），包含第1坯體主面的第1電介質(zhì)層疊體（外層部）與包含第2 坯體主面的第2電介質(zhì)層疊體（外層部）相比在層疊方向上形成得更厚。
[0003] 在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0004] 專利文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)1 :JP特開2012-248581號公報
[0006] 作為裂紋的產(chǎn)生方式，存在如下方式：安裝了層疊陶瓷電容器的基板受到外力彎 曲時所產(chǎn)生的外部應(yīng)力作用于層疊陶瓷電容器的電介質(zhì)層而產(chǎn)生裂紋。作為其他的裂紋的 產(chǎn)生方式，本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)了如下方式：因?qū)盈B陶瓷電容器燒成時的電介質(zhì)層以及導(dǎo)電體 層的熱收縮率之差所產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力作用于內(nèi)層部和外層部的邊界而產(chǎn)生裂紋（層間剝 離）?？芍?，該裂紋的產(chǎn)生方式在為了增大層疊陶瓷電容器的靜電電容而增加層疊數(shù)來加厚 內(nèi)層部的情況下尤為顯著。
[0007] 專利文獻(xiàn)1所記載的層疊陶瓷電容器雖然實現(xiàn)了因外部應(yīng)力而產(chǎn)生的裂紋的抑 制，但對于由于因電介質(zhì)層以及導(dǎo)電體層的熱收縮率之差所產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力而產(chǎn)生的裂紋 的抑制卻并未作考慮。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明正是鑒于上述的問題點而提出的，其目的在于，提供既能確保靜電電容又 能抑制由于因電介質(zhì)層以及導(dǎo)電體層的熱收縮率之差所產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力而產(chǎn)生裂紋的層 疊陶瓷電容器。
[0009] 基于本發(fā)明的第1局面的層疊陶瓷電容器，具備：層疊體，其包含被層疊的多個電 介質(zhì)層以及多個導(dǎo)電體層，并具有在層疊方向上相對的第1主面以及第2主面；和至少兩個 外部電極，被設(shè)置于層疊體的表面的一部分，并與多個導(dǎo)電體層之中的至少一部分的導(dǎo)電 體層電連接。層疊體還具有連結(jié)第1主面和第2主面并相對的第1端面以及第2端面、和 連結(jié)第1主面和第2主面且連結(jié)第1端面和第2端面并相對的第1側(cè)面以及第2側(cè)面，并 且，層疊體在層疊方向上包含內(nèi)層部和將內(nèi)層部夾在相互之間的第1外層部以及第2外層 部，其中，該內(nèi)層部包含多個導(dǎo)電體層之中位于最靠第1主面?zhèn)鹊膶?dǎo)電體層至多個導(dǎo)電體 層之中位于最靠第2主面?zhèn)鹊膶?dǎo)電體層。上述層疊方向上的層疊體的厚度小于在將第1側(cè) 面和第2側(cè)面最短連結(jié)的方向上的層疊體的寬度。上述層疊方向上的內(nèi)層部的厚度小于在 將第1側(cè)面和第2側(cè)面最短連結(jié)的方向上內(nèi)層部之中層疊有所述多個導(dǎo)電體層的部分的寬 度。第2外層部比第1外層部厚。第1外層部的厚度與第2外層部的厚度之和小于內(nèi)層部 的厚度。
[0010] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，層疊體的寬度大于0. 9mm，且層疊體的厚度小于0. 9mm。
[0011] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，第2外層部的厚度為90 μπι以上且內(nèi)層部的厚度的1/4以 下。
[0012] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，第2外層部包含：包含第2主面的外側(cè)外層部、以及位于外 側(cè)外層部與所述內(nèi)層部之間的內(nèi)側(cè)外層部。外側(cè)外層部所包含的電介質(zhì)層的Si相對于Ti 的組成比高于內(nèi)層部所包含的一部分的電介質(zhì)層、以及構(gòu)成內(nèi)側(cè)外層部的電介質(zhì)層的各個 電介質(zhì)層的Si相對于Ti的組成比。
[0013] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，外側(cè)外層部的厚度在上述層疊方向上為內(nèi)側(cè)外層部的厚度 以上。
[0014] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，所述第2外層部還包含Si聚集在外側(cè)外層部與內(nèi)側(cè)外層部 之間的邊界部。
[0015] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，第2外層部的厚度與第1外層部的厚度之差為10 μπι以上。
[0016] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，從連結(jié)所述第1側(cè)面和所述第2側(cè)面的方向觀察時，所述邊 界部包含隨著接近所述第1端面以及所述第2端面而朝向所述層疊體的寬度方向的中心彎 曲的部分。
[0017] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，所述外側(cè)外層部所包含所述電介質(zhì)層的稀土類元素相對于 Ti的組成比低于所述內(nèi)側(cè)外層部所包含的所述電介質(zhì)層的稀土類元素相對于Ti的組成 比。
[0018] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，所述外側(cè)外層部所包含的所述電介質(zhì)層的Dy相對于Ti的 組成比低于所述內(nèi)側(cè)外層部所包含的所述電介質(zhì)層的Dy相對于Ti的組成比。
[0019] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，所述外側(cè)外層部所包含的所述電介質(zhì)層的Μη相對于Ti的 組成比低于所述第1外層部所包含的所述電介質(zhì)層的Μη相對于Ti的組成比。
[0020] 基于本發(fā)明的第2局面的層疊陶瓷電容器串具備：上述任一技術(shù)方案所記載的多 個層疊陶瓷電容器；和包裝體，其包含空開間隔設(shè)置有將多個層疊陶瓷電容器分別進(jìn)行收 納的多個凹部的長條狀的載帶、以及粘貼于載帶以堵住多個凹部的蓋帶。多個層疊陶瓷電 容器以第2主面位于多個凹部的底側(cè)的狀態(tài)被分別收納在多個凹部內(nèi)。
[0021] 基于本發(fā)明的第3局面的層疊陶瓷電容器的安裝體具備：上述任一個技術(shù)方案所 記載的層疊陶瓷電容器、和層疊陶瓷電容器被安裝的被安裝體。層疊陶瓷電容器以第2主 面位于被安裝體側(cè)的狀態(tài)安裝于被安裝體。
[0022] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，被安裝體在表面具有與層疊陶瓷電容器的一對外部電極分 別電連接的一對焊盤。在層疊體的寬度方向上，一對焊盤的各個焊盤的寬度小于層疊體的 寬度。
[0023] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，在層疊體的寬度方向上，一對焊盤的各個焊盤的寬度小于 內(nèi)層部的寬度。
[0024] 根據(jù)本發(fā)明，在層疊陶瓷電容器中，既能確保靜電電容又能抑制由于因電介質(zhì)層 以及導(dǎo)電體層的熱收縮率之差所產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力而產(chǎn)生裂紋。
【附圖說明】
[0025] 圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的層疊陶瓷電容器的外觀的立體圖。
[0026] 圖2是從II-II線箭頭方向觀察圖1的層疊陶瓷電容器的剖視圖。
[0027] 圖3是從III-III線箭頭方向觀察圖1的層疊陶瓷電容器的剖視圖。
[0028] 圖4是從IV-IV線箭頭方向觀察圖2的層疊陶瓷電容器的剖視圖。
[0029] 圖5是從V-V線箭頭方向觀察圖2的層疊陶瓷電容器的剖視圖。
[0030] 圖6是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的流程圖。
[0031] 圖7是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的層疊陶瓷電容器的安裝體的構(gòu)成的剖視 圖。
[0032] 圖8是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的層疊陶瓷電容器串的構(gòu)成的俯視圖。
[0033] 圖9是從IX-IX線箭頭方向觀察圖8的層疊陶瓷電容器串的剖視圖。
[0034] 圖10是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的層疊陶瓷電容器的外觀的立體圖。
[0035] 圖11是從XI-XI線箭頭方向觀察圖10的層疊陶瓷電容器的剖視圖。
[0036] 圖12是從XII-XII線箭頭方向觀察圖10的層疊陶瓷電容器的剖視圖。
[0037] 圖13是從XIII-XIII線箭頭方向觀察圖11的層疊陶瓷電容器的剖視圖。
[0038] 圖14是從XIV-XIV線箭頭方向觀察圖11的層疊陶瓷電容器的剖視圖。
[0039] 圖15是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的流程圖。
[0040] 圖16是表示構(gòu)成本發(fā)明的實施方式2所涉及的層疊陶瓷電容器的外側(cè)外層被設(shè) 置之前的一部分層疊體的單位片組的層疊構(gòu)造的分解立體圖。
[0041] 圖17是表示母片組被壓接的狀態(tài)的剖視圖。
[0042] 圖18是表示對在工序S15中經(jīng)過壓接后的母片組和多個第2陶瓷生片進(jìn)行壓接 的狀態(tài)的剖視圖。
[0043] 圖19是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的層疊陶瓷電容器的安裝體的構(gòu)成的剖 視圖。
[0044] 圖20是表示對構(gòu)成本發(fā)明的實施方式3所涉及的層疊陶瓷電容器的母片組進(jìn)行 壓接的狀態(tài)的剖視圖。
[0045] 圖21是表示對經(jīng)過壓接后的母片組和多個第2陶瓷生片進(jìn)行壓接的中途的狀態(tài) 的剖視圖。
[0046] 圖22是表示母層疊體被截斷后的狀態(tài)的剖視圖。
[0047] 圖23是表示利用掃描型電子顯微鏡對層疊陶瓷電容器的剖面進(jìn)行了觀察的放大 像的一例的圖。
[0048] 符號說明
[0049] 1被安裝體、4包裝體、5載帶、5b底、5h凹部、6蓋帶、9樹脂、10,10a層疊陶瓷電容 器、10ax，10x層疊陶瓷電容器的安裝體、10s層疊陶瓷電容器串、11層疊體、11m內(nèi)層部、lip 一部分層疊體、llq軟質(zhì)層疊體、12電介質(zhì)層、12b21內(nèi)側(cè)外層部、12b 22外側(cè)外層部、12b 1第 1外層部、12132第2外層部、12c側(cè)方間隙、12m中央部、12s表層部、12x第1電介質(zhì)層、12xr 陶瓷基材、12y第2電介質(zhì)層、12z邊界部、12zw彎曲部、13導(dǎo)電體層、13r導(dǎo)電圖案、14外部 電極、20焊盤、30焊料、90基座、91平板模具、93橡膠、111第1主面、112第2主面、113第1 端面、114第2端面、115第1側(cè)面、116第2側(cè)面、120a，130a，130b單位片、CL切割線、L長 度方向、T厚度方向、W寬度方向。
【具體實施方式】
[0050] 以下，參照附圖來說明本發(fā)明的各實施方式所涉及的層疊陶瓷電容器、包含其的 層疊陶瓷電容器串、以及層疊陶瓷電容器的安裝體。在以下的實施方式的說明中，對圖中的 相同或相當(dāng)?shù)牟糠仲x予相同符號，不重復(fù)其說明。此外，將層疊陶瓷電容器簡稱為電容器。
[0051] (實施方式1)
[0052] 圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的電容器的外觀的立體圖。圖2是從II-II 線箭頭方向觀察圖1的電容器的剖視圖。圖3是從III-III線箭頭方向觀察圖1的電容器 的剖視圖。圖4是從IV-IV線箭頭方向觀察圖2的電容器的剖視圖。圖5是從V-V線箭頭 方向觀察圖2的電容器的剖視圖。在圖1~5中，用L表示后述的層疊體的長度方向，用W 表示層疊體的寬度方向，用T表示層疊體的厚度方向。
[0053] 如圖1~5所示，本發(fā)明的實施方式1所涉及的電容器10具備層疊體11和兩個 外部電極14。層疊體11包含被層疊的多個電介質(zhì)層12以及多個導(dǎo)電體層13,并具有在層 疊方向上相對的第1主面111以及第2主面112。兩個外部電極14設(shè)置于層疊體11的表 面的一部分，并與任一者的導(dǎo)電體層13電連接。
[0054] 電介質(zhì)層12和導(dǎo)電體層13的層疊方向相對于層疊體11的長度方向L以及層疊 體11的寬度方向W而正交。即，電介質(zhì)層12和導(dǎo)電體層13的層疊方向與層疊體11的厚 度方向T平行。
[0055] 層疊體11還具有：連結(jié)第1主面111和第2主面112并相互位于層疊體11的相 反一側(cè)的第1端面113以及第2端面114 ;連結(jié)第1主面111和第2主面112且連結(jié)第1 端面113和第2端面114并相互位于層疊體11的相反一側(cè)的第1側(cè)面115以及第2側(cè)面 116。層疊體11具有長方體狀的外形，但也可以在角部以及棱線部的至少一方倒圓。
[0056] 第1側(cè)面115和第2側(cè)面116的最短距離小于第1端面113和第2端面114的最 短距離。即，層疊體11的寬度方向W的尺寸W。小于層疊體11的長度方向L的尺寸L。。層 疊體11在層疊方向上的層疊體11的厚度T。小于在將第1側(cè)面115和第2側(cè)面116最短連 結(jié)的方向上的層疊體11的寬度W。。如后所述，優(yōu)選層疊體11的厚度T。大于層疊體11的 長度方向L的尺寸L。的1/3、且小于層疊體11的長度方向L的尺寸L。的1/2。優(yōu)選層疊體 11的厚度T。小于后述的內(nèi)層部11m的寬度W i。優(yōu)選層疊體11的寬度W。大于0. 9mm、且層 疊體11的厚度T。小于0· 9mm〇
[0057] 層疊體11在層疊體11的層疊方向上包含內(nèi)層部11m和夾著內(nèi)層部11m的第1外 層部121^以及第2外層部12b 2，其中，所述內(nèi)層部11m包含多個導(dǎo)電體層13之中位于最靠 第1主面111側(cè)的導(dǎo)電體層13至多個導(dǎo)電體層13之中位于最靠第2主