別按上表面層、中間層、下表面層所述的原料配料：上表面層和下表面層氮化 硅陶瓷的原料組成（質(zhì)量百分比計）均為95%Si3N4和5%Y203，中間層氮化硅陶瓷的原 料組成（質(zhì)量百分比計）為3%Si02、0.5%炭黑、6%Υ203、余量Si3N4;所述炭黑的粒徑 為 60-80nm，Si〇J9 粒徑為 0· 1-0. 5μm，Y203的粒徑為 0· 2-1. 2μm，Si3N4為α>95 % 的 α-Si3N4〇
[0061] 分別將配料利用有機載體浸漬成型并在0. 6MPa的氮氣壓力和1730°C下燒結(jié)lh， 分別制得上表面層、中間層、下表面層的干粉。
[0062] 將制得的上表面層、中間層、下表面層的干粉依次敷放，最后在4MPa的壓力下壓 制成型，得三層層狀多孔氮化硅陶瓷。
[0063] 將三層層狀多孔氮化硅陶瓷與鋁合金（以重量百分比計的組成成分：Si:6%， Zr：0. 05%,B：0. 2%,Sr：0. 01 %,Fe：0. 7%,Cu^ 0. 01 %,Mg^ 0. 01 %,Μη^ 0. 01 %, Cr彡（λ001%，Ti彡（λ02%，V彡（λ02%，Ζη彡（λ05%，稀土元素：0· 01%，余量為Α1 以及 不可避免的雜質(zhì)元素，其中稀土元素由Y和Er按質(zhì)量比為1. 5 :1組成）利用真空-氣壓鑄 造（真空度為0. 〇8MPa)方法制成三層層狀多孔碳化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料（復(fù)合材料 中三層層狀多孔氮化硅陶瓷和鋁合金的體積百分比分別為30%和70% )。
[0064] 通過普通的鍛造成型工藝將三層層狀多孔碳化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料制成本 發(fā)明割草機中的連接器。
[0065] 實施例5
[0066] 分別按上表面層、中間層、下表面層所述的原料配料：上表面層和下表面層氮化 硅陶瓷的原料組成（質(zhì)量百分比計）均為90 %Si3N4和10%Y203，中間層氮化硅陶瓷的 原料組成（質(zhì)量百分比計）為0.5%Si02、l%炭黑、2%Υ203、余量Si3N4;所述炭黑的粒徑 為 60-80nm，Si〇J9 粒徑為 0· 1-0. 5μm，Y203的粒徑為 0· 2-1. 2μm，Si3N4為α>95 % 的 α-Si3N4〇
[0067] 分別將配料利用有機載體浸漬成型并在0. 3MPa的氮氣壓力和1700°C下燒結(jié)2h， 分別制得上表面層、中間層、下表面層的干粉。
[0068] 將制得的上表面層、中間層、下表面層的干粉依次敷放，最后在3MPa的壓力下壓 制成型，得三層層狀多孔氮化硅陶瓷。
[0069] 將三層層狀多孔氮化硅陶瓷與鋁合金（以重量百分比計的組成成分：Si:5. 5%， Zr：0. 15%,B：0. 1%,Sr：0. 03%,Fe：0. 5%,Cu^ 0. 01 %,Mg^ 0. 01 %,Μη^ 0. 01 %, Cr彡 0· 001%，Ti彡 0· 02%，V彡 0· 02%，Zn彡 0· 05%，稀土元素：0· 09%，余量為A1 以及 不可避免的雜質(zhì)元素，其中稀土元素由Y和Er按質(zhì)量比為0. 5 :1組成）利用真空-氣壓鑄 造（真空度為0. 〇5MPa)方法制成三層層狀多孔碳化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料（復(fù)合材料 中三層層狀多孔氮化硅陶瓷和鋁合金的體積百分比分別為10%和90% )。
[0070] 通過普通的鑄造成型工藝將三層層狀多孔碳化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料制成本 發(fā)明割草機中的連接器。
[0071] 對比例1
[0072] 該對比例1為市場上普通市售的割草機中的連接器。
[0073] 對比例2
[0074] 該對比例2為采用實施例1中所述的鋁合金制成的割草機中的連接器。
[0075] 將實施例1-5中及對比例1-2中的割草機中的連接器進行性能測試，測試結(jié)果如 表1所示。
[0076] 表1 :實施例1-5中及對比例1-2中的割草機中的連接器的性能測試結(jié)果
[0077]
[0078] 綜上所述，本發(fā)明割草機中的連接器由三層層狀多孔碳化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材 料制成，具有較高的力學(xué)性能，如高強度、高溫穩(wěn)定性、耐磨損性、耐腐蝕性等，還具有較好 的導(dǎo)電性、抗熱疲勞性等。
[0079] 本文中所描述的具體實施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng) 域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替 代，但并不會偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種割草機中的連接器，其特征在于，所述連接器包括主軸，主軸頂端端面為弧形 面，主軸底端端面為平面，在主軸的中部徑向向外延伸形成有一柱形環(huán)，在主軸上具有一錐 形環(huán)，錐形環(huán)位于主軸底端和柱形環(huán)之間，錐形環(huán)的外徑由主軸底端朝主軸頂端逐漸增大， 所述的連接器由三維網(wǎng)絡(luò)氮化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料制成，所述三層層狀多孔氮化硅陶 瓷/鋁合金復(fù)合材料包括體積百分比含量為10-30 %的三層層狀多孔氮化硅陶瓷和體積百 分比含量為70-90 %的鋁合金。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種割草機中連接器，其特征在于，所述的三層層狀氮化硅 陶瓷包括上表面層、下表面層以及上下表面層之間的中間層，其中上表面層和下表面層氮 化硅陶瓷的原料組成（質(zhì)量百分比計）均為90-95%Si3N4和5-10%Y203，中間層氮化硅陶 瓷的原料組成（質(zhì)量百分比計）為0.5-3%310 2、0.5-1%炭黑、2-6%￥203、余量3^4。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種割草機中連接器，其特征在于，所述炭黑的粒徑為 60-80nm，Si〇J9 粒徑為 0· 1-0. 5μπι，Υ203的粒徑為 0· 2-1. 2μπι，Si 3Ν4為α>95 % 的 a -Si3N4〇4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種割草機中連接器，其特征在于，所述的鋁合金由以 下成分（以質(zhì)量百分比計）組成：Si:5· 5-6%，Zr:0· 05-0. 15%，B:0· 1-0. 2%，Sr: 0. 01-0. 03 %,Fe：0. 5-0. 7 %,Cu^ 0. 01 %,Mg^ 0. 01 %,Μη^ 0. 01 %,Cr^ 0. 001 %, Ti< 0· 02%，V< 0· 02%，Zn< 0· 05%，稀土元素：0· 01-0. 1%，余量為A1 以及不可避免 的雜質(zhì)元素。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種割草機中連接器，其特征在于，稀土元素由Y和Er按質(zhì) 量比為（0. 5-1. 5) :1組成。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種割草機中連接器，其特征在于，所述的鋁合金由以下 成分（以質(zhì)量百分比計）組成：Si:5· 6-5. 8%，Zr:0· 08-0. 12%，B:0· 12-0. 16%，Sr: 0. 015-0. 025%,Fe：0. 55-0. 60%,Cu^ 0. 01%,Mg^ 0. 01%,Μη^ 0. 01%,Cr^ 0. 001%, Ti< 0· 02%，V< 0· 02%，Zn< 0· 05%，稀土元素：0· 02-0. 08%，余量為A1 以及不可避免 的雜質(zhì)元素。7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的一種割草機中連接器，其特征在于，所述三層層狀 多孔氮化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料由如下制備方法制得： 分別按上表面層、中間層、下表面層所述的原料配料，分別將配料利用有機載體浸漬成 型并在0. 3-0. 6MPa的氮氣壓力和1700-1730°C下燒結(jié)l_2h，分別制得上表面層、中間層、下 表面層的干粉； 將制得的上表面層、中間層、下表面層的干粉依次敷放，最后在3-4MPa的壓力下壓制 成型，得三層層狀多孔氮化硅陶瓷； 將三層層狀多孔氮化硅陶瓷與鋁合金利用真空-氣壓鑄造方法制成三層層狀多孔碳 化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種割草機中連接器，其特征在于，真空-氣壓鑄造方法中的 真空度為 05-0. 08MPa。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種連接器，具體涉及一種割草機中的連接器，屬于合金材料技術(shù)領(lǐng)域。其包括主軸，主軸頂端端面為弧形面，主軸底端端面為平面，在主軸的中部徑向向外延伸形成有一柱形環(huán)，在主軸上具有一錐形環(huán)，錐形環(huán)位于主軸底端和柱形環(huán)之間，錐形環(huán)的外徑由主軸底端朝主軸頂端逐漸增大，所述的連接器由三維網(wǎng)絡(luò)氮化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料制成，所述三層層狀多孔氮化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料包括體積百分比含量為10-30％的三層層狀多孔氮化硅陶瓷和體積百分比含量為70-90％的鋁合金。該割草機中的連接器由三層層狀多孔碳化硅陶瓷/鋁合金復(fù)合材料制成，具有較高的力學(xué)性能，如高強度、高溫穩(wěn)定性、耐磨損性、耐腐蝕性等，還具有較好的導(dǎo)電性、抗熱疲勞性等。
【IPC分類】H01R13/502, H01R13/03
【公開號】CN105356100
【申請?zhí)枴緾N201510824490
【發(fā)明人】楊繼波
【申請人】寧波市鄞州永佳連接器件廠（普通合伙）
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2015年11月24日