一種太陽能電池電極制備模具及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池技術領域，特別涉及一種太陽能電池電極制備模具及其制備方法。
【背景技術】
[0002]太陽能電池電極包括正電極和背電極，通過接通兩電極產生電流。太陽能電池以硅片為原材料，完成前工序后，進入PVD (Physical Vapor D印osit1n，物理氣相沉積)鍍膜設備中在兩側已形成有非晶硅薄膜、透明導電氧化物的硅片兩面分別鍍正電極和背電極；PVD鍍膜是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質離子轟擊作用的同時把蒸發(fā)物或其反應物沉積在基材上?，F有太陽能電池電極制作技術是將每個兩側已形成有非晶硅薄膜、透明導電氧化物的硅片放于單個模具中，然后進入PVD鍍膜設備對每個兩側已形成有非晶硅薄膜、透明導電氧化物的硅片鍍正、背電極。
[0003]現有的太陽能電池電極制備模具包括底托和與之配合使用的上蓋，使用時先將兩側已形成有非晶硅薄膜、透明導電氧化物的硅片放在底托上，蓋上正電極用上蓋，然后進入PVD鍍膜設備鍍正電極，鍍膜完畢后從PVD鍍膜設備出來并取走正電極用上蓋，人工依次對每個兩側已形成有非晶硅薄膜、透明導電氧化物的硅片進行手動翻片，再將上蓋全部換成背電極用上蓋，進入PVD鍍膜設備鍍背電極；其中僅靠底托上設置的與硅片尺寸一致的凹槽部來對硅片進行限位。
[0004]現有的太陽能電池電極制備模具存在如下不足:
[0005]1)現有技術中使用凹槽部來對硅片進行限位，為了保證凹槽部不會影響正、背電極的鍍膜，需要將凹槽部的深度設置的較淺，使得硅片容易從凹槽部中跑偏，從而不能有效實現電池鍍膜時硅片的精確限位，且硅片容易磕邊、碎片率較高；
[0006]2)由于硅片在電極鍍膜過程中無法實現精確限位，使得硅片正電極和背電極邊緣很容易被鍍膜從而將正電極與背電極通過邊緣導電物質而連通起來，從而產生邊緣漏電問題，為解決此問題，需增加一道激光掃邊工序，這道工序增加了制作成本；
[0007]3) 一套制備模具僅放一片硅片，且因正、背電極遮擋邊不同，所用上蓋模具也不同，需要人工翻片和更換模具，從而導致操作過程復雜且效率低，不能簡易的實現正、背電極鍍膜和批量化生產的應用。

【發(fā)明內容】

[0008]本發(fā)明提供了一種太陽能電池電極制備模具及其制備方法，用以提供一種能夠對待處理部件進行精確限位的模具，以及能夠在不需要更換制備模具的條件下即可對待處理部件進行太陽能電池電極制備。
[0009]本發(fā)明實施例中提供了一種太陽能電池電極制備模具，包括:上蓋與底托，其中:
[0010]底托包括至少一個放置待處理部件的凹槽部；
[0011]在凹槽部周圍設有限位結構；
[0012]上蓋包括與待處理部件的電極對應的第一鏤空部，以及與限位結構對應的限位配合結構，第一鏤空部與待處理部件的一面的電極尺寸相對應。
[0013]較佳地，上蓋進一步包括:
[0014]上蓋遮擋部，用于遮擋待處理部件朝向上蓋一面不需處理的部位。
[0015]較佳地，底托進一步包括:
[0016]底托遮擋部，用于遮擋待處理部件朝向底托一面不需處理的部位。
[0017]較佳地，底托進一步包括與待處理部件的另一面的電極尺寸相對應的第二鏤空部。
[0018]較佳地，限位結構為腰型限位銷或斜坡型腰型限位銷。
[0019]較佳地，限位配合結構為限位銷孔。
[0020]較佳地，限位結構沿凹槽部的四角對稱分布。
[0021]較佳地，限位結構長度為1mm。
[0022]較佳地，模具的材質為鋁合金。
[0023]本發(fā)明實施例中提供了一種使用上述模具進行太陽能電池電極制備的方法，包括:
[0024]將至少一個待處理部件放置于底托的凹槽部，待處理部件的側面與限位結構的側面相接觸；
[0025]蓋上上蓋，使位于底托的限位結構及位于上蓋的限位配合結構相結合；
[0026]在待處理部件一面的電極處理結束后，翻轉模具；
[0027]對待處理部件另一面的電極進行處理。
[0028]較佳地，待處理部件是太陽能電池。
[0029]本發(fā)明有益效果如下:
[0030]由于在本發(fā)明實施例提供的模具中，增加了用于精確定位的限位結構及限位配合結構，所以能夠對待處理部件進行限位，從而能夠對待處理部件精確限位。
[0031]進一步的，由于設置有與待處理部件的電極尺寸相對應的鏤空部，在待處理部件一面處理結束后，由于上蓋設置有第一鏤空部且底托設置有第二鏤空部，制備電極過程中只需要翻轉硅片，不需要更換制備模具，翻轉模具即可對待處理部件另一面進行處理，因此操作過程簡單且效率高。
[0032]由于模具中包括至少一個放置待處理部件的凹槽部，所以將待處理部件放置于凹槽部后，可以一次對多個待處理部件進行處理。
[0033]進一步的，由于采用了上蓋遮擋部和/或底托遮擋部，防止邊緣鍍膜導通，使得待處理部件的邊緣不會被連通起來，克服了邊緣漏電問題。
【附圖說明】
[0034]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中:
[0035]圖1為本發(fā)明實施例中太陽能電池電極制備模具結構示意圖；
[0036]圖2為本發(fā)明實施例中底托的結構示意圖；
[0037]圖3為本發(fā)明實施例中上蓋的結構示意圖；
[0038]圖4為本發(fā)明實施例中腰型限位銷放大示意圖；
[0039]圖5為本發(fā)明實施例中太陽能電池電極制備方法的流程示意圖。
[0040]圖中:
[0041]101-上蓋
[0042]1011-限位銷孔
[0043]1012-上蓋遮擋部
[0044]1013-第一鏤空部
[0045]102-待處理部件
[0046]103-底托
[0047]1031-限位銷
[0048]1032-底托遮擋部
[0049]1033-第二鏤空部
[0050]104-托盤邊緣斜槽
[0051]105-懸掛孔
[0052]106-卡銷
[0053]107-凹槽部
【具體實施方式】
[0054]下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行說明。
[0055]本發(fā)明實施例中將提出了一套制備模具，該模具仍由底托和上蓋配合使用，但是針對原來凹槽部限位的缺陷，在凹槽部四邊增加限位結構，對兩側已形成有非晶硅薄膜、透明導電氧化物的硅片進行精確限位；在精確限位同時，該制備模具可對兩側已形成有非晶硅薄膜、透明導電氧化物的硅片的邊緣進行