紅外增透膜。
[0092]作為示例，所述鍵合結(jié)構(gòu)為復(fù)合金屬層-焊料-復(fù)合金屬層組成的疊層。進(jìn)一步地，所述復(fù)合金屬層的種類包括Cr/Au、Cr/Cu、Cr/Ni/Au、Ti/Ni/Au、Ti/W/Ni/Au ;所述焊料的種類包括 AuSn、AgSn、InSn、PbSn、CuSn。
[0093]其中，需要說明的是，用于密封焊接的復(fù)合金屬層的形狀應(yīng)是閉合的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其大小、形狀應(yīng)由所需密封的結(jié)構(gòu)來決定；用于固定芯片復(fù)合金屬層的形狀應(yīng)是條狀或片狀或帶開口的環(huán)狀結(jié)構(gòu)或其它非閉合結(jié)構(gòu)，其大小、形狀應(yīng)由所需固定的芯片來決定；用于電連接的復(fù)合金屬層應(yīng)是離散的長方塊、圓形塊或其它非連續(xù)的形狀，其大小和形狀應(yīng)與金屬柱頂端面積相匹配。
[0094]另外，低溫焊料的材料的選擇一方面與復(fù)合金屬層材料的選擇相關(guān)，另一方面與工藝順序相關(guān)，一般而言，在后續(xù)工藝中使用的焊料熔焊溫度不高于前面工藝中所使用的焊料的熔焊溫度；低溫焊料可根據(jù)需要選擇預(yù)成型的焊料，或選擇直接在復(fù)合金屬層上采用電鍍、濺射或蒸發(fā)的方法制備焊料；低溫焊料的形狀應(yīng)根據(jù)用途來選擇:當(dāng)被用于密封時應(yīng)選擇閉合的環(huán)狀結(jié)構(gòu)焊料，其大小、形狀應(yīng)與所需密封的結(jié)構(gòu)上的復(fù)合金屬層相匹配；當(dāng)被用于固定芯片而非密封時，應(yīng)選擇帶開口的環(huán)狀結(jié)構(gòu)、條狀結(jié)構(gòu)焊料、焊球或焊片，其大小、形狀應(yīng)與所需固定芯片上及固定處復(fù)合金屬層相匹配；當(dāng)被用于電連接時，應(yīng)選擇焊球或焊片，焊球或焊片的大小和形狀應(yīng)與金屬柱頂端面積相匹配。
[0095]作為示例，所述吸氣劑薄膜的成分包括鋯合金及鈦合金的一種或組合，如Zr-V-Fe-Al、T1-Mo 等。
[0096]如圖la?圖lg所示，具體地，本實(shí)施例包括以下步驟:
[0097]如圖la所示，首先進(jìn)行步驟1)，在紅外濾波片1 (雙拋硅片或鍺片或硫化鋅片)，采用腐蝕、刻蝕或激光等加工手段，在紅外濾波片1的表面制作出芯片封裝腔11 ;
[0098]如圖lb所示，然后進(jìn)行步驟2)，在芯片封裝腔11的底部及紅外濾波片1的下表面制作出紅外增透膜；
[0099]如圖lc所示，接著進(jìn)行步驟3)，在芯片封裝腔11的周圍制作復(fù)合金屬環(huán)13，復(fù)合金屬環(huán)可選擇Cr/Au、Cr/Cu> Cr/Ni/Au、Ti/Ni/Au、Ti/W/Ni/Au,但不限于上述材料；復(fù)合金屬環(huán)可以是圓形，也可以是長方形、正方形，但不限于上述形狀；該復(fù)合金屬環(huán)的形狀、大小和待封裝的紅外探測器芯片上的復(fù)合金屬環(huán)23相匹配；
[0100]如圖1d所示，然后進(jìn)行步驟4)，在芯片封裝腔11的底部制作吸氣劑薄膜14 ；
[0101]如圖le所示，接著進(jìn)行步驟5)，在待封裝的電讀出紅外探測器芯片2上制作貫穿探測器芯片的金屬柱22，并使之與紅外探測器敏感區(qū)實(shí)現(xiàn)電互聯(lián)，這些金屬柱用于引出紅外探測器的電信號；
[0102]如圖1f所示，接著進(jìn)行步驟6)，在待封裝的電讀出紅外探測器芯片2上制作復(fù)合金屬環(huán) 23,復(fù)合金屬環(huán) 23 可選擇 Cr/Au、Cr/Cu> Cr/Ni/Au> Ti/Ni/Au、Ti/ff/Ni/Au,但不限于上述材料；復(fù)合金屬環(huán)23可以是圓形，也可以是長方形、正方形，但不限于上述形狀；該復(fù)合金屬環(huán)的形狀、大小和芯片封裝腔周圍的復(fù)合金屬環(huán)13相匹配；
[0103]如圖lg所示，最后進(jìn)行步驟7)，將已通過測試的電讀出非致冷紅外探測器芯片2和紅外濾光片1對準(zhǔn)后放入在真空室中(此時紅外濾波片1和電讀出非致冷紅外探測器芯片2不接觸或不緊密接觸)，抽真空、烘烤出氣、激活吸氣劑14，然后加熱加壓(此時紅外濾波片1和電讀出非致冷紅外探測器芯片2緊密接觸)，通過低溫焊料4焊料鍵合完成真空封裝。
[0104]實(shí)施例2
[0105]如圖2a?圖2g所示，本實(shí)施例提供一種混合晶圓級真空封裝方法，其基本步驟如實(shí)施例1，其中，本實(shí)施例的封裝方法與實(shí)施例1的主要區(qū)別在于:在實(shí)施例1的步驟1)中除了要制作出芯片封裝腔11外，還要在芯片封裝腔11周圍制作出真空緩沖腔15，用以延長器件的使用壽命。
[0106]具體地，本實(shí)施例包括以下步驟:
[0107]如圖2a所示，首先進(jìn)行步驟1)，在紅外濾波片1 (雙拋硅片或鍺片或硫化鋅片)，采用腐蝕、刻蝕或激光等加工手段，在紅外濾波片1的表面制作出芯片封裝腔11和真空緩沖腔15 ;在后續(xù)的工藝過程中(在最后的真空封裝步驟中)，所述真空緩沖腔15該腔體內(nèi)可以放置、固定適量的吸氣劑，也可以不放任何吸氣劑。真空緩沖腔15 —方面能延緩芯片封裝腔11內(nèi)真空度的下降，延長器件的使用壽命，另一方面還能提高封裝的成品率；
[0108]如圖2b所示，然后進(jìn)行步驟2)，在芯片封裝腔11的底部及紅外濾波片1的下表面制作出紅外增透膜12 ；
[0109]如圖2c所示，然后進(jìn)行步驟3)，在真空緩沖腔15的兩邊制作兩個復(fù)合金屬環(huán)13，復(fù)合金屬環(huán)可選擇Cr/Au、Cr/Cu> Cr/Ni/Au、Ti/Ni/Au、Ti/W/Ni/Au,但不限于上述材料；復(fù)合金屬環(huán)可以是圓形，也可以是長方形、正方形，但不限于上述形狀；這兩個復(fù)合金屬環(huán)的形狀、大小和待封裝的紅外探測器芯片上的復(fù)合金屬環(huán)相23匹配；
[0110]如圖2d所示，然后進(jìn)行步驟4)，在芯片封裝腔11的底部制作吸氣劑薄膜14 ；
[0111]如圖2e所示，然后進(jìn)行步驟5)，在待封裝的電讀出紅外探測器芯片2上制作貫穿探測器芯片的金屬柱22，并使之與紅外探測器敏感區(qū)實(shí)現(xiàn)電互聯(lián)，這些金屬柱用于引出紅外探測器的電信號；
[0112]如圖2f所示，然后進(jìn)行步驟6)，在待封裝的電讀出紅外探測器芯片2上制作復(fù)合金屬環(huán) 23,復(fù)合金屬環(huán) 23 可選擇 Cr/Au、Cr/Cu> Cr/Ni/Au> Ti/Ni/Au、Ti/ff/Ni/Au,但不限于上述材料；復(fù)合金屬環(huán)23可以是圓形，也可以是長方形、正方形，但不限于上述形狀；該復(fù)合金屬環(huán)23的形狀、大小和真空緩沖腔15兩邊的兩個復(fù)合金屬環(huán)13相匹配；
[0113]如圖2g所示，最后進(jìn)行步驟7)，實(shí)現(xiàn)真空封裝:將已通過測試的電讀出非致冷紅外探測器芯片2和紅外濾光片1對準(zhǔn)后放入在真空室中(此時紅外濾波片1和電讀出非致冷紅外探測器芯片2不接觸或不緊密接觸)，抽真空、烘烤出氣、激活吸氣劑14，然后加熱加壓(此時紅外濾波片1和電讀出非致冷紅外探測器芯片2緊密接觸)，通過低溫焊料4焊料鍵合完成真空封裝。
[0114]如圖2g所示，本實(shí)施例還提供一種混合晶圓級真空封裝結(jié)構(gòu)，其基本結(jié)構(gòu)如實(shí)施例1，其中，本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1的主要區(qū)別在于:所述紅外濾波片1中除了具有芯片封裝腔11外，還具有位于芯片封裝腔11外圍區(qū)域的真空緩沖腔15，所述真空緩沖腔可以延長器件的使用壽命。
[0115]實(shí)施例3
[0116]如圖3a?圖3g所示，本實(shí)施例提供一種混合晶圓級真空封裝方法，其基本步驟如實(shí)施例1，其中，本實(shí)施例的封裝方法與實(shí)施例1的主要區(qū)別在于:在實(shí)施例1的步驟1)中除了要在所述紅外濾波片1中制作出芯片封裝腔11外，還要制作出用于限制芯片位置的限位槽16。
[0117]具體地，本實(shí)施例包括以下步驟:
[0118]如圖3a所示，首先進(jìn)行步驟1)，在紅外濾波片1 (雙拋硅片或鍺片或硫化鋅片)，采用腐蝕、刻蝕或激光等加工手段，在紅外濾波片1的表面制作出芯片封裝腔11和限位槽16 ；
[0119]如圖3b所示，然后進(jìn)行步驟2)，在芯片封裝腔11的底部及紅外濾波片1的下表面制作出紅外增透膜12 ；
[0120]如圖3c所示，然后進(jìn)行步驟3)，在芯片封裝腔11的周圍制作復(fù)合金屬環(huán)13，復(fù)合金屬環(huán)可選擇Cr/Au、Cr/Cu> Cr/Ni/Au、Ti/Ni/Au、Ti/W/Ni/Au,但不限于上述材料；復(fù)合金屬環(huán)可以是圓形，也可以是長方形、正方形，但不限于上述形狀；該復(fù)合金屬環(huán)的形狀、大小和待封裝的紅外探測器芯片上的復(fù)合金屬環(huán)23相匹配；
[0121]如圖3d所示，然后進(jìn)行步驟4)，在芯片封裝腔11的底部制作吸氣劑薄膜14 ；
[0122]如圖3e所示，然后進(jìn)行步驟5)，在待封裝的電讀出紅外探測器芯片2上制作貫穿探測器芯片的金屬柱22，并實(shí)現(xiàn)與紅外探測器的電互聯(lián)，這些金屬柱用于引出電信號；
[0123]如圖3f所示，然后進(jìn)行步驟6)，在待封裝的電讀出紅外探測器芯片2上制作復(fù)合金屬環(huán) 23,復(fù)合金屬環(huán) 23